臺灣專用存儲器解決方案制造商旺宏(Macronix)將于明年下半年開始批量生產(chǎn)3D NAND存儲器。該公司將成為臺灣第一家生產(chǎn)內(nèi)部設(shè)計的3D NAND閃存制造商。 該公司董事長吳銘表示，旺宏將在
2019-12-14 09:51:29
5001 近日中國半導(dǎo)體業(yè)最引人關(guān)注的爆炸性新聞是武漢新芯計劃2018年量產(chǎn)48層3D NAND，及它的投資240億美元的計劃。
2016-05-24 10:29:501304 受益于智能手機(jī)搭載的NAND Flash存儲容量持續(xù)提升，以及PC、服務(wù)器、資料中心積極導(dǎo)入固態(tài)硬盤（SSD），NAND Flash需求正快速成長，各家存儲器廠亦由2D NAND Flash加速轉(zhuǎn)進(jìn)
2017-02-07 17:34:128452 
2月16日據(jù)中科院網(wǎng)站消息，近日，由國家存儲器基地主要承擔(dān)單位長江存儲科技有限責(zé)任公司（以下簡稱“長江存儲”）與中國科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲器研發(fā)項目取得新進(jìn)展。
2017-02-16 11:35:24848 近日，由國家存儲器基地主要承擔(dān)單位長江存儲科技有限責(zé)任公司（以下簡稱“長江存儲”）與中國科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲器研發(fā)項目取得新進(jìn)展。
2017-02-17 07:48:231507 消息，表明我國存儲產(chǎn)業(yè)的布局正在加速推進(jìn)當(dāng)中。而隨著數(shù)項重大投資的啟動，存儲器正在成為我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要突破口。
2017-02-23 08:13:33922 通過3D堆疊技術(shù)將存儲層層堆疊起來，促成了NAND 技術(shù)進(jìn)一步成熟。
2018-04-16 08:59:5212047 
知情人士告訴半導(dǎo)體行業(yè)觀察記者，國產(chǎn)存儲三大勢力之一的合肥長鑫正式投片，產(chǎn)品規(guī)格為8Gb LPDDR4，這是國產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的一個里程碑，加上早前宣布在3D NAND Flash取得進(jìn)展的長江存儲，國內(nèi)企業(yè)在國際主流存儲器上都取得了重大突破，為推動存儲國產(chǎn)化掀開了重要一頁。
2018-07-17 10:03:054913 NAND Flash是一種非易失存儲器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機(jī)存儲等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:321584 
2021年全球存儲市場前景如何？存儲芯片出貨受阻，到底會怎樣影響全球市場格局？國產(chǎn)替代風(fēng)起云涌，在存儲領(lǐng)域的國產(chǎn)替代已經(jīng)有哪些突破口？國產(chǎn)廠商在主控芯片、存儲顆粒和終端產(chǎn)品上形成了哪些有利
2021-03-15 08:50:5311717 美光在二季度財報電話會議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲器的量產(chǎn)工作。按照計劃，美光將于 2020 Q3 采集開始生產(chǎn)，并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型，第四代 3D NAND 存儲器的層數(shù)達(dá)到了 128 層。
2020-04-03 09:24:153989 近期，加快芯片國產(chǎn)化進(jìn)程已經(jīng)成為中國科技企業(yè)最重要的議題之一，中國存儲器芯片設(shè)計與制造公司——長江存儲正在加速生產(chǎn)。長江存儲將緩慢提高其NAND芯片產(chǎn)量，以爭取更多的市場份額。
2020-09-23 10:05:432616 什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否帶動SSD市場爆炸性成長？如何提升SSD壽命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
3D NAND技術(shù)資料：器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
NAND FLASH就是通過die堆疊技術(shù)，加大單位面積內(nèi)晶體管數(shù)量的增長。3D NAND比2D NAND具有更高的存儲容量，若采用48層TLC 堆疊技術(shù)，存儲密度可提升至256GB，輕松突破了平面
2020-11-19 09:09:58
1. TC58V64 的引腳配置TC58V64的引腳配置如圖所示。在圖中未看到地址引腳，這是因為利用數(shù)據(jù)輸人輸出引腳（I／O 1 ～I(xiàn)／O 8 ），能夠以時分方式賦予數(shù)據(jù)。NAND閃速存儲器只能
2018-04-11 10:10:52
TC58V64的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖所示。閃速存儲器的容量增大，則塊數(shù)也將增加，但內(nèi)部的基本結(jié)構(gòu)沒有改變。NAND 閃速存儲器的特點①按順序存取數(shù)據(jù)；②存儲器內(nèi)部以塊為單元進(jìn)行分割，而各塊又以頁為單位進(jìn)行
2018-04-11 10:11:54
，PCB設(shè)計工具中的3D功能對于快速、準(zhǔn)確而低成本設(shè)計下一代電子產(chǎn)品是絕對是必不可少的。全3D功能 PCB設(shè)計中添加3D功能的價值是無可否認(rèn)的，因此許多公司目前均以能夠提供此功能作為一個宣傳點。但是，這些
2017-11-01 17:28:27
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲器價格近期正在不斷上揚.許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲器市場的漲價只不過是暫時的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲器價格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
NAND FIash存儲器的特點FIash文件系統(tǒng)的應(yīng)用特點 FAT文件系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)FAT文件系統(tǒng)的改進(jìn)設(shè)計
2021-04-25 09:18:53
特殊的意義。所以在日常的生產(chǎn)過程中，一定要加強(qiáng)與相關(guān)企業(yè)的交流與合作，從中產(chǎn)生靈感和得到啟發(fā)，從而在PCB抄板二次開發(fā)和轉(zhuǎn)型升級中增加收益?！ CB抄板大膽突破與最小改動量兼容 備件國產(chǎn)化工作還要
2014-04-28 14:40:53
文章目錄前言一、存儲器類型二、探究S3C2440啟動地址1.為什么nand啟動地址是4096？2.為什么nor啟動地址是0x4000,0000 + 4096？前言本文記錄的是S3C2440啟動
2022-02-15 07:30:08
.pld（memdec）ld應(yīng)用于生成對存儲器的片選、de以及we信號中。片選信號是在刷新周期以外、當(dāng)?shù)刂犯呶唬╯a16～sa19）為dh（將d0000h～dffffh設(shè)置在sram主板空間）、且bale為低電平
2020-12-10 16:44:18
請問各位，誰知道這個芯片有什么國產(chǎn)化替代方案嗎
2022-06-27 10:38:38
`在今年4月份，F(xiàn)irefly推出了基于RK3399的全國產(chǎn)化核心板后，引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。為了更好地推進(jìn)國內(nèi)科技產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，F(xiàn)irefly繼續(xù)深入開發(fā)穩(wěn)定的國產(chǎn)化平臺，形成了國產(chǎn)化系列。目前已在
2021-06-15 10:21:22
2.5V NAND，有效降低功耗，未來EDSFF將在散熱方面會有更杰出的表現(xiàn)，同時也希望對NAND進(jìn)行進(jìn)一步優(yōu)化。長江存儲：2019年量產(chǎn)64層3D NAND長江存儲作為NAND Flash產(chǎn)業(yè)新晉者
2018-09-20 17:57:05
`中科院3D打印機(jī)CEST400|國產(chǎn)工業(yè)級3D打印機(jī)中科院廣州電子采用全球領(lǐng)先的3D打印技術(shù)和設(shè)備，自2001年改制以來，依托國有科研機(jī)構(gòu)技術(shù)底蘊，穩(wěn)定的技術(shù)隊伍，專注主研方向和產(chǎn)品，在高等教育
2018-08-10 17:27:37
`便宜工業(yè)級3D打印機(jī)CASET400近年來，國產(chǎn)3D打印技術(shù)逐漸興起。中科院廣州電子作為最早在國內(nèi)研發(fā)工業(yè)級3D打印機(jī)的科研機(jī)構(gòu)，其國產(chǎn)3D打印技術(shù)已進(jìn)入完善階段。3D打印機(jī)CASET400依靠
2018-09-06 14:44:40
兆易創(chuàng)新推出全國產(chǎn)化24nm SPI NAND Flash
2021-01-07 06:34:47
牢牢地掌控在我們自己手里。要讓電網(wǎng)真正變得安全和可靠，電力數(shù)據(jù)就要運行在自主可控的設(shè)備上，這才是“國產(chǎn)化”的必須性、緊迫性和重要性。3、電力設(shè)備國產(chǎn)化的關(guān)鍵那么電力設(shè)備國產(chǎn)化的關(guān)鍵又是什么呢？關(guān)鍵就是主控
2022-09-16 14:32:37
flash中運行。嵌入式系統(tǒng)多用一個小容量的nor flash存儲引導(dǎo)代碼，用一個大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
壓力變感器，尤其是差壓變送器在我國石化行業(yè)大量使用。變送器來源的絕大多數(shù)依靠進(jìn)口，不僅價格昂貴，而且，由于不具有自主知識產(chǎn)權(quán)，很有可能暗藏潛在威脅。能源安全關(guān)乎國家安全，因此傳感器國產(chǎn)化迫在眉睫。
2019-10-08 06:50:15
設(shè)計方案 2.1 8位存儲器寬度 設(shè)計為8位的存儲器，其硬件接線方案如圖2所示。STRBx_B3/Al_1和STRBx_B2/A_2引腳作為地址引腳，STRBx_B0引腳作為片選引腳，而
2019-06-14 05:00:08
1. 嵌入式的外部存儲器嵌入式系統(tǒng)中，外部的存儲器一般是Nand flash和Nor flash，都稱為非易失存儲器。存儲器的物理構(gòu)成包含頁內(nèi)地址，頁（Page），塊（Block）?？梢缘贸?b class="flag-6" style="color: red">存儲器
2021-12-10 08:26:49
1) 允許一個物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器進(jìn)行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲器。
2024-01-30 08:18:12
用變址尋址原理突破EEPROM存儲器的擦寫壽命極限
2021-03-18 06:00:25
國產(chǎn)FPGA正在面臨挑戰(zhàn)如何選擇國產(chǎn)化替代FPGA產(chǎn)品
2021-03-02 06:30:14
您好，我在MCU上使用程序內(nèi)存的一部分作為NVM（非易失性存儲器）。我已經(jīng)設(shè)法寫和讀，但是現(xiàn)在我面臨的問題是，我想避免編譯器覆蓋我用于NVM的程序內(nèi)存空間。MCU是PIC32 MX230F064 D。程序存儲器的最后一頁是NVM的一頁。謝謝，問候，
2019-09-18 10:31:51
的使用和維護(hù)成本。教育級國產(chǎn)3D打印機(jī)CASET 250E工作原理：噴頭（液化器）將絲狀的 PLA 熱塑性材料加熱到半熔融狀態(tài)并在程序的控制下，根據(jù)CAD 模型的分層數(shù)據(jù)，作X-Y 平面運動并在熱床上擠出
2018-08-29 14:18:22
2018年上半進(jìn)入96層的技術(shù)規(guī)格，2018年中將3D的比重提高到85%以上。為了讓每單位的記憶容量提高，美日韓存儲器大廠都卯盡全力，在96層的堆棧技術(shù)上尋求突破。三星指出，第五代的96層V NAND量產(chǎn)
2018-12-24 14:28:00
未來DDR4、NAND Flash存儲器芯片該如何發(fā)展
2021-03-12 06:04:41
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
設(shè)計。由浩辰CAD公司研發(fā)的浩辰3D作為從產(chǎn)品設(shè)計到制造全流程的高端3D設(shè)計軟件，不僅能夠提供完備的2D+3D一體化解決方案，還能一站式集成3D打印的多元化數(shù)據(jù)處理，無需將模型數(shù)據(jù)再次導(dǎo)出到其他軟件
2021-05-27 19:05:15
在3D打印機(jī)上使用SLC顆粒的SD NAND代替?zhèn)鹘y(tǒng)使用TLC或QLC顆粒的TF卡。內(nèi)置SLC晶圓，自帶壞塊管理，10W次擦寫壽命，1萬次隨機(jī)掉電測試。解決TF卡在3D打印機(jī)上常讀寫錯誤、壞死
2022-07-12 10:48:46
，功耗和成本之間的平衡.在另一些情況下，根據(jù)基本存儲器的特性進(jìn)行分割成為一個合理辦法。例如，將一位可變性內(nèi)容放進(jìn)一位可變性存儲器而不是將一位可變性內(nèi)容放進(jìn)塊可變性存儲器，帶寬分割在高水平上，主要有3個
2018-05-17 09:45:35
是第一個推出1Tb級產(chǎn)品的公司。3D XPoint則是由英特爾和美光科技于2015年7月發(fā)布的非易失性存儲器（NVM）技術(shù)。英特爾為使用該技術(shù)的存儲設(shè)備冠名Optane，而美光稱之為QuantX。2019
2020-03-19 14:04:57
英特爾SSD 800P，900P，905P系列的存儲介質(zhì)都是相變存儲器，我看到英特爾SSD DC P4800X系列只有128Gb 20nm Intel 3D Xpoint相變存儲器。所以我不知道
2018-11-19 14:18:38
車聯(lián)網(wǎng)大規(guī)模商用關(guān)鍵突破口深度調(diào)研車路協(xié)同智慧高速全國建設(shè)情況一、高速公路智能網(wǎng)聯(lián)（車聯(lián)網(wǎng)）示范整體情況二、北京市、河北省2.1 延崇高速2.2 大興新機(jī)場高速2.3 京雄高速三、吉林省四、江蘇省
2021-08-31 08:12:20
如圖 2 所示，DINOR閃速存儲器如圖 3 所示，AND閃速存儲器單元的結(jié)構(gòu)如圖 4 所示。市場上銷售的閃速存儲器基本上就是NOR及NAND兩種，其中只有NAND閃速存儲器的單元是串聯(lián)的，其他所有類型
2018-04-09 09:29:07
，其性能相當(dāng)于桌面級英特爾處理器i5-7200U，支持統(tǒng)信UOS、麒麟UOS等國產(chǎn)操作系統(tǒng)。緊接著龍芯3D5000完成初樣芯片驗證，純國產(chǎn)服務(wù)器芯片即將誕生！據(jù)悉，3D5000（12nm）芯片首次采用
2023-02-15 09:43:59
◆ 全國產(chǎn)化設(shè)計，2盤位組Raid 0，對外提供多路的高速數(shù)據(jù)接口；◆ 采用豐科NVME存儲架構(gòu)，可通過千兆/萬兆網(wǎng)口提供FTP或網(wǎng)盤訪問功能；◆ 具有全國產(chǎn)、低功耗、小尺寸，提供標(biāo)準(zhǔn)eXFAT文件系統(tǒng)的特性，可廣泛應(yīng)用相關(guān)領(lǐng)域的數(shù)據(jù)采集記錄存儲及數(shù)據(jù)管理；
2022-08-24 10:33:55
大屏等離子技術(shù)或成突破口
繼長虹之后，熊貓電子也宣布上馬等離子屏項目。記者從國資委網(wǎng)站上看到，熊貓電子集團(tuán)公司先期投資2.22億元等離子
2010-02-09 12:57:31531
混合動力汽車的戰(zhàn)術(shù)突破口是插電式和鋰電池
奔馳技術(shù)專家介紹，作為“藍(lán)色效能環(huán)保戰(zhàn)略”的第二步規(guī)劃
2010-03-29 09:16:41717 前裝車機(jī)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的突破口--北斗導(dǎo)航系統(tǒng)
前言：近日中國通信網(wǎng)發(fā)文指出，數(shù)據(jù)顯示2009年前裝車載導(dǎo)航產(chǎn)業(yè)的增長相對緩慢，并
2010-04-22 12:34:10796 高性能20納米級NAND閃存存儲器
SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個20納米級(nm) NAND芯片，用于安全數(shù)字(SD)存儲器卡和嵌入式存儲解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021057 近幾年我國在國家政策支持下，跨境電子商務(wù)保持快速增長態(tài)勢。2014年，我國跨境電子商務(wù)交易規(guī)模為4.2萬億元，同比增長33.3%;跨境電子商務(wù)交易額中出口占比大約是85.4%，進(jìn)口占比約為14.6%，出口額遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于進(jìn)口額，跨境電商行業(yè)未來一片光明，我們的安防行業(yè)還成為了外貿(mào)重要突破口！
2016-01-20 13:50:16391 VR游戲最突出的優(yōu)勢是臨場感，將用戶代入到虛擬場景中，能夠?qū)崿F(xiàn)超越傳統(tǒng)3D游戲的身臨其境的的感覺?，F(xiàn)在VR游戲的突破口在哪里？
2016-10-14 14:59:37550 中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展要堅持以需求為導(dǎo)向，以內(nèi)需市場為突破口。中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會理事長、13th WSC輪值主席俞忠鈺在10月22日蘇州舉辦的IC China高峰論壇上表示。 中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)供需嚴(yán)重失衡
2017-12-03 09:57:40106 作為3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)的新晉者，紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司（長江存儲）今年將首次參加閃存峰會（Flash Memory Summit），并發(fā)表備受期待的主題演講，闡述其即將發(fā)布的突破性技術(shù)XtackingTM。
2018-07-31 14:17:014454 作為NAND行業(yè)的新晉者，長江存儲科技有限責(zé)任公司（以下簡稱：長江存儲）昨日公開發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking?。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-13 09:54:001650 存儲器是半導(dǎo)體三大支柱產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IC Insights數(shù)據(jù)，2015年半導(dǎo)體存儲器市場總額達(dá)835億美元。各類存儲器中，NAND Flash是一個亮點。其廣泛應(yīng)用于PC、手機(jī)、服務(wù)器等各類電子產(chǎn)品，2015年營收達(dá)到267億美元，占半導(dǎo)體存儲器市場總額的32%。
2018-08-13 09:01:001312 作為NAND行業(yè)的新晉者，長江存儲今天公開發(fā)布其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)知情人士透露，這之前存儲一直都是三星的強(qiáng)項。
2018-08-13 16:08:273336 記者從近日舉辦的2018世界機(jī)器人大會新聞發(fā)布會上獲悉，在我國機(jī)器人產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，應(yīng)用領(lǐng)域不斷拓寬的背景下，國產(chǎn)機(jī)器人智能化發(fā)展趨勢明顯，機(jī)器人產(chǎn)業(yè)在吸引投資的同時，成為帶動其他產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級、培育經(jīng)濟(jì)新動能的突破口。
2018-08-13 17:22:163545 根據(jù)紫光官方的消息，10月12日，紫光成都存儲器制造基地項目開工動員活動在成都雙流自貿(mào)試驗區(qū)舉行。官方稱紫光成都存儲器制造基地占地面積約1200畝，將建設(shè)12英寸3D NAND存儲器晶圓生產(chǎn)線，并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售。
2018-10-16 15:58:402339 存儲器作為四大通用芯片之一，發(fā)展存儲芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對電子產(chǎn)品而言，存儲芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數(shù)據(jù)相伴而生，哪里有數(shù)據(jù)，哪里就會需要存儲芯片。而且隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，存儲產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關(guān)。
2018-11-06 16:42:182091 日前，中國儀器儀表行業(yè)協(xié)會傳感器分會名譽(yù)理事長、沈陽儀表科學(xué)研究院有限公司原院長、教授級高工徐開先接受了《通信產(chǎn)業(yè)報》(網(wǎng))記者采訪，總結(jié)了當(dāng)前中國傳感器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、所遇到的問題以及突破口。
2018-12-06 14:46:021126 。我們就來探討下國產(chǎn)存儲純國產(chǎn)化，還需要多久？固態(tài)NAND閃存：以國資背景長江存儲，在2016年就投資240億美元建立“國家存儲器基地”，建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB
2019-02-27 11:46:276017 智慧燈桿作為包含充電樁、視頻監(jiān)控、環(huán)保監(jiān)測、燈桿屏等多種模塊的新一代城市信息基礎(chǔ)設(shè)施，不僅肩負(fù)著智慧城市建設(shè)的突破口，也將成為未來5G基站建設(shè)的重要環(huán)節(jié)。
2019-04-10 10:26:093625 雖然多數(shù)分析人士表示，短期內(nèi)電信重組幾乎是不可能事件，而經(jīng)歷過前四次電信重組的電信行業(yè)作家尚曉蒲認(rèn)為第五次電信重組是必要的，并預(yù)測電信再次重組不會太久，網(wǎng)業(yè)分離是突破口。
2019-04-28 10:33:0610955 隨著傳感器、物聯(lián)網(wǎng)、AR、VR等技術(shù)的發(fā)展和成熟，人們不再滿足于可穿戴設(shè)備僅僅停留在對健康指標(biāo)的檢測和管理，而進(jìn)一步將可穿戴技術(shù)應(yīng)用于醫(yī)療行業(yè)，將他作為一種技術(shù)解決方案來干預(yù)和輔助醫(yī)療。于是，可穿戴醫(yī)療設(shè)備應(yīng)勢而生，并迅速成為一個智能醫(yī)療的突破口。
2019-05-09 09:02:054175 共同推動中國存儲行業(yè)發(fā)展，加速存儲國產(chǎn)化。
2019-05-15 16:58:203421 習(xí)近平主席在大會致賀信中說道：“把握全球人工智能發(fā)展態(tài)勢，找準(zhǔn)
突破口和主攻方向，培養(yǎng)大批具有創(chuàng)新能力和合作精神的人工智能高端人才，是教育的重要使命?！?/div>
2019-05-19 11:38:564754 五大核心構(gòu)成的AIoT，正在遭遇三大挑戰(zhàn)，兩條突破口外還有什么？
2019-05-28 16:50:333811 長江存儲科技（YMTC）本周早些時候表示，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲器。
2019-09-09 10:22:161622 過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時代，存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:41700 從原始的結(jié)繩記事，到現(xiàn)在的存儲器，記錄變得越來越簡便，生活瞬間在一次次的記錄中成為永恒，而更多的記錄，便意味著需要更多的存儲空間。
2019-09-11 17:26:31977 長江存儲打破全球3D NAND技術(shù)壟斷，作為國家重點打造的存儲器大項目，經(jīng)歷多年的研發(fā)，終于走向市場正式向存儲巨頭們挑戰(zhàn)。
2019-11-29 15:39:052808 美光在二季度財報電話會議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲器的量產(chǎn)工作。按照計劃，美光將于 2020 Q3 采集開始生產(chǎn)，并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型，第四代 3D NAND 存儲器的層數(shù)達(dá)到了 128 層。
2020-04-02 11:26:521517 NAND 非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著 2D NAND 容量達(dá)到極限，以及晶體管越來越小，NAND 的編程時間變長，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來的 3D
2020-11-20 16:07:132294 本次會議以“開創(chuàng)芯啟程，領(lǐng)跑芯未來”為主題。在“新一代存儲器技術(shù)及應(yīng)用發(fā)展”研討專題論壇上，武漢精鴻電子技術(shù)有限公司副總經(jīng)理鄧標(biāo)華發(fā)表了以《存儲器芯片測試技術(shù)及國產(chǎn)化機(jī)遇》為題的主題報告。
2020-11-24 09:53:185013 作為國產(chǎn)存儲行業(yè)的佼佼者，長江存儲近兩年憑借在3D NAND閃存領(lǐng)域的突飛猛進(jìn)，引發(fā)普遍關(guān)注，尤其是獨創(chuàng)了全新的Xtacking閃存架構(gòu)，最近還打造了首個消費級SSD品牌“致鈦”。
2020-11-24 10:12:313929 ? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著2D NAND容量達(dá)到極限，以及晶體管越來越小，NAND的編程時間變長，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:492727 處理器“香山”，并表示“香山”已經(jīng)流片。
國產(chǎn)RISC-V頻頻傳出好消息，讓我們也期待RISC-V能否成為國產(chǎn)芯片的突破口？
2021-12-28 16:48:041267 存儲器的歷史始于1984年，彼時 Masuoka 教授發(fā)明了 NAND Flash（NAND 閃存）。1989年，東芝首款 NAND Flash 上市。2001年，許多Flash廠商推出MLC
2022-11-25 14:57:351571 隨著芯片摩爾定律接近極限，封測端的新解決路徑——先進(jìn)封裝，便被放在了聚光燈之下，而作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈核心環(huán)節(jié)之一的封測設(shè)備行業(yè)，將成為實現(xiàn)國產(chǎn)化設(shè)備的關(guān)鍵突破口之一。 近年來，我國大力推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈
2022-11-29 16:23:25509 為解決網(wǎng)絡(luò)存儲的信息安全威脅，近日，龍芯國產(chǎn)化全固態(tài)桌面存儲一體機(jī)正式發(fā)布。該產(chǎn)品由龍芯中科(武漢)技術(shù)有限公司牽頭，聯(lián)合龍眾創(chuàng)芯、嘉合勁威、熊貓電子、可道云等多家國產(chǎn)存儲廠商共同推出。產(chǎn)品主要針對
2023-09-19 10:54:06562 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢，在各個領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:171142 從國內(nèi)MES的起步到現(xiàn)階段的突破性發(fā)展，清晰地展現(xiàn)了國內(nèi)MES系統(tǒng)技術(shù)在研究、應(yīng)用上的發(fā)展成果，同時也清晰的指出了國內(nèi)MES的突破口在于：深化應(yīng)用。發(fā)展證明：MES系統(tǒng)只有不斷深入研究、深入
2023-12-21 11:07:49
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