2 月 5 日消息 中芯國際現(xiàn)已公布 2020 年第四季度財報，并在 2020 年四季報業(yè)績發(fā)布會表示，公司的營收增長仍受到外部限制的影響，業(yè)績?nèi)跃哂胁淮_定性。
2021-02-05 09:59:31
1931 51單片機使用如果不xdata編譯器超過內(nèi)部ram會自動放到外部ram中嗎
2023-09-25 06:38:39
石英晶振精度不僅受到晶振電源電壓變動、晶振的負載電容變動的影響，同時外部環(huán)境也極有可能影響晶振精度。因此要求工程師應(yīng)該在既定的電源電壓容差和負載電容下檢驗晶振的性能，同時也應(yīng)將外部環(huán)境因素考慮
2014-03-04 14:55:51
使用環(huán)境工作臺震動很強烈（就好比用手拿著步進電機不停的晃動）對電機工作有什么影響?能正常工作嗎？是外力震動整個電機，不是說電機本身那個驅(qū)動電壓低速帶來的震動
2014-02-22 18:23:46
來來來~~~~~~~~~~~~~~~~來瞧一瞧！看一看咯！下載不用錢！下載真的不用錢！誰下誰知道，用過的都說很好用！耶~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~圖片添加文字.rar (26.58 KB )熱阻計算器.rar (197.27 KB )
2019-08-16 04:35:45
熱重分析儀的基本原理是將待測物置于一耐高溫的容器中，此容器被置于一具有可程式控制溫度的高溫爐中，而此待測物被懸掛在一個具有高靈敏度及精確度的天平上。
2019-10-14 09:12:09
我在進行AD8138ARM的熱仿真，datasheet中只有結(jié)到環(huán)境的熱阻JA的數(shù)據(jù)，我需要結(jié)到外殼的熱阻Jc的數(shù)據(jù)，還有AD8138ARM放大器集成的晶體管數(shù)目是多少？
2023-11-21 06:54:43
① 制作了Bootloader，經(jīng)測試可以正常控制app在內(nèi)部FLASH跳轉(zhuǎn)；② 制作了外部FLASH燒寫算法，可以將程序燒寫到外部FLASH中；在外部FLASH進行app跳轉(zhuǎn)時卡死？煩請大佬指導(dǎo)。
2023-02-02 14:32:17
請問CC3200的代碼放到外部Flash我要如何保護不被別人抄襲？數(shù)據(jù)手冊上的這句怎么理解:CC3200 Device Encryption Figure 5-2 shows a standard
2020-06-12 10:18:08
程序放到內(nèi)部ram中運行調(diào)試正常，我修改CMD文件，把程序放到片外RAM中運行，點那個小蟲子調(diào)試，可是程序無法加載到外部ram，提示文件驗證出錯。但我在CCS3.3上調(diào)試都很正常，是不是CCS5沒有對總線初始化啊，我需要把程序加載到外部ram調(diào)試應(yīng)當(dāng)怎么設(shè)置啊。
2020-06-19 10:35:42
之間的熱流道中的每一種材料都將具有熱阻。與串聯(lián)電阻一樣，這些電阻相加以確定RJA的值：其中：R JC=接頭到外殼的熱阻，R CS=外殼到散熱器的熱阻，以及R SA=散熱器對環(huán)境的熱阻。R
2020-09-16 17:12:21
的各層結(jié)構(gòu)。在結(jié)構(gòu)函數(shù)的末端，其值趨向于一條垂直的漸近線，此時代表熱流傳導(dǎo)到了空氣層，由于空氣的體積無窮大，因此熱容也就無窮大。從原點到這條漸近線之間的 x 值就是結(jié)區(qū)到空氣環(huán)境的熱阻，也就是穩(wěn)態(tài)情況下
2015-07-29 16:05:13
為PMAX=（125?TA）/θJA，其中125是最大結(jié)工作溫度，TA是環(huán)境溫度，θJA是環(huán)境熱阻的結(jié)。如果這種消散超過，模具溫度將上升到125°C以上，電氣規(guī)范不適用。如果模具溫度高于150°C
2020-10-09 16:09:59
20MHz 下讀取 32Kbit EEPROM 的全部內(nèi)容大約需要 2ms 左右，之后通常會以最大 5μA = 27.5μW 進入待機狀態(tài)，然后產(chǎn)生的溫度升高可以忽略不計。您是否有充分的理由證明有人提供了此類 EEPROM 的準(zhǔn)確熱阻？
2023-02-06 07:50:00
MMIC熱阻Thermal resistance (qJC) values are supplied with eachMMIC in the Microwave
2009-06-13 00:04:49
MOS管瞬態(tài)熱阻測試（DVDS）失效品分析如何判斷是封裝原因還是芯片原因，有什么好的建議和思路
2024-03-12 11:46:57
N76E003A怎么用IO口存儲到外部EEPROM求教
2023-06-20 08:00:11
”的概念類似于電阻的概念，在許多關(guān)于熱管理的文獻中都有描述。 數(shù)據(jù)表中最常見的兩個MOSFET熱阻值為： Rth（j-a）：從器件結(jié)（晶元）到環(huán)境的熱阻。這是一個單一的熱阻值，是所有可能的級數(shù)和從結(jié)到
2023-04-20 16:49:55
熱阻RθJA測量測試設(shè)備電源示波器電子負載溫箱熱電偶萬用表測試方法固定輸出電壓（VOUT），利用電源提供輸入電壓電流（VIN，IIN），利用電子負載提供負載電流（IOUT），利用溫箱來創(chuàng)造穩(wěn)定的環(huán)境溫
2022-11-03 06:34:11
想把大數(shù)組定義到外部SDRAM的絕對地址處，結(jié)果編譯發(fā)現(xiàn)warning：'at' attribute directive ignored，也就是說無法在RTthreadStudio中使
2023-01-09 17:24:55
請教各位大蝦一個問題，SMA，SMAJ與SMB封裝除了尺寸不同之外，它們的熱阻有沒有什么區(qū)別?(例如SS14 SMAJ,SS14 SMA,SS14 SMB熱阻的區(qū)別)
2013-08-25 22:47:42
STC的IO的高阻，的讀取外部狀態(tài)是否和準(zhǔn)雙向IO一樣要先鎖存為1？還是說即使高阻鎖存為0也可以讀取外部狀態(tài)？
2019-05-21 04:35:40
本人試過在進入main之前修改啟動文件，增加SDRAM的初始化，并且將棧空間指定在內(nèi)部防止初始化錯誤，程序還是死在Hardfault_Handler。還有什么辦法可以將malloc自動分配到外部RAM中呢
2024-03-13 07:14:47
T3Ster，按照JESD51-14測試其MOSFET器件的結(jié)殼熱阻 （返回頂部↑）產(chǎn)品型號：SPP80N06S2L-11 TO封裝 測試結(jié)果： 器件在兩種不同的散熱環(huán)境下結(jié)溫隨著時間的變化曲線
2013-01-08 15:29:44
、R***的概念。Rja是指半導(dǎo)體晶圓到環(huán)境的總熱阻，就是結(jié)點到環(huán)境溫度的熱阻Rjc是指半導(dǎo)體晶圓到外殼的的熱阻。R***是指半導(dǎo)體晶圓到PCB的總熱阻。知道Rja，Rjc，R***的概念后，在實際
2021-09-08 08:42:59
前言前面led工程下載.sbit文件,是下載在ram中的，掉電后程序丟失。如果需要掉電重啟能運行，需要下載到外部FLASH中。現(xiàn)在體驗下程序下載到外部FLASH。過程進入下載界面
2023-02-06 21:39:28
大家上午好！該系列視頻為開關(guān)電源免費教程，今天講解MOS管的熱阻。持續(xù)關(guān)注，我們會持續(xù)更新！大家有關(guān)于開關(guān)電源以及工作中遇到的關(guān)于電源相關(guān)的難題，都可以在帖子下面與我們交流討論。
2021-09-22 09:57:47
無窮大。從原點到這條漸近線之間的 x 值就是結(jié)區(qū)到空氣環(huán)境的熱阻，也就是穩(wěn)態(tài)情況下的熱阻。熱阻曲線的兩種結(jié)構(gòu)函數(shù)2．封裝器件內(nèi)部的“缺陷”固晶層內(nèi)部缺陷展示對比上面兩個器件的剖面結(jié)構(gòu)，固晶層可見明顯
2015-07-27 16:40:37
，1平方英寸的銅面積，θJA為37°C/W；對于1.6或更多平方英寸的銅面積，θJA為32°C/W。結(jié)對外殼的熱阻為3°C/W。如果使用外部散熱片，有效結(jié)對環(huán)境的熱阻是結(jié)對殼電阻的總和（3°C/W
2020-10-26 17:20:20
目前選的一個MCU片內(nèi)flash為512K sram為200K。這個有點小。目前都是代碼下載到片內(nèi)flash，然后再片內(nèi)sram運行的。我的設(shè)備有個外部SPI接口的QFlash和SDRAM，現(xiàn)在我想把代碼下載到外部Flash中去，然后再外部SDRAM中運行。請問這個怎么操作？
2018-12-13 08:50:18
我想使用 OpenOCD 作為調(diào)試器將代碼下載到外部 Flash。我在OpenOCD配置界面找不到設(shè)置外部Flash下載算法的配置。使用OpenOCD下載代碼到外部LFASH應(yīng)該怎么做？謝謝你的幫助！！！！！！！
2022-12-30 09:00:02
現(xiàn)在需要測IGBT的熱阻，我的方案是直接讓它導(dǎo)通然后用大電流加熱到一定的程度后，突然切斷大的電流源，看他在100ma下的vce變化（已知100ma工況下vce和節(jié)溫的關(guān)系），然后將測試到的vce
2017-09-29 10:40:46
等式1表示每個LED消耗的電功率： 其中：Vf 是LED的正向電壓，ILED是通過LED的電流。等式2是結(jié)溫的通式： 其中：TJ 是結(jié)溫，TA 是環(huán)境溫度，θJAP是以攝氏度每瓦測量的LED結(jié)環(huán)熱阻
2022-11-14 07:31:53
功率型LED熱阻測量的新方法摘 要： LED照明成為21世紀(jì)最引人注目的新技術(shù)領(lǐng)域之一，而功率型LED優(yōu)異的散熱特性和光學(xué)特性更能適應(yīng)普通照明領(lǐng)域的需要。提出了一種電學(xué)法測量功率LED熱阻的新方法
2009-10-19 15:16:09
嗨，我嘗試使用XPE工具計算FPGA器件的功耗。我把結(jié)果提到的'Total On-Chip Power'。我注意到該值隨著電路板熱阻的變化而變化。功耗與電路板的熱阻有什么關(guān)系？相反，它應(yīng)該只影響IC
2019-03-21 16:18:59
如何使用單片機，光敏電阻和高亮LED燈，實現(xiàn)LED燈隨外部環(huán)境亮暗，自己改變亮度呢？不用其他芯片只用STC52單片機的AD/DA轉(zhuǎn)換行不行？求助電路連接和編程思想
2018-03-20 21:34:58
我需要生成一系列特定的電源中斷。我已經(jīng)能夠使用前面板上的Trigger Control INIT：IMMED獲得我想要的輸出。但是我想將中斷同步到外部觸發(fā)器。當(dāng)我嘗試設(shè)置TRIG時：SOUR EXT
2019-07-25 08:59:12
傳輸數(shù)據(jù)和接收數(shù)據(jù)，但是我不理解FIFO的概念，當(dāng)從屬接收數(shù)據(jù)時，如何存儲數(shù)據(jù)，如何將數(shù)據(jù)從FIFO傳輸到外部。AM使用和和我的控制器是PIC32 MZ2048 ECG100需要的例子代碼理解，如果需要幫助的話…
2019-09-29 16:15:38
如何將現(xiàn)有的bin文件燒寫到外部的flash中？
2023-06-25 08:37:32
激光雷達工作原理是什么？如何采用TTL串口通訊方式將數(shù)據(jù)輸出到外部設(shè)備中去？
2021-11-26 07:39:02
大家好， 我對M95256-WMN3TP /ABE2PROM的最高結(jié)溫感興趣。 3級器件的最高環(huán)境工作溫度為125°C，因此結(jié)溫必須更高。數(shù)據(jù)手冊中沒有提到最大結(jié)溫。 我還在尋找SO-8封裝中M95256-W的結(jié)至環(huán)境熱阻。 最好的祝福， 托馬斯
2019-08-13 11:08:08
`影響電解電容壽命的因素 根據(jù)壽命公式，可以得出影響壽命的應(yīng)用因素為：紋波電流(IRMS)、環(huán)境溫度（Ta）、從熱點傳遞到周圍環(huán)境的總的熱阻（Rth）。1.紋波電流紋波電流的大小，直接影響電解電容
2013-03-13 11:33:48
影響電解電容壽命的因素 根據(jù)壽命公式，可以得出影響壽命的應(yīng)用因素為：紋波電流(IRMS)、環(huán)境溫度（Ta）、從熱點傳遞到周圍環(huán)境的總的熱阻（Rth）。1.紋波電流紋波電流的大小，直接影響電解電容內(nèi)部
2013-01-31 17:00:22
根據(jù)壽命公式，可以得出影響壽命的應(yīng)用因素為：紋波電流(IRMS)、環(huán)境溫度（Ta）、從熱點傳遞到周圍環(huán)境的總的熱阻（Rth）。1.紋波電流紋波電流的大小，直接影響電解電容內(nèi)部的熱點溫度。查詢電解電容
2011-10-27 10:21:48
我想問一下是否有建議的程序?qū)⒕W(wǎng)絡(luò)權(quán)重（在 network_data.h 中生成的那個）移動到外部存儲器映射的 QSPI FLASH。我已經(jīng)將輸入/輸出數(shù)據(jù)和激活都移動到外部 SRAM，但是當(dāng)我對權(quán)重
2022-12-09 07:10:34
大家好，是否可以在 STM32MP1 啟動時將 .elf 加載到外部 STM32 MCU？我特別想針對外部 STM32MCU 而不是內(nèi)部 M4。如何實現(xiàn)？
2022-12-26 10:41:39
有什么方法可以降低IC封裝的熱阻嗎？求解
2021-06-23 07:24:48
原電源解決方案對外部環(huán)境要求比較苛刻，無法滿足我們使用環(huán)境要求。原解決方案原理圖如下：求推薦適應(yīng)外部環(huán)境比較強、對外圍器件不挑剔、穩(wěn)定的解決方案；或者原方案有什么好的改進或解決辦法？求教！感謝！
2016-04-07 07:07:40
的紅色端子是“熱”連接點，從內(nèi)部散發(fā)出來的熱量將通過這個點傳到外部熱網(wǎng)絡(luò)。 這個例子針對L78S05中殼至環(huán)境的直接熱傳遞進行建模(即沒有散熱器)。產(chǎn)品說明規(guī)定結(jié)-殼熱阻值是5°C/W，針對
2018-10-17 11:43:12
前言這篇詳細的介紹了電機中的熱阻網(wǎng)絡(luò)模型該怎么建立，雖然是以某一個特定的永磁同步電機為例子，但是把它的思路給領(lǐng)會到了，在刻畫其他模型的時候就是舉一反三的事。再次感謝《基于熱阻網(wǎng)絡(luò)法的電機溫度場分析
2021-08-30 07:42:36
系統(tǒng)時鐘切換到外部時鐘后內(nèi)部的時鐘是處于關(guān)閉狀態(tài)還是保持動作狀態(tài)？
2023-10-25 06:56:13
設(shè)備是可用的還是未來的概念？我使用PSoC版本3.32。DMA可用于將數(shù)據(jù)從SRAM傳輸到外部端口嗎？三。DMA可以用于從SPI外圍設(shè)備到外部端口的數(shù)據(jù)傳輸嗎？謝謝，瓦萊里
2019-10-08 14:04:33
弱弱的請教下，MSP430可以把程序放到外部FLASH嗎？我看430本身的FLASH最大256K,我的BIN有1M，所以想使用外部FLASH，但是不知道MSP430支持外部F
2019-04-08 22:06:35
請教各位高手：使用USB接口作為設(shè)備（非主機）時，除了OTG_FS_DP、OTG_FS_DM，PA9(VBUS)是不是必須連接到外部端口的VBUS供電口？我的系統(tǒng)內(nèi)部有供電。謝謝了！
2019-03-19 07:29:50
在NuMicro?家族中的LDO（低退出調(diào)節(jié)器）需要連接到外部電容器嗎？
2020-12-04 06:14:06
DDC112的工作原理如何在DDC112上使用外部積分電容器怎么選擇電容器
2021-04-08 06:04:52
如何增加連接到外部USB集線器時支持的設(shè)備數(shù)量？
2020-12-08 07:55:45
在數(shù)據(jù)表中提到PSOC5支持AMBA，因此很可能將并行RAM連接到芯片。我能將系統(tǒng)RAM擴展到外部芯片，例如8M字節(jié)RAM嗎？我找不到任何使用這個特性的示例項目，對此沒有任何應(yīng)用說明。謝謝您
2019-04-04 17:00:32
ART-Pi 內(nèi)置的 128Kb flash太小了，我現(xiàn)在在 Linux openocd 燒錄程序，請問有沒有人成功使用 openocd 可以直接燒寫到外部 Quad spi flash 的？
2022-09-02 14:09:36
系統(tǒng)時鐘切換到外部時鐘后內(nèi)部的時鐘是處于關(guān)閉狀態(tài)還是保持動作狀態(tài)？
2019-04-01 22:26:20
嗨，大家好，我們在設(shè)計中使用了S25FL512SAGMFL11。在哪里可以得到連接到外殼和連接到底座的熱阻？？謝謝，拉米什M 以上來自于百度翻譯 以下為原文Hi All,We are using
2018-09-06 16:00:23
本文探討了當(dāng)在DDC112 上使用外部積分電容器">電容器時所產(chǎn)生的問題，并對DDC112 的產(chǎn)品資料做了進一步闡述，為用戶選擇外部電容器">電容器提供有效幫助，同時還提供性
2009-12-04 14:37:53
15 TVP玻璃容器熱沖擊試驗儀TVP玻璃容器熱沖擊試驗儀專業(yè)適用于玻璃容器在短時間內(nèi)經(jīng)受一定溫度沖擊的能力的測定 選用進口優(yōu)質(zhì)不銹鋼板和精密機械加工工藝制造，具有耐高溫，耐腐蝕的特點。采用微機
2023-12-18 15:14:02
在DDC112上使用外部積分電容器
2010-12-11 16:36:0328 表2.5列出了各種封裝θJC（結(jié)到外殼的熱阻）的一此典型值。
2010-06-03 15:04:193817 
由于鋰電池生產(chǎn)對工藝環(huán)境的溫、濕度提出了極高的要求，因此電池廠商必須在生產(chǎn)過程中采用相應(yīng)設(shè)備，為電池生產(chǎn)營造良好的外部環(huán)境。蒙特推出的轉(zhuǎn)輪除濕系統(tǒng)正運用于該環(huán)節(jié)。
2018-01-09 11:07:486663 
趙盛宇在年會上表示：“國內(nèi)智能裝備的突破之路關(guān)鍵在于兩點：內(nèi)部定位和外部環(huán)境。”
2018-01-12 17:16:524486 國內(nèi)市場：外部環(huán)境趨穩(wěn)，景氣持續(xù)向上 2020年下半年國內(nèi)景氣逐步向好 疫情影響逐步消除，國內(nèi)行業(yè)Q3景氣明顯恢復(fù)。2020年上半年疫情沖擊了下游購車需求，導(dǎo)致Q1/Q2新能源汽車銷量同比-59
2020-11-19 15:25:052516 ”等功能。支持人臉智能曝光、人臉智能增強設(shè)置。由于溫度是一個可變的東西，人臉識別測溫在接收人體紅外輻射的過程中，檢測到的溫度會受各種外部環(huán)境的影響： 一：陽光：在戶外有太陽照射的環(huán)境下，太陽光是由大量的紅外
2022-02-23 16:53:412044 許多MEMS器件需要保護，以免受到外部環(huán)境的影響，或者只能在受控氣氛或真空下運行。當(dāng)今MEMS器件與CMOS芯片的高度集成，還需要專門用于MEMS器件的先進晶圓級封裝解決方案。
2022-07-15 12:36:013396 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《如何將微控制器和adafruit.io儀表板連接到外部應(yīng)用程序.zip》資料免費下載
2022-10-28 14:22:060 使用并聯(lián)電容器進行無功補償，可以提升功率因數(shù)、充分利用供電設(shè)備的容量、減少輸電線路上的損失。不過在安裝并聯(lián)電容器時，需要保障其安裝環(huán)境，避免并聯(lián)電容器因為環(huán)境問題而出現(xiàn)故障。那么并聯(lián)電容器對安裝環(huán)境
2023-03-17 16:13:12817 
GPS模塊在使用時大多是需要配置和設(shè)置的，測試過程中也會受到外部環(huán)境等因素的影響，因此會遇到問題也是可以理解的。下面思為無線羅列一些常見問題與解決方法，希望能幫助到大家。
2023-02-17 11:26:06960 
結(jié)構(gòu)膠在動力電池中的作用非常重要。它可以提供電池的支撐力，避免電池受到外部環(huán)境的影響，同時還能起到熱管理的作用。
2023-06-20 17:24:12372 
環(huán)境對電容器性能的影響
2023-12-14 17:13:37292 
。下面是關(guān)于陶瓷電容失效的內(nèi)部因素和外部因素的詳細介紹。 一、陶瓷電容失效的內(nèi)部因素： 1. 電解液干化：陶瓷電容器的電介質(zhì)一般是陶瓷材料，內(nèi)部不含電解液。但是，在某些特殊情況下，比如高溫、高濕度環(huán)境下，電場和溫度作
2023-12-21 10:26:58335 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）近日，華為正式宣布完成自主可控的MetaERP研發(fā)，并實現(xiàn)對舊ERP系統(tǒng)的替換。2019年，受到外部環(huán)境壓力和自身業(yè)務(wù)挑戰(zhàn)下，華為開啟研發(fā)自主可控的MetaERP系統(tǒng)。
2023-04-22 13:22:291346
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