驅動 SiC/GaN 功率開關需要設計一個完整的 IC 生態系統,這些 IC 經過精密調整,彼此配合。于是這里的設計重點不再只是以開關為中心……
2018-06-22 09:19:284847 迄今為止,電動汽車電池的價格昂貴,體積大且效率低。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是汽車電子領域的兩項半導體新技術,它們也許可以改變這一切。 較新的化學方法允許使用更小,更高效的半導體,該半導體
2020-01-09 10:18:505108 電機是全球耗電大戶,盡管電壓很高,硅仍然是主流。不過,GaN 和 SiC 都在向高效率變頻驅動的電機驅動系統進軍。但這個市場非常保守,適應新技術的速度很慢,到 2025 年將有 10%到 15%的替代率。
2021-05-21 06:33:003971 (SiC)和氮化鎵(GaN)占有約90%至98%的市場份額。供應商。WBG半導體雖然還不是成熟的技術,但由于其優于硅的性能優勢(包括更高的效率,更高的功率密度,更小的尺寸和更少的冷卻),正在跨行業進軍。 使用基于SiC或GaN的功率半導體來獲
2021-04-06 17:50:533168 電力電子將在未來幾年發展,尤其是對于組件,因為 WBG 半導體技術正變得越來越流行。高工作溫度、電壓和開關頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。從硅到 SiC 和 GaN 組件的過渡標志著功率器件發展和更好地利用電力的重要一步。
2022-07-27 10:48:41761 全球范圍內5G技術的迅猛發展,為氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率半導體制造商提供新的增長前景。2020年,GaN和SiC功率半導體市場規模為7億美元,預計2021年至2027年的復合年增長率
2021-05-21 14:57:182257 GaN 和 SiC 器件在某些方面相似,但有顯著差異。
2021-11-17 09:06:184236 電子發燒友網報道(文/梁浩斌)在我們談論第三代半導體的時候,常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET(金屬-氧化物半導體場效應晶體管),而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT(高電子
2023-12-27 09:11:361220 什么是5G?5G改變世界的背后有哪些創新技術?
2020-12-29 07:04:56
GaN功率集成電路技術:過去,現在和未來
2023-06-21 07:19:58
半導體的關鍵特性是能帶隙,能帶動電子進入導通狀態所需的能量。寬帶隙(WBG)可以實現更高功率,更高開關速度的晶體管,WBG器件包括氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC),以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
領域的熱點。
如圖1所示,GaN材料作為第三代半導體材料的核心技術之一,具有禁帶寬度高、擊穿場強大、電子飽和速度高等優勢。由GaN材料制成的GaN器件具有擊穿電壓高、開關速度快、寄生參數低等優良特性
2023-06-25 15:59:21
為什么GaN可以在市場中取得主導地位?簡單來說,相比LDMOS硅技術而言,GaN這一材料技術,大大提升了效率和功率密度。約翰遜優值,表征高頻器件的材料適合性優值, 硅技術的約翰遜優值僅為1, GaN最高,為324。而GaAs,約翰遜優值為1.44??隙ǖ卣f,GaN是高頻器件材料技術上的突破。
2019-06-26 06:14:34
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體的新型高效率、超快速功率轉換器已經開始在各種創新市場和應用領域攻城略地——這類應用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化(如充電器
2019-07-31 06:16:52
的上限。SiC晶體管的出現幾乎消除了IGBT的開關損耗,以實現類似的導通損耗(實際上,在輕載時更低)和電壓阻斷能力,除了降低系統的總重量和尺寸外,還能實現前所未有的效率。 然而,與大多數顛覆性技術
2023-02-27 13:48:12
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器SiC/GaN具有的優勢
2021-03-10 08:26:03
的隔離柵是一個重大挑戰。ADuM4135 隔離式柵極驅動器采用 ADI 公司經過驗證的 iCoupler?技術,可以給高電壓和高開關速度應用帶來諸多重要優勢。 ADuM4135 是驅動 SiC/GaN
2018-10-30 11:48:08
應用和第一代風力和太陽能逆變器。[color=rgb(51, 51, 51) !important]功率開關領域取得的新技術進步已經開始把第三代SiC MOSFET以及第一代和第二代GaN MOSFET帶向
2019-07-16 23:57:01
WInSiC4AP的主要目標是什么?SiC技術在WInSiC4AP中有什么應用?
2021-07-15 07:18:06
在未來幾年投入使用SiC技術來應對汽車電子技術挑戰是ECSEL JU 的WInSiC4AP項目所要達到的目標之一。ECSEL JU和ESI協同為該項目提供資金支持,實現具有重大經濟和社會影響的優勢互補的研發活動。
2019-07-30 06:18:11
不具備足夠的堅固性。當前對大功率、高溫器件封裝技術的大量需求引起了對這一領域的研發熱潮?! ?b class="flag-6" style="color: red">SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態銅厚膜導電層,且具有高熱導率和低熱膨脹系數,從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上
2018-09-11 16:12:04
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內部匹配(IM)FET與其他技術相比,具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
基于SiC HEMT技術的GaN輸出功率> 250W預匹配的輸入阻抗極高的效率-高達80%在100ms,10%占空比脈沖條件下進行了100%RF測試IGN0450M250功率晶體管
2021-04-01 10:35:32
標準的產品,并與具有高技術標準和高品質要求的供應商合作。在這過程中,ROHM作為ApexMicrotechnology的SiC功率元器件供應商脫穎而出。ROHM的服務和技術支持都非常出色,使得我們能夠
2023-03-29 15:06:13
作者: Steve Tom在德州儀器不斷推出的“技術前沿”系列博客中,一些TI全球頂尖人才正在探討目前最大的技術趨勢以及如何應對未來挑戰等問題。相較于以往使用的硅晶體管,氮化鎵 (GaN) 可以讓
2018-09-10 15:02:53
Wi-Fi 6創新技術特點Wi-Fi 6典型應用場景
2020-12-04 06:11:18
方形,通過兩個晶格常數(圖中標記為a 和c)來表征。GaN 晶體結構在半導體領域,GaN 通常是高溫下(約為1,100°C)在異質基板(射頻應用中為碳化硅[SiC],電源電子應用中為硅[Si])上通過
2019-08-01 07:24:28
轉移到玻璃基板之前,將氮化鎵材料沉積在便宜但可見的硅基板上?;蛘?,我們可以使用最近由東京大學Hiroshi Fujioka研究小組研發出的新技術,直接在玻璃基板上濺射氮化鎵材料。 電極該如何制作呢?一般
2020-11-27 16:30:52
元件來適應略微增加的開關頻率,但由于無功能量循環而增加傳導損耗[2]。因此,開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅動力?! 』?SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
應用領域,SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上,電力電子產業的技術大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統硅
2021-09-23 15:02:11
國產碳化硅MOS基于車載OBC與充電樁新技術:1 車載電源OBC與最新發展2 雙向OBC關鍵技術3 11kW全SiC雙向OBC電路4 OBC與車載DC/DC集成二合一5 車載DC/DC轉換電源電路比較6 充電樁電源電路
2022-06-20 16:31:07
請大佬詳細介紹一下關于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術
2021-04-12 06:23:23
尋找電源領域的最新技術
2020-12-03 06:25:28
GaN技術實現快速充電系統
2023-06-19 06:20:57
氮化鎵技術非常適合4.5G或5G系統,因為頻率越高,氮化鎵的優勢越明顯。那對于手機來說射頻GaN技術還需解決哪些難題呢?
2019-07-31 06:53:15
近日,德州儀器Pradeep Shenoy發表文章《尋找電源領域的最新技術?來APEC一探究竟》,以下是全部內容: logo
2020-08-05 06:03:21
以及免執照5GHz頻譜的使用等?! ∵@些短期和中期擴容技術以及最終的5G網絡將要求采用能提供更高功率輸出和功效且支持寬帶運行和高頻頻段的基站功率放大器 (PA)。 GaN on SiC的前景 歷史上
2018-12-05 15:18:26
個過程中,有越來越多的人享受到了新技術給手機使用體驗帶來的巨大提升。然而新的一年已經來臨,將有哪些手機新技術誕生?又有哪些新技術將在平民價位段中普及開來呢?希望本文能夠給您一些指引。
2020-10-22 08:47:09
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術應用交流會”將于7月16日在浙江大學玉泉校區舉辦。寬禁帶半導體電力電子技術的應用、寬禁帶半導體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術
2017-07-11 14:06:55
Maurice Moroney 市場經理 ADI公司基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關技術的出現促使性能大幅提升,超越了基于MOSFET和IGBT技術的傳統系統。更高的開關
2018-10-16 21:19:44
的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年,電力電子領域將管理大約80%的能源,而2005年這一比例僅為30%1。這相當于30億千瓦時以上
2020-11-03 08:59:19
能源并占用更小空間,所面臨的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年,電力電子領域將管理大約80%的能源,而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
求汽車線束新技術信息
2014-09-21 11:47:55
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內雖有幾家在持續投入,但還處于開發階段, 且技術尚不完全成熟。從國內
2019-09-17 09:05:05
在半導體技術中,與數字技術隨著摩爾定律延續神奇般快速更新迭代不同,模擬技術的進步顯得緩慢,其中電源半導體技術尤其波瀾不驚,在十年前開關電源就已經達到90+%的效率下,似乎關鍵指標難以有大的突破,永遠離不開的性能“老三篇”——效率、尺寸、EMI/噪聲,少有見到一些突破性的新技術面市。
2019-07-16 06:06:05
功率開關技術也是如此,特別是用SiC和GaN制作的寬帶隙器件。SiC已經從5年前的商業起步躍升到今天的第三代,價格已與硅開關相當,特別是在考慮到連鎖效益的情況下?! ‰S著電動汽車、可再生能源和5G等
2023-02-27 14:28:47
%的產品輸出功率集中在10W~100W之間,最大功率達到1500W(工作頻率在1.0-1.1GHz,由Qorvo生產),采用的技術主要是GaN/SiC GaN路線。此外,部分企業提供GaN射頻模組產品,目前
2019-04-13 22:28:48
(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優點,與剛石等半導體材料一起,被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
緯湃科技選擇羅姆為其SiC技術的首選供應商
2021-03-11 08:01:56
納米技術的在中國是一個新技術,中國能做的就一兩家。納米防水技術要有特殊的設備,都要自我研發,加納米材料,以及技術。應用領域可滿足手機等消費電子產品,服飾,登山鞋等紡織品以及醫療領域相關產品防水抗潮
2018-09-19 13:34:06
CMOS傳感器的最新技術有哪些?傳感器發展的趨勢有哪幾種?
2021-06-03 06:15:18
請問一下SiC和GaN具有的優勢主要有哪些?
2021-08-03 07:34:15
2 : Si、SiC和GaN的特性優值比較(source:YoleDeveloppement)WINSIC4AP 的主要目標主要目標WinSiC4AP致力于為高效能、高成本效益的目標應用開發可靠的技術
2019-06-27 04:20:26
本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應用的新興SiC基GaN半導體技術。通過兩個例子展示了采用這種GaN工藝設計的MMIC的性能:Ka頻段(29.5至36GHz)10W的PA和面向5G應用的24至
2020-12-21 07:09:34
音頻創新技術有哪些優勢?音頻創新技術主要應用在哪些領域?
2021-06-16 08:33:29
Stefano GallinaroADI公司各種應用的功率轉換器正從純硅IGBT轉向SiC/GaN MOSFET。一些市場(比如電機驅動逆變器市場)采用新技術的速度較慢,而另一些市場(比如太陽能
2018-10-22 17:01:41
目前日本日亞公司壟斷了藍寶石襯底上GaN基LED專利技術,美國CREE公司壟斷了SiC襯底上GaN基LED專利技術。因此,研發其他襯底上的GaN基LED生產技術成為國際上的一個熱點。南昌大學
2010-06-07 11:27:281388 據權威媒體分析,SiC和GaN器件將大舉進入電力電子市場,預計到2020年,SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場份額。未來電力電子元器件市場發展將更多地集中到SiC和GaN的技術創新上。
2013-09-18 10:13:112464 基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關技術的出現促使性能大幅提升,超越了基于MOSFET和IGBT技術的傳統系統。
2018-10-04 09:03:004753 在等離子增強化學氣相沉積法PECVD沉積 SiO2和 SiN掩蔽層過程中!分解等離子體中濃度較高的H原子使MG受主鈍化!同時在P-GaN材料表面發生反應形成淺施主特性的N空位。
2018-12-17 08:00:0017 基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關技術的出現促使性能大幅提升,超越了基于MOSFET和IGBT技術的傳統系統。
2019-01-05 09:01:093767 新一代逆變器採用GaN和SiC等先進開關技術。寬帶隙功率開關,具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量,通過提高開關頻率來實現。
2019-07-25 06:05:001892 新一代逆變器采用GaN和SiC等先進開關技術。寬帶隙功率開關,具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量,通過提高開關頻率來實現。
2019-06-21 06:16:002723 對于新技術而言,GaN本質上比其將取代的技術(硅)成本低。GaN器件與硅器件是在同一工廠用相同的制造程序生產出。因此,由于GaN器件小于等效硅器件,因此每個晶片可以生產更多的器件,從而降低了每個晶片的成本。
2020-07-04 10:32:521863 作為半導體材料“霸主“的Si,其性能似乎已經發展到了一個極限,而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導體經過一段時間的積累也正在變得很普及。所以,出現了以Si基器件為主導,SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010157 GaN技術突破了硅基IGBT和SiC等現有技術的諸多局限,可為各種功率轉換應用帶來直接和間接的性能效益。在電動車領域,GaN技術可直接降低功率損耗,從而為汽車實現更長的行駛里程。同時,更高效的功率
2020-09-18 16:19:172638 11月15日消息 根據 Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半導體報告》,在混合動力及電動汽車、電源和光伏逆變器需求的拉動下,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體的新興市場
2020-11-16 10:19:322223 今日寬禁帶半導體聯盟秘書長陸敏博士發表了主題為“SiC和GaN功率電子技術及產業發展趨勢”的演講。
2020-12-04 11:12:042263 雖然在商用化學氣相沉積設備中可以在一次運行中實現多片4H-SiC襯底的同質外延生長,但是必須將晶片裝載到可旋轉的大型基座上,這導致基座的直徑隨著數量或者外延晶片總面積的增加而增加。
2020-12-26 03:52:29492 現在GaN很火 ,人們似乎忘記了GaN 依然是一項相對較新的技術,仍處于發展初期,還有較大的改進潛力和完善空間。本文將介紹多項即將出現的 GaN 創新技術,并預測未來幾年這些創新技術對基站設計和發展的影響。
2021-04-24 11:34:132285 半導體的關鍵特性是能帶隙,能帶動電子進入導通狀態所需的能量。寬帶隙(WBG)可以實現更高功率,更高開關速度的晶體管,WBG器件包括氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC),以及其他半導體。
2022-04-16 17:13:015712 評估各種清洗技術的典型方法是在晶片表面沉積氮化硅(Si,N4)顆粒,然后通過所需的清洗工藝處理晶片。國家半導體技術路線圖規定了從硅片上去除顆粒百分比的標準挑戰,該挑戰基于添加到硅片上的“>
2022-05-25 17:11:381242 中以及在非酸性乙酰丙酮中容易被蝕刻,但是III族氮化物和SiC非常難以濕法蝕刻,并且通常使用干法蝕刻。已經研究了用于GaN和SiC的各種蝕刻劑,包括含水無機酸和堿溶液,以及熔融鹽。濕法蝕刻對寬帶隙半導體技術具有多種應用,包括缺陷裝飾、通過產生特征凹坑或小丘來識
2022-07-06 16:00:211643 半導體應用中替代現有硅材料技術的巨大潛力。新世紀之初,氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 已經足夠成熟,并獲得足夠的牽引力,將其他潛在的替代品拋在身后,并得到全球工業制造商的充分關注。
2022-07-27 15:52:59735 我們深入探討了 WBG 技術的前景和缺陷,考察了這些硅替代品的優缺點,以及汽車和 5G 等要求苛刻的應用是否足以將 GaN 和 SiC 技術推向未來芯片設計的前沿。
2022-07-27 15:44:03490 和 SiC”,從當天的主題演講中汲取靈感,包括新產品開發、技術挑戰和晶圓制造。? 由于尺寸、重量和成本的節省以及更高的效率,GaN 和 SiC 功率器件正在大力推動超越快速充電器和可再生能源,進入
2022-07-29 18:06:26391 在基本半導體特性(帶隙、臨界電場和電子遷移率)的材料比較中,GaN 被證明是一種優異的材料。“Si 的帶隙略高于一個電子伏特,臨界電子場為 0.23 MV/cm,而 GaN 的電子遷移率和帶隙更寬
2022-08-03 08:04:292748 由氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)。基于 GaN 和 SiC 的器件可以提供最新一代電源應用所需的高性能。然而,它們極高的功率密度應該得到適當的管理,這使得創新的熱管理技術成為一個需要考慮的關鍵方面。
2022-08-03 08:04:57996 鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 已達到足夠的成熟度并獲得足夠的吸引力,從而將其他潛在替代品拋在腦后,從而得到全球工業制造商的足夠重視。
2022-08-05 11:58:28638 (SiC) 的采用,電力電子技術走上了一條非凡的道路。Yole Développement (Yole) 估計了這些寬帶隙材料的總體情況。雖然硅仍然占據市場主導地位,但 GaN 和 SiC 器件的出現一直在引領技術走向新的高效成果。 在技術基礎上,碳化硅技術側重于在更大直徑和功率
2022-08-08 15:19:37658 DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍,提供非常高的測量精度和豐富的連接方式,是GaN 和 SiC 器件測試的理想探頭。
2022-11-03 17:47:061121 云計算、虛擬宇宙的大型數據中心以及新型智能手機等各種小型電子設備將繼續投資。SiC 和 GaN 都可以提供更小的尺寸和更低的熱/功耗,但它們成為標準技術還需要一些時間。
2023-01-11 14:23:18348 GaN與SiC 冰火兩重天。GaN受消費類市場疲軟的影響,市場增長微乎其微。SiC在光伏新能源、電動汽車以及儲能、充電樁等行業取得了快速發展。
2023-02-24 14:25:42941 GaN和SiC器件比它們正在替代的硅元件性能更好、效率更高。全世界有數以億計的此類設備,其中許多每天運行數小時,因此節省的能源將是巨大的。
2023-03-29 14:21:05297 氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料,有望成為下一代功率半導體,日本和海外正在進行研究和開發。
2023-04-14 15:42:06363 近日,韓國企業EQ TechPlus宣布,他們開發了一種下一代氧化膜沉積設備,用于大規模生產SiC功率半導體,與采用傳統高溫熱氧化設備相比,該設備可以將SiC界面碳含量降低約50%。
2023-06-13 16:46:14452 SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG),因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導帶所需的能量:而在硅的情況下,該能量為1.1eV,SiC(碳化硅)為3.3eV,GaN(氮化鎵)為3.4eV。這導致了更高的適用擊穿電壓,在某些應用中可以達到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431 SiC 和 GaN 被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)。由于使用的生產工藝,WBG 設備顯示出以下優點:
2023-10-09 14:24:361332 SiC與GaN的興起與未來
2023-01-13 09:06:226 設計人員正在尋求先進技術,從基于硅的解決方案轉向使用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬帶隙 (WBG) 材料的功率半導體技術,從而在創新方面邁出下一步。他們尋求用于電動汽車 (EV) 的功率密度更高、效率更高的電路。
2023-11-12 11:30:001163 近期,大阪公立大學的研究團隊成功利用金剛石為襯底,制作出了氮化鎵(GaN)晶體管,其散熱性能是使用碳化硅(SiC)襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上
2024-01-15 10:44:16436 近期,英飛凌科技公司宣布與安克創新和盛弘電氣兩大知名廠商達成合作,共同推動SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)技術在各領域的應用。這些合作將進一步提升功率半導體器件的效率和性能,為行業帶來更多的創新和價值。
2024-02-02 15:06:34304
評論
查看更多