英飛凌科技推出用于商業航空電子設備和雷達系統的脈沖應用和其他類型工業放大器的高功率晶體管。基于全新的50V LDMOS工藝技術，全新推出的器件具備高能效、適用于小型化系統設計
2012-07-15 01:23:46
1266 LDMOS射頻功率放大器以具有競爭力的成本提供出色的性能，從而主導了GSM和CDMA基站市場。
2023-01-13 11:23:401947 
通過對不同器件結構LDMOS的靜電放電防護性能的分析對比，指出帶埋層的深漏極注入雙RESURF結構LDMOS器件在靜電防護方面的優勢。
2011-12-01 11:00:559148 
LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)橫向擴散金屬氧化物半導體)是為900MHz蜂窩電話技術開發的，蜂窩通信市場的不斷增長保證了
2019-06-26 07:33:30
LDMOS? L DMOS (橫向擴散金屬氧化物半導體) 結構見圖。 在高壓功率集成電路中常采用高壓LDMOS滿足耐高壓、實現功率控制等方面的要求，常用于射頻功率電路。 與晶體管相比，在關鍵
2020-05-24 01:19:16
LDMOS和GaN各有什么優劣勢？能理解成完全會是一個時代替換另一個時代嗎？
2015-08-11 14:50:15
GaN為5G sub-6GHz大規模MIMO基站應用提供的優勢LDMOS的優勢是什么如何選擇正確的晶體管技術
2021-03-09 07:52:21
與雙極型晶體管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可達14dB以上，而雙極型晶體管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模塊的增益可達60dB左右。這表明對于相同的輸出功率需要更少的器件，從而增大功放的可靠性。
2020-04-07 09:00:33
Infineon的LDMOS功放管憑優良的產品質量性能已廣泛應用在移動通信設備中，在國內外不少知名通信設備生產商的設備中Infineon的功放管都占有一定的份額。 其中，Infineon專門
2019-07-08 08:10:02
a new biasing circuit which minimizes quiescentcurrent variations suitable for LDMOS RF power transistors.
2009-05-12 14:07:31
。 SCLK也被稱作是SCK，串行時鐘信號。 SPI具有很多優點：全雙工串行通信；高速數據傳輸速率。軟件配置方便；數據傳輸靈活，不限于8位，它可以是任意大小的字；簡單的硬件結構。從機使用主機時鐘，不需要精...
2022-02-17 07:04:29
://t.elecfans.com/topic/65.html?elecfans_trackid=t***cy 反激式、正激式、推挽式、半橋式、全橋式是開關電源的五大經典結構，是學習開關電源必須了解的知識，這里整理了這五大經典結構的優點與缺點，需要的朋友可以點擊資料下載。
2016-01-25 17:58:21
什么是LDMOS？LDMOS有哪些有優良性能？什么是VDMOS？VDMOS具有哪些特征？
2021-06-18 06:56:36
我在 AWR 中模擬 LDMOS MRFE6VS25N 時遇到問題。我使用 12 和 13 版本 64 位，但模型只有 32 位。我如何使用我的 AWR 軟件模擬這個晶體管？
2023-04-23 09:07:17
的阻抗匹配范圍、優化性能以及架構選擇，所以為PA設計提供了很大靈活性。但如何滿足WiMAX基站系統對PA的高輸出功率、低失真以及高功效的要求呢？本文討論的基于硅LDMOS技術的RFIC具有足夠輸出功率，能
2019-06-25 06:55:46
摘要：提出了一種具有深阱結構的RF LDMOS，該結構改善了表面電場分布，從而提高了器件的擊穿電壓。通過silvaco器件模擬軟件對該結構進行驗證，并對器件的摻雜濃度、阱寬、阱深、柵長進行優化
2019-07-31 07:30:42
LDMOS RF功率放大器因其極高的性價比在GSM和CDMA基站市場占據了主導地位。使用LDMOS放大器時，保證高性能的一個關鍵因素是補償柵極偏置電壓，以在溫度變化時保持恒定的靜態電流。Maxim的DS1870偏置控制器是目前眾多的LDMOS RF功放偏置方案中的一款。
2019-08-23 06:38:37
LDMOS 射頻功率技術許可協議。遠創達是一家總部位于中國蘇州的無晶圓廠的半導體公司，專業設計制造射頻功率半導體產品、模塊和子系統集成。導電通道短且擊穿電壓高使LDMOS器件適用于無線通信系統基站射頻
2018-02-28 11:44:56
求大佬分享一款適用于激光及MRI的寬帶LDMOS晶體管
2021-06-08 06:29:42
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
的優點是： ①結構簡單，相對成本較低。 ②由于多個機械臂同時吸料和貼裝，所以整機的貼裝速度也較快。 但這種簡單平行式結構的缺點也是顯而易見的： ①線路板沒有基準點校正，元件一般也沒有對中系統
2018-09-06 16:32:30
跨阻結構是指在反饋網絡中引入一個電阻到地的結構。這樣做的目的是為了保持輸出電平穩定，減小輸出偏移，提高放大器的穩定性和精度。具體來說怎么體現跨阻結構的穩定性？
常用的網絡結構除了T型網絡，還有π型
2024-01-26 12:30:33
■ 恩智浦半導體 K. Werner，S. Theeuwen，J. de Boet，V. Bloem，W. Sneijers高壓LDMOS是高達3.8GHz的國防和航空電子設備RF功率應用的最佳技術
2019-07-05 07:01:04
的應用。LDMOS是功率IC常用的片上靜電自防護器件，其內部存在靜電泄放電流非均勻分布的問題。我司開發采用的BSDOT結構，通過TCAD仿真和流片測試驗證，有效將原始LDMOS器件的靜電防護能力提高一倍以上
2016-03-12 14:12:31
的應用。LDMOS是功率IC常用的片上靜電自防護器件，其內部存在靜電泄放電流非均勻分布的問題。我司開發采用的BSDOT結構，通過TCAD仿真和流片測試驗證，有效將原始LDMOS器件的靜電防護能力提高一倍以上
2016-04-06 09:24:23
This application note demonstrates the feasibility of acomplete RF amplifier using Motorola LDMOS
2009-05-12 10:47:24
30 本文針對LDMOS 器件在ESD 保護應用中的原理進行了分析，重點討論了設計以及應用過程中如何降低高觸發電壓和有效提高二次擊穿電流，結合實際工藝對器件進行參數優化，得到了
2009-12-14 09:48:5135 提出了一種適用于高低壓電路集成的LDMOS器件結構，采用Double RESURF技術和場板技術，耐壓可達700伏。本文借助二維器件模擬軟件MEDICI，分析了器件的參數對擊穿電壓和導通電阻的影
2010-02-23 11:34:2632 摘要：提出了一種HVIC中高端浮動電路的新的實現方式，該方式采用單路LDMOS，實現了高壓電平位移的功能。分析了該方式的電路結構和工作原理，以此為基礎，設計了功率MOS柵驅動
2010-05-14 09:25:1712 提出了一種適用于高低壓電路集成的LDMOS器件結構，采用Double RESURF技術和場板技術，耐壓可達700伏。本文借助二維器件模擬軟件MEDICI，分析了器件的參數對擊穿電壓和導通電阻的影
2010-07-14 16:28:1044 BLP9G0722-20G 功率LDMOS晶體管20 W 塑料 LDMOS 功率晶體管，適用于頻率為 100 MHz 至 2700 MHz 的基站應用。BLP9G0722-20G
2024-02-29 13:46:41
ART1K6FHG功率LDMOS晶體管 這款 1600 W LDMOS RF 功率晶體管基于先進耐用技術 (ART)，旨在涵蓋 ISM、廣播和通信的廣泛應用。不匹配的晶體管的頻率范圍為 1
2024-02-29 20:57:46
飛思卡爾為L波段雷達應用推出LDMOS
一直致力于突破高功率射頻（RF）技術的飛思卡爾半導體近日揭開了全球首款適用于L波段雷達應用的
2008-06-07 23:56:39807 摘要：LDMOS RF功率放大器因其極高的性價比在GSM和CDMA基站市場占據了主導地位。使用LDMOS放大器時，保證高性能的一個關鍵因素是補償柵極偏置電壓，以在溫度變化時保持恒定的靜態
2009-04-28 13:54:12771 
鋰離子蓄電池的基本結構和優點
1.鋰離子蓄電池的基本結構
鋰離子蓄電池的優
2009-11-18 14:35:241881 什么是RF LDMOS晶體管
DMOS主要有兩種類型，垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應管VDMOSFET（ vertical double-diffused MOSFET）和橫向雙擴
2010-03-05 16:22:596177 FPC柔性電路的優點/主要應用/分類/結構方式
柔性電路是為提高空間利用率和產品設計靈活性而設計的，能滿足更小型和更高密度安裝
2010-03-17 10:13:101190 全光網(AON）,全光網(AON）的優點和結構原理及發展方向
在以光的復用技術為基礎的現有通信網中，網絡的各個節點要完成光/ 電/ 光的轉換，仍以電
2010-03-19 17:33:001855 本文介紹采用直接檢測LDMOS 漏端電壓來判斷其是否過流的設計方案，給出了電路結構。通過電路分析，并利用BCD 高壓工藝，在cadence 環境下進行電路仿真驗證。
2011-08-17 15:24:442038 
本內容詳細介紹了 LDMOS 功放溫度特性及溫補電路設計
2011-08-18 17:29:2762 本文設計了一種工作在1.8GHz 的 F類功率放大器 ，使用LDMOS 晶體管作為有源器件以便產生高功率和高效率。F 類放大器通過對不同的諧波進行調諧來峰化漏極電壓和電流的波形，漏極電壓
2011-08-18 17:36:4265 2011年9月9日，德克薩斯州奧斯汀市 – 飛思卡爾半導體 (NYSE:FSL)宣布推出高功率射頻LDMOS晶體管，該產品結合了業界最高的輸出功率、效率和其同類競爭器件中最強的耐用性，專門面向U
2011-09-13 18:25:061179 與雙極型晶體管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可達14dB以上，而雙極型晶體管在5~6dB
2011-12-01 11:21:093662 場板是高壓LDMOS中普遍使用的一種結終端技術，對單階梯LDMOS場板的長度、其下方氧化 厚度以及場氧侵蝕厚度等參數進行了模擬和分析， 在此基礎上設計了一種新型體硅雙階梯場板LDM
2011-12-01 14:08:1039 提出了具有n 埋層PSOI(部分SOI) 結構的射頻功率LDMOS 器件. 射頻功率LDMOS 的寄生電容直接影響器件的輸出特性. 具有n 埋層結構的PSOI 射頻LDMOS ,其Ⅰ層下的耗盡層寬度增大,輸出電容減小,漏
2011-12-01 14:13:4336 分析了LDMOS(lateral DMOS) 在一次雪崩擊穿后的局部電熱效應. 提出并證明了等溫分析和電熱分析分別得到的LDMOS 的觸發點是不同的;分析了局部晶格溫度在空間上的分布特點;并提出晶格溫度
2011-12-01 14:15:0222 提出一種圖形化SOILDMOSFET結構,埋氧層在器件溝道下方是斷開的,只存在于源區和漏區.
2011-12-01 14:16:0222 提出了一種具有深阱結構的RF LDMOS，該結構改善了表面電場分布，從而提高了器件的擊穿電壓。通過silvaco器件模擬軟件對該結構進行驗證，并對器件的摻雜濃度、阱寬、阱深、柵長進行
2013-05-06 14:44:4022 恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達克：NXPI）近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管，作為特別關注TD-LTE的無線基站第八代LDMOS產品線的擴展產品。
2013-06-21 11:09:261535 Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料（overmoulded plastic， OMP） RF功率晶體管產品組合，采用眾所周知的非常穩固LDMOS技術。
2016-01-13 15:37:091923 一種超低比導通電阻的L型柵漏極LDMOS_石琴
2017-01-07 22:14:034 本報告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性，并通過比較測試過程來判斷它們的耐用水平。
2017-09-15 16:10:1515 LDMOS （Lateral Diffused MetalOxide Semiconductor Transistor，橫向擴散金屬氧化物半導體）以其高功率增益、高效率及低成本等優點，被廣泛應用
2017-10-13 10:59:179 隨著集成電路的發展，尤其是智能功率集成電路的發展，對功率器件提出了越來越高的要求。LDMOS由于它的電極均可以在器件的表面引出，因而可以與主流的VLSI集成電路丁藝技術相兼容，成為了功率集成電路
2017-11-02 14:32:4912 LDMOS器件設計中，常采用RESURF技術來提高器件的性能。文中主要研究具有RESURF技術結構的LD-MOS器件，圍繞當獲得最優的器件結構時，其外延層單位面積雜質密度Ntot不是定值這一現象展開
2017-11-08 14:50:2411 摘要：提出了一種具有深阱結構的RF LDMOS，該結構改善了表面電場分布，從而提高了器件的擊穿電壓。通過silvaco器件模擬軟件對該結構進行驗證，并對器件的摻雜濃度、阱寬、阱深、柵長進行優化
2017-11-23 06:44:49408 
LDMOS (Lateral Diffused MetalOxide Semiconductor Transistor，橫向擴散金屬氧化物半導體)以其高功率增益、高效率及低成本等優點，被廣泛應用
2017-12-05 05:19:00191 LDMOS RF功率放大器因其極高的性價比在GSM和CDMA基站市場占據了主導地位。使用LDMOS放大器時，保證高性能的一個關鍵因素是補償柵極偏置電壓，以在溫度變化時保持恒定的靜態電流。Maxim
2017-12-06 16:47:01318 
LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)橫向擴散金屬氧化物半導體)是為900MHz蜂窩電話技術開發的，蜂窩通信市場的不斷增長保證
2017-12-08 20:01:0963321 
LDMOS （Lateral Diffused MetalOxide Semiconductor Transistor，橫向擴散金屬氧化物半導體）以其高功率增益、高效率及低成本等優點，被廣泛應用
2018-05-04 11:45:00689 
LDMOS （Lateral Diffused MetalOxide Semiconductor Transistor，橫向擴散金屬氧化物半導體）以其高功率增益、高效率及低成本等優點，被廣泛應用
2018-05-03 11:14:002563 
貿澤電子 （Mouser Electronics），即日起開始備貨NXP Semiconductors的MRFX1K80H LDMOS 晶體管。MRFX1K80H 是MRFX系列射頻 （RF
2018-05-08 18:36:001105 240 W LDMOS功率晶體管封裝了用于基站應用的不對稱多爾蒂功率晶體管，其頻率為2300 MHz至2400 MHz。
2018-08-14 08:00:0019 180 W LDMOS功率晶體管在2000 MHz至2200 MHz的頻率下用于基站應用。
2018-08-14 08:00:0012 10 W WiMAX LDMOS功率晶體管在3400 MHz至3600 MHz的頻率下用于基站應用。
2018-08-14 08:00:007 130 W LDMOS功率晶體管在2000 MHz至2200 MHz的頻率下用于基站應用。
2018-08-14 08:00:005 140 W LDMOS功率晶體管在2500 MHz至2700 MHz的頻率下用于基站應用。
2018-08-14 08:00:005 170 W LDMOS功率晶體管，具有改善的視頻帶寬，用于從1800 MHz到1990 MHz的頻率的基站應用。
2018-08-14 08:00:007 用于基站應用的30 W LDMOS 2級功率單片集成電路，其頻率為2100 MHz至2200 MHz。可用于鷗翼表面安裝（SOT822-1）或扁平引線（SOT834—1）。
2018-08-14 08:00:004 本次會議將介紹恩智浦用成熟的、業界最好的LDMOS技術，推出的面向蜂窩通訊頻段的高功率應用，包括介紹全通訊頻段射頻高功率產品組合。
2019-01-23 07:24:002647 
本次會議將介紹恩智浦用成熟的、業界最好的LDMOS技術，推出的面向蜂窩通訊頻段的高功率應用，包括介紹全通訊頻段射頻高功率產品組合。?
2019-01-23 07:12:002686 本文從結構特點，性能特點和優點出發詳細介紹了光耦。
2019-08-12 09:19:103435 本文主要闡述了六氟化硫斷路器的優點及結構形式。
2020-01-03 08:54:203334 薄膜電容的主要優點是絕緣電阻高，耐熱性好。具有自愈性和無感特性。具有優良的高頻絕緣性能，電容量與損耗角在很大頻率范圍內與頻率無關，隨溫度變化很小，而介電強度隨溫度升高而有所增加，這是其他介質材料難以具備的。耐溫高，吸收系數小。 薄膜電容結構圖： lw
2020-04-22 15:28:131204 提出了一種具有深阱結構的RF LDMOS，該結構改善了表面電場分布，從而提高了器件的擊穿電壓。通過silvaco器件模擬軟件對該結構進行驗證，并對器件的摻雜濃度、阱寬、阱深、柵長進行優化，結果表明
2020-09-25 10:44:000 提出了一種具有深阱結構的RF LDMOS，該結構改善了表面電場分布，從而提高了器件的擊穿電壓。通過silvaco器件模擬軟件對該結構進行驗證，并對器件的摻雜濃度、阱寬、阱深、柵長進行優化，結果表明
2020-09-25 10:44:000 LDMOS RF功率放大器因其極高的性價比在GSM和CDMA基站市場占據了主導地位。使用LDMOS放大器時，保證高性能的一個關鍵因素是補償柵極偏置電壓，以在溫度變化時保持恒定的靜態電流。Maxim
2020-09-11 10:46:005 技術路線，一種是采用硅工藝的LDMOS（Laterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor，橫向擴散MOS）技術，另外一種是基于三五族工藝的氮化鎵（GaN）技術
2022-12-01 15:38:292501 電子發燒友網為你提供氮化鎵、砷化鎵和LDMOS將共存嗎？資料下載的電子資料下載，更有其他相關的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-14 08:42:117 電子發燒友網為你提供LDMOS總體性能資料下載的電子資料下載，更有其他相關的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-29 08:53:0121 采用吉時利直流參數測試系統并配合高壓測試探針對制備的LDMOS器件進行在片測試。利用光學顯微鏡觀察器件的具體結構，并用探針給相應的電極加電，只使用探針向器件柵、漏極加電，而源極直接通過襯底與金屬吸盤接地。
2021-06-07 11:15:42174 相比其它半導體，GaN 是一種相對較新的技術，但它已然成為某些高射頻、大功率應用的技術之選。雖然 LDMOS 技術目前仍在射頻基站領域占有最大市場份額，但預計 GaN 將在 5G 大規模 MIMO
2021-07-30 09:51:332091 LDMOS RF功率放大器因其極高的性價比在GSM和CDMA基站市場占據了主導地位。使用LDMOS放大器時，保證高性能的一個關鍵因素是補償柵極偏置電壓，以在溫度變化時保持恒定的靜態電流。Maxim
2023-02-14 10:50:08634 
解析東莞薄膜線路柔性電路板的結構優點
2023-03-24 16:54:38649 
12mm彎式儲能連接器是一種常用于儲能系統、電動車輛充電、工業自動化和其他高功率應用中的連接器。它具有特定的結構和一系列優點，適用于需要高電流傳輸和可靠性連接的場景。
2023-09-16 11:11:27560 
LDMOS屬于功率半導體器件，主要應用于高壓場合。而針對高壓芯片的ESD防護領域，可采取GGNLDMOS的設計思路。
2023-12-06 13:54:18935 
普通微帶線和CPW/CPWG共面波導結構各自有哪些優點缺點？ 普通微帶線和CPW/CPWG共面波導結構是常見的微波傳輸線路結構，常用于高頻電路和射頻電路設計中。兩者各自具有一些優點和缺點，下面將詳細
2023-12-07 14:24:521103
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