穩壓管的結構與特性
穩壓管的伏安特性
2009-09-17 09:24:07
2274 詳細論述了器件制造過程中的關鍵工藝環節，包括柵氧化、光刻套準、多晶硅刻蝕、P 阱推進等。流水所得VDMOS 實測結果表明，該器件反向擊穿特性良好
2011-12-02 10:45:212729 
柵漏電流噪聲特性是什么？柵漏電流噪聲有哪幾種模型？這幾種模型具有什么特性和局限性？
2021-04-14 06:53:21
常見的柵漏電流噪聲模型有哪幾種，這幾種模型的特性是什么？有什么局限性？
2021-04-09 06:44:22
簡牛通常為四方塑膠圍墻座和若干排列整齊的四方排針組成。簡牛和牛角牛角連接器的區別在簡易牛角去掉了兩側的耳扣。
2019-10-21 09:02:31
共同作用的結果。在著手優化之前需要對整個系統的軟硬件結構和參數有深入的了解。硬件需要對如Flash大小、SRAM大小、零等待區和非零等待區大小、主頻等參數有準確的認識，軟件需要對整個流程熟悉，對代碼
2020-08-15 14:38:22
AWR1843器件具有哪些特性？
2021-09-30 06:19:26
1、Armv8.1-M PAC和 BTI 擴展簡析Armv8-M通過Trustzone for Armv8-M， Memory Protection Unit (MPU) 和Privileged
2022-08-05 14:56:32
文檔文章目錄目錄Part 1. CAN 模塊特性Part 2. 硬件設計上的注意事項Part 3. 軟件設計上的注意事項Part 4. CAN波特率與采樣點配置要求Part 5. 同步跳轉位寬時間設置的注意事項Part 6. 發送時啟動自動重傳及發送..
2022-01-06 08:04:57
扇出等特性，不僅適合于時鐘信號輸入，也可以作為復位、置位等控制信號的輸入。圖3.18 MAX II器件內部結構在器件的左下角，有一個MAX II器件特有的CFM塊（configuration flash
2015-01-27 11:43:10
在于把高云器件支持的所有功能和特性完美地 呈現出來。 時序收斂可以保證用戶設計滿足某個特定的時序需求，這部分主要描述 時序需求、時序約束以及時序優化的方法。
2022-09-29 06:12:02
在硬件上，I2C 總線是由時鐘總線 SCL 和數據總線 SDA 兩條線構成，連接到總線上的所有器件的 SCL 都連到一起，所有 SDA 都連到一起。I2C 總線是開漏引腳并聯的結構，因此我們外部要
2022-01-07 06:03:45
電壓（與功率MOSFET的低導通電阻相當）和較快的開關特性的晶體管。盡管其具有較快的開關特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點。【功率元器件的基本結構與特點
2019-05-06 05:00:17
電壓（與功率MOSFET的低導通電阻相當）和較快的開關特性的晶體管。盡管其具有較快的開關特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點。【功率元器件的基本結構與特點
2019-03-27 06:20:04
LAS6350與VDMOS組成升壓電路圖
2019-11-04 09:13:53
LAS6350與VDMOS組成升壓電路圖
2019-05-17 08:37:04
1、Linux內核網絡之網絡層發送消息之IP分片簡析本文分析下ip的分片。行 IP 分片。IP分片通常發生在網絡環境中，比如1個B環境中的MTU為500B，若的數據長度超過
2022-07-20 15:34:09
不同壓力場景進行相應回調處理；同時對系統資源進行系統化、集中化管理，對應用資源占用及時監控與管理。本地存儲增強，F2FS特性優化末端性能，通過存儲空閑時自動碎片回收、分級SSR等手段降低系統碎片，恢復
2023-04-21 10:43:02
一、核心技術理念
圖片來源：OpenHarmony官方網站
二、需求機遇簡析
新的萬物互聯智能世界代表著新規則、新賽道、新切入點、新財富機會;各WEB網站、客戶端( 蘋果APP、安卓APK)、微信
2023-09-22 16:12:02
產品需求。
典型應用場景：
影音娛樂、智慧出行、智能家居，如煙機、烤箱、跑步機等。
*附件：OpenHarmony智慧設備開發-芯片模組簡析RK3568.docx
2023-05-16 14:56:42
降噪，自動調色系統和梯形校正模塊可以提供提供流暢的用戶體驗和專業的視覺效果。
典型應用場景：
工業控制、智能駕艙、智慧家居、智慧電力、在線教育等。
、*附件：OpenHarmony智慧設備開發-芯片模組簡析T507.docx
2023-05-11 16:34:42
RF-SOI技術在5G中的應用前景簡析
2021-01-04 07:02:15
1、RT5640播放時的Codec寄存器列表簡析Platform: RockchipOS: Android 6.0Kernel: 3.10.92Codec: RT5640此文給調試RT5640播放
2022-11-24 18:12:43
1、Rockchip RK3399 Linux4.4 USB DTS配置步驟簡析本文檔提供RK3399 USB DTS的配置方法。RK3399支持兩個Type-C USB3.0(Type-C PHY
2022-08-10 16:10:16
在STM32中分別有哪幾個時鐘源呢？AHB分頻器輸出的時鐘送給哪幾大模塊使用呢？
2021-11-24 06:50:12
深能級對溝道電流的影響，使用該工藝制備的小柵寬ＳｉＣＭＥＳＦＥＴ 具有１９５ ｍＡ ／ ｍｍ的飽和電流密度， － １５ Ｖ的夾斷電壓。初步測試該器件有一定的微波特性，２ ＧＨｚ下測試其最大輸出功率為
2009-10-06 09:48:48
Stratix系列器件的主要特性是什么？Stratix器件的典型應用有哪些？
2021-04-30 07:00:39
stm32標準庫工程的組織結構是怎樣構成的？stm32標準庫的各個文件有何功能呢？
2021-11-26 07:23:14
rtos的核心原理簡析rtos全稱real-time operating system（實時操作系統），我來簡單分析下：我們都知道，c語句中調用一個函數后，該函數的返回地址都是放在堆棧中的(準確
2019-07-23 08:00:00
不斷縮小，MOS器件面臨一系列的挑戰。例如短溝道效應（Short Channel Effect - SCE），熱載流子注入效應（Hot Carrier Inject - HCI）和柵氧化層漏電等
2018-09-06 20:50:07
程序的結構 復雜，自動優化軟件不能做到盡善盡美。在貼片機程序優化時，如果通過不同結構的特點對優化的條件進行一些限制，自動優化將能達到更好的效果。對于不同的貼片機，影響速度的因素不同，下面主要按照貼片機
2018-09-03 10:46:06
本文介紹一種基于FIFO結構的優化端點設計方案。
2021-05-31 06:31:35
A:TVS 瞬態電壓抑制器是在穩壓二極管的基礎上發展而來的，是一種二極管形式的新型高效能保護器件。B:TVS通常采用二極管式的軸向引線封裝結構，TVS的核心單元是芯片，芯片主要材料為半導體硅片或曬片
2021-04-18 18:07:31
光纖連接器的基本結構，有什么特性？
2021-05-26 06:24:01
低壓共源共柵結構是什么？具有最小余度電壓的共源共柵電流源是什么？
2021-09-29 06:47:22
缺點是通態電阻大、導通壓降高、耐壓和電流容量較難提高等。一、結構特性1、結構原理場效應管有垂直導電與橫向導電兩種結構，根據載流子的性質，又可分為N溝道和P溝道兩種類型v功率場效應管幾乎都是由垂直導電
2018-01-29 11:04:58
華大M0+系列單片機的端口電路有哪幾種結構？華大M0+系列單片機的端口電路的兩種結構有何區別？
2021-11-03 07:59:10
臺面刻蝕深度對埋柵SITH柵陰擊穿的影響針對臺面刻蝕深度對埋柵型靜電感應晶閘管（ＳＩＴＨ）柵陰擊穿特性的影響做了實驗研究。實驗結果表明，隨著臺面刻蝕深度的增大，器件柵陰擊穿由原來的軟擊穿變為硬擊穿
2009-10-06 09:30:24
可重構結構是一種可以根據具體運算情況重組自身資源，實現硬件結構自身優化、自我生成的計算技術。動態可重構技術可快速實現器件的邏輯重建，它的出現為處理大規模計算問題提供了一種兼具通用處理器靈活性
2019-07-10 07:56:06
的導通能量損耗，并在電力電子學的典型模式下擴大開關元件的安全工作區域。使用硅IGBT可以優化器件的成本。這種減少損耗功率的頻率相關分量的要求突出了改善IGBT頻率特性的必要性，因為正是這種元件限制了
2023-02-22 16:53:33
如何對單片機程序結構進行優化？如何對單片機代碼進行優化？
2021-09-22 09:07:26
上海瞻芯該項專利中所提供的半導體結構和制備方法，相較于同種器件而言，其電場強度能夠大幅降低，提高了半導體器件柵氧化層的可靠性。同時柵漏之間的電容也被大幅降低，從而極大的減少了開關功率的損耗
2020-07-07 11:42:42
簡析用電阻設定增益的單端至差分轉換器
2021-02-25 06:53:02
如何移植FreeRTOS最簡源碼？
2021-11-29 08:00:40
球柵尺球柵尺又叫球感尺，球柵尺是目前長度測量傳感器，球柵尺適用于各種機床的加工測量。球柵尺的優點：（1）球柵尺采用全密封結構，球柵尺的高精度鋼球和線圈均被完全密閉，球柵尺可以在水中或油中工作。（2
2021-11-25 15:21:24
文章目錄1.總線的基本概念2.總線的分類2.1 片內總線2.2 系統總線2.2.1 數據總線2.2.2 地址總線2.2.3 控制總線2.3 通信總線3.總線的特性及性能指標3.1 總線特性3.2
2022-02-16 06:54:49
目錄ASIC工程師面試經驗分享商湯（一共4面，全程微信語音）- FPGA自動駕駛優化驗證百度（一共3面，全程微信）- 芯片驗證寒武紀（一共3面）- 芯片驗證華為海思（一共3面）- 芯片在面經下的問答
2021-07-23 07:40:16
模塊化結構提高了產品的密集性、安全性和可靠性，同時也可降低裝置的生產成本，縮短新產品進入市場的周期，提高企業的市場競爭力。由于電路的聯線已在模塊內部完成，因此，縮短了元器件之間的連線，可實現優化布線
2021-09-09 09:15:24
VDMOS的基本原理一種減小寄生電容的新型VDMOS結構介紹
2021-04-07 06:58:17
`` 本帖最后由 王棟春 于 2018-10-19 21:32 編輯
在當今的開關電源設備中,當電源電壓在200v以下時,主開關功率器件一般都使用MOS管。所以深入了解MOS管的內部結構和工作
2018-10-19 16:21:14
保護，可有效地使電子線路中的精密元器件免受各種浪涌脈沖的損壞。本文對TVS管的結構與特性進行了介紹： TVS管是在穩壓二極管的基礎上發展而來的，是一種二極管形式的新型高效能保護器件。 TVS管通常
2018-11-05 14:21:17
GPIO基本結構目錄文章目錄GPIO基本結構目錄M4的IO口基本結構特性輸入通道輸出通道4種輸入模式輸入浮空輸入上拉輸入下拉模擬模式4種輸出模式開漏輸出模式開漏復用輸出模式推挽輸出模式推挽復用輸出
2022-02-28 06:04:54
SiCMOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
即為交流電流（圖1b），考慮到功率器件關斷時的滯后特性避免造成短路，通常都做成（圖1c）的波形結構。顯然開關器件輸出的是方波（矩形波）交流電流,在交流應用場合，多數負載要求輸入的是正弦波電流。 電工學
2016-02-02 10:22:43
簡析電源模塊熱設計注意事項
2021-03-01 06:39:03
文章目錄1.前言2.開發工具3.簡述開發工具生成的代碼結構3.1 main.c簡析3.2 代碼運行流程以及HAL庫的調用結構3.2.1 HAL_Init()3.2.2
2021-08-24 07:34:39
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。一．絕緣柵雙極晶體管IGBT的工作原理： 半導體結構分析略。本講義附加了相關資料，供感興趣
2009-05-12 20:44:23
是理解器件在工作時的物理特性所需的結構元件（寄生元件不考慮在內）。如圖所示，IC是VCE的一個函數（靜態特性），假如陰極和陽極之間的壓降不超過0.7V，即使柵信號讓MOSFET溝道形成（如圖所示），集電極
2009-05-24 16:43:05
課程內容：網絡結構、IP分組交換技術、IP/MAC地址映射、私網公網IP、NAT轉換、網卡、交換機、路由器等，以上這些內容對于很多同學來說是熟悉又陌生，熟悉的是經常聽到，陌生的是沒有多少同學真的完全弄明白了，這部分課程會為大家解決這個問題。...
2022-01-12 07:12:09
簡析運放并聯的可行性
2021-03-18 08:06:57
結構優化設計的目標是實現可能的最優設計。而結構設計受控于材料特性、幾何參數、作用載荷及失效條件等諸多因素。這些因素通常存在不可避免的不確定性。為了實現安全性和
2009-03-29 14:41:36
18 對熱壓電仿生結構的傳感器配置優化進行了研究。利用準靜態熱壓電本構關系, 得到了熱壓電仿生結構的有限元動態耦合模型, 討論了各耦合因素對熱壓電結構傳感特性的影響。在此
2009-07-14 09:25:417 碳膜濕敏電阻器的結構及特性
2009-12-04 11:43:0613 VDMOS功率器件用硅外延片:1973 年美國IR 公司推出VDMOS 結構，將器件耐壓、導通電阻和電流處理能力提高到一個新水平。功率VDMOS 管是在外延片上制作的，由于一個管芯包括幾千個元胞
2009-12-21 10:52:2440 設計了一種完全兼容現有 0.18μm 標準CMOS 工藝的，利用電遷移現象的，價格低廉的電熔絲器件結構。結果表明，在該結構下，通過優化參數，所獲得的eFUSE 器件結構，熔斷后電阻
2010-01-20 11:51:0120 DC/DC輻照損傷與VDMOS器件1/f噪聲相關性研究
大量的研究表明，低頻噪聲除了與產品性能有關之外，還與產品質量和可靠性密切相關。國內外出現了一系列使用低頻噪聲特別是1
2009-04-20 10:55:49759 
LAS6350與VDMOS組成升壓電路圖
2009-05-12 14:24:48602 
基于Arrhenius模型快速評價功率VDMOS可靠性
0 引言
垂直導電雙擴散場（VDMOS）效應晶體管是新一代集成化半導體電力器件的代表［1］。與功
2009-11-07 10:39:501695 
一種減少VDMOS寄生電容的新結構
0 引 言 VDMOS與雙極晶體管相比，它的開關速度快，開關損耗小，輸入電阻高，驅動電流小，頻率特性好，跨導高度線性
2009-11-25 17:49:501003 一種減少VDMOS寄生電容的新結構
0 引 言 VDMOS與雙極晶體管相比，它的開關速度快，開關損耗小，輸入電阻高，驅動電流小，頻率特性好，跨
2009-11-27 09:24:23613 VDMOS器件損傷的DC/DC轉換器輻射預兆單元設計
航天用DC／DC轉換器工作在太空輻射環境下，輻射損傷是其主要失效機理。DC／DC轉換器的可靠性關系到整個航天器的可靠性
2009-12-08 10:45:481196 
一種減少VDMOS寄生電容的新結構
0 引 言 VDMOS與雙極晶體管相比，它的開關速度快，開關損耗小，輸入電阻高，驅動
2010-01-11 10:24:051321 根據結構的不同，VMOS管分為兩大類:VVMOS管，即垂直導電V形槽MOS管；VDMOS管，即垂直導電雙擴散MOS管。
2010-11-09 16:16:021803 
隨著高壓器件和功率器件需求的不斷發展，大功率VDMOS器件的特有作用正日益顯現出來。VDMOS主要應用在高電壓和大電流兩種情況，在一些特殊的需求方面亦具有不可替代的作用。本文用
2011-06-23 16:55:5032 文章對采用平面光波導技術的單纖三向器件(Triplexer)芯片結構的參數進行了優化設計，對單元結構的光譜響應進行了模擬計算。通過數值模擬分析了結構的工藝容差性。結果表明，采用
2011-06-24 17:23:300 本文將利用Silvaco公司的Atlas器件模擬軟件，結合Miller等人的鐵電極化模型及電荷薄片模型，對MFIS結構器件的C—V特性及記憶窗口進行模擬，討論應用電壓、絕緣層厚度及材料對MFIS結構器
2011-07-13 10:32:231713 
本文闡述了一種電機用功率 VDMOS 器件的可靠性試驗方案和試驗過程。對不同驅動電壓下VDMOS器件所能承受的最人供電電壓進行了測試，分別在輕、重負載下對器件進行不同驅動電壓的電
2011-07-22 11:32:5737 VDMOS兼有雙極晶體管和普通MOS器件的優點，無論是開關應用還是線形應用，VDMOS都是理想的功率器件，VDMOS主要應用于電機調速、逆變器、不間斷電源、電子開關、高保真音響、汽車電器
2011-12-01 14:09:57111 VDMOS接近無限大的靜態輸入阻抗特性，非常快的開關時間，導通電阻正溫度系數，近似常數的跨導， 高dV/dt。
2011-12-01 14:11:17179 直流無刷電機的逆變器由六個功率VDMOS管和六個續流二極管組成，六個續流二極管分別寄生在這六個VDMOS管里，因而從控制器外面看只有六個VDMOS管。
2011-12-02 10:34:502272 詳細分析了UTB 結構的交流特性. 通過分析UTB SOI 器件的硅膜厚度、側墻寬度等結構參數對器件交流特性的影響,對器件結構進行了優化. 最終針對UTB SOI MOSFET結構提出了一種緩解速度和功耗
2011-12-08 17:16:0427 功率VDMOS 器件的工作條件通常惡劣，因此其可靠性研究格外重要。本文總結了目前眾多VDMOS 器件可靠性研究的結果，著重討論了功率VDMOS 在高溫大電壓的工作環境下，關鍵電學參數的漂
2011-12-16 15:28:5777 已形成規模化生產，而我國在 VDMOS 設計領域則處于起步階段。
本文首先闡述了 VDMOS 器件的基本結構和工作原理，描述和分析了器件設計中各種電性能參數和結構參數之間的關系。通過理論上的經典公式來確定。
2016-05-16 17:38:410 一種900VJTE結構VDMOS終端設計_石存明
2017-01-03 15:24:452 一種VLD結構VDMOS終端設計_石存明
2017-01-07 21:45:573 目前國際功率半導體器件的主流主品功率MOS器件只是近年來才有所涉及，且主要為平面柵結構的VDMOS器件，IGBT還處于研發階段。
2017-09-20 17:46:5944 本課題的研究目的旨在從改變功率VDMOS的結構參數入手得到外延層厚度和柵源電壓對功率VDMOS縱向電場的影響，并且在結構參數變化的范圍內分析出最大電場位置的變化，為優化器件的性能起到指導作用。通過
2017-11-01 18:01:047 針對某型號液壓作動筒中的斯特封密封結構進行了優化設計。首先借助ANSYS有限元軟件分析了高壓對斯特封密封結構中米塞斯應力分布、接觸壓力分布及接觸寬度的影響，并運用APDL語言對斯特封密封結構進行了
2018-03-06 15:31:510 問題。通過對選定的多個低階固有頻率目標函數采用加權求平均頻率的方法實現了承壓板結構的動態特性優化；采用加權平均的方法確定了剛度和頻率的綜合目標函數，實現了承壓板結構的多目標拓撲優化，最終設計出了一種新的承壓板結構。研
2018-03-15 13:33:540 區大。因此，不論是開關應用還是線性應用，VDMOS都是理想的功率器件。VDMOS的開關速度是在高頻應用時的一個重要的參數，因此提出一種減小寄生電容的新型VDMOS結構。
2019-07-08 08:17:002675 
本文檔的主要內容詳細介紹的是平面VDMOS器件工藝流程和基本電參數的詳細資料說明。
2020-04-01 08:00:0022 Microchip SMART SAM L MCU 是基于 Arm?Cortex? M0+的超低功耗單片機。本應用筆記將介紹以下 SAM L 系列器件的低功耗優化關鍵特性和低功耗模式。
2021-04-01 10:10:333 天線結構分析、優化與測量分析。
2021-06-08 09:48:5726 SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiCMOSFET的結構，如圖1所示。這種結構的特點是工藝簡單，單元的一致性較好，雪崩能量比較高。但是，這種結構的中間
2023-06-19 16:39:467 超結VDMOS是一種發展迅速、應用廣泛的新型功率半導體器件。
2023-09-18 10:15:002101 
功率器件要得到較高的擊穿電壓，就必須使用較厚的外延層漂移區與較低的摻雜濃度，常規VDMOS的特征導通電阻與擊穿電壓關系如下式所示。
2023-09-18 10:18:191416 
平面型VDMOS和超結型VDMOS的雪崩耐量有何差異以及如何選擇？ 平面型VDMOS和超結型VDMOS是常見的金屬氧化物半導體場效應管(MOSFETs)的不同設計類型。它們在結構上存在一些細微的差異
2023-11-24 14:15:43549
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