N溝道耗盡型MOSFET
1) N溝道耗盡型MOSFET的結構
N
2009-09-16 09:41:43
23374 基于最近的趨勢，提高效率成為關鍵目標，為了獲得更好的EMI而采用慢開關器件的權衡并不值得。超級結可在平面MOSFET難以勝任的應用中提高效率。與傳統平面MOSFET技術相比，超級結MOSFET可顯著降低導通電阻和寄生電容。
2014-04-17 11:24:121348 本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應用，分析了MOSFET損耗特點，提出了優化方法；并且闡述了優化方法與EMI之間的關系。
2015-09-18 14:33:176213 
基于超級結技術的功率MOSFET已成為高壓開關轉換器領域的業界規范。它們提供更低的RDS（on），同時具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結MOSFET出現之前
2017-08-25 14:36:2031083 
從來沒有基于MOSFET內部的微觀結構去考慮驅動電路的設計，導致在實際的應用中，MOSFET產生一定的失效率。本文將討論這些細節的問題，從而優化MOSFET的驅動性能，提高整個系統的可靠性。
2021-03-07 10:47:002511 
功率電路中常用垂直導電結構的MOSFET(還有橫向導電結構的MOSFET，但很少用于耐高壓的功率電路中)，如下圖是這種MOSFET的分層結構圖。
2023-02-16 11:25:471304 
），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅動電路簡單，驅動的功率小，而且開關速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結構有：橫向導電雙擴散型場效應晶體管LDMOS
2023-06-05 15:12:10671 
），漏極（ Drain ）和源極（ Source ）。功率 MOSFET 為電壓型控制器件，驅動電路簡單，驅動的功率小，而且開關速度快，具有高的工作頻率。常用的 MOSFET 的結構有：橫向導電雙擴散
2023-06-28 08:39:353665 
本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應用，分析了MOSFET損耗特點，提出了優化方法;并且闡述了優化方法與EMI之間的關系。
2023-08-17 09:16:301300 
為主的高新技術企業，主要有高壓產品線超級結MOSFET、IGBT及功率模塊、SiC功率器件，以及中低壓產品線SGT MOSFET，產品廣泛覆蓋車規級、工業級和消費級等應用領域。 ? 在超級結MOSFET細分領域，2022年其超級結MOSFET產品銷售收入突破5億元，根據芯謀
2023-06-07 00:10:002138 
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:54 編輯
MOSFET結構及其工作原理詳解`
2012-08-20 17:27:17
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯
MOSFET結構及工作原理`
2012-08-20 23:25:54
2所示，公式1極適用于平面型MOSFET組件，但像超接面等更復雜結構的表征效果極差，在任何計算中都會導致較大誤差。為了適應各種新組件架構的電容特性需求，可以使用更有效率的電容測量方法，而非建立
2014-10-08 12:00:39
電子表格記錄數據的經驗豐富的設計人員，亦未能從熟悉的模型中獲得滿意的結果。除了器件結構和加工工藝，MOSFET的性能還受其他幾個周圍相關因素的影響。這些因素包括封裝阻抗、印刷電路板(PCB)布局、互連線寄生
2019-05-13 14:11:31
優化電動汽車的結構性能以提高效率和安全性迅速增長的全球電動汽車（EV）市場預計到2027年將達到8028億美元。在電池和高壓電子設備的驅動下，電動汽車的運行和維護成本往往低于傳統汽車，幾乎不會產生
2021-09-17 08:10:07
能量與比功率的空白。超級電容器被稱為是能量儲存領域的一次革命，并將會在某些領域取代傳統蓄電池。超級電容器性能超級電容器的能量密度是傳統電容器的幾百倍，功率密度高出電池兩個數量級，很好地彌補了電池比功率
2016-08-08 10:47:05
超級電容器的結構超級電容的特性及技術特性超級電容器工作原理超級電容器的分類
2021-03-15 06:59:36
反復充放電數十萬次。它具有充電時間短、使用壽命長、溫度特性好、節約能源和綠色環保等特點。超級電容器用途廣泛，可以全部或部分替代傳統的蓄電池?！ ?b class="flag-6" style="color: red">超級電容器結構 超級電容器的結構是由高比表面積的多孔
2020-12-17 16:42:12
超負荷電路運行的需要，國內開始推廣使用超級電容器，這種器件在性能上比傳統電容器更加優越。超級電容器實際上屬于電化學元件，引起電荷或電能儲存流程可相互逆轉，其循環充電的次數達到50萬次。憑借多個方面的性能
2021-07-21 15:56:08
超負荷電路運行的需要，國內開始推廣使用超級電容器，這種器件在性能上比傳統電容器更加優越。超級電容器實際上屬于電化學元件，引起電荷或電能儲存流程可相互逆轉，其循環充電的次數達到50萬次。憑借多個方面的性能
2022-04-29 15:04:21
下降，工作時間大大縮短?？諝庵械乃譂B到電容內部積聚，超級電容器內部壓力積聚，極端情況下導致超級電容器殼體結構被破壞。2、電極劣化超級電容器性能衰減的主要原因是多孔活性炭電極的劣化。一方面超級電容器電極
2022-08-15 17:11:43
MOSFET和超級結MOSFET。簡而言之，就是在功率晶體管的范圍，為超越平面結構的極限而開發的就是超級結結構。如下圖所示，平面結構是平面性地構成晶體管。這種結構當耐壓提高時，漂移層會增厚，存在導通電阻增加
2018-11-28 14:28:53
(on) = Rch + Repi + Rsub圖1：傳統平面式MOSFET結構圖2顯示平面式MOSFET情況下構成RDS(on) 的各個分量。對于低壓MOSFET，三個分量是相似的。但隨著額定電壓
2018-10-17 16:43:26
本帖最后由 貪玩 于 2022-2-16 21:42 編輯
AN0004—AT32 性能優化這篇應用筆記描述了如何通過軟件方法提高AT32的運行效能。AT32 性能優化概述性能提升是多方面調優
2020-08-15 14:38:22
HBase是Hadoop生態系統中的一個組件，是一個分布式、面向列的開源數據庫，可以支持數百萬列、超過10億行的數據存儲，因此，對HBase性能提出了一定的要求，那么如何進行HBase性能優化呢
2018-04-20 17:16:47
OpenHarmony littlefs文件系統存儲結構與IO性能優化分析引言隨著科技的發展和網絡技術的進步，計算機存儲空間愈加緊張，存儲空間對文件系統的功能需求越來越大，大規模的數據增長為文件存儲
2022-07-18 12:18:40
的基礎。MOSFET設計的改進可使電路設計者充分發揮改進器件的性能，比如開關性能的提高和其他幾個關鍵參數的改善，可確保轉換器能夠更高效地運行。某些情況下，還可對設計的電路進行修改。若不采用這些改進
2018-12-07 10:21:41
SRAM的性能及結構
2020-12-29 07:52:53
說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結構。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導通電阻，近年來超級結（Super Junction）結構的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
使用一般IGBT和Si-MOSFET使用的驅動電壓VGS=10~15V不能發揮出SiC本來的低導通電阻的性能，所以為了得到充分的低導通電阻，推薦使用VGS=18V左右進行驅動。原作者：羅姆半導體集團
2023-02-07 16:40:49
的隔離型準諧振轉換器的設計案例 前言設計中使用的電源IC專為SiC-MOSFET優化評価編絕緣型反激式轉換器的性能評估和檢查要點 所謂隔離型反激式轉換器的性能評估和檢查要點 性能評估事例中所使用電源IC
2018-11-27 16:38:39
網站前端性能優化之javascript和css
2019-10-21 09:12:27
web常用性能優化
2020-06-13 10:57:53
MOSFET作為主要的開關功率器件之一，被大量應用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗
2019-09-25 07:00:00
失效模式等。項目計劃①根據文檔，快速認識評估板的電路結構和功能；②準備元器件，相同耐壓的Si-MOSFET和業內3家SiC-MOSFET③項目開展，按時間計劃實施，④項目調試，優化，比較，分享。預計成果分享項目的開展，實施，結果過程，展示項目結果
2020-04-24 18:09:12
，高壓器件的主要設計平臺是基于平面技術。這個時候，有心急的網友就該問了，超級結究竟是何種技術，區別于平面技術，它的優勢在哪里？各位客官莫急，看完這篇文章你就懂了！平面式高壓MOSFET的結構圖1顯示了
2017-08-09 17:45:55
無不積極研發經濟型高性能碳化硅功率器件，例如Cascode結構、碳化硅MOSFET平面柵結構、碳化硅MOSFET溝槽柵結構等。這些不同的技術對于碳化硅功率器件應用到底有什么影響，該如何選擇呢？首先
2022-03-29 10:58:06
前端性能優化常見方式
2020-03-27 11:42:41
1 橫向雙擴散型場效應晶體管的結構功率MOSFET即金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor）有三個管腳，分別為
2016-10-10 10:58:30
，工程師們已定義一套FOM以應用于新的低壓功率MOSFET技術研發。由此產生的30伏特(V)技術以超級接面(Superjunction)為基礎概念，是DC-DC轉換器的理想選擇；相較于橫向和分裂閘極
2019-07-04 06:22:42
功率MOSFET的結構特點為什么要在柵極和源極之間并聯一個電阻呢？
2021-03-10 06:19:21
，尤其是從來沒有基于MOSFET內部的微觀結構去考慮驅動電路的設計，導致在實際的應用中，MOSFET產生一定的失效率。本文將討論這些細節的問題，從而優化MOSFET的驅動性能，提高整個系統的可靠性。`
2011-09-27 11:25:34
電容器與電池之間、具有特殊性能的電源，主要依靠雙電層和氧化還原贗電容電荷儲存電能。但在其儲能的過程并不發生化學反應，這種儲能過程是可逆的，也正因為此超級電容器可以反復充放電數十萬次。 2、超級電容
2018-12-03 11:01:19
如何使用MLD優化MIMO接收器的性能？
2021-05-24 06:16:55
混合SET/MOSFET 結構與特性是什么？如何利用SET/MOSFET 混合結構的傳輸特性去設計數值比較器？
2021-04-13 07:12:01
如何對單片機程序結構進行優化？如何對單片機代碼進行優化？
2021-09-22 09:07:26
導讀：將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
開關管MOSFET的功耗分析MOSFET的損耗優化方法及其利弊關系
2020-12-23 06:51:06
封裝在開關速度、效率和驅動能力等方面的有效性。最后，第四節分析了實驗波形和效率測量，以驗證最新推出的TO247 4引腳封裝的性能。 II.分析升壓轉換器中采用傳統的TO247封裝的MOSFET A.開關
2018-10-08 15:19:33
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
，減少噪聲干擾。通常，超級結MOSFET的內置二極管的恢復特性為硬恢復。但是，ROHM的R60xxJNx系列，通過優化結構，與以往產品相比，新產品的軟恢復指數改善了30％，不僅保持了極快的反向恢復
2020-03-12 10:08:31
，減少噪聲干擾。通常，超級結MOSFET的內置二極管的恢復特性為硬恢復。但是，ROHM的R60xxJNx系列，通過優化結構，與以往產品相比，新產品的軟恢復指數改善了30％，不僅保持了極快的反向恢復
2020-03-12 10:08:47
高速公路服務區的重要基礎設施，確保電動汽車在日常駕駛和長途旅行中有地方充電。 安森德ASDsemi SJ MOSFET系列產品，通過優化器件結構設計，采用先進的工藝制造技術，進一步提高了產品性能，具有
2023-06-13 16:30:37
。BD7682FJ-LB是AC/DC轉換器用的準諧振控制器，是全球首款*專為驅動SiC-MOSFET而優化的IC。（*截至2015/3/25的數據）您可能已經注意到，開關要使用SiC-MOSFET時，需要為將
2018-11-27 16:54:24
物理綜合與優化的優點是什么？物理綜合與優化有哪些流程？物理綜合與優化有哪些示例？為什么要通過物理綜合與優化去提升設計性能？如何通過物理綜合與優化去提升設計性能？
2021-04-14 06:52:32
絞合導線的特點是什么？超細絞線連接面臨哪些問題？如何去解決？
2021-06-08 07:20:03
能會對MOSFET的頻率穩定性、相位噪聲和總體性能產生負面影響。在振蕩器中，閃爍噪聲本身表現為靠近載波的邊帶，其他形式的噪聲從載波延伸出來，頻譜更平坦。隨著與載波的偏移量的增加，閃爍噪聲會逐漸衰減，直到
2023-09-01 16:59:12
高低壓銅帶軟連接加絕緣護套-銅帶軟連接產品可進行搭接面鍍錫、鍍銀或整體鍍錫、鍍銀處理，鋁帶軟連接可進行搭接面鍍錫、鍍銀或單片及整體陽極氧化處理，編織線、絞線類伸縮節的搭接面可進行鍍錫、鍍銀處理；各類
2022-02-26 13:13:16
，SPICE級的功率MOSFET模型是以簡單分立式子電路或性能模型為基礎的。簡單的子電路模型常常過于簡單，不足以捕獲所有器件性能，如IV(電流與電壓)、 CV(電容與電壓)、瞬態和熱性能，且不包含任何器件結構
2019-07-19 07:40:05
上一篇介紹了近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產品定位，以及近年來的高耐壓Si-MOSFET的代表超級結MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）的概要
2018-12-03 14:27:05
近些年來，采用各種不同的溝槽柵結構使低壓MOSFET 功率開關的性能迅速提高。本文對該方面的新發展進行了論述。本文上篇著重于降低通態電阻Rds（on）方面的技術發展，下篇著
2008-11-14 15:43:14
25 溝槽柵低壓功率MOSFET的發展-減小漏源通態電阻Rds(on):近些年來，采用各種不同的溝槽柵結構使低壓MOSFET 功率開關的性能迅速提高。本文對該方面的新發展進行了論述。本文上篇著
2009-12-13 20:02:0411 本文提出一種基于協調優化算法的滑模變結構控制方法，它以穩態誤差和控制切換頻率作為系統優化性能指標，邊界層寬度調節率作為優化參數。采用基于遺傳算法的多目標優化
2009-12-14 16:43:3211 圖所示為IR功率MOSFET的基本結構。圖中每一個六角形是一個MOSFET的原胞（cell）。正因為原胞是六角形的（hexangular）,因而IR常把它稱為HEXFET。功率MOSFET通常由許多個MOSFET原胞
2009-07-27 09:42:422963 
采用mosfet的低壓差恒壓充電器
采用mosfet的低壓差恒壓充電器實際電路如圖所示。在該充電器中，采用導通電阻很小的MOSFET作調整管，
2009-10-09 10:40:551226 
超級大電容模式結構框圖
超級電容模式是針對以上兩種結構的局限而產生的，因為前兩種結構的最大輸出電流受到電池使用規格的限制。如果假定
2010-01-04 18:28:021235 
飛兆UniFET II MOSFET優化消費產品功率轉換器
2011-02-09 10:53:02937 永磁驅動電機接線盒結構優化熱性能分析_丁樹業
2017-01-08 13:49:170 MOSFET技術的過程中，以往常見以QG和QGD(即RDS(on)QG和RDS(on)QGD)為基礎的因子(FOM)已無法滿足需求，若堅持采用固定因子，將可能導致技術選擇無法達成優化。通過此次分析的啟示，工程師們已定義一套FOM以應用于新的低壓功率MOSFET技術研發。由此產生的30伏特(V)技
2017-11-24 06:21:01467 
本文開始介紹了低壓電器的概念和低壓電器的分類，其次闡述了低壓電器的基本結構與低壓電器的作用，最后分析了常用低壓電器有哪些。
2018-03-22 10:19:3540435 如何驅動碳化硅MOSFET以優化高功率系統的性能和可靠性
2018-08-02 01:20:005114 為驅動快速開關超級結MOSFET，必須了解封裝和PCB布局寄生效應對開關性能的影響，以及為使用超級結所做的PCB布局調整。主要使用擊穿電壓為500-600V的超級結MOSFET。在這些電壓額定值
2019-05-13 15:20:231240 
本文首先介紹了超級電容器的結構，其次介紹了超級電容的特性，最后介紹了超級電容器的工作原理。
2019-06-13 13:51:3159874 以特斯拉Model 3為代表的眾多電動汽車量產車型成功應用SiC MOSFET芯片，表明SiC MOSFET在性能、可靠性和綜合成本層面已得到產業界的認可?；诖罅康脑O計優化和可靠性驗證工作
2022-02-18 16:44:103786 
超級結又稱超結，是制造功率場效應晶體管的一種技術，其名稱最早岀現于1993年。傳統高壓功率MOSFET的擊穿電壓主要由n型外延層和p型體區形成的pn結耗盡區的耐壓決定，又因p型體區摻雜濃度較高，耗盡區承壓主要在外延n-層。
2022-09-13 14:38:575464 NGTB20N60L2TF1G 應用筆記 [與超級結 MOSFET 的比較]
2022-11-15 19:25:270 使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優化電源設計
2022-12-29 10:02:53785 
MOSFET結構、特性參數及設計詳解
2023-01-26 16:47:00785 電子發燒友網站提供《帶SMD焊盤的可焊接面包板.zip》資料免費下載
2023-02-03 10:15:510 近年來超級結（Super Junction）結構的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，ROHM已經開始量產特性更優異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:19525 
在探討“SiC MOSFET：橋式結構中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結構和工作進行介紹，這也是這個主題的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
上一篇介紹了近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產品定位，以及近年來的高耐壓Si-MOSFET的代表超級結MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）的概要。
2023-02-10 09:41:011301 
當充電樁向高壓架構發展的趨勢越來越明顯，高性能MOSFET的需求也越來越大，通過改進器件結構的超級結MOSFET應運而生了。
2023-02-13 12:15:581591 SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiC MOSFET的結構，
2023-02-16 09:40:102938 
，通過選取合適溝道晶面以及優化設計的結構，可以實現最佳的溝道遷移率，明顯降低導通電阻，因此，新一代SiC MOSFET主要研究和采用這種結構。
2023-02-16 09:43:011446 
－ 您已經介紹過BM2Pxxx系列對高效率、低功耗、低待機功耗、小型這4個課題的貢獻，多次提到“因為內置超級結MOSFET，......”。接下來請您介紹一下超級結MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”）。
2023-02-17 11:37:15878 
功率器件業務為主的高新技術企業，主要有高壓產品線超級結MOSFET、IGBT及功率模塊、SiC功率器件，以及中低壓產品線SGT MOSFET，產品廣泛覆蓋車規級、工業級和消費級等應用領域。 在超級結MOSFET細分領域，2022年其超級結MOSFET產品銷售收入突破5億元，根據芯
2023-06-08 07:45:021434 
通過AEC-Q101認證且可承受的接面溫度高達175°C，強茂P溝道MOSFET是汽車設計工程師理想的選擇，可實現簡化電路而又不犧牲性能。提供DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L和TO-252AA多種封裝。
2023-07-20 15:57:45526 本應用筆記介紹了采用表面貼裝封裝的 n 通道雙 MOSFET 的低壓電機驅動設計。它描述了使用不同電壓應用的設計，以及自適應 MOSFET 柵極驅動器，這是驅動雙 n 溝道半橋的第三種方法。
2023-10-05 15:20:00615 
MOSFET和IGBT內部結構不同，決定了其應用領域的不同。
2023-11-03 14:53:42500 
器件，能夠像IGBT一樣進行高壓開關，同時開關頻率等于或高于低壓硅MOSFET的開關頻率。之前的文章中，我們介紹了 SiCMOSFET特有的器件特性 和 如何優化SiC柵極驅動電路 。今天將帶來本系列文章的第三部分 SiC MOSFET的封裝、系統性能和應用 。 封裝 WBG半導體使高壓轉換器能夠在更接近
2023-11-09 10:10:02334 
SiC MOSFET的橋式結構
2023-12-07 16:00:26157 【科普小貼士】MOSFET性能改進：超級結MOSFET（SJ-MOS）
2023-12-13 14:16:16411 
功率MOSFET是一種廣泛應用于電力電子轉換器的高性能開關器件。它具有高輸入阻抗、低導通電阻、快速開關速度和良好的熱穩定性等特點，因此在各種高壓、高頻、高效率的電源系統中發揮著重要作用。 結構
2024-01-17 17:24:36295 
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