PCB布線設(shè)計(jì)時(shí)寄生電容的計(jì)算方法
在PCB上布兩條靠近的走線,很容易產(chǎn)生寄生電容。由于這種寄生電容的存在,
2009-09-30 15:13:3326465 電容傳感器滾輪在iPod等產(chǎn)品中獲得的成功,正在促使其他消費(fèi)電子產(chǎn)品開發(fā)商考慮使用電容傳感器來改善產(chǎn)品的用戶界面,并使產(chǎn)品看起來更加美觀。事實(shí)上,電容觸摸傳感器接口的應(yīng)
2012-02-29 11:40:212442 你在傳感器系統(tǒng)中是否遇到過電容測(cè)量值的波動(dòng)呢?對(duì)于這些測(cè)量值的波動(dòng)有幾種解釋,但是最常見的根本原因是外部寄生電容干擾。
2015-06-12 12:01:163035 在被測(cè)點(diǎn)阻抗較高時(shí),即使該點(diǎn)僅有較小的電容,其帶寬也會(huì)受限。在基于磁簧繼電器的多路選擇器中,由于各磁簧繼電器的寄生電容會(huì)在輸出端并聯(lián),加大了輸出端的電容,使得電路的帶寬變窄。
2018-12-14 15:14:4721354 首先,我們介紹設(shè)計(jì)寄生電容對(duì)三極管產(chǎn)生的影響;然后,我們學(xué)習(xí)上拉電阻和下拉電阻的含義以及在電路中的使用方法。
2019-05-20 07:28:009438 我們應(yīng)該都清楚,MOSFET 的柵極和漏源之間都是介質(zhì)層,因此柵源和柵漏之間必然存在一個(gè)寄生電容CGS和CGD,溝道未形成時(shí),漏源之間也有一個(gè)寄生電容CDS,所以考慮寄生電容時(shí),MOSFET
2021-01-08 14:19:5915830 寄生電容有一個(gè)通用的定義:寄生電容是存在于由絕緣體隔開的兩個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的虛擬電容(通常不需要的),是PCB布局中的一種效應(yīng),其中傳播的信號(hào)表現(xiàn)得好像就是電容,但其實(shí)并不是真正的電容。
2024-01-18 15:36:14868 低頻下,所有三種電容器均未表現(xiàn)出寄生分量,因?yàn)樽杩姑黠@只與電容相關(guān)。但是,鋁電解電容器阻抗停止減小,并在相對(duì)低頻時(shí)開始表現(xiàn)出電阻特性。這種電阻特性不斷增加,直到達(dá)到某個(gè)相對(duì)高頻為止(電容器出現(xiàn)電感)。鋁聚合物電容器為與理想狀況不符的另一種電容器。
2019-08-15 06:33:32
紋波電壓波形中都能看到其某些部分。圖2:電容器及其寄生要素在連續(xù)同步降壓調(diào)節(jié)器中形成不同的紋波電壓圖3顯示了一個(gè)深度連續(xù)反激或者降壓調(diào)節(jié)器的波形,其輸出電容器電流可以為正和負(fù),而具體狀態(tài)會(huì)不斷快速變化
2018-09-29 09:22:17
寄生電容一般是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實(shí)際上,一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容,一個(gè)電感,和一個(gè)電阻的串聯(lián),在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯,而在高頻情況下,等效值會(huì)增大,不能忽略。
2019-09-29 10:20:26
寄生電容的影響是什么?焊接對(duì)無源器件性能的影響是什么?
2021-06-08 06:05:47
有沒有大神知道在油中測(cè)含水率應(yīng)該使用什么型號(hào)的電容傳感器和溫度傳感器。
2018-03-22 12:52:35
、裝配和測(cè)試相關(guān)的成本最低。單獨(dú)調(diào)整每個(gè)傳感器的偏移,使設(shè)計(jì)者可以充分利用轉(zhuǎn)換器的分辨率(圖3)。圖3. 模擬前端,其中DAC幫助消除寄生電容的影響 傳統(tǒng)的機(jī)械開關(guān)具有用戶熟悉的靈敏度和觸覺反饋,對(duì)于
2018-11-05 15:31:13
。 2原理及應(yīng)用電容傳感器的工作原理是利用力學(xué)量變化使電容器中其中的一個(gè)參數(shù)發(fā)生變化的方法來實(shí)現(xiàn)信號(hào)變換的。根據(jù)改變電容器的參數(shù)不同,電容傳感器可有3類: 2.1改變極板遮蓋面積的電容傳感器 圖1
2018-10-30 16:20:48
`電容位移傳感器原理capaNCDT電容式位移傳感器基于平板電容原理。電容的兩極分別是傳感器和與之相對(duì)的被測(cè)物體。如果有穩(wěn)定交流電通過傳感器,輸出交流電的電壓會(huì)與傳感器到被測(cè)物體之間的距離成正比關(guān)系
2018-03-07 17:54:23
絕緣性能的材料制作,并且要采取防潮措施。2.消除寄生電容的干擾兩導(dǎo)體之間,均可構(gòu)成電容聯(lián)系,因此,電容式傳感器除了極板間的電容外,極板還可能與周圍物體產(chǎn)生電容聯(lián)系,這種附加的電容聯(lián)系,稱之為寄生電容。由于
2017-12-13 11:46:14
法(pF),因此使電容式傳感器的輸出阻抗很高,可達(dá)~Ω。由于輸出阻抗很高,因而輸出功率小,負(fù)載能力差,易受外界干擾影響而產(chǎn)生不穩(wěn)定現(xiàn)象,嚴(yán)重時(shí)甚至無法工作。 (2)寄生電容影響大。 電容式傳感器
2018-11-09 10:52:17
通常在需要感測(cè)的四周空間圍成一個(gè)回路。構(gòu)成傳感器回路可達(dá)成兩個(gè)目標(biāo)︰ ●能減少寄生電容,并“延伸”感測(cè)的區(qū)域; ●應(yīng)注意近距感測(cè)天線與周圍金屬機(jī)殼或其它金屬外殼之間的距離,要盡量拉大,讓寄生耦合
2018-10-31 16:55:57
、熱水器,電蒸鍋、醫(yī)療設(shè)備或工業(yè)設(shè)備等一切需要液位控制的設(shè)備。那么它的原理是如何實(shí)現(xiàn)的呢?電容式液位傳感器可以實(shí)現(xiàn)非接觸式測(cè)量:將金屬感應(yīng)焊盤(下圖中的感應(yīng)電極)緊密貼合在容器外壁,在金屬焊盤和液體之間
2019-11-19 17:15:41
在LTC6268-10芯片手冊(cè)中,為了減小寄生反饋電容的影響,采用反饋電阻分流的方式減小寄生電容。
請(qǐng)問,在這種工作方式下,為了使寄生電容降到最低,對(duì)電路板的材料類型和厚度有什么要求嗎?
2023-11-16 06:28:44
/3,此時(shí)諧振腔的電感電流基本不變。這兩部分之所以占據(jù)了Vds放電的大部分時(shí)間,主要原因在于當(dāng)Vds下降到接近于0的時(shí)候,MOFET源漏間的寄生電容Coss會(huì)指數(shù)的增加。因此要完全釋放掉這一部分的電荷
2018-07-13 09:48:50
MOSFET的工作波形。由于感性負(fù)載下,電流相位上會(huì)超前電壓,因此保證了MOSFET運(yùn)行的ZVS。要保證MOSFET運(yùn)行在感性區(qū),諧振電感上的諧振電流必須足夠大,以確保MOSFET源漏間等效的寄生電容上存儲(chǔ)
2018-11-21 15:52:43
寄生電容是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實(shí)際上,一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容,一個(gè)電感,一個(gè)電阻的串聯(lián),低頻情況下表現(xiàn)不明顯,而高頻情況下,等效值會(huì)增大。在計(jì)算中我們要考慮
2021-01-11 15:23:51
紋波電壓波形中都能看到其某些部分。圖2:電容器及其寄生要素在連續(xù)同步降壓調(diào)節(jié)器中形成不同的紋波電壓圖3顯示了一個(gè)深度連續(xù)反激或者降壓調(diào)節(jié)器的波形,其輸出電容器電流可以為正和負(fù),而具體狀態(tài)會(huì)不斷快速變化
2018-09-10 08:16:02
在高壓回路中,正負(fù)極對(duì)地會(huì)產(chǎn)生一個(gè)寄生電容,而寄生電容與回路中的電阻會(huì)組成一個(gè)RC充放電電路。在使用國標(biāo)電流橋檢測(cè)電路方法時(shí),正負(fù)極對(duì)地的寄生電容和電阻的大小會(huì)影響到AD采集。在RC充滿的時(shí)間一般為3RC以上,在此過程中如何探討RC電路充滿電壓的時(shí)間?
2020-07-27 23:14:10
描述此參考設(shè)計(jì)使用 FDC1004EVM,可提供穩(wěn)健、準(zhǔn)確的電容式液位檢測(cè)。TIDA-00317 演示了傳感器設(shè)計(jì)和配置設(shè)置,用于緩解系統(tǒng)環(huán)境產(chǎn)生的寄生電容干擾。特性使用電容感應(yīng)技術(shù)進(jìn)行液位感應(yīng)
2022-09-26 06:01:28
:傳統(tǒng)的比較器和555定時(shí)器或計(jì)數(shù)器的靈敏度門限電平圖5所示是一種測(cè)量電容的更好的方法,它使用了高分辨率16 bit ADC和250 kHz的激勵(lì)源。激勵(lì)源不斷產(chǎn)生250 kHz的方波,從而在電容傳感器中
2011-01-02 13:59:51
不需要再使用單獨(dú)的A/D.Σ-Δ閉環(huán)架構(gòu)代表了高性能數(shù)字讀取傳感器的最優(yōu)架構(gòu)。值得注意的是,Σ-Δ系統(tǒng)的超采樣特性會(huì)使操作系統(tǒng)工作在相對(duì)較高的頻率,因此系統(tǒng)變得較易受MEMS寄生電容耦合
2018-11-06 16:07:28
用于電容傳感器接口的模擬前端元件有哪些?基于PCB設(shè)計(jì)的電容傳感器
2021-04-22 06:48:21
節(jié)點(diǎn)與鉗位電路延伸至了圖片的頂部。輸入連接從左側(cè)進(jìn)入,到達(dá)距漏極連接1cm以內(nèi)的位置。這就是故障點(diǎn),在這里FET的開關(guān)電壓波形可以繞過EMI濾波器耦合至輸入。 如何處理好電源中的寄生電容才能獲得符合
2019-05-14 08:00:00
幾 fF 的雜散電容就會(huì)導(dǎo)致 EMI 掃描失敗。從本質(zhì)上講,開關(guān)電源具有提供高 dV/dt 的節(jié)點(diǎn)。寄生電容與高 dV/dt 的混合會(huì)產(chǎn)生 EMI 問題。在寄生電容的另一端連接至電源輸入端時(shí),會(huì)有少量
2022-11-22 07:29:30
通用電容傳感器模擬前端測(cè)量方法用于電容傳感器接口的模擬前端元件基于PCB設(shè)計(jì)的電容傳感器
2021-04-09 06:17:02
你在傳感器系統(tǒng)中是否遇到過電容測(cè)量值的波動(dòng)呢?對(duì)于這些測(cè)量值的波動(dòng)有幾種解釋,但是最常見的根本原因是外部寄生電容干擾。這種干擾,比如說不經(jīng)意間將手靠的太近或者周圍區(qū)域中的電磁干擾 (EMI),需要
2020-05-04 06:50:44
影響電橋的初始平衡和整體靈敏度,并不影響電橋的正常工作。因此,分布參數(shù)對(duì)傳感器電容的影響基本消除,整體屏蔽法是解決電容傳感器分布電容問題的很好方法,缺點(diǎn)是使結(jié)構(gòu)復(fù)雜。 圖1 消除分布電容的工作
2021-01-11 16:46:05
貼片晶振的PCB layout需要注意哪些晶振相鄰層挖空是如何控制寄生電容Cp的呢?為什么溫度會(huì)影響晶振頻率呢?
2021-02-26 07:43:28
隨著傳統(tǒng)的機(jī)械開關(guān)的使用,用戶使用電容傳感器接口的經(jīng)驗(yàn)直接與各種工作條件下(可靠性)接觸傳感器的響應(yīng)(靈敏度)方式相關(guān)。 當(dāng)今為開發(fā)高質(zhì)量、可靠電容傳感器接口所采用的通用電容傳感器模擬前端測(cè)量方法有哪些呢?
2019-08-23 07:59:54
VDMOS的基本原理一種減小寄生電容的新型VDMOS結(jié)構(gòu)介紹
2021-04-07 06:58:17
測(cè)量結(jié)果。節(jié)點(diǎn)A到B的寄生電容總是與測(cè)量元件并聯(lián),并且通常會(huì)出現(xiàn)一個(gè)偏移量。 現(xiàn)有的電容數(shù)字轉(zhuǎn)換器能提供非常好的性能。例如ADI的AD7745可達(dá)到24位分辨率和16位精度。 電容式傳感器 以前
2018-11-06 16:10:01
的差異相互擴(kuò)散,也會(huì)在PN結(jié)的兩側(cè)產(chǎn)生電荷存儲(chǔ)效應(yīng),這些因素作用在一起,在任何半導(dǎo)體功率器件內(nèi)部,就會(huì)產(chǎn)生相應(yīng)的寄生電容。MOSFET的寄生電容是動(dòng)態(tài)參數(shù),直接影響到其開關(guān)性能,MOSFET的柵極電荷
2016-12-23 14:34:52
`磁芯對(duì)電感寄生電容的影響`
2012-08-13 15:11:07
`磁芯對(duì)電感寄生電容的影響`
2012-08-14 09:49:47
;strong>減小電感寄生電容的方法<br/></strong>如果磁芯是導(dǎo)體,首先:&
2009-12-23 16:07:01
電容式的角速度傳感器,加速度傳感器的電容本底電容有多大呢?變化電容會(huì)有多大的呢?
2018-10-08 16:51:24
,在用戶觸摸矩陣按鍵或觸摸板之前,所有行或列可以共連在一起作為單個(gè)傳感器進(jìn)行掃描。并不需要同時(shí)共連行與列,原因是: a)這樣會(huì)提高共連傳感器的寄生電容。寄生電容必須不超過電容式感應(yīng)控制器所支持的上限
2018-10-10 16:44:03
高速信號(hào)線上,通常會(huì)附加一些功能,這些功能通常會(huì)帶來不利的影響,如會(huì)產(chǎn)生很大的寄生電容,這個(gè)電容視具體的電路模塊而定。如果忽略這個(gè)電容,可能會(huì)影響這個(gè)信號(hào)的頻率。最不幸的是,就算您注意到了這個(gè)電容
2020-12-15 15:48:52
此參考設(shè)計(jì)使用 FDC1004EVM,可提供穩(wěn)健、準(zhǔn)確的電容式液位檢測(cè)。TIDA-00317 演示了傳感器設(shè)計(jì)和配置設(shè)置,用于緩解系統(tǒng)環(huán)境產(chǎn)生的寄生電容干擾。
2008-02-17 17:30:470 鐵氧體電感器在較高頻率時(shí)可等效為“電阻、電感”的串聯(lián)支路與一寄生電容的并聯(lián),該電容的存在對(duì)電感器的高頻性能有重要影響。本文建立了鐵氧體環(huán)形電感器2D平行平面場和3D
2009-04-08 15:45:1766 介紹了一種測(cè)量微小電容的新方法。利用最新的電容數(shù)字轉(zhuǎn)換(CDC)芯片AD7745,充分考慮小電容信號(hào)受導(dǎo)線電容及其他寄生電容的影響,設(shè)計(jì)了基于AD7745 的信號(hào)檢測(cè)電路,并通過
2009-12-31 14:31:1227 電源系統(tǒng)中,EMI 濾波器是抑制電磁干擾的重要部件,但是其高頻性能受限于元器件的寄生效應(yīng)。本文針對(duì)差模濾波電容,設(shè)計(jì)一種PCB 耦合線圈消除其寄生電感,以此改善電容器濾波
2010-02-18 13:08:0337 寄生電容對(duì)電磁干擾濾濾器效能的影響
本文將針對(duì)交換式電源供應(yīng)器在高頻切換所帶來的傳導(dǎo)性電磁干擾(Conducted Electromagnetic Interference)問題,藉由不同繞
2010-06-19 16:30:3754 一種減少VDMOS寄生電容的新結(jié)構(gòu)
0 引 言 VDMOS與雙極晶體管相比,它的開關(guān)速度快,開關(guān)損耗小,輸入電阻高,驅(qū)動(dòng)電流小,頻率特性好,跨導(dǎo)高度線性
2009-11-25 17:49:501003 一種減少VDMOS寄生電容的新結(jié)構(gòu)
0 引 言 VDMOS與雙極晶體管相比,它的開關(guān)速度快,開關(guān)損耗小,輸入電阻高,驅(qū)動(dòng)電流小,頻率特性好,跨
2009-11-27 09:24:23613 一種減少VDMOS寄生電容的新結(jié)構(gòu)
0 引 言 VDMOS與雙極晶體管相比,它的開關(guān)速度快,開關(guān)損耗小,輸入電阻高,驅(qū)動(dòng)
2010-01-11 10:24:051321 寄生電容,寄生電容是什么意思
寄生的含義 寄身的含義就是本來沒有在那個(gè)地方設(shè)計(jì)電容,但由于布線構(gòu)之間總是有互容,互
2010-03-23 09:33:552558 過孔本身存在著寄生的雜散電容,如果已知過孔在鋪地層上的阻焊區(qū)直徑為D2,過孔焊盤的直徑為D1,PCB板的厚度為T,板基材介
2010-06-13 15:33:523751 本文介紹了一種基于電容一頻率轉(zhuǎn)化原理的電容接口電路,仿真和測(cè)試結(jié)果均表明,通過差頻,電路可以獲得較高的精度。同時(shí)較大的傳感器初值電容(1104 pF)有利于抑制寄生電容的影響
2011-11-23 10:07:182208 電磁干擾EMI中電子設(shè)備產(chǎn)生的干擾信號(hào)是通過導(dǎo)線或公共電源線進(jìn)行傳輸,互相產(chǎn)生干擾稱為傳導(dǎo)干擾。傳導(dǎo)干擾給不少電子工程師帶來困惑,如何解決傳導(dǎo)干擾?這里,我們先著重討論當(dāng)寄生電容直接耦合到電源輸入
2018-05-18 01:17:002785 二極管以其單向?qū)щ娞匦裕谡鏖_關(guān)方面發(fā)揮著重要的作用;其在反向擊穿狀態(tài)下,在一定電流范圍下起到穩(wěn)壓效果。令人意外的是,利用二極管的反偏壓結(jié)電容,能夠有效地減少信號(hào)線上的接入寄生電容,這里將近一步討論這個(gè)運(yùn)用。
2017-03-21 11:31:303813 升壓設(shè)計(jì)中最關(guān)鍵的部件之一像圖1是變壓器。變壓器的寄生組件,可以使他們偏離它們的理想特性和寄生電容與二次關(guān)聯(lián)可引起大共鳴開關(guān)電流前沿的電流尖峰波形。這些尖峰可以導(dǎo)致調(diào)節(jié)器顯示表現(xiàn)為義務(wù)的不穩(wěn)定的操作
2017-05-02 14:15:4019 大家最熟悉的就是二極管的單向?qū)щ娦裕O管如何減少寄生電容。正向接入方法,二極管接在信號(hào)線與附件功能模塊之間,這表示附加功能模塊使能時(shí)是高電平輸出的。
2017-09-23 09:40:099656 寄生電容一般是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實(shí)際上,一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容,一個(gè)電感,和一個(gè)電阻的串連,在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯,而在高頻情況下,等效值會(huì)增大,不能忽略。
2018-01-31 10:09:2921526 盡管流行的電容器有十幾種,包括聚脂電容器、薄膜電容器、陶瓷電容器、電解電容器,但 是對(duì)某一具體應(yīng)用來說,最合適的電容器通常只有一兩種,因?yàn)槠渌愋偷?b class="flag-6" style="color: red">電容器,要么有 的性能明顯不完善,要么有的對(duì)系統(tǒng)性能有“寄生作用”,所以不采用它們。
2018-01-31 10:20:3341815 寄生電容一般是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實(shí)際上,一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容,一個(gè)電感,和一個(gè)電阻的串連,在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯,而在高頻情況下,等效值會(huì)增大,不能忽略。
2018-01-31 10:57:5626012 電容的寄生電感和寄生電阻主要是指它的引線和極板形成的電感和電阻,尤其是容量較大的電容更為明顯。如果你解剖過電容器,會(huì)看到它的極板是用長達(dá)1米的金屬薄膜卷曲而成的,其層狀就像一個(gè)幾十、甚至上百圈的線圈
2018-01-31 13:44:5537300 本文開始闡述了寄生電感的概念和和寄生元件危害,其次闡述了寄生電感測(cè)量儀的設(shè)計(jì)和寄生電感產(chǎn)生原因或產(chǎn)生方式,最后介紹了PCB過孔的寄生電容和電感的計(jì)算以及使用。
2018-03-28 14:50:4239049 描述 本 TI 設(shè)計(jì)采用 FDC1004EVM,提供了一套基于電容的穩(wěn)定且精確的液位感測(cè)解決方案。TIDA-00317 演示了用于降低系統(tǒng)環(huán)境中寄生電容干擾的傳感器設(shè)計(jì)與配置。 特性 采用電容
2018-09-29 10:08:501684 ADI公司的Matt Duff講解為什么運(yùn)算放大器反相引腳的寄生電容會(huì)引起不穩(wěn)定。
2019-06-11 06:11:004700 本文首先介紹了寄生電容的概念,其次介紹了寄生電容產(chǎn)生的原因,最后介紹了寄生電容產(chǎn)生的危害。
2019-04-30 15:39:3728588 分布電容強(qiáng)調(diào)的是均勻性。寄生跟強(qiáng)調(diào)的是意外性,指不是專門設(shè)計(jì)成電容,卻有著電容作用的效應(yīng),比如三極管極間電容。單點(diǎn)說,兩條平行走線之間會(huì)產(chǎn)生分布電容,元器件間在高頻下表現(xiàn)出來的容性叫寄生電容。
2019-04-30 15:56:3019502 減小電感寄生電容的方法
如果磁芯是導(dǎo)體,首先:
用介電常數(shù)低的材料增加繞組導(dǎo)體與磁芯之間的距離
2019-07-18 08:00:001 寄生電感一半是在PCB過孔設(shè)計(jì)所要考慮的。在高速數(shù)字電路的設(shè)計(jì)中,過孔的寄生電感帶來的危害往往大于寄生電容的影響。它的寄生串聯(lián)電感會(huì)削弱旁路電容的貢獻(xiàn),減弱整個(gè)電源系統(tǒng)的濾波效用。我們可以用下面的公式來簡單地計(jì)算一個(gè)過孔近似的寄生電感。
2019-10-11 10:36:3319064 寄生的含義就是本來沒有在那個(gè)地方設(shè)計(jì)電容,但由于布線之間總是有互容,互容就好像是寄生在布線之間的一樣,所以叫寄生電容,又稱雜散電容。
2020-09-17 11:56:1127673 寄生電容是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實(shí)際上,一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容,一個(gè)電感,一個(gè)電阻的串聯(lián),低頻情況下表現(xiàn)不明顯,而高頻情況下,等效值會(huì)增大。在計(jì)算中我們要考慮進(jìn)去。
2020-10-09 12:04:1734949 MTI Instruments的電容傳感器D200HD通過靠近探頭的外部前置放大器實(shí)現(xiàn)高分辨率,從而消除了引起噪聲的寄生電容效應(yīng)。通過以太網(wǎng)或USB提供數(shù)字通信。探頭的帶寬和范圍是數(shù)字可編程的。使用10微米探針可獲得低至20μm的分辨率。
2021-09-15 17:07:21258 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器中的寄生電容資料下載的電子資料下載,更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
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2021-04-28 08:54:177 AN39-升壓變壓器設(shè)計(jì)中的寄生電容效應(yīng)
2021-04-28 17:42:254 的電壓變化幅值大,主要針對(duì)這個(gè)部位進(jìn)行設(shè)計(jì)。永遠(yuǎn)注意:電壓的變化是產(chǎn)生差模及共模電流的主要原因,寄生電容是其流動(dòng)的通道。
2022-03-24 18:10:002051 的,今天我們就來講解一下,對(duì)于理想的MOS器件來說,我們只考慮器件本身,而不考慮MOS的寄生電容的話,那么是無需考慮驅(qū)動(dòng)電流的大小的。相信大家都聽過一個(gè)名詞,叫寄生電容,也叫雜散電容,是電路中電子元件
2022-04-07 09:27:124967 本來沒有在那個(gè)地方設(shè)計(jì)電容,但由于布線之間總是有互容,互容就好像是寄生在布線之間的一樣,所以叫寄生電容 寄生電容: 本質(zhì)上還是電容,滿足i=c*du/dt。 電容是用來衡量儲(chǔ)存電荷能力的物理量。根據(jù)
2022-07-27 14:23:5515292 過孔的兩個(gè)寄生參數(shù)是寄生電容和寄生電感。 過孔本身存在著對(duì)地的寄生電容,如果已知過孔在鋪地層上的隔離孔直徑為D2,過孔焊盤的直徑為D1,PCB板的厚度為T,板基材介電常數(shù)為ε,則過孔的寄生電容可以
2022-10-30 13:15:182725 繼前篇的Si晶體管的分類與特征、基本特性之后,本篇就作為功率開關(guān)被廣為應(yīng)用的Si-MOSFET的特性作補(bǔ)充說明。MOSFET的寄生電容:MOSFET在結(jié)構(gòu)上存在下圖所示的寄生電容。
2023-02-09 10:19:241996 可以減少器件的開關(guān)延遲。減少寄生電容的方法之一是設(shè)法降低柵極和源極/漏極之間材料層的有效介電常數(shù),這可以通過在該位置的介電材料中引入空氣間隙來實(shí)現(xiàn)。這種類型的方式過去已經(jīng)用于后道工序 (BEOL) 中,以減少金屬互連之間的電容 [1-4]。本文中,我們將專注于前道工序 (FEOL
2023-03-28 17:19:08559 ,動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性好和對(duì)高溫、輻射、強(qiáng)振等惡劣條件的適應(yīng)性強(qiáng)等。缺點(diǎn)是輸出有非線性,寄生電容和分布電容對(duì)靈敏度和測(cè)量精度的影響較大,以及聯(lián)接電路較復(fù)雜等。 巴魯夫用于探測(cè)料位的電容式傳感器通過有效面積接觸式地識(shí)別待探測(cè)產(chǎn)品、散貨或液體。利用它們
2023-04-28 11:05:151125 和晶體管的源極/漏極接觸之間的寄生電容可以減少器件的開關(guān)延遲。減少寄生電容的方法之一是設(shè)法降低柵極和源極/漏極之間材料層的有效介電常數(shù),這可以通過在該位置的介電材料中引入空氣間隙來實(shí)現(xiàn)。這種類型的方式過去已經(jīng)用于后道工序(BEOL)中,以減少金屬互連之間的電容[1-4]。本文中,
2023-06-02 17:31:46305 本文要點(diǎn)寄生電容的定義寄生電容影響電路機(jī)理消除寄生電容的方法當(dāng)你想到寄生蟲時(shí),你可能會(huì)想到生物學(xué)上的定義——一種生活在宿主身上或在宿主體內(nèi)的有機(jī)體,從宿主身上吸取食物。從這個(gè)意義上說,寄生蟲可能是
2022-05-31 11:09:011733 使用Coventor SEMulator3D?創(chuàng)建可以預(yù)測(cè)寄生電容的機(jī)器學(xué)習(xí)模型
2023-07-06 17:27:02187 寄生電容有一個(gè)通用的定義:寄生電容是存在于由絕緣體隔開的兩個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的虛擬電容(通常不需要的),是 PCB 布局中的一種效應(yīng),其中傳播的信號(hào)表現(xiàn)得好像就是電容,但其實(shí)并不是真正的電容。
2023-07-24 16:01:365440 電容可能會(huì)對(duì)電路的性能和穩(wěn)定性產(chǎn)生影響。因此,在 PCB 布線設(shè)計(jì)中,充分了解寄生電容的產(chǎn)生原因和處理方法是非常必要的。 什么是 PCB 連線寄生電容 維基百科上對(duì)于 PCB 連線寄生電容的定義是“由于 PCB 上信號(hào)線之間的相互耦合而導(dǎo)致的電容效應(yīng)”。
2023-08-27 16:19:441608 許多優(yōu)點(diǎn),但由于它們的關(guān)斷速度受到所謂的寄生電容影響,使其對(duì)快速切換應(yīng)用有限制。因此,理解寄生電容對(duì)MOS管快速關(guān)斷的影響至關(guān)重要。在本文中,我們將探討MOS管寄生電容的作用以及如何減輕其對(duì)快速關(guān)斷的影響。 MOS管的寄生電容: 在MOS管中,寄生電容產(chǎn)生的原因是因?yàn)楫?dāng)
2023-09-17 10:46:581244 SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對(duì)比
2023-12-05 14:31:21258 寄生電容和寄生電感是指在電路中存在的非意圖的電容和電感元件。 它們通常是由于電路布局、線路長度、器件之間的物理距離等因素引起的。
2024-02-21 09:45:35246
評(píng)論
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