富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前正式宣布，富士通半導(dǎo)體與威達(dá)云端電訊共同合作推出便攜式WiMAX-WiFi路由器( CW6200i
2010-11-25 09:33:52
857 富士通半導(dǎo)體有限公司臺(tái)灣分公司宣佈，旗下采用ARM Cortex處理器核心的FM3系列32位元RISC微控制器將推出第五波新產(chǎn)品。這波新品數(shù)量多達(dá)93款，富士通半導(dǎo)體自9月28日起為客戶提供樣品
2012-09-26 09:26:212319 
富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布，推出其V系列的又一款新產(chǎn)品MB85RC256V。
2012-10-16 12:05:091880 香港商富士通半導(dǎo)體有限公司臺(tái)灣分公司宣佈推出新款V系列晶片MB85RC256V。富士通半導(dǎo)體目前的V系列FRAM產(chǎn)品涵蓋4KB、16KB、 64KB、256KB容量，MB85RC256V是首款可在2.7V-5.5V電壓範(fàn)圍內(nèi)運(yùn)作的
2012-10-18 14:40:251173 富士通半導(dǎo)體于日前宣布，利用配備該公司開發(fā)的硅基板GaN功率器件的服務(wù)器用電源，成功輸出了2.5kW的高功率，同時(shí)還公布了 2013年下半年開始量產(chǎn)硅基板GaN功率器件的目標(biāo)。該公司將
2012-11-12 09:16:211072 富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布，推出其新的基于ARM Cortex?-M4處理器內(nèi)核的FM4系列32位通用RISC微控制器
2012-11-15 11:16:062053 富士通半導(dǎo)體推出最新支持PWM調(diào)光的LED驅(qū)動(dòng)芯片MB39C602系列，MB39C602系列采用Flyback拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，并帶主動(dòng)PFC，支持PWM調(diào)光。
2012-12-10 13:41:123295 富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布，推出兩款新型FRAM產(chǎn)品－MB85RS1MT 和 MB85RS2MT，兩款產(chǎn)品分別帶有1 Mbit 和 2 Mbit的存儲(chǔ)器，是富士通半導(dǎo)體提供的最大容量的串口FRAM。這兩款產(chǎn)品將于2013年3月起開始提供新品樣片。
2013-03-25 16:09:371037 富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布，推出兩款全新的電源管理IC產(chǎn)品，為收集能量而開發(fā)的MB39C811 DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器和MB39C831 DC/DC升壓轉(zhuǎn)換器。預(yù)定今年六月開始提供新產(chǎn)品的樣片。
2013-05-13 10:08:211154 （SiC）和氮化鎵（GaN）占有約90％至98％的市場份額。供應(yīng)商。WBG半導(dǎo)體雖然還不是成熟的技術(shù)，但由于其優(yōu)于硅的性能優(yōu)勢（包括更高的效率，更高的功率密度，更小的尺寸和更少的冷卻），正在跨行業(yè)進(jìn)軍。 使用基于SiC或GaN的功率半導(dǎo)體來獲
2021-04-06 17:50:533168 
關(guān)系。 ? 雙方將利用臺(tái)達(dá)多年來積累的電源開發(fā)技術(shù)與羅姆的功率元器件開發(fā)和生產(chǎn)技術(shù)，聯(lián)合開發(fā)適合更多電源系統(tǒng)的600V耐壓GaN功率器件。 ? 2022年3月，羅姆確立了柵極耐壓高達(dá)8V的“150V耐壓GaN HEMT”的量產(chǎn)體系，并將該系列產(chǎn)品命名為“EcoGaN?”，產(chǎn)品非常適用于
2022-04-28 16:50:411918 
近年來，電動(dòng)汽車、高鐵和航空航天領(lǐng)域不斷發(fā)展，對功率器件/模塊在高頻、高溫和高壓下工作的需求不斷增加。傳統(tǒng)的 Si 基功率器件/模塊達(dá)到其自身的材料性能極限，氮化鎵(GaN)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體
2022-08-22 09:44:013651 ~150V輸出電壓可調(diào)范圍：3.3V-30V，通過設(shè)置FB電阻 輸出電流5A以內(nèi)支持恒流恒壓CC/CV模式功能輸出恒壓精度1%輸出恒流精度1% 高效率：可高達(dá) 98%固定開關(guān)頻率：140KHz可編程EN關(guān)斷
2020-12-08 14:27:46
如果基于GaN的HEMT可靠性的標(biāo)準(zhǔn)化測試方法迫在眉睫，那么制造商在幫助同時(shí)提供高質(zhì)量GaN器件方面正在做什么？ GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）由于其極高的耐高溫性和高功率密度而在半導(dǎo)體行業(yè)中
2020-09-23 10:46:20
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導(dǎo)體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
GaN功率半導(dǎo)體器件集成提供應(yīng)用性能
2023-06-21 13:20:16
。GaN器件尤其在高頻高功率的應(yīng)用領(lǐng)域體現(xiàn)了其獨(dú)特的優(yōu)勢，其中，針對GaN功率器件的性能特點(diǎn)，該器件可被用于適配器、DC-DC轉(zhuǎn)換、無線充電、激光雷達(dá)等應(yīng)用場合。
圖1 半導(dǎo)體材料特性對比
傳統(tǒng)的D類
2023-06-25 15:59:21
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
材料。與目前絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料相比，GaN 具有獨(dú)特的優(yōu)勢：禁帶更寬、飽和漂移速度更大、臨界擊穿電場和熱導(dǎo)率更高，使其成為最令人矚目的新型半導(dǎo)體材料之一。目前，GaN 基發(fā)光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41:00
點(diǎn)擊: 功率半導(dǎo)體器件 &
2008-08-03 17:05:29
功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用手冊功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用手冊——彎腳及焊接應(yīng)注意的問題本文將向您介紹大家最關(guān)心的有關(guān)TSE功率半導(dǎo)體器件封裝的兩個(gè)問題：一、 怎樣彎腳才能不影響器件的可靠性？二、 怎樣確保焊接
2008-08-12 08:46:34
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
近年來，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移。目前,我國已經(jīng)成為全球最重要的半導(dǎo)體功率器件封測基地。如IDM類（吉林華微電子、華潤微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體
2021-07-12 07:49:57
，所以應(yīng)選擇VBR大于268.8V的器件。4、若要使半導(dǎo)體放電管通過大的浪涌電流后自復(fù)位，器件的維持電流IH必須大于系統(tǒng)所能能提供的電流值。即：IH(系統(tǒng)電壓/源阻抗)。 `
2014-12-24 16:56:27
富士通MB95F698，用什么仿真器，哪里可以買到。
2021-08-20 22:11:06
富士通FRAM存儲(chǔ)器有哪些特點(diǎn)？富士通FRAM存儲(chǔ)器在智能電表中有什么應(yīng)用？
2021-07-11 06:09:49
本帖最后由 qzq378271387 于 2012-7-31 21:34 編輯
富士通：基于ARM Cortex M3的產(chǎn)品和技術(shù)介紹
2012-07-31 21:32:15
發(fā)展新能源汽車的更大反思。”富士通半導(dǎo)體產(chǎn)品經(jīng)理李丹在日前于武漢舉行的2012 AETF第七屆亞太汽車電子技術(shù)論壇峰會(huì)上闡述了自己的觀點(diǎn)，并探討了汽車電子技術(shù)的總體發(fā)展趨勢以及及富士通半導(dǎo)體的平臺(tái)化開
2012-12-20 13:53:48
之一就是低壓無法驅(qū)動(dòng)內(nèi)部的SRAM模塊。不過上周富士通半導(dǎo)體和美國SuVolta公司開發(fā)的新制程卻可以使電壓閾值下降至0.4V左右。SoVolta開發(fā)的DDC晶體管制造的576Kb SRAM模塊最低
2011-12-13 19:11:36
、Macronix、英飛凌、三星、三洋、TI、東芝等諸多豪強(qiáng)入局“廝殺”，到如今“剩者為王”的少數(shù)FRAM大廠并存，F(xiàn)RAM技術(shù)在過去數(shù)十年的競爭中不斷突破與發(fā)展，最終逐漸登上主流行業(yè)與應(yīng)用的“C位”！富士通半導(dǎo)體
2020-10-30 06:42:47
H6203G 是一款150V高耐壓芯片支持100V轉(zhuǎn)3.3V 100V轉(zhuǎn)5V 100V轉(zhuǎn)12V。
產(chǎn)品描述
H6203G是一種內(nèi)置150V耐壓MOS，支持輸入高達(dá)120V的高壓降壓開關(guān)控制器，可以向負(fù)載
2024-01-26 14:13:26
前言全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM利用多年來在消費(fèi)電子領(lǐng)域積累的技術(shù)優(yōu)勢，正在積極推進(jìn)面向工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的產(chǎn)品陣容擴(kuò)充。在支撐"節(jié)能、創(chuàng)能、蓄能"技術(shù)的半導(dǎo)體功率元器件領(lǐng)域，ROHM
2019-07-08 08:06:01
欠壓鎖定，輸出過載保護(hù)， 過溫保護(hù)，短路保護(hù)等。
SL3160 采用SOP8 封裝。
特征
● 最大800MA 輸出電流
● 15V 至150V 寬工作電壓
● 內(nèi)置150V 功率MOSFET
2023-09-18 14:44:25
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 半導(dǎo)體材料與器件手冊編號(hào)：JFSJ-21-059III族氮化物半導(dǎo)體的光學(xué)特性介紹III 族氮化物材料的光學(xué)特性顯然與光電應(yīng)用直接相關(guān)，但測量光學(xué)特性
2021-07-08 13:08:32
模擬和 GaN 邏輯的全功能 650V GaN 功率 IC 于 2016 年和 2017 年以單開關(guān) v 和半橋 vi 格式推出，如圖 2 所示。文章全部詳情，請加V獲取：hlknch
2021-07-06 09:38:20
電壓能力從第四代的3000V躍升到了第七代的6500V，并且實(shí)現(xiàn)了高頻化（10-100kHz）應(yīng)用。功率半導(dǎo)體器件主要應(yīng)用領(lǐng)域作為電能/功率處理的核心器件，功率半導(dǎo)體器件主要用于電力設(shè)備的電能
2019-02-26 17:04:37
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
功率半導(dǎo)體器件在工業(yè)、消費(fèi)、軍事等領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用，具有很高的戰(zhàn)略地位。功率半導(dǎo)體產(chǎn)品可以分為功率器件、電源管理 IC 和功率模組三大類。圖：功率半導(dǎo)體產(chǎn)品分類來源：國金證券研究所隨著下游電氣化
2022-11-11 11:50:23
升級到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
安森美半導(dǎo)體電源方案部（PSG）加速了擴(kuò)展分立器件、集成電路(IC)、模塊和驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品陣容，針對汽車應(yīng)用中的高電源能效方案。公司電源方案部的汽車認(rèn)證的器件數(shù)現(xiàn)已超過4,000，是該行業(yè)中最大的供應(yīng)商
2018-10-25 08:53:48
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
、售前服務(wù)及售后服務(wù)，讓您無任何后顧之憂。我們的優(yōu)勢：廠家直銷，價(jià)格優(yōu)勢，貨源充足，技術(shù)支持，品質(zhì)保證。OC5806L是歐創(chuàng)芯半導(dǎo)體發(fā)布全球首款支持最高150V輸入的降壓恒壓驅(qū)動(dòng)芯片，主要應(yīng)用于車載
2019-11-11 15:31:39
`根據(jù)Yole Developpement指出，氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導(dǎo)體市場快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導(dǎo)體企業(yè)受惠；另一方面，他們也將會(huì)發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際
2015-09-15 17:11:46
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
本帖最后由 nogenius 于 2012-4-22 09:25 編輯
RT，求能輸出極微小電流但輸出電壓能達(dá)到150v以上的恒流源設(shè)計(jì)電路，主要用作寬禁帶半導(dǎo)體測試儀的一部分{:soso_e196:}
2012-04-22 08:43:00
用于無線充電應(yīng)用的高壓GaN功率半導(dǎo)體單級6.78 MHz功率放大器設(shè)計(jì)
2023-06-21 11:45:06
電力半導(dǎo)體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
氧化物半導(dǎo)體（Si LDMOS，Lateral Double-diffused Metal-oxideSemiconductor）和GaAs，在基站端GaN射頻器件更能有效滿足5G的高功率、高通信頻段
2019-04-13 22:28:48
、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
方向?yàn)楦叩?b class="flag-6" style="color: red">功率密度，更小的體積，更低的成本及損耗。特別是材料迭代方面，從硅Si材料逐漸向氮化鎵（GaN）等寬禁帶材料升級，使得功率器件體積和性能均有顯著提升。那么什么是第三代半導(dǎo)體GaN呢？它是由氮
2021-12-01 13:33:21
（FACOM100）后開始跨足信息產(chǎn)業(yè)。其間隨著個(gè)人化信息處理技術(shù)、網(wǎng)絡(luò)多媒體技術(shù)、業(yè)務(wù)集約在因特網(wǎng)潮流的興起，富士通以不斷創(chuàng)新的高科技形象享譽(yù)日本和全球。現(xiàn)在，富士通已經(jīng)發(fā)展成為橫跨半導(dǎo)體電子器件、計(jì)算機(jī)通訊平臺(tái)
2014-05-21 10:54:53
富士通半導(dǎo)體股份有限公司(富士通半導(dǎo)體)近日正式宣布與數(shù)字多媒體產(chǎn)品SoC系統(tǒng)解決方案供應(yīng)商臺(tái)灣擎展科技有限
2010-11-22 09:23:16478 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布推出6MHz升降壓DCDC轉(zhuǎn)換器芯片-MB39C326。該芯片適用于移動(dòng)電話、智能手機(jī)、電子閱讀器和其它手持移動(dòng)設(shè)備的射頻功率放大器。富士通將于2011年6月起提供該新產(chǎn)品的樣片
2011-02-25 09:15:402016 富士通半導(dǎo)體宣布推出采用新工藝的高安全性、高精度、高性價(jià)比的雙通道FLASH的通用8位微控制器MB95560系列
2011-07-05 08:54:021209 
富士通半導(dǎo)體(上海)宣布，推出針對汽車應(yīng)用的113款MCU，其中包括53款16位MCU MB96600系列和60款32位MCU MB91520系列
2011-07-15 09:33:393441 富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布推出基于0.18 μm 技術(shù)的全新 SPI FRAM產(chǎn)品家族，包括MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A這3個(gè)型號(hào)，并從即日起開始為客戶提供樣片。
2011-07-20 09:04:26681 富士通半導(dǎo)體 (上海)有限公司日前宣布推出基于新工藝的8款MB95630系列產(chǎn)品，使其F2MC-8FX家族產(chǎn)品陣容進(jìn)一步加強(qiáng)。新產(chǎn)品內(nèi)置了直流無刷電機(jī)控制器和模擬電壓比較器更適用于馬達(dá)控制
2011-09-29 10:03:051286 
富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布推出基于ARM? CortexTM-M3處理器內(nèi)核的32位RISC微控制器的FM3系列的新產(chǎn)品。該系列于去年11月首次面世，本次推出的是第3波產(chǎn)品。此次，富士通半導(dǎo)
2011-10-19 09:05:16557 
富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司近日宣布推出業(yè)內(nèi)首款商用多模收發(fā)器芯片——MB86L12A。該芯片是MB86L10A的后續(xù)產(chǎn)品
2011-10-25 08:57:07990 
富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司近日宣布推出其基于0.18μm技術(shù)的全新系列FRAM產(chǎn)品家族。該系列包括MB85RC64V和MB85RC16V 兩個(gè)型號(hào)，均支持I2C接口且可在5V電壓下工作，即日起即可供貨。
2012-02-08 09:11:44890 
富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司近日宣布推出MB86L13A LTE(FDD和TDD)優(yōu)化收發(fā)器。該全新收發(fā)器為面向LTE專向應(yīng)用開發(fā)，采用富士通開拓的RFIC設(shè)計(jì)架構(gòu)
2012-04-17 09:26:34985 富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布推出用于電源管理IC的在線設(shè)計(jì)仿真工具（PMIC）——Easy DesignSim。Easy DesignSim為使用富士通豐富電源管理IC產(chǎn)品線（如轉(zhuǎn)換器、開關(guān)、電源及
2012-04-26 08:40:18644 
美國Transphorm公司發(fā)布了耐壓為600V的GaN類功率元件。該公司是以美國加州大學(xué)圣塔巴巴拉分校（UCSB）的GaN元器件研究人員為核心創(chuàng)建的風(fēng)險(xiǎn)企業(yè)，因美國谷歌向其出資而備受功率半導(dǎo)體
2012-05-18 11:43:441931 富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布，推出第五波基于ARM? CortexTM-M3處理器內(nèi)核的32位RISC微控制器的FM3系列新產(chǎn)品
2012-09-25 14:57:581619 
據(jù)彭博社報(bào)道，消息人士稱，富士通在重組中準(zhǔn)備出售半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。
2012-09-26 10:12:26903 富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布，新推出接口橋接芯片“MB86E631”，該芯片內(nèi)部集成了一個(gè)雙核ARM? Cortex?-A9處理器與許多不同接口于一體。新產(chǎn)品樣品將從2012年12月晚些時(shí)候可
2012-10-17 16:11:481194 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布，其基于富士通FM3的電機(jī)控制新技術(shù)---180度全直流變頻空調(diào)方案獲得了2012年電子產(chǎn)品世界編輯推薦獎(jiǎng)之“年度最佳綠色節(jié)能方案獎(jiǎng)”。
2012-11-09 18:35:08905 富士通半導(dǎo)體有限公司臺(tái)灣分公司宣佈，成功透過硅基板氮化鎵（GaN）功率元件讓伺服器電源供應(yīng)器達(dá)到2.5kW的高輸出功率，并擴(kuò)大電源供應(yīng)的增值應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)低碳能源社會(huì)。富士通半導(dǎo)
2012-11-21 08:51:361369 富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布出席在中國上海舉行的“第十二屆慕尼黑上海電子展。富士通半導(dǎo)體將展出其微控制器（包括FM系列和最新8FX系列）、汽車電子、存儲(chǔ)器產(chǎn)品、模擬產(chǎn)品、無線通信方案以及家庭影音產(chǎn)品六大系列，共計(jì)12余種新產(chǎn)品以及數(shù)十種Demo。
2013-03-13 14:34:351033 富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布，其基于ARM? Cortex?-M3 處理器內(nèi)核的FM3家族32位通用RISC微控制器產(chǎn)品升級后的陣容。富士通半導(dǎo)體共計(jì)推出38款新產(chǎn)品，包括內(nèi)置大容量儲(chǔ)存器
2013-04-24 10:08:512050 說到變頻電機(jī)控制，就不得不說說富士通半導(dǎo)體的技術(shù)和產(chǎn)品。富士通半導(dǎo)體開發(fā)的變頻方案采用了各種先進(jìn)技術(shù)和算法，匹配過20多款壓縮機(jī)，具有可現(xiàn)場系統(tǒng)整合調(diào)試、功能驗(yàn)證和性能優(yōu)化的優(yōu)勢，適用于各種變頻控制應(yīng)用。
2013-05-17 10:55:001392 
富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布，推出首批基于ARM? Cortex?-M4處理器內(nèi)核的FM4系列32位RISC 微控制器。富士通半導(dǎo)體本次共推出84款MB9B560R/460R/360R/160R 系列產(chǎn)品，將于2013年7月底開始提供樣片。
2013-07-03 11:19:33807 富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布，富士通半導(dǎo)體股份有限公司和ARM于今日簽署了一項(xiàng)授權(quán)協(xié)議：富士通半導(dǎo)體將充分利用ARM big.LITTLE?技術(shù)和ARM Mali-T624圖形處理器推出片上系統(tǒng)（SoC）解決方案。
2013-07-11 17:32:171579 富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布，成功開發(fā)了專為先進(jìn)的28 nm SoC器件量身打造的全新設(shè)計(jì)方法，不僅能實(shí)現(xiàn)更高的電路密度，同時(shí)也可有效縮短開發(fā)時(shí)間。
2014-01-15 17:00:51588 
兩家公司已經(jīng)達(dá)成： i）晶圓代工服務(wù)協(xié)議，富士通將為安森美半導(dǎo)體制造晶圓； ii） 安森美半導(dǎo)體將成為富士通日本福島縣會(huì)津若松市8英寸晶圓廠少數(shù)股東的最終協(xié)議
2014-08-01 09:08:231041 2014年8月11日–富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布，富士通半導(dǎo)體旗下嵌入式解決方案奧地利公司（簡稱FEAT）推出最新CGI Studio工具套件3.0版本。
2014-08-11 11:19:302992 富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布，成功推出擁有1 Mb內(nèi)存的FRAM產(chǎn)品---MB85RS1MT。由于該器件采用晶圓級芯片尺寸封裝（WL-CSP），使得其體積僅為3.09 × 2.28 × 0.33 mm，一舉成為業(yè)內(nèi)擁有SPI接口的、尺寸最小的1 Mb FRAM器件。
2015-07-08 15:03:571568 上海， 2016-11-08——富士通電子元器件（上海）有限公司今天宣布，推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM（可變電阻式存儲(chǔ)器）（注1）產(chǎn)品MB85AS4MT。此產(chǎn)品為富士通半導(dǎo)體與松下電器半導(dǎo)體（注2）合作開發(fā)的首款ReRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品。
2017-03-24 18:03:201539 富士通電子元器件（上海）有限公司推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM（可變電阻式存儲(chǔ)器）（注1）產(chǎn)品 MB85AS4MT。此產(chǎn)品為富士通半導(dǎo)體與松下電器半導(dǎo)體（注2）合作開發(fā)的首款ReRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品。
2017-03-24 18:48:431375 本視頻主要內(nèi)容：介紹了富士通半導(dǎo)體的FRAM產(chǎn)品特性：低功耗，快速讀寫，高讀寫次數(shù)和防輻射特性。
2017-03-29 11:34:27951 美商安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）與富士通半導(dǎo)體株式會(huì)社（Aizu Fujitsu Semiconductor Manufacturing Limited）于10月1日共同宣布
2018-10-08 15:00:004265 關(guān)鍵詞：安森美 , 富士通 來源：中時(shí)電子報(bào) 安森美半導(dǎo)體公司與富士通半導(dǎo)體株式會(huì)社宣布，安森美半導(dǎo)體已經(jīng)完成對富士通半導(dǎo)體制造株式會(huì)社(Aizu Fujitsu Semiconductor
2018-10-08 14:26:02385 聯(lián)電財(cái)務(wù)長劉啟東表示，聯(lián)電于2014年參與日本三重富士通半導(dǎo)體增資、并取得15.9％股權(quán)及1席董事，并由聯(lián)電授權(quán)40納米技術(shù)。不過，由于該投資的閉鎖期規(guī)定為2.5年，雙方在去年中開始密切接觸，最終決議聯(lián)電將百分百收購日本三重富士通半導(dǎo)體股權(quán)，取得12吋晶圓廠產(chǎn)能。
2018-12-27 17:53:169859 意法半導(dǎo)體(簡稱ST)推出了一個(gè)新系列——氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體。該系列產(chǎn)品屬于意法半導(dǎo)體的STPOWER產(chǎn)品組合，能夠顯著降低各種電子產(chǎn)品的能耗和尺寸。該系列的目標(biāo)應(yīng)用包括消費(fèi)類電子產(chǎn)品的內(nèi)置
2022-01-17 14:22:542180 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM已確立150V耐壓GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列 （GNE1040TB）”的量產(chǎn)體制，該系列產(chǎn)品的柵極耐壓（柵極-源極間額定電壓）*2高達(dá)8V，非常適用于基站、數(shù)據(jù)中心等工業(yè)設(shè)備和各種物聯(lián)網(wǎng)通信設(shè)備的電源電路。
2022-03-28 15:25:301290 富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM(電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)MB85AS12MT，這是富士通ReRAM產(chǎn)品系列中密度最大的產(chǎn)品。
2022-04-24 16:06:021133 150V耐壓GaNHEMT*1(以下簡稱"GaN器件")的高達(dá)8V柵極耐壓(柵極-源極間額定電壓)*2技術(shù)。近幾年來,隨著IoT設(shè)備需求的不斷增長,功率轉(zhuǎn)換效率的提
2021-04-09 10:07:47514 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出首批支持低電壓（100/150 V）和高電壓（650 V）應(yīng)用的 E-mode（增強(qiáng)型）功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:54500 美格納半導(dǎo)體公司 宣布推出兩款基于其第8代溝槽MOSFET技術(shù)的新型150V MXT MV 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。MXT MV MOSFET，代表美格納極限溝槽
2023-10-12 17:15:09736 使用GaN（氮化鎵）的功率半導(dǎo)體作為節(jié)能/低碳社會(huì)的關(guān)鍵器件而受到關(guān)注。兩家日本公司聯(lián)手創(chuàng)造了一項(xiàng)新技術(shù)，解決了導(dǎo)致其全面推廣的問題。
2023-10-20 09:59:40709 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術(shù)和專有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供更多選擇。
2023-12-13 10:38:17312 安建半導(dǎo)體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)，平臺(tái)采用先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供了卓越的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻，從而實(shí)現(xiàn)了高效的能源轉(zhuǎn)換和低能耗操作，不僅可以顯著提高
2024-01-23 13:36:49293 
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