Vishay推出3款新型單極雙擲(SPDT)和雙路的雙極雙擲(DPDT)CMOS低壓模擬開關(guān)--- DG2735A、DG2725和DG2599
2011-06-30 09:02:17
790 Vishay宣布，推出四款小外形尺寸、高性能的MLCC器件--- VJ5301M868MXBSR、VJ5601M868MXBSR和VJ5301M915MXBSR、VJ5601M915MXBSR
2012-06-05 09:50:10748 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實(shí)現(xiàn)在4.5V柵極驅(qū)動下4.8mΩ最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:401440 Vishay 宣布，推出最新系列高壓厚膜片式電阻---CRHP系列，額定功率1.5 W，工作電壓高達(dá)3000 V，從1206到2512包括五種小外形尺寸。為提高設(shè)計靈活性，Vishay Techno CRHP系列電阻有各種樣式、電極材料、配置和定制尺寸。
2019-03-07 15:55:004627 Vishay推出新型VSMP0603超高精度Bulk Metal Z箔 (BMZF) 卷型表面貼裝電阻。該器件是率先采用 0603 芯片尺寸的產(chǎn)品，當(dāng)溫度范圍在 -55℃至
2008-09-26 13:42:57
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用金端接，用導(dǎo)電膠合的新系列精密薄膜片式電阻。MC ATAU系列的外形尺寸為0402和0603，可在+ 155 ℃高溫下工
2014-08-08 14:15:16
了開關(guān)損耗，促進(jìn)了白色家電和工業(yè)設(shè)備等電機(jī)驅(qū)動器和變頻器應(yīng)用的低功耗化發(fā)展。R60xxMNx系列新品是以“不僅保持現(xiàn)有R60xxFNx系列的高速trr性能，還要進(jìn)一步降低導(dǎo)通電阻和Qg（柵極總電荷量）并
2018-12-04 10:23:36
FDC6324L是一款集成負(fù)載開關(guān) 是使用ON生產(chǎn)的半導(dǎo)體專有的高單元密度DMOS技術(shù)。這種非常高密度的工藝特別適合于將導(dǎo)通電阻降至最低，并提供優(yōu)越的開關(guān)性能 這些設(shè)備特別適用于需要低導(dǎo)通損耗和簡單
2021-11-27 12:14:08
上一篇和上上篇介紹了“升降壓轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)導(dǎo)出示例”的其1和其2。本文將探討“開關(guān)的導(dǎo)通電阻對傳遞函數(shù)的影響”。本次也采用同樣的方法展開探討。推導(dǎo)出的傳遞函數(shù)同樣為和，同樣按兩個步驟來推導(dǎo)。開關(guān)
2018-11-30 11:48:22
我想選擇一塊模擬開關(guān)。用于Pt1000的溫度AD轉(zhuǎn)換，主要是為了節(jié)省恒流源溫度采集的電路。通過查找資料，大部分模擬開關(guān)都有較大的導(dǎo)通電阻，而且隨溫度變換較大。希望找到一款多通道模擬電路開，且隨溫度變化小的模擬開關(guān)。或者，有其他的解決辦法嗎？
2014-03-25 19:03:21
程度。 2模擬開關(guān)和多路復(fù)用器的主要技術(shù)指標(biāo)是什么？ 導(dǎo)通電阻（RDS（ON））對于視頻和音頻信號來說都非常重要，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">導(dǎo)通電阻不僅會產(chǎn)生插入損耗，而且還會隨著信號電壓而變化，從而導(dǎo)致傳輸特性失真
2011-10-13 15:39:48
1 主要特點(diǎn)ADG731/ADG725是ADI公司推出的具有3線控制接口的32通道/雙16通道高性能單片模擬多路轉(zhuǎn)換器，其中ADG731具有32選1通道轉(zhuǎn)換功能；ADG725具有2組16選1通道轉(zhuǎn)換
2019-05-24 05:00:32
到3.6V之間。切換電流250mA，一流的功率路由性能和僅為0.9Ω的低導(dǎo)通電阻（Ron）。它可以與MAX4752互換。
2021-04-28 06:01:05
產(chǎn)品描述BCT4717是兩路，雙向單刀雙擲CMOS模擬開關(guān)，工作電壓從1.8V到5.5V。高帶寬（300MHz）， 低導(dǎo)通電阻（4ΩTyp），目標(biāo)應(yīng)用在音頻信號的切換。BCT4717的特性保證了通道
2020-08-12 14:15:55
DG406DW-E3是一款16通道單端模擬多路復(fù)用器設(shè)計用于將16個輸入中的一個連接到公共端口由4位二進(jìn)制地址確定的輸出。應(yīng)用包括高速數(shù)據(jù)采集、音頻信號切換和路由、ATE系統(tǒng)和航空電子設(shè)備。高性能
2021-12-18 09:28:22
第二代。非常有助于改善包括電源在內(nèi)的PFC等各種功率轉(zhuǎn)換電路的效率。低噪聲 EN系列以往的超級結(jié)MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、開關(guān)速度快的特點(diǎn)，但存在因其高速性而噪聲較大的課題。EN系列是結(jié)合了平面
2018-12-05 10:00:15
本帖最后由 luna 于 2011-3-3 15:02 編輯
高性能音頻和增強(qiáng)了的噪音抑制性能Fairchild二通道單刀雙擲,低導(dǎo)通電阻的音頻開關(guān)已經(jīng)開發(fā)了通過減少音頻爆破音的可能性來加強(qiáng)語音體驗(yàn)。它們包括了最近的特性,具體地說是擁有終端電阻,提供緩慢開啟時間和允許負(fù)電壓信號的能力。
2011-03-02 23:11:29
的電源電壓下，導(dǎo)通電阻降低。參考電氣規(guī)格表和典型性能細(xì)節(jié)曲線。V+和GND為內(nèi)部CMOS開關(guān)供電并設(shè)置他們的模擬電壓限制。這些電源也為內(nèi)部邏輯和電平變換器。電平變換器將輸入邏輯電平以切換V+和GND信號以
2020-10-15 17:45:12
MAX4751是MAXIM公司研制的0.9Ω，低電壓，單電源四路SPST模擬開關(guān)。它采用16引腳QFN或14引腳TSSOP封裝。電源電壓范圍在1.6V到3.6V之間。切換電流250mA，一流的功率路由性能和僅為0.9Ω的低導(dǎo)通電阻（Ron）。它可以與AS1743互換。
2021-04-26 06:23:34
的設(shè)計而言，它大幅降低了MOSFET導(dǎo)通電阻，并保持了出色的開關(guān)性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進(jìn)一步改進(jìn)了設(shè)計，使更高電壓等級的器件能夠受益于這種技術(shù)。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
概述：P15V330是PERICOM半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款4通道2選1高性能視頻模擬開關(guān)，它具有低導(dǎo)通電阻（3Ω）、寬帶（200MHz）、低串?dāng)_（10MHz/-58dB）等特點(diǎn)。該芯片采用單一+5V。它為雙列16腳貼片封裝.
2021-05-19 07:13:48
標(biāo)準(zhǔn)(與線性電源相比具有更好的功率密度和效率)，組件設(shè)計人員設(shè)法通過芯片級創(chuàng)新和改進(jìn)封裝來不斷提升功率MOSFET的導(dǎo)通和開關(guān)性能。芯片的不斷更新?lián)Q代使得在導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和影響開關(guān)性能
2018-09-12 15:14:20
忽略輸入開關(guān)的導(dǎo)通電阻。AD7980的Rin典型值是400Ω，遠(yuǎn)大于外部電阻Rext，輸入開關(guān)導(dǎo)通電阻為何能忽略？如果考慮Rin，又該如何計算？另外Vstep為什么這樣計算？
2018-08-06 07:49:37
較低的電源電壓下，導(dǎo)通電阻降低，并且數(shù)字輸入VIL在VS≤±2V時變?yōu)樨?fù)值。參考“典型性能”曲線了解詳細(xì)信息。V+和V-為內(nèi)部CMOS開關(guān)供電并設(shè)置其模擬電壓限制。這些電源也為內(nèi)部供電邏輯和電平變換器
2020-10-09 16:58:54
產(chǎn)品重要性的同時，不約而同地表示要將精力集中在高性能模擬產(chǎn)品上。那么，在眾說紛紜“高性能”的情況下，什么產(chǎn)品才是高性能模擬產(chǎn)品？面對集成度越來越高的半導(dǎo)體行業(yè)，高性能模擬產(chǎn)品是否生存不易？中國市場對高性能模擬產(chǎn)品的接受程度如何？
2019-06-20 06:22:00
當(dāng)開關(guān)串聯(lián)的負(fù)載為低阻抗時損失更大。應(yīng)用中應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況選擇導(dǎo)通電阻合適的開關(guān)。特別需要注意，導(dǎo)通電阻的阻值與電源供電電壓有直接關(guān)系，通常電源電壓越大，導(dǎo)通電阻就越小。 圖2 CMOS型模擬開關(guān)
2021-03-15 11:45:39
潛在的電擊危險。 按照認(rèn)證機(jī)構(gòu)的規(guī)定，例如歐盟的CE認(rèn)證、美國和加拿大的UL認(rèn)證，電氣產(chǎn)品制造商應(yīng)該使用接地導(dǎo)通電阻測試儀來驗(yàn)證其性能。若未經(jīng)CE、CSA或UL認(rèn)證標(biāo)識，產(chǎn)品不允許在相應(yīng)的國家進(jìn)行
2017-09-30 09:38:49
XC8102采用小型封裝USP-4 (1.2 x 1.6 x 0.6mm)，XC8102 系列是內(nèi)置P 溝道MOS FET、帶保護(hù)電路的低導(dǎo)通電阻線路開關(guān)用電路，輸入電壓范圍1.2V～6.0V,當(dāng)
2021-04-19 07:57:47
` 如圖，RF1-RF3是三組反饋電阻，PIN1和PIN2是電路中某部分的兩個輸出引腳，現(xiàn)在目的是想辦法控制三路以及多路模擬信號的通斷（按此例，是實(shí)現(xiàn)三選一）。 PIN1和PIN2導(dǎo)通電壓10V
2019-03-23 11:54:09
、BD82054QVZ以及BD82055QVZ）。這幾款單通道高側(cè)開關(guān)IC采用N溝道功率MOSFET，具備低導(dǎo)通電阻（典型值63m?，VIN=5V），輸入電壓范圍2.7V~5.5V，非常適用于通用串行總線（USB
2019-04-10 06:20:03
NCP45521的典型（熱插拔）電路是一種負(fù)載開關(guān)，可通過軟啟動為浪涌電流限制提供高效電源域切換的元件和面積減少解決方案。除了具有超低導(dǎo)通電阻的集成控制功能外，這些器件還通過故障保護(hù)和電源良好信號提供系統(tǒng)保護(hù)和監(jiān)控
2020-04-17 10:09:17
的 TPS22959，可實(shí)現(xiàn)總輸出電流 30A。主要特色增加了最大輸出電流降低了總導(dǎo)通電阻 (RON)輸出上升時間更短功率耗散更低降低了快速輸出放電 (QOD) 電阻
2018-08-14 06:29:01
單平衡混頻器是什么工作原理？如何利用CMOS模擬開關(guān)實(shí)現(xiàn)平衡混頻器？CMOS模擬開關(guān)具有哪些特性？利用CMOS開關(guān)可以實(shí)現(xiàn)開關(guān)混頻器，有什么注意事項(xiàng)？
2021-04-13 06:50:16
鎖相環(huán)系統(tǒng)是什么工作原理？傳統(tǒng)電荷泵電路存在的不理想因素有哪些？設(shè)計一種高性能CMOS電荷泵鎖相環(huán)電路
2021-04-09 06:38:45
微弱信號為1pA到10mA的級別，對信號進(jìn)行放大以后，是多路問題的問題（至少是4路），經(jīng)模擬開關(guān)進(jìn)行通道選擇之后進(jìn)行AD轉(zhuǎn)換，這一系列處理為微弱信號的處理。選擇什么樣的模擬開關(guān)芯片合適呢，損耗較低的，開關(guān)導(dǎo)通電阻較小的。目前國內(nèi)的CD4051可以排除了，損耗太大了。求大神指教。。。。跪謝、、、、
2014-12-16 12:52:10
常用CMOS模擬開關(guān)引腳功能和工作原理CMOS模擬開關(guān)典型應(yīng)用舉例
2021-04-23 06:17:43
4給出了Maxim的新型開關(guān)與早期開關(guān)在5V電源下的性能比較。圖3. 較高電源電壓下導(dǎo)通電阻較低 圖4. +5V電壓下，新型模擬開關(guān)具有較低的導(dǎo)通電阻。為單電源系統(tǒng)選擇模擬開關(guān)時，盡量選擇專用于單
2011-12-16 10:47:02
帶保護(hù)功能的 Type-C USB 模擬音頻開關(guān) 概述深圳錦宏世紀(jì)科技李工：***QQ:2881671130ET7480 是一款高性能 Type-C USB 模擬切換開關(guān)，支持模擬音頻耳機(jī)
2020-03-16 17:53:24
求推薦一款導(dǎo)通電阻毫歐級別的常閉型固態(tài)繼電器，或者其他的導(dǎo)通電阻很小的也行,不想用電磁繼電器，要求就是常態(tài)下是閉合，給電才導(dǎo)通
2021-01-09 09:50:06
` （1）不同耐壓的MOS管的導(dǎo)通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導(dǎo)通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導(dǎo)通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻
2018-11-01 15:01:12
測量MOS管的導(dǎo)通電阻除了在選定開關(guān)時有用，還在哪些方面有重要的意義？
2012-05-17 10:44:16
CMOS 模擬開關(guān)對傳輸信號的影響是什么呢？如何實(shí)現(xiàn)改進(jìn)型模擬開關(guān)電路設(shè)計？
2021-04-02 07:15:27
我有2個很快的問題。1。AMUX和AMUX定序器的導(dǎo)通電阻和電容是多少？2。SAR和Delta DigMA ADC的采樣電阻和電容是多少？
2019-09-10 15:18:05
請問有人知道MOS管作為開關(guān)如何仿真在開啟與中斷狀態(tài)下，不同頻率點(diǎn)的導(dǎo)通電阻嗎？我想仿真上圖的SW在Vsw不同狀態(tài)下MOS管的導(dǎo)通電阻，用了下面的testbench 使用sp仿真，結(jié)果查看ZM的實(shí)部，但是出來的結(jié)果如下所示：結(jié)果都很小并且打開和關(guān)斷阻抗大小是相反的，請問有人知道這個是出了什么問題嗎
2021-06-25 07:59:24
現(xiàn)在設(shè)計一個電路，需要16選一的模擬開關(guān)，并且導(dǎo)通電阻要幾歐姆，太大會影響信號，請問大家有沒有這樣的模擬開關(guān)？
2019-08-22 22:52:32
和ADG54xxF）就是采用這種技術(shù)。高性能信號鏈的模擬輸入保護(hù)往往令系統(tǒng)設(shè)計人員很頭痛。 通常，需要在模擬性能（例如漏電阻和導(dǎo)通電阻）和保護(hù)水 平（可由分立器件提供）之間進(jìn)行權(quán)衡。用具有過電壓保護(hù)功能
2019-07-26 08:37:28
降低導(dǎo)通電阻，但成本的提高所付出的代價是商業(yè)品所不允許的。引入少數(shù)載流子導(dǎo)電雖能降低導(dǎo)通壓降，但付出的代價是開關(guān)速度的降低并出現(xiàn)拖尾電流，開關(guān)損耗增加，失去了MOSFET的高速的優(yōu)點(diǎn)。 以上兩種辦法
2023-02-27 11:52:38
本文介紹的是如何選擇正確的CMOS模擬開關(guān)。
2009-04-20 11:34:09
55 CMOS模擬開關(guān)的選擇與典型應(yīng)用
一、前言：早期的模擬開關(guān)大多工作于±20V 的電源電壓，導(dǎo)通電阻為幾百歐姆，主要用于模擬信號與數(shù)字控制的接口，近幾
2010-05-24 17:36:1757 低電壓，單電源，單刀單擲的高性能模擬開關(guān)指標(biāo)
2010-06-28 18:33:3023
高性能的模擬開關(guān)
2009-04-13 10:49:07456 
CMOS雙向模擬開關(guān)的電路結(jié)構(gòu)和符號
2009-07-15 19:07:512503 
高性能CMOS集成電壓比較器設(shè)計
電壓比較器是對輸入信號進(jìn)行鑒幅與比較的電路，其功能是比較一個模擬信號和另一個模擬信號(參考信號)，并以輸出比較得到的二進(jìn)制
2009-09-08 08:08:502173 
Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011090 TI具有最低導(dǎo)通電阻的全面集成型負(fù)載開關(guān)
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負(fù)載開關(guān)，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 m 標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (rON) 比同類競爭
2009-12-18 09:26:06681 TI發(fā)布具備更低導(dǎo)通電阻的集成負(fù)載開關(guān)
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負(fù)載開關(guān)，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (RON) 比同類競爭產(chǎn)品低
2009-12-21 08:45:27478 TI 推出具備最低導(dǎo)通電阻的完全整合型負(fù)載開關(guān)
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:28846 Vishay推出Bulk Metal箔電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出副基準(zhǔn)、密封充油的Bulk Metal?箔電阻 --- H和HZ系列，在精度、穩(wěn)定性和速度上都設(shè)定了新的
2010-01-09 09:44:18595 Vishay推出Bulk Metal箔電阻，在精度、穩(wěn)定性和速度上都有突破
Vishay推出副基準(zhǔn)、密封充油的Bulk Metal箔電阻——H和HZ系列，在精度、穩(wěn)定性和速度上都設(shè)定了新的行業(yè)基
2010-01-11 08:36:381176 
CMOS模擬開關(guān),CMOS模擬開關(guān)是什么意思
CMOS（本意是指互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體——一種大規(guī)模應(yīng)用于集成電路芯片制造的原料）是微機(jī)主板上的一塊可
2010-03-22 17:10:591916 導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?
傳統(tǒng)模擬開關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成，可使正負(fù)信號傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:474912 Vishay發(fā)布2010年的“Super 12”高性能產(chǎn)品
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出2010年的“Super 12”高性
2010-03-25 15:37:06660 Vishay推出Power Metal Strip分流電阻的流媒體視頻
Vishay推出為幫助客戶了解如何將Vishay Dale電阻技術(shù)用于定制產(chǎn)品，滿足特定用戶的需求，Vishay在其網(wǎng)站(
2010-05-08 16:14:23630 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢（如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:261672 1、CMOS集成模擬開關(guān)的基本原理
CMOS模擬開關(guān)具有電源電壓范圍寬（4000系列
2010-12-06 13:06:533991 
Vishay宣布，推出業(yè)界首款綠色、符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)（無任何例外）的厚膜矩形貼片電阻--- RCG e3
2011-03-24 10:36:571265 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出6款新型采用節(jié)省空間的TDFN和MSOP表面貼裝封裝的低電壓、高精度雙路單刀單擲(SPST)模擬開關(guān)--- DG721/2/3和DG2537/8/9。這些器件具
2011-10-14 09:33:08949 日前，Vishay 宣布，推出新款采用2512外形尺寸的表面貼裝Power Metal Strip?電阻--- WSLP2512，這種電阻具有高達(dá)3W的功率和0.0005Ω的極低阻值。
2012-02-07 11:43:061083 MAX4607/MAX4608/MAX4609雙模擬開關(guān)具有低導(dǎo)通電阻2.5Ω最大。交換機(jī)之間相匹配的導(dǎo)通電阻為0.5Ω最大值，超過指定的信號范圍內(nèi)是平坦的(0.5Ω最大值)。
2012-11-06 09:18:032245 
Vishay發(fā)布采用小尺寸WCSP6封裝的新款斜率控制的P溝道高邊負(fù)載開關(guān)，器件可在1.5V～5.5V電壓范圍內(nèi)工作，具有低至20m?的導(dǎo)通電阻、低靜態(tài)電流， 導(dǎo)通電壓上升斜率為3ms
2013-05-03 15:50:581090 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 今日，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出可在要求較低性能的應(yīng)用中替代薄膜電阻陣列的厚膜電阻陣列---CRAS0606、CRAS0612和CRAE0612等
2016-04-27 13:57:19860 本文概述了模擬開關(guān)的基本結(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用范圍；定義了導(dǎo)通電阻、平坦度和電荷注入等與性能密切相關(guān)的指標(biāo)；并對ESD保護(hù)、故障保護(hù)和加載-感應(yīng)功能等針對特定應(yīng)用的特性進(jìn)行了介紹。
2016-05-13 16:40:237 日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，將多個Vishay Siliconix模擬開關(guān)產(chǎn)品升級到了新工藝，大幅提升了器件性能和壽命。這種新工藝能夠替代漸趨過時的硅技術(shù)
2016-09-02 09:15:071699 全球領(lǐng)先的高性能傳感器和模擬IC供應(yīng)商艾邁斯半導(dǎo)體今天宣布推出高性能模擬低噪聲CMOS制程工藝（“A30”）。這種新型的A30制程工藝具有卓越的噪聲性能，并通過光刻工藝使體積縮小至艾邁斯半導(dǎo)體高級0.35μm高壓CMOS制程工藝系列產(chǎn)品的0.9倍。
2016-12-06 16:11:06879 消除模擬開關(guān)導(dǎo)通電阻影響電路增益的方法_張慶思
2017-01-19 21:54:151 不同于市場上其他芯片尺寸封裝（WLCSP）而成的負(fù)載開關(guān)產(chǎn)品，Silego推出的三款功能豐富的低導(dǎo)通電阻集成電源開關(guān)，集合了頂級FETIP與系統(tǒng)級保護(hù)功能。
2017-09-19 17:34:597 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列繞線噪聲抑制電阻--- NSR-HP。該電阻提高了電壓性能和可靠性，可用于往復(fù)式發(fā)動機(jī)中的汽車點(diǎn)火系統(tǒng)。
2018-01-25 10:04:078515 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款雙路單刀雙擲/四路單刀雙擲模擬開關(guān)---DG2788A。該開關(guān)在2.7V下的電阻
2018-08-03 11:45:00678 當(dāng)前VLSI 技術(shù)不斷向深亞微米及納米級發(fā)展，模擬開關(guān)是模擬電路中的一個十分重要的原件，由于其較低的導(dǎo)通電阻，極佳的開關(guān)特性以及微小封裝的特性，受到人們的廣泛關(guān)注。模擬開關(guān)導(dǎo)通電阻的大小直接影響開關(guān)的性能，低導(dǎo)通電阻不僅可以降低信號損耗而且可以提高開關(guān)速度。
2018-11-21 08:01:003775 日前，Vishay Intertechnology， Inc．宣布，推出最新系列高壓厚膜片式電阻：CRHP系列，額定功率1．5 W，工作電壓高達(dá)3000 V，從1206到2512包括五種小外形尺寸。為提高設(shè)計靈活性，Vishay Techno CRHP系列電阻有各種樣式、電極材料、配置和定制尺寸。
2019-03-04 16:18:511259 Vishay DG 增強(qiáng)模擬開關(guān) IC 具有 16V 擴(kuò)展工作電壓范圍和增強(qiáng)的漏電流限制。 DG 增強(qiáng) IC 還具有更低的開關(guān)導(dǎo)通電阻以及整體降低的功耗。 該 IC 提供增強(qiáng)的堅固性，同時具有更高
2019-08-23 09:31:322412 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有1.5?低導(dǎo)通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開關(guān)--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。
2020-01-09 15:00:141020 Vishay 提供廣泛的電阻技術(shù)，其在性能和可靠性極其重要的極端應(yīng)用和惡劣環(huán)境下具有杰出的表現(xiàn)。
2020-07-01 12:58:003168 NLAS5223是安森美公司推出的器件，是一種先進(jìn)的CMOS模擬開關(guān)。在一個小尺寸10引腳WQFN封裝中，有兩個獨(dú)立的單刀雙擲模擬開關(guān)。該模擬開關(guān)主要特點(diǎn)：工作電壓低，VCC=1.65～3.6V
2020-08-14 14:57:212362 
ADG1404：1.5CMOS導(dǎo)通電阻，±15 V/12 V/±5 V，4：1，i
2021-04-27 19:54:292 ADG1411/ADG1412/ADG1413：1.5?導(dǎo)通電阻，±15 V/+12 V/±5 V，iCMOS，四路單擲開關(guān)數(shù)據(jù)表
2021-04-29 11:02:402 ADG1436：1.5CMOS導(dǎo)通電阻，±15 V/12 V/±5 V，ICMOS雙Ω開關(guān)數(shù)據(jù)表
2021-05-19 17:39:271 Vishay Siliconix SiSS52DN器件采用 PowerPAK1212?8S 封裝，導(dǎo)通電阻低至 0.95 mΩ，優(yōu)異的 FOM 僅為 29.8?mΩ*nC Vishay 推出多功能
2021-05-28 17:25:572153 LN3052 是一款雙路單刀雙擲(SPDT)CMOS 模擬開關(guān)，適用于語音切換，移動設(shè)備等。LN3052 可在 1.8V-5.5V的電源下工作，工作帶寬為 300MHz，最低導(dǎo)通電阻為4.5Ω。
2022-06-16 11:55:224817 
原廠： 潤石科技 型號： RS2103 ? 封裝： SOT363 (SC70-6) ，SOT23-6 品類: 低導(dǎo)通電阻、低電壓、SPDT模擬開關(guān) 應(yīng)用: [可穿戴設(shè)備] [ 電池供電設(shè)備] [信號
2023-04-07 17:59:32466 本文回顧了標(biāo)準(zhǔn)CMOS模擬開關(guān)的基本結(jié)構(gòu)和通用模擬開關(guān)的一些基本參數(shù)，比如導(dǎo)通電阻(RON)、RON平坦度、泄漏、電荷注入和關(guān)斷隔離。文章討論了新型模擬開關(guān)的性能改進(jìn)：更好的開關(guān)特性、更低的工作電壓
2023-06-12 10:20:151884 
AW35321QNR是艾為電子推出的雙通道單刀雙擲模擬開關(guān)。0.5Ω（典型值）超低導(dǎo)通電阻以及只需要單電源供電即可支持負(fù)擺幅信號的特性使其非常適合應(yīng)用于音頻領(lǐng)域。
2023-10-18 09:21:40793 
在電子元件領(lǐng)域不斷創(chuàng)新的Vishay公司，近日宣布推出新系列的浪涌限流正溫度系數(shù)（PTC）熱敏電阻——Vishay BCcomponents PTCEL系列。這款新型熱敏電阻以其寬阻值范圍、高電壓處理能力和高能量吸收能力，為汽車和工業(yè)應(yīng)用中的有源充放電電路帶來了顯著的性能提升。
2024-03-12 10:34:11105
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