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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>造成TVS短路失效機(jī)理的原始什么?具體分析

造成TVS短路失效機(jī)理的原始什么?具體分析

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電子元器件的主要失效模式包括但不限于開(kāi)路、短路、燒毀、爆炸、漏電、功能失效、電參數(shù)漂移、非穩(wěn)定失效等。對(duì)于硬件工程師來(lái)講電子元器件失效是個(gè)非常麻煩的事情,比如某個(gè)半導(dǎo)體器件外表完好但實(shí)際上已經(jīng)半失效
2023-08-29 10:47:313743

什么是失效分析

失效分析是指研究產(chǎn)品潛在的或顯在的失效機(jī)理失效概率及失效的影響等,為確定產(chǎn)品的改進(jìn)措施進(jìn)行系統(tǒng)的調(diào)查研究工作,是可靠性設(shè)計(jì)的重要組成部分。失效
2009-07-03 14:33:233510

節(jié)能燈功率管失效機(jī)理分析

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2009-07-29 12:20:19824

什么是電阻器的失效模式?失效機(jī)理深度分析必看

失效模式:各種失效的現(xiàn)象及其表現(xiàn)的形式。失效機(jī)理:是導(dǎo)致失效的物理、化學(xué)、熱力學(xué)或其他過(guò)程。1、電阻器的主要
2017-10-11 06:11:0012633

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RLC諧振電路,分為RLC 電路的串聯(lián)諧振和并聯(lián)諧振,下面主要從這兩種諧振電路形式來(lái)具體分析
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集成電路為什么要做失效分析失效分析流程?

失效分析(FA)是根據(jù)失效模式和現(xiàn)象,通過(guò)分析和驗(yàn)證,模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象,找出失效的原因,挖掘出失效機(jī)理的活動(dòng)。
2023-09-06 10:28:051332

失效分析與檢測(cè)技術(shù)

`失效分析與檢測(cè)技術(shù) 隨著人們對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性要求的不斷提高,失效分析工作也越來(lái)越凸顯其重要的地位,通過(guò)對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行失效分析,我們可以找出失效機(jī)理進(jìn)而策劃提高產(chǎn)品成品率和可靠性的方案。 而采取
2017-12-01 09:17:03

失效分析分類有哪些?

完整性、品種、規(guī)格等方面)來(lái)劃分材料失效的類型。對(duì)機(jī)械產(chǎn)品可按照其相應(yīng)規(guī)定功能來(lái)分類。   2.2 按材料損傷機(jī)理分類   根據(jù)機(jī)械失效過(guò)程中材料發(fā)生變化的物理、化學(xué)的本質(zhì)機(jī)理不同和過(guò)程特征差異
2011-11-29 16:46:42

失效分析常用的設(shè)備及功能

分析委托方發(fā)現(xiàn)失效元器件,會(huì)對(duì)失效樣品進(jìn)行初步電測(cè)判斷,再次會(huì)使用良品替換確認(rèn)故障。如有可能要與發(fā)現(xiàn)失效的人員進(jìn)行交流,詳細(xì)了解原始數(shù)據(jù),這是開(kāi)展失效分析工作關(guān)鍵一步。確認(rèn)其失效機(jī)理失效機(jī)理是指失效
2020-08-07 15:34:07

失效分析的重要性

的不匹配或設(shè)計(jì)與操作中的不當(dāng)?shù)葐?wèn)題。失效分析的意義主要表現(xiàn)具體來(lái)說(shuō),失效分析的意義主要表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面: 失效分析是確定芯片失效機(jī)理的必要手段。 失效分析為有效的故障診斷提供了必要的信息。 失效分析
2016-05-04 15:39:25

IC失效分析培訓(xùn).ppt

`v失效:產(chǎn)品失去規(guī)定的功能。v失效分析:為確定和分析失效器件的失效模式,失效機(jī)理失效原因和失效性質(zhì)而對(duì)產(chǎn)品所做的分析和檢查。v失效模式:失效的表現(xiàn)形式。v失效機(jī)理:導(dǎo)致器件失效的物理,化學(xué)變化
2011-11-29 17:13:46

IC智能卡失效機(jī)理研究

丟失、數(shù)據(jù)寫(xiě)入出錯(cuò)、亂碼、全“0”全“F”等諸多失效問(wèn)題,嚴(yán)重影響了IC卡的廣泛應(yīng)用。因此,有必要結(jié)合IC卡的制作工藝及使用環(huán)境對(duì)失效的IC卡進(jìn)行分析,深入研究其失效模式及失效機(jī)理,探索引起失效
2018-11-05 15:57:30

IGBT失效的原因與IGBT保護(hù)方法分析

和發(fā)射極的過(guò)壓/過(guò)流和柵極的過(guò)壓/過(guò)流引起。  IGBT失效機(jī)理:IGBT由于上述原因發(fā)生短路,將產(chǎn)生很大的瞬態(tài)電流——在關(guān)斷時(shí)電流變化率di/dt過(guò)大。漏感及引線電感的存在,將導(dǎo)致IGBT集電極
2020-09-29 17:08:58

IGBT傳統(tǒng)防失效機(jī)理是什么?

IGBT傳統(tǒng)防失效機(jī)理是什么IGBT失效防護(hù)電路
2021-03-29 07:17:06

IGBT的失效機(jī)理

IGBT的失效機(jī)理  半導(dǎo)體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進(jìn)行換效分析也是十分困難和復(fù)雜的。其中失效的主要原因之一是超出安全工作區(qū)(Safe Operating Area簡(jiǎn)稱SOA
2017-03-16 21:43:31

JFET短路失效

JFET短路失效是什么原因
2017-09-05 09:58:04

LED電極的失效機(jī)理-實(shí)例分享

`對(duì)于LED產(chǎn)品在可靠性的視角來(lái)看,光輸出功率以及電性能隨著時(shí)間的推移逐漸退化[1-3] 為了滿足客戶對(duì)產(chǎn)品可靠性的要求,研究失效機(jī)理顯得尤為重要。 前些年有些科研人員針對(duì)負(fù)電極脫落開(kāi)展失效分析工作
2017-12-07 09:17:32

LED芯片失效分析

分析對(duì)象的背景,確認(rèn)失效現(xiàn)象,接著制定LED失效分析方案,研究LED失效原因與機(jī)理,最后提出后續(xù)預(yù)防與改進(jìn)措施。 金鑒實(shí)驗(yàn)室綜合數(shù)千個(gè)失效分析案例,將LED芯片失效原因歸納為以下幾類: 1.封裝
2020-10-22 09:40:09

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2020-10-22 15:06:06

MOSFET的失效機(jī)理 —總結(jié)—

。什么是雪崩失效本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí),會(huì)造成擊穿并引發(fā)雪崩擊穿。?發(fā)生雪崩擊穿時(shí),會(huì)流過(guò)大電流,存在MOSFET失效的危險(xiǎn)。?雪崩失效包括短路造成失效
2022-07-26 18:06:41

PCB/PCBA失效分析

及PCBA的失效現(xiàn)象進(jìn)行失效分析,通過(guò)一系列分析驗(yàn)證,找出失效原因,挖掘失效機(jī)理,對(duì)提高產(chǎn)品質(zhì)量,改進(jìn)生產(chǎn)工藝,仲裁失效事故有重要意義。2、服務(wù)對(duì)象印制電路板及組件(PCB&PCBA)生產(chǎn)商:確認(rèn)
2020-02-25 16:04:42

SMT焊點(diǎn)的主要失效機(jī)理

`請(qǐng)問(wèn)SMT焊點(diǎn)的主要失效機(jī)理有哪些?`
2019-12-24 14:51:21

 淺析TVS短路失效的主要因素

電場(chǎng)強(qiáng)度大于體內(nèi)pn結(jié)邊緣部分在比額定擊穿電壓低的電壓下便達(dá)到臨界電場(chǎng)而發(fā)生載流子倍增效應(yīng),造成pn結(jié)邊緣電流集中,功率密度過(guò)大,溫度過(guò)高而燒毀。  4、芯片裂紋  芯片裂紋是引起TVS短路失效的一
2018-10-18 18:08:30

【轉(zhuǎn)帖】常用的電子元器件失效機(jī)理與故障分析

失效和參數(shù)漂移失效。現(xiàn)場(chǎng)使用統(tǒng)計(jì)表明,電阻器失效的85%~90%屬于致命失效,如斷路、機(jī)械損傷、接觸損壞、短路、絕緣、擊穿等,只有1 0%左右的是由阻值漂移導(dǎo)致失效。電阻器電位器失效機(jī)理視類型不同而
2018-01-03 13:25:47

什么是失效分析失效分析原理是什么?

次的失效原因即是下一層次的失效現(xiàn)象。越是低層次的失效現(xiàn)象,就越是本質(zhì)的失效原因。基本概念  1.1 失效失效分析   產(chǎn)品喪失規(guī)定的功能稱為失效。   判斷失效的模式,查找失效原因和機(jī)理,提出預(yù)防再失效
2011-11-29 16:39:42

元器件失效分析方法

模式和失效機(jī)理的重復(fù)出現(xiàn)。3、失效模式是指觀察到的失效現(xiàn)象、失效形式,如開(kāi)路、短路、參數(shù)漂移、功能失效等。4、失效機(jī)理是指失效的物理化學(xué)過(guò)程,如疲勞、腐蝕和過(guò)應(yīng)力等。失效分析的一般程序1、收集現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)2
2016-12-09 16:07:04

元器件失效了怎么分析? 如何找到失效原因?

模式是指觀察到的失效現(xiàn)象、失效形式,如開(kāi)路、短路、參數(shù)漂移、功能失效等。4、失效機(jī)理是指失效的物理化學(xué)過(guò)程,如疲勞、腐蝕和過(guò)應(yīng)力等。失效分析的一般程序收集現(xiàn)場(chǎng)場(chǎng)數(shù)據(jù)。電測(cè)并確定失效模式。非破壞檢查。打開(kāi)
2016-10-26 16:26:27

關(guān)于封裝的失效機(jī)理你知道多少?

模型法和數(shù)值參數(shù)法。對(duì)于更復(fù)雜的缺陷和失效機(jī)理,常常采用試差法確定關(guān)鍵的影響因素,但是這個(gè)方法需要較長(zhǎng)的試驗(yàn)時(shí)間和設(shè)備修正,效率低、花費(fèi)高。在分析失效機(jī)理的過(guò)程中,采用魚(yú)骨圖(因果圖)展示影響因素是行業(yè)
2021-11-19 06:30:00

常用的電子元器件失效機(jī)理與故障分析

電子元器件在使用過(guò)程中,常常會(huì)出現(xiàn)失效和故障,從而影響設(shè)備的正常工作。文本分析了常見(jiàn)元器件的失效原因和常見(jiàn)故障。 電子設(shè)備中絕大部分故障最終都是由于電子元器件故障引起的。如果熟悉了元器件的故障類型
2018-01-02 14:40:37

常用的電子元器件失效機(jī)理與故障分析

失效機(jī)理與產(chǎn)品的類型、材料的種類、結(jié)構(gòu)的差異、制造工藝及環(huán)境條件、工作應(yīng)力等諸因素等有密切關(guān)系。 電容器出現(xiàn)擊穿故障非常容易發(fā)現(xiàn),但對(duì)于有多個(gè)元件并聯(lián)的情況,要確定具體的故障元件卻較為困難。電容器開(kāi)路
2018-01-05 14:46:57

引起其漏源電流IDS退化的主要失效機(jī)理是什么?

本文采用恒定溫度應(yīng)力加速壽命試驗(yàn)對(duì)功率VDMOS的可靠性進(jìn)行了研究,得到較為完整的可靠性數(shù)據(jù),并分析得到引起其漏源電流IDS退化的主要失效機(jī)理是柵極擊穿,從而為功率VDMOS類型器件的加工制造及應(yīng)用等方面提供有價(jià)值的數(shù)據(jù)。
2021-04-14 06:37:09

怎樣進(jìn)行芯片失效分析

的不匹配或設(shè)計(jì)與操作中的不當(dāng)?shù)葐?wèn)題。失效分析的意義主要表現(xiàn)具體來(lái)說(shuō),失效分析的意義主要表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面: 失效分析是確定芯片失效機(jī)理的必要手段。 失效分析為有效的故障診斷提供了必要的信息。 失效分析
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2013-01-07 17:20:41

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有人能幫我具體分析一下下面這段PID算法嗎,特別是第6和第7行,各位大神幫幫忙啊,謝謝了!01//**********PID算法******02long int ID(int setpoint
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2013-06-24 17:04:20

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2018-02-26 13:21:51

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2018-05-09 10:19:35

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2018-07-16 15:55:09

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節(jié)能燈功率管的失效機(jī)理分析 節(jié)能燈作為一種環(huán)保型的電源,在全世界得到了廣泛的應(yīng)用,國(guó)內(nèi)節(jié)能燈的生產(chǎn)
2009-05-13 15:25:19677

從安全工作區(qū)探討IGBT的失效機(jī)理

從安全工作區(qū)探討IGBT的失效機(jī)理  1、? 引言   半導(dǎo)體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進(jìn)行換效分析也是十分困難和復(fù)雜的。其中失效的主要原因之
2010-02-22 09:32:422665

失效分析基礎(chǔ)學(xué)習(xí)

判斷失效的模式, 查找失效原因和機(jī)理, 提出預(yù)防再失效的對(duì)策的技術(shù)活動(dòng)和管理活動(dòng)稱為失效分析
2012-03-15 14:21:36121

高壓IGBT關(guān)斷狀態(tài)失效機(jī)理研究

高壓IGBT關(guān)斷狀態(tài)失效機(jī)理研究,IGBT原理,PT,NPT,Planar IGBT, Trench IGBT
2016-05-16 18:04:330

大功率白光LED的可靠性研究及失效機(jī)理分析

大功率白光LED的可靠性研究及失效機(jī)理分析
2017-02-07 21:04:011

電動(dòng)觀光車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)失效模式與機(jī)理分析

電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)失效模式分類 根據(jù)失效原因、性質(zhì)、機(jī)理、程度、產(chǎn)生的速度、發(fā)生的時(shí)間以及失效產(chǎn)生的后果,可將失效進(jìn)行不同的分類。電動(dòng)觀光車常見(jiàn)的失效模式可以分為:損壞型、退化型、松脫型、失調(diào)
2017-03-09 01:43:231760

芯片失效分析的意義介紹

的不匹配或設(shè)計(jì)與操作中的不當(dāng)?shù)葐?wèn)題。 具體來(lái)說(shuō),失效分析的意義主要表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面: 1. 失效分析是確定芯片失效機(jī)理的必要手段; 2. 失效分析為有效的故障診斷提供了必要的信息; 3. 失效分析為設(shè)計(jì)工程師不斷改進(jìn)或者修
2017-09-27 14:44:4215

元器件長(zhǎng)期儲(chǔ)存的失效模式和失效機(jī)理

元器件長(zhǎng)期儲(chǔ)存的失效模式和失效機(jī)理
2017-10-17 13:37:3420

元器件的長(zhǎng)期儲(chǔ)存的失效模式和失效機(jī)理

元器件的長(zhǎng)期儲(chǔ)存的失效模式和失效機(jī)理
2017-10-19 08:37:3432

IGBT安全工作區(qū)的物理概念和超安全工作區(qū)工作的失效機(jī)理

摘要:本文闡述了各安全工作區(qū)的物理概念和超安全工作區(qū)工作的失效機(jī)理。討論了短路持續(xù)時(shí)間Tsc和柵壓Vg、集電極發(fā)射極導(dǎo)通電壓Vce(on)及短路電流Isc的關(guān)系。 關(guān)鍵詞:安全工作區(qū) 失效機(jī)理 短路
2017-12-03 19:17:492531

了解電子元器件失效機(jī)理、模式以及分析技術(shù)等

對(duì)電子元器件的失效分析技術(shù)進(jìn)行研究并加以總結(jié)。方法 通過(guò)對(duì)電信器類、電阻器類等電子元器件的失效原因、失效機(jī)理等故障現(xiàn)象進(jìn)行分析
2018-01-30 11:33:4110912

電容失效模式和失效機(jī)理

電容器的常見(jiàn)失效模式有:――擊穿短路;致命失效――開(kāi)路;致命失效――電參數(shù)變化(包括電容量超差、損耗角正切值增大、絕緣性能下降或漏電流上升等;部分功能失效――漏液;部分功能失效――引線腐蝕或斷裂;致命失效――絕緣子破裂;致命失效――絕緣子表面飛弧;
2018-03-15 11:00:1026174

MEMS慣性器件典型失效模式及失效機(jī)理研究

本文通過(guò)大量的歷史資料調(diào)研和失效信息收集等方法,針對(duì)不同環(huán)境應(yīng)力條件下的MEMS慣性器件典型失效模式及失效機(jī)理進(jìn)行了深入探討和分析
2018-05-21 16:23:456951

變壓器線圈常見(jiàn)三種失效機(jī)理介紹

本文主要對(duì)變壓器線圈常見(jiàn)的三種失效機(jī)理進(jìn)行了介紹,另外還對(duì)電感和變壓器類失效機(jī)理與故障進(jìn)行了分析
2018-05-31 14:41:529637

匯總常見(jiàn)的電容器失效原理與電感失效分析 電阻失效分析

或者全失效會(huì)在硬件電路調(diào)試上花費(fèi)大把的時(shí)間,有時(shí)甚至炸機(jī)。今天主要說(shuō)的是電容器,電阻器和電感。 電容器失效模式與機(jī)理 電容器的常見(jiàn)失效模式有:擊穿短路;致命失效開(kāi)路;致命失效電參數(shù)變化(包括電容量超差、損耗
2018-06-07 15:18:137239

常見(jiàn)的電子元器件的失效機(jī)理及其分析

電子元器件的主要失效模式包括但不限于開(kāi)路、短路、燒毀、爆炸、漏電、功能失效、電參數(shù)漂移、非穩(wěn)定失效等。對(duì)于硬件工程師來(lái)講電子元器件失效是個(gè)非常麻煩的事情,比如某個(gè)半導(dǎo)體器件外表完好但實(shí)際上已經(jīng)半失效
2020-06-29 11:15:216642

LED的失效機(jī)理分析

隨著LED產(chǎn)品制造技術(shù)的逐漸成熟,成本越來(lái)越低,性價(jià)比越來(lái)越高。目前小功率LED產(chǎn)品在大屏幕戶外顯示等商用領(lǐng)域有很大的應(yīng)用范圍,如何增加使用壽命,減少維護(hù)成本也是業(yè)界關(guān)注的要點(diǎn)所在。解決高成本問(wèn)題的一個(gè)積極態(tài)度,就是要分析失效機(jī)理,彌補(bǔ)技術(shù)缺陷,以提高LED產(chǎn)品的可靠性,提高LED的性價(jià)比。
2020-06-14 09:07:461111

零線與地線短路會(huì)跳閘嗎

零線與地線短路會(huì)不會(huì)跳閘的問(wèn)題,這個(gè)要看具體情況具體分析,下面我給你做詳細(xì)講解。
2020-08-22 10:08:3529120

2mmHM連接器短路失效分析

2mmHM連接器短路失效分析說(shuō)明。
2021-04-19 09:43:332

貼片電阻開(kāi)路失效分析

下圖為貼片電阻結(jié)構(gòu)圖: 失效背景:電阻開(kāi)路 問(wèn)題分析:從失效樣品圖片來(lái)看,電阻本體沒(méi)有電應(yīng)力和結(jié)構(gòu)損傷。如果沒(méi)有電應(yīng)力和結(jié)構(gòu)損傷,一般是由于電極開(kāi)路造成失效,確定好失效模式和機(jī)理就可以針對(duì)性進(jìn)行
2021-12-11 10:11:592702

電容失效模式和失效機(jī)理分析

電容器的常見(jiàn)失效模式有: ――擊穿短路;致命失效 ――開(kāi)路;致命失效 ――電參數(shù)變化(包括電容量超差、損耗角正切值增大、絕緣性能下降或漏電流上升等;部分功能失效 ――漏液;部分功能失效 ――引線腐蝕
2021-12-11 10:13:532688

通過(guò)分析失效器件來(lái)推斷失效環(huán)境

在浪涌和靜電的過(guò)壓防護(hù)中,使用TVS管已經(jīng)是一個(gè)非常普遍的解決方式,有時(shí)候在前期測(cè)試沒(méi)有什么問(wèn)題,但是在實(shí)際使用中會(huì)因?yàn)閭€(gè)別TVS失效導(dǎo)致產(chǎn)品異常的情況。這個(gè)問(wèn)題如果只是去模擬失效環(huán)境來(lái)驗(yàn)證,問(wèn)題復(fù)現(xiàn)概率極低,此時(shí)我們可以通過(guò)分析失效器件來(lái)推斷失效環(huán)境。
2022-01-04 14:10:261329

電阻器常見(jiàn)的失效模式與失效機(jī)理

失效模式:各種失效的現(xiàn)象及其表現(xiàn)的形式。 失效機(jī)理:是導(dǎo)致失效的物理、化學(xué)、熱力學(xué)或其他過(guò)程。
2022-02-10 09:49:0618

PCB可靠性問(wèn)題失效分析思路

一個(gè)環(huán)節(jié)稍有疏忽,都有可能造成“冤假錯(cuò)案”。 可靠性問(wèn)題的一般分析思路 背景信息收集 背景信息是可靠性問(wèn)題失效分析的基礎(chǔ),直接影響后續(xù)所有失效分析的走向,并對(duì)最終的機(jī)理判定產(chǎn)生決定性影響。因此,失效分析之前...
2022-02-11 15:19:0126

MOSFET的失效機(jī)理

MOSFET的失效機(jī)理 本文的關(guān)鍵要點(diǎn) ?SOA是“Safety Operation Area”的縮寫(xiě),意為“安全工作區(qū)”。 ?需要在SOA范圍內(nèi)使用MOSFET等產(chǎn)品。 ?有五個(gè)SOA的制約要素
2022-03-19 11:10:072544

貼片陶瓷電容失效事件分析--PCB應(yīng)力應(yīng)變分析

一起貼片陶瓷電容失效事件,失效模式為短路,電容表面有裂紋,對(duì)于這顆電容進(jìn)行分析失效,經(jīng)過(guò)梳理,造成器件(MLCC)的失效各種可能性。
2022-09-08 15:17:193986

TVS失效模式和失效機(jī)理

的情況。通過(guò)對(duì) TVS 篩選和使用短路失效樣品進(jìn)行解剖觀察獲得其失效部位的微觀形貌特征.結(jié)合器件結(jié)構(gòu)、材料、制造工藝、工作原理、篩選或使用時(shí)所受的應(yīng)力等。采用理論分析和試驗(yàn)證明等方法分析導(dǎo)致7rvS 器件
2022-10-11 10:05:014603

常用的芯片失效分析方法

失效分析是根據(jù)失效模式和現(xiàn)象,通過(guò)分析和驗(yàn)證,模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象,找出失效的原因,挖掘出失效機(jī)理的活動(dòng)。失效分析是確定芯片失效機(jī)理的必要手段。失效分析為有效的故障診斷提供了必要的信息。失效分析
2022-10-12 11:08:484175

MOSFET的失效機(jī)理:什么是dV/dt失效

MOSFET的失效機(jī)理本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過(guò)基極電阻RB,使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。
2023-02-13 09:30:08829

引發(fā)TVS短路失效的內(nèi)在質(zhì)量因素和失效機(jī)理

介紹了TVS瞬態(tài)抑制二極管的組成結(jié)構(gòu),失效機(jī)理和質(zhì)量因素,希望對(duì)你們有所幫助。
2023-03-16 14:53:571

MOSFET的失效機(jī)理

MOSFET等開(kāi)關(guān)器件可能會(huì)受各種因素影響而失效。因此,不僅要準(zhǔn)確了解產(chǎn)品的額定值和工作條件,還要全面考慮電路工作中的各種導(dǎo)致失效的因素。本系列文章將介紹MOSFET常見(jiàn)的失效機(jī)理
2023-03-20 09:31:07638

防止VBUS誤觸至CC和SBU造成端口失效TVS防護(hù)方案

防止VBUS誤觸至CC and SBU造成端口失效TVS防護(hù)方案
2023-04-17 09:49:121290

壓接型與焊接式IGBT的失效模式與失效機(jī)理

失效率是可靠性最重要的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn),所以研究IGBT的失效模式和機(jī)理對(duì)提高IGBT的可靠性有指導(dǎo)作用。
2023-04-20 10:27:041119

TVS二極管失效機(jī)理失效分析

。 通過(guò)對(duì)TVS篩選和使用短路失效樣品進(jìn)行解剖觀察獲得其失效部位的微觀形貌特征.結(jié)合器件結(jié)構(gòu)、材料、制造工藝、工作原理、篩選或使用時(shí)所受的應(yīng)力等。采用理論分析和試驗(yàn)證明等方法分析導(dǎo)致7rvS器件短路失效的原因。
2023-05-12 17:25:483682

造成TVS二極管短路失效的四大原因

TVS二極管一旦發(fā)生短路失效,釋放出的高能量常常會(huì)將保護(hù)的電子設(shè)備損壞.這時(shí)TVS二極管生產(chǎn)廠家和使用方都想極力減少或避免的情況。下面臺(tái)灣佰鴻一級(jí)代理商鑫環(huán)電子通過(guò)對(duì)TVS二極管篩選和使用短路失效
2022-05-09 11:32:142907

集成電路封裝失效分析流程

為了防止在失效分析過(guò)程中丟失封裝失效證據(jù)或因不當(dāng)順序引人新的人為的失效機(jī)理,封裝失效分析應(yīng)按一定的流程進(jìn)行。
2023-06-25 09:02:30315

半導(dǎo)體器件鍵合失效模式及機(jī)理分析

本文通過(guò)對(duì)典型案例的介紹,分析了鍵合工藝不當(dāng),以及器件封裝因素對(duì)器件鍵合失效造成的影響。通過(guò)對(duì)鍵合工藝參數(shù)以及封裝環(huán)境因素影響的分析,以及對(duì)各種失效模式總結(jié),闡述了鍵合工藝不當(dāng)及封裝不良,造成鍵合本質(zhì)失效機(jī)理;并提出了控制有缺陷器件裝機(jī)使用的措施。
2023-07-26 11:23:15932

電阻失效發(fā)生的機(jī)理是什么 引起電阻失效的原因有哪些

電阻膜腐蝕造成電阻失效的發(fā)生機(jī)理為:外部水汽通過(guò)表面樹(shù)脂保護(hù)層浸入到電阻膜層,在內(nèi)部電場(chǎng)作用下,發(fā)生水解反應(yīng)。電阻膜表面殘留的K離子、Na離子極易溶于水,加速了電阻膜的水解反應(yīng),致使電阻膜腐蝕失效
2023-08-18 11:41:371102

肖特基二極管失效機(jī)理

肖特基二極管失效機(jī)理? 肖特基二極管(Schottky Barrier Diode, SBD)作為一種快速開(kāi)關(guān)元件,在電子設(shè)備中得到了廣泛的應(yīng)用。但是,隨著SBD所承受的工作壓力和工作溫度不斷升高
2023-08-29 16:35:08971

保護(hù)器件過(guò)電應(yīng)力失效機(jī)理失效現(xiàn)象淺析

保護(hù)器件過(guò)電應(yīng)力失效機(jī)理失效現(xiàn)象淺析
2023-12-14 17:06:45267

IGBT的失效模式與失效機(jī)理分析探討及功率模塊技術(shù)現(xiàn)狀未來(lái)展望

壓接型IGBT器件與焊接式IGBT模塊封裝形式的差異最終導(dǎo)致兩種IGBT器件的失效形式和失效機(jī)理的不同,如表1所示。本文針對(duì)兩種不同封裝形式IGBT器件的主要失效形式和失效機(jī)理進(jìn)行分析。1.焊接式IGBT模塊封裝材料的性能是決定模塊性能的基礎(chǔ),尤其是封裝
2023-11-23 08:10:07724

防止VBUS誤觸至CC and SBU造成端口失效TVS防護(hù)方案

防止VBUS誤觸至CC and SBU造成端口失效TVS防護(hù)方案
2023-11-28 14:15:43226

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