8050晶體管是一種小型設備，用于引導便攜式無線電中的電流。數字“8050”基本上表示尺寸和特定輸出額定值。工程師和電子專家通常會給晶體管起數字名稱，以便更容易識別和區分它們。具有8050
2023-02-16 18:22:30
晶體管，門電路，鎖存器，觸發器的理解
2021-01-12 07:55:02
fT：增益帶寬積、截止頻率fT：增益帶寬積指晶體管能夠動作的極限頻率。所謂極限，即基極電流對集電極電流的比為1（即hFE=1）的情況。提高基極輸入頻率，hFE變低。這時，hFE為1時的頻率叫做fT（增益
2019-04-09 21:27:24
是，最大輸出電流時產生0.2 V壓降。功率場效應管可以無需任何外接元件而直接并聯，因為其漏極電流具有負溫度系數。
1、晶體管的Vbe擴散現象是什么原理，在此基礎上為什么要加電阻？
2、場效應管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點的相關概念有點模糊，請各位大俠指點！！！
2016-06-07 23:27:44
晶體管交直流參數對電路設計的影響是什么？
2021-04-23 06:25:38
）晶體管和陶瓷封裝晶體管等。其封裝外形多種多樣。 按功能和用途分類 晶體管按功能和用途可分為低噪聲放大晶體管、中高頻放大晶體管、低頻放大晶體管、開關晶體管、達林頓晶體管、高反壓晶體管、帶阻晶體管、帶
2010-08-12 13:59:33
統通過VCCS輸入，取平均等技術獲得較理想的測試結果。目前能夠完成三極管輸入、輸出特性曲線、放大倍數、開啟電壓等參數以及二極管一些參數的測定，并能測試比較溫度對這些參數的影響。系統具有通用的RS232 接口和打印機接口，可以方便的將結果打印、顯示。關鍵詞AduC812壓控流源晶體管參數
2012-08-02 23:57:09
晶體管發射極結間的正向壓差越大電流是越小吧
2016-01-19 22:27:49
電路為電流放大倍數hFE=200的晶體管開關電路，試計算當5V的電壓連接著100Ω的電阻加載到集電極（晶體管處于飽和狀態）時的基極電流IB。這里，基極電流的富裕度為5倍。答案在原文章中。
2017-03-28 15:54:24
` 《晶體管電路設計（下）》是“實用電子電路設計叢書”之一，共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管／FET電路設計技術的基礎知識和基本實驗，內容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器
2019-03-06 17:29:48
晶體管圖示儀器是用來測量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實驗、教學和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實際特性，能更好的發揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
,晶體管射隨器就是一種達到上述功能的緩沖電路。 晶體管射隨電路實際上是晶體管共發電路,它是晶體三極管三大電路形式之一(共基電路、共集電路、共發電路),它的電路
2009-09-17 08:33:13
晶體管開關電路 回顧四種常用晶體管開關電路（2種NMOS，2種PMOS）一文中，1.2和2.2節所述NMOS和PMOS兩種低使能開關電路，如圖： 三，存儲器編程開發環境 以NMOS開關電路為例
2016-08-30 04:32:10
1．反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量晶體管發射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數？有的器件有放大倍數改變的參數。另外，不同的仿真模型參數不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
；頻率特性和通頻帶。難點：靜態工作點調整。[理論內容]一、電路工作原理及基本關系式1、工作原理晶體管放大器中廣泛應用如圖1所示的電路，稱之為阻容耦合共射極放大器。它采用的是分壓式電流負反饋偏置電路
2009-03-20 10:02:58
供應晶圓芯片，型號有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達林頓晶體管，高頻小信號晶體管，開關二極管，肖特基二極管，穩壓二極管等。有意都請聯系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
? 01晶體管測量模塊在 淘寶購買到的晶體管測試顯示模塊 （￥：67.0）剛剛到貨。▲ 剛剛到貨的集體管測試線是模塊1.基本特性采用2015 V1.12版軟件。采用12864點陣液晶屏，顯示內容更加
2021-07-13 08:30:42
`非常不錯的晶體管電路設計書籍！`
2016-11-08 14:12:33
《晶體管電路設計與制作》是“圖解實用電子技術叢書”之一。本書首先對各種模擬電路的設計和制作進行詳細敘述；然后利用可在微機上使用的模擬器“SPICE”對設計的結果進行模擬。《晶體管電路設計與制作》中介
2018-01-15 12:46:03
晶體管電路設計叢書上冊晶體管電路設計(pdf電子書下載):是“實用電子電路設計叢書”之一，共分上下二冊。本書作為上冊主要內容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設計與應用，射極跟隨器的性能與應用電
2009-11-20 09:41:18
，故穩定性較好。由于硅管ICEO很小，故一般已不作為主要參數。(6) 集電極反向電流ICBOICBO是指晶體管發射極開路時的集電極反向電流。晶體管的ICEO約為ICBO的β倍，故ICEO要明顯大于ICBO。(7) 特征頻率FT FT越高，晶體管的高頻性能越好，也就是可工作的頻率越高。
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數有哪些？晶體管的開關電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
（電阻器）組成。構成晶體管的硅是形成地球的巖石中大量含有的物質。因此，晶體管也俗稱"石"，設計者常用"…之石"的叫法3. 按集成度分類為滿足客戶需求，ROHM在分立式
2019-04-10 06:20:24
本文為大家介紹“Si晶體管”（之所以前面加個Si,是因為還有其他的晶體管，例如SiC）。 雖然統稱為“Si晶體管”，但根據制造工藝和結構，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據處理
2020-06-09 07:34:33
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統稱為“Si晶體管”，不過根據制造工藝和結構，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據處理的電流、電壓和應用進行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
間電壓 (VBE) 成比例的電流 (IB) 的hFE※1 倍的電流 (IC) 流經集電極。這一集電極電流IC流經電阻RL，從而IC×RL的電壓反映在電阻RL兩端。最終，輸入電壓e被轉換（增幅）成ICRL電壓反映在輸出。※1：hFE晶體管的直流電流增幅率。
2019-07-23 00:07:18
晶體管，稱之為“非集中保護” (和集中保護對照)。集成驅動電路的功能包括：(1)開通和關斷功率開關；(2)監控輔助電源電壓；(3)限制最大和最小脈沖寬度；(4)熱保護；(5)監控開關的飽和壓降。
2018-10-25 16:01:51
間電壓 (VBE) 成比例的電流 (IB) 的hFE※1 倍的電流 (IC) 流經集電極。這一集電極電流IC流經電阻RL，從而IC×RL的電壓反映在電阻RL兩端。最終，輸入電壓e被轉換（增幅）成ICRL電壓反映在輸出。※1：hFE晶體管的直流電流增幅率。
2019-05-05 00:52:40
1．晶體管的結構晶體管內部由兩PN結構成，其三個電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個PN結分別稱為集電結（C、B極
2013-08-17 14:24:32
彩色電視機中使用的行輸出管屬于高反壓大功率晶體管，其最高反向電壓應大于或等于1200V，耗散功率應大于或等于50W，最大集電極電流應大于或等于3.5A（大屏幕彩色電視機行輸出管的耗散功率應大于或等于60W
2012-01-28 11:27:38
可見，隨著基極電流的增加，集電極電流以基極電流的β倍同步增加。此時，串于集電極回路的電阻Rc上的壓降，也就隨著Ic增大而增大。因晶體管的集電極電位Vce=電源電壓減去集電極Rc上的壓降，即Vce=Vc
2012-02-13 01:14:04
1. 晶體管的結構及類型 晶體管有雙極型和單極型兩種，通常把雙極型晶體管簡稱為晶體管，而單極型晶體管簡稱為場效應管。 晶體管是半導體器件，它由摻雜類型和濃度不同的三個區（發射區、基區和集電區
2021-05-13 06:43:22
fT：增益帶寬積、截止頻率fT：增益帶寬積指晶體管能夠動作的極限頻率。所謂極限，即基極電流對集電極電流的比為1（即hFE=1）的情況。提高基極輸入頻率，hFE變低。這時，hFE為1時的頻率叫做fT（增益
2019-05-09 23:12:18
從事家電維修的朋友總少不了有一臺晶體管耐壓測試器，用來檢查晶體管的反壓（耐壓）值、穩壓管的穩壓值，甚至電容的漏電流、電機繞組的絕緣電阻大小等等。
2021-05-07 06:21:48
;nbsp; 晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為
2010-08-12 13:57:39
【不懂就問】圖中的晶體管驅動電路，在變壓器Tr的副邊輸出電阻R3上并聯的二極管D2，說D2的作用是在輸入端有正脈沖輸入時使得變壓器次級產生的的正脈沖通過D2，直接驅動MOSFET管Q2，達到提高導
2018-07-09 10:27:34
AM81214-030晶體管產品介紹AM81214-030報價AM81214-030代理AM81214-030咨詢熱線AM81214-030現貨,王先生深圳市首質誠科技有限公司ASI為UHF，航空
2018-07-17 15:08:03
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類為功率
2019-05-06 05:00:17
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當我設的電壓已經大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導通。
2014-08-08 10:42:58
變化的β倍， 也就是說，電流變化放大了β倍，所以我們稱之為β晶體管的放大倍率（β一般遠大于1）。如果我們在基極和發射極之間增加一個變化的小信號，它會導致基極電流Ib的變化。Ib的變化被放大后，會導致
2023-02-08 15:19:23
發射極流向集電極。摻雜半導體可以在晶體管的三個不同部分中找到。一側有一個發射器，另一側有一個收集器。術語“基地”是指中心區域。晶體管的三個組件將在下面詳細介紹。PNP 晶體管結構發射發射器有責任向接收器
2023-02-03 09:44:48
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
。晶體管作為一種可變開關，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關，和一般機械開關（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關速度可以非常之快，在實驗室中
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
路，包括矩形波振蕩器，射極跟隨器，寬帶放大器，電子電位器，OP放大器，帶自舉電路的射極跟隨器，Sallen-Key型低通濾波器，帶隙型穩壓電路，三角波→正弦波變換器，低失真系數振蕩器，移相器，串聯調節器，斬波放大器等。 點擊鏈接進入舊版 ：晶體管電路設計與制作
2020-08-19 18:24:17
上使用的模擬器“SPICE”對設計的結果進行模擬。《晶體管電路設計與制作》中介紹了各種電路印制電路板的實際制作，以及電路特性的測量，并對電路的工作機制進行了驗證。《晶體管電路設計與制作》分為兩部分。第一部分介紹單
2021-01-05 22:38:36
`內容簡介：《晶體管電路設計》(上)是“實用電子電路設計叢書”之一，共分上下二冊。《晶體管電路設計》(上)作為上冊主要內容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設計與應用，射極跟隨器的性能與應用電
2017-07-25 15:29:55
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶體管是通常用于放大器或電控開關的半導體器件。晶體管是調節計算機、移動電話和所有其他現代電子電路運行的基本構件。由于其高響應和高精度，晶體管可用于各種數字和模擬功能，包括放大器、開關、穩壓器、信號
2023-02-03 09:36:05
顯示器和透明太陽能電池板產品的出現。 在許多透明電子系統中，晶體管都是至關重要的部件。如今，這種器件通常是薄膜晶體管形式，由In2O3、ZnO2、SnO2等透明導電氧化物材料制成。 不過，薄膜晶體管
2020-11-27 16:30:52
。達林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見應用包括音頻放大器輸出級、功率調節器、電機控制器和顯示驅動器。 達林頓晶體管也被稱為達林頓對，由貝爾實驗室的西德尼達林頓于 1953 年發明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
。 為什么使用鰭式場效應晶體管器件代替MOSFET？ 選擇鰭式場效應晶體管器件而不是傳統的MOSFET有多種原因。提高計算能力意味著增加計算密度。需要更多的晶體管來實現這一點，這導致了更大的芯片。但是
2023-02-24 15:25:29
晶體管，基極上的電壓必須低于發射極上的電壓。像這樣的基本電路通常將發射器連接到電源的加號。通過這種方式，您可以判斷發射極上的電壓。PNP 晶體管如何開啟？PNP 和 NPN 晶體管的端子電阻值然后，我們
2023-02-03 09:45:56
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關時間短、通態壓降低、高頻特性好、安全工作區寬等優點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發展。—、結構特性1、結構原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關時間短、通態壓降低、高頻特性好、安全工作區寬等優點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發展。—、結構特性1、結構原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
請教：單結晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學習單結晶體管，按照網上的電路圖做的關于單結晶體管的仿真，大多數都不成功，請問誰有成功的單結晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態下，基極-發射極結（稱這個PN結為“發射結”）處于正向偏置狀態，而基極-集電極（稱這個PN結為“集電結”）則處于反向偏置狀態。
2019-09-26 09:00:23
音頻放大器的差分輸入電路及調制、較大、阻抗變換、穩流、限流、自動保護等電路，可選用結型場效應晶體管。音頻功率放大、開關電源、逆變器、電源轉換器、鎮流器、充電器、電動機驅動、繼電器驅動等電路，可選
2021-05-13 07:10:20
載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管好。（4）場效應管能在很小
2021-05-13 07:09:34
。（2）場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管
2017-05-06 15:56:51
）場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管
2009-04-25 15:43:51
區域，而粉紅色陰影區域表示截止區域。 圖1. 晶體管工作區 這些區域定義為： ? 飽和區域。 在這個區域，晶體管將偏置最大基極電流，用于在集電極上實現最大電流，在集電極-發射極處實現最小壓降
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測晶體管的性能？怎樣去檢測特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
~3.3nf。當Nb上端產生一個正的驅動電壓時，由于電容兩端電壓不能突變，上電瞬間電容如同短路，因此可認為為VT1提供了很大的正向基極電流，使晶體管迅速導通。之后，電容CB被充電至激勵電壓的峰值而進入穩態
2020-11-26 17:28:49
集電極電流I C的10％。因此，這種類型的晶體管偏置配置在相對較低的電源電壓下效果最佳。分壓晶體管偏置此處，使用分壓器網絡對常見的發射極晶體管配置進行偏置，以提高穩定性。這種偏置配置的名稱來自于以下事實
2020-11-12 09:18:21
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
。 如何提高晶體管的開關速度？——可以從器件設計和使用技術兩個方面來加以考慮。（1）晶體管的開關時間：晶體管的開關波形如圖1所示。其中開啟過程又分為延遲和上升兩個過程，關斷過程又分為存儲和下降兩個過程
2019-09-22 08:00:00
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區別是什么？例如《晶體管電路設計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現在產品設計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
有誰可以解答一下如何通過晶體管去提高倍壓器的精度嗎？
2021-04-20 07:27:55
。 如何提高晶體管的開關速度？——可以從器件設計和使用技術兩個方面來加以考慮。（1）晶體管的開關時間：晶體管的開關波形如圖1所示。其中開啟過程又分為延遲和上升兩個過程，關斷過程又分為存儲和下降兩個過程
2019-08-19 04:00:00
2個電阻器的晶體管。直流電流放大率為 輸出電流/輸入電流 ，因此不因輸入電阻R1，放大率下降。僅有輸入電阻R1的類型 放大率表示為hFE，與個別晶體管hFE相等。如果在E-B間附加電阻R2，輸入電流則
2019-04-22 05:39:52
晶體管是指普通晶體管上連接2個電阻器的晶體管。直流電流放大率為 輸出電流/輸入電流 ，因此不因輸入電阻R1，放大率下降。僅有輸入電阻R1的類型 放大率表示為hFE，與個別晶體管hFE相等。如果在E-B
2019-04-09 21:49:36
等效的提高開關速度的方法，較小R1值也會加快輸出波形的上升速度。2、使用肖特基箝位利用肖特基箝位也是提高晶體管開關速度的另外一種方法，我們熟悉的74LS、74ALS、74AS等典型的數字IC TTL
2023-02-09 15:48:33
（電阻器）組成。構成晶體管的硅是形成地球的巖石中大量含有的物質。因此，晶體管也俗稱"石"，設計者常用"…之石"的叫法3. 按集成度分類為滿足客戶需求，ROHM在分立式
2019-05-05 01:31:57
和500KHz的半橋LLC諧振轉換器的拓撲結構。在較高頻率下，無源諧振電路（例如變壓器、諧振電感器和諧振電容器）的尺寸明顯減小，從而提高了功率密度。此外，還需要考慮功率晶體管（Q1和Q2）的選擇，以權衡
2023-02-27 09:37:29
如何用晶體管搭建一個放大電路，要求輸入為1V，輸出至少放大一倍，這么大的輸入怎么做到不失真呢？
2016-06-11 16:17:59
其它功能。晶體管作為一種可變開關，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關，和一般機械開關不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達
2016-01-26 16:52:08
` 引言 在功率變換器應用中，寬帶隙（WBG）技術日益成為傳統硅晶體管的替代產品。在某些細分市場的應用場景中，提升效率極限一或兩個百分點依然關系重大，變換器功率密度的提高可以提供更多應用優勢
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
用。（2）橫向PNP管： 這種結構管子的載流子是沿著晶體管斷面的水平方向運動的，故稱為橫向PNP管。由于受工藝限制，基區寬度不可能很小，所以它的值相對較低，一般為十幾倍到二、三十倍。橫向PNP管的優點
2019-04-30 06:00:00
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
保護的二極管必須選用快速恢復型二極管，以保證二極管能夠迅速反應得以保護晶體管。對于二極管的耐壓要求，一般其截止電壓為開關晶體管C-E間電壓的2倍。 2、RC阻尼電路 圖二 圖二中，在晶體管關斷
2020-11-26 17:26:39
可折疊的防水晶體管是由哪些部分組成的？什么是生物傳感器（biosensor）？生物傳感器具有哪些功能？防水晶體管在生物傳感器中的應用是什么？
2021-06-17 07:44:18
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