描述這項設計是一款工作在電壓模式下的 100kHz FBPS 轉換器。該設計支持 400Vdc 到 750Vdc 的輸入電壓范圍,并能提供已調節 24V/12A 電源。TI 的 UCC28950
2018-12-14 15:39:09
描述此參考設計是一種 400W 相移全橋汽車轉換器,可以 48V 汽車電池輸入產生 12V 輸出。這種增強型相移全橋控制器實施了可編程延遲,可確保在各種操作條件下實現零電壓開關 (ZVS)。這種輸出
2018-09-30 09:43:10
這些超結快速恢復硅基功率MOSFET兼具超低恢復電荷(Qrr)和超快快恢復時間(trr),以及出色的品質因數(RDS(on) x Qg),能夠為要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉換器帶來極高的效率
2023-09-08 06:00:53
完全釋放干凈。當原邊的MOSFET都處于關斷狀態時,串聯諧振電路中的諧振電流會對開關管MOSFET的等效輸出電容進行充放電。MOSFET都關斷時的等效電路如下圖所示:通過對上圖的分析,可以得出需要滿足
2018-07-13 09:48:50
: 通過對上圖的分析,可以得出需要滿足ZVS的兩個必要條件,如下: 公式看上去雖然簡單,然而一個關于MOSFET等效輸出電容Ceq的實際情況,就是MOSFET的等效寄生電容是源漏極電壓Vds的函數
2018-11-21 15:52:43
完全釋放干凈。當原邊的MOSFET都處于關斷狀態時,串聯諧振電路中的諧振電流會對開關管MOSFET的等效輸出電容進行充放電。MOSFET都關斷時的等效電路如下圖所示:通過對上圖的分析,可以得出需要滿足
2018-07-18 10:09:10
碳化硅(SiC)等寬帶隙技術為功率轉換器設計人員開辟了一系列新的可能性。與現有的IGBT器件相比,SiC顯著降低了導通和關斷損耗,并改善了導通和二極管損耗。對其開關特性的仔細分析表明,SiC
2023-02-22 16:34:53
選擇正確電源的一個關鍵因素。本技術文章將描述用于測量轉換器 AC 電源抑制性能的技術,由此為轉換器電源噪聲靈敏度確立一個基準。我們將對一個實際電源進行的簡單噪聲分析,展示如何把這些數值應用于設計當中
2020-09-18 07:00:00
的電壓可能非常低,但卻需要高輸出電壓。此時,可以使用圖3所示的轉換器來驅動多個雪崩光電二極管、PIN二極管,以及其他需要高偏置電壓的器件。這些升壓轉換器可以從3 V輸入生成125 V輸出,負載電流最高
2019-09-12 09:25:30
的升壓轉換器在有些情況下,可用的輸入源的電壓可能非常低,但卻需要高輸出電壓。此時,可以使用圖3所示的轉換器來驅動多個雪崩光電二極管、PIN二極管,以及其他需要高偏置電壓的器件。這些升壓轉換器可以從3 V
2020-08-12 08:59:43
用于高速數據轉換器的串行接口有哪些選擇?
2021-04-09 06:55:28
描述此設計是一種數字控制的相移全橋 600W 直流/直流轉換器。此相移全橋轉換器采用 C2000? Piccolo? 微控制器,這款微控制器支持峰值電流模式控制和同步整流。Piccolo 微控制器在
2022-09-19 07:42:55
”,亦即電源的開關DC/DC轉換器之間的頻差。如果拍頻在100Hz到23kHz之間,則音頻放大器很可能會檢測到它們,并擾亂系統性能。文探討了如何使用相移時延技術來對主/從(Master/Slave
2018-12-03 11:26:43
,效率現在已經達到相當高的水平了吧。用于電子設備等的DC/DC轉換器中,效率高達95%左右的產品并不罕見,所以可以說的確已經達到了相當高的水平。但是,關于AC適配器等AC/DC轉換器的話,隨著開關方式
2019-04-15 06:20:02
SiC功率元器件,在Tech Web基礎知識專欄中有詳細介紹,可以結合起來閱讀。在本篇章中計劃介紹以下項目。<使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的設計案例>用于設計的IC變壓器設計主要部件
2018-11-27 17:03:34
DC-DC 轉換器 控制環路如何使用模擬或數字技術實現?如何使用典型的波特圖來顯示隨頻率變化的相移和環路增益?
2021-03-11 07:34:21
的電流具有快速開關邊沿(可能存在與體二極管反向恢復和 MOSFET COSS 充電相關的前沿振鈴),其中富含諧波成分,產生負面影響嚴重的 H 場耦合,導致傳導和輻射 EMI 增加。轉換器噪聲類型主要
2019-11-03 08:00:00
儲存在電容(感)里,當開關斷開時,電能再釋放給負載,提供能量。其輸出的功率或電壓的能力與占空比(由開關導通時間與整個開關的周期的比值)有關。開關電源可以用于升壓和降壓。中文名DC/DC轉換器屬于開...
2021-11-16 08:28:48
,二極管為OFF。MOSFET為OFF時,蓄積在電感的電能經由二極管D2供給至負載端。和正激轉換器的D1相同,開啟或關閉MOSFET。AC/DC轉換中,開關方式限用于非絕緣電源。對于變壓器方式而言
2021-04-10 07:00:00
能力。 IR中國及香港銷售總監嚴國富指出:“我們擴展了中壓DirectFET MOSFET產品系列,這使得電源設計人員可以有更多的器件選擇去改善隔離式DC-DC轉換器的初級和次級插槽的性能
2018-11-26 16:09:23
部分對于LLC工作過程中MOSFET的波形進行進一步分析,更對容易失效的問題點進行研究。 上面的圖給出了啟動時功率MOSFET前五個開關波形。在變換器啟動開始前,諧振電容和輸出電容剛好完全放電。與正常工作狀況
2019-09-17 09:05:04
這些轉換器的系統布線策略。除較高分辨率的器件外,基本的布線方法是一致的。對于這些器件,需要特別注意防止來自轉換器串行或并行輸出接口的數字反饋。 從電路和片內專用于不同領域的資源來看,模擬在逐次逼近型A
2018-08-28 15:28:40
在每個占空比輸送更大功率。介紹eGaN場效應晶體管在高頻諧振總線轉換器和48 V降壓轉換器中的應用。高頻諧振總線轉換器分布式電力系統在電信、網絡和高端服務器應用中普遍存在,通常電信業采用48V總線
2019-04-04 06:20:39
?-Δ 型模數轉換器廣泛用于需要高信號完整度和電氣隔離的電機驅動應用。雖然Σ-Δ技術本身已廣為人知,但轉換器使用常常存在不足,無法釋放這種技術的全部潛力。本文從應用角度考察Σ-Δ ADC,并討論如何在電機驅動中實現最佳性能。
2019-08-01 07:10:20
LLC諧振變換器的優勢!電路分析架構如下:第一,電路結構相對簡單,有較高的效率。第二,它可以在整個運行范圍內,實現零電壓切換(ZVS)。所有寄生元件,包括所有半導體器件的結電容和變壓器的漏磁電
2019-08-08 04:30:00
是ALTAIR05T-800,它是ALTAIR系列的第一個(全主傳感開關穩壓器)。該IC在同一封裝中集成了高性能,低電壓PWM控制器芯片和800V,雪崩耐用功率MOSFET。 PWM芯片是一種準諧振(QR)電流模式控制器IC,專為QR ZVS(零電壓開關)反激式轉換器而設計
2020-08-12 08:43:59
針對降壓模式轉換器級(400V至12V)的理想拓撲為相移全橋 (PSFB)。這個拓撲可以在隔離變壓器的初級側上實現4個電子開關的零電壓切換 (ZVS),以及次級側的二極管整流器(或MOSFET開關
2018-09-04 14:39:40
,但有一個因素可能是攪局者:熱量。如果轉換器產生的熱量過多,則它將無法用于已然很熱的系統中。在上述解決方案中,LTC3310S內部溫度升幅通過高效率操作而得以最小化,即使在CPU、SoC和FPGA等高功耗
2021-12-01 09:38:22
的溫度下提供更多的功率。...更高能效所有 ZVS 穩壓器的核心就是零電壓開關拓撲,它能夠在輸入電壓較高的條件下降低損耗,同時實現比競爭產品更高的轉換效率。...更小尺寸所有有源元器件都集成到封裝中
2018-08-21 10:43:35
摘要 本文介紹了碳化硅(SiC)器件在高頻率 LLC 諧振 DC/DC 轉換器中的應用。此類轉換器可用于母線轉換器、電動汽車充電機、服務器電源和儲能系統。在開關頻率較高的情況下,LLC 變壓器
2023-02-27 14:02:43
來源:搜狐網DCDC電源模塊在EMC常規測試失敗占比很大,然而要解決Buck轉換器中的EMI問題是一個很大的挑戰,因為其中含有很多高頻成分。在實際的電子元器件電氣特性往往不可避免的寄生參數會影響我們
2020-10-22 15:40:42
業內先進的 AC/DC轉換器IC ,采用 一體化封裝 ,已將1700V耐壓的SiC MOSFET*和針對其驅動而優化的控制電路內置于 小型表貼封裝 (TO263-7L)中。主要適用于需要處理大功率
2022-07-27 11:00:52
ZVS諧振接通,從而完全回收存儲在MOSFET寄生輸出電容中的能量。與此同時,所有二次側開關均隨ZVS諧振關斷,從而最大限度地降低通常與硬開關相關的開關損耗。LLC轉換器中的所有開關器件均諧振操作,這
2022-04-12 11:07:51
ZVS諧振接通,從而完全回收存儲在MOSFET寄生輸出電容中的能量。與此同時,所有二次側開關均隨ZVS諧振關斷,從而最大限度地降低通常與硬開關相關的開關損耗。LLC轉換器中的所有開關器件均諧振操作,這
2022-06-14 10:14:18
Automotive H-Bridge電源模塊設計應用的第一步中為客戶提供支持。這個簡易模塊包含高速IGBT3和快速二極管,例如非常適用于高達100 kHz和3 kW的相移全橋零電壓轉換(ZVT)DC / DC轉換器中的HV至LV DC / DC轉換器
2020-04-15 09:55:46
描述 此直流-直流電源轉換器采用UCD3138CC64EVM-030子卡實現數字控制功能。該子卡具有預加載的固件,為相移全橋轉換器提供所需的控制功能。TIDA-00412
2022-09-23 07:06:58
描述 PMP10233 參考設計是適用于汽車應用的非同步降壓轉換器,輸入電壓范圍是 9 至 42 V。它使用 TPS54140-Q1 提供 8.0 V、1.0 A 的輸出。主要特色寬輸入電壓范圍最高
2018-12-19 14:51:29
ROHM推出內置耐壓高達80V的MOSFET的DC/DC轉換器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐壓是內置功率晶體管的非隔離型DC/DC轉換器IC的業界最高水平,在ROHM的DC/DC
2018-10-19 16:47:06
ROHM推出內置耐壓高達80V的MOSFET的DC/DC轉換器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐壓是內置功率晶體管的非隔離型DC/DC轉換器IC的業界最高水平,在ROHM的DC/DC轉換器
2018-12-04 10:10:43
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉換器的功耗機制進行詳細分析,可以界定必須要改進的關鍵金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)參數,進而確保持續提升系統效率和功率密度。分析顯示,在研發功率
2019-07-04 06:22:42
本文主要介紹全新雙向DC-DC轉換器的設計與分析。這項全新的拓撲及其控制策略徹底解決了傳統雙向DC-DC轉換器(電源容量及效率有限)中存在的電壓尖峰問題。該轉換器不僅可用作電池組和DC母線接口,而且
2021-11-20 08:00:00
本文主要介紹全新雙向DC-DC轉換器的設計與分析。這項全新的拓撲及其控制策略徹底解決了傳統雙向DC-DC轉換器(電源容量及效率有限)中存在的電壓尖峰問題。該轉換器不僅可用作電池組和DC母線接口,而且
2021-11-23 06:30:00
可以輕松設計使用SiC-MOSFET的電源,不僅發力SiC-MOSFET的開發,還推進控制元器件的開發。“BD7682FJ-LB”是以將SiC-MOSFET用于功率開關為前提開發的反激式轉換器控制IC
2018-12-04 10:11:25
負載點調節器的輸入,負載點調節器則用于驅動FPGA、微處理器、ASIC、I/O和其他低壓下游器件。然而,在許多新型應用中,比如48 V直接轉換應用,IBC中沒有必要進行隔離,因為上游48 V或54 V
2018-10-23 11:46:22
板· · 400kHz開關頻率· · 扼流圈中的電流紋波約為額定電流的30%· · 緊湊型60V MOSFET,具有較低的Rdson、Rth和封裝ESL· · 1Ω柵極串聯電阻· 圖3:轉換器功率級簡圖
2020-09-01 14:07:07
器件的四倍。如果不對電路進行相應調整,很有機會在諧振LLC轉換器上在輕負載時效率可能下降多達0.5%。設計人員還應注意,如果要在CCM圖騰PFC設計中獲得最高的峰值效率,則必須通過打開碳化硅
2023-03-14 14:05:02
,該規格適用于所有USB PD應用,如PC /筆記本電腦、移動電源和擴展口。在同步降壓轉換器中,有個現象眾所周知,它稱為“低端誤導通”或“dv/dt電感導通”,這是造成擊穿的罪魁禍首,有可能損壞開關并
2019-07-16 06:44:27
的輸入,負載點調節器則用于驅動FPGA、微處理器、ASIC、I/O和其他低壓下游器件。 然而,在許多新型應用中,比如48 V直接轉換應用,IBC中沒有必要進行隔離,因為上游48 V或54 V輸入已經
2018-12-03 10:58:08
設計方面,SiC功率模塊被認為是關鍵使能技術。 為了提高功率密度,通常的做法是設計更高開關頻率的功率轉換器。 DC/DC 轉換器和應用簡介 在許多應用中,較高的開關頻率會導致濾波器更小,電感和電容值
2023-02-20 15:32:06
。反向恢復電流非常高并且在啟動期間足以造成直通問題,如圖4所示圖4: 啟動期間LLC 諧振轉換器中的波形。圖4: 啟動期間LLC 諧振轉換器中的波形
2019-01-15 17:31:58
輸出整流器的損耗。用于LLC諧振轉換器的同步整流器使用二極管整流器時,如圖1所示,全部輸出電流流過輸出二極管。對于低電壓或高輸出電流應用,這些二極管整流器中存在顯著的效率損失和熱應力。圖1.帶二極管
2019-08-08 09:00:00
用碳化硅MOSFET設計一個雙向降壓-升壓轉換器
2021-02-22 07:32:40
電子行業應用最普及的轉換器之一是DC-DC降壓(step-down,亦稱buck)轉換器。 簡而言之,同步降壓轉換器用于將電壓從較高的電平降至較低的電平。隨著業界轉向更高性能的平臺,電源轉換器的能效
2018-09-30 16:04:12
中的寄生源電感。因此,采用SMD封裝的MOSFET也能實現快速開關,同時降低開關損耗。適用于4引腳器件的SMD封裝名為“ThinkPAK 8X8”。 III.分析升壓轉換器中采用最新推出的TO247
2018-10-08 15:19:33
我們有一個帶升降壓轉換器的寬輸入電源管理 ic。28V VBUS 不是問題。那么是否有可能消除 N-MOSFET(至少在 Sink 模式下)?如果可以,您對 IN_GD、Gate 和 Source 引腳的連接有何建議?
2023-01-09 06:29:14
摘要Type II 補償器通常用于電流模式控制的開關轉換器回授電路,一般可獲得良好的線電壓與負載調節及瞬時響應。然而當工作點(如輸入電壓或負載電流)改變,原設計的補償器可能會有穩定度變差,或相位裕度
2019-07-23 07:27:19
在開關電源轉換器中,如何充分利用SiC器件的性能優勢?
2021-02-22 07:16:36
公式Aβ=1<-180°中的180°相移是由有源元件和無源元件引入的,像任何精心設計的反饋電路那樣,使振蕩器取決于無源元件的相移,因為它精確且幾乎不漂移。應使由有源元件提供的相移最小,因為它隨濕度而
2015-01-05 10:15:44
與傳統的并聯輸出級晶體管相比,交錯式DC/DC轉換器拓撲結構能夠實現更高效率的設計,且仍然有改進的余地。在交錯式操作中,許多微型轉換器單元(或相位)并聯放置。理想情況下,有源相移控制電路將功率均勻
2011-07-14 08:52:28
的體二極管的存在,沒有如上所述的硬雪崩操作。操作和損失分析圖4給出了半橋LLC諧振轉換器的穩態周期。以下是主要的五個狀態,每個狀態都有其隨附的損失分析:在狀態1下,當高端驅動信號VGSH變低時,初級側
2023-02-27 09:37:29
回路Buck架構DC/DC轉換器中存在兩個電流發生劇烈變化的主回路 :當上橋MOSFET Q1導通的時候,電流從電源流出,經Q1和L1后進入輸出電容和負載,再經地線回流至電源輸入端。在此過程中,電流中的交
2020-08-10 09:34:54
元器件數量。當然電源IC也能更小。因此小型化是可以實現的。而且,把至今為止的不可能變為可能就是工程師的工作。-也就是說,現有AC/DC轉換器的課題是效率改善與小型化,而BM2Pxxx系列正是其解決方案吧
2018-12-03 14:40:31
您可能會把模數轉換器或者數模轉換器缺少輸出穩定性的原因歸咎于實際轉換器本身。但其實轉換器周圍的電壓參考才是真正的罪魁禍首。我們將圍繞電壓參考如何改變轉換器性能作介紹?
2021-04-07 06:33:14
繞組電容器。在傳統的諧振轉換器設計過程中,設計人員必須確保存儲在諧振槽中的能量高于存儲在FET C oss中的能量,以便C oss耗盡存儲在諧振槽中的能量以實現ZVS。以圖1所示的LLC-SRC為例
2020-08-02 10:32:31
3:PSFB 轉換器工作波形(C1/C2 是 Q1/Q3 和 Q2/Q4 對產生的電壓,C4 是輸出整流器 D1-D4 兩端的電壓,C3 是 L2中的電流)圖 4:具有 ZVS 區域和恒定相移輪廓
2023-02-22 17:13:39
需要花時間了解它們的特性,以充分利用這一變化,同時還要了解它們的不同限制和故障模式。CoolSiC? 器件中體二極管的正向電壓是硅 MOSFET 的四倍。因此,LLC轉換器在輕負載下的效率可能
2023-02-23 17:11:32
。為了防止MOSFET遭到破壞而設定緩沖電路,以抑制浪涌電壓。位于上述電路圖一次側,由電阻、二極管、電容器組成的電路就是緩沖電路。請記住,緩沖電路是大多數反激式轉換器中,基本且必要的電路。關鍵要點:?理解基本工作和電流、電壓波形。?緩沖電路是基本且必要的。
2018-11-27 17:00:29
。如果轉換器產生的熱量過多,則它將無法用于已然很熱的系統中。在上述解決方案中,LTC3310S內部溫度升幅通過高效率操作而得以最小化,即使在CPU、SoC和FPGA等高功耗器件周圍的惡劣溫度條件下
2021-12-14 07:00:00
這是一款超聲波轉換器的驅動電路,大家幫忙分析一下,現在驅動轉換器時 是可以驅動起來的 但是功率不夠,振蕩的幅度很小,需要如何調整才能提高輸出的功率呢我拿仿真軟件也使了一下,波形如下大家看一看問題出在哪呢
2016-03-11 10:56:23
將功率MOSFET外置的DC/DC轉換器控制器IC和高耐壓MOSFET相組合,可以構成高耐壓DC/DC轉換器。然而,非單體元器件、而是作為一個IC實現80V的高耐壓,則需要高超的制造工藝技術。用于制造
2018-12-03 14:44:01
描述此 2kW 隔離式雙向直流/直流轉換器參考設計 (TIDA-00951) 可在 400V 直流總線和 12 - 14 節鋰電池組之間進行電力傳輸,可用于 UPS、電池備份和電力存儲等應用。在備用
2018-12-05 14:13:14
和多相降壓轉換器。該參考設計使用兩個dsPIC33F16GS504器件,一個用于PFC升壓轉換器和ZVT全橋轉換器,而另一個dsPIC DSC用于單相和多相降壓轉換器
2019-05-17 09:23:23
,該規格適用于所有USB PD應用,如PC /筆記本電腦、移動電源和擴展口。在同步降壓轉換器中,有個現象眾所周知,它稱為“低端誤導通”或“dv/dt電感導通”,這是造成擊穿的罪魁禍首,有可能損壞開關并
2018-10-30 09:05:44
阻抗轉換器的定義是什么?典型阻抗分析系統的結構是怎樣的?電容測量轉換器的原理是什么?電容測量轉換器的應用有哪些?
2021-04-20 06:56:49
。實際上,所有這些器件,無論是無源的還是有源的,都遠不是完美的。它們的存在如何影響降壓開關轉換器的直流傳輸功能是本文將要研究的主題
2019-08-07 08:19:32
推導簡單的等式,描述采用不連續導電模式工作的LED升壓轉換器的一階響應。盡管存在一階的固有局限,簡要分析獲得的答案是足以穩定控制環路。在第2部分(實際考慮因素)文章中,我們將深入研究實施方案,并驗證
2018-09-29 16:52:10
種情況下達到50 mV。此外,所選擇的峰峰值電感電流為0.5 A.每種設計均基于圖1中的電路,采用TI的TPS54160,2.5 MHz,60 V,1.5 A降壓DC/DC轉換器,集成MOSFET。選擇
2019-07-16 23:54:06
繞組電容器。在傳統的諧振轉換器設計過程中,設計人員必須確保存儲在諧振槽中的能量高于存儲在FET C oss中的能量,以便C oss耗盡存儲在諧振槽中的能量以實現ZVS。以圖1所示的LLC-SRC為例
2022-05-11 10:17:28
繞組電容器。在傳統的諧振轉換器設計過程中,設計人員必須確保存儲在諧振槽中的能量高于存儲在FET C oss中的能量,以便C oss耗盡存儲在諧振槽中的能量以實現ZVS。以圖1所示的LLC-SRC為例
2022-05-25 10:08:50
零電壓開關全橋轉換器設計降低元器件電壓應力
很多電源管理應用文章都介紹過采用 ZVS(零電壓開關)技術實現無損轉換的優勢。為了實現 ZVT(零電壓轉換),漏-源電
2009-11-03 09:03:33787 升壓轉換器的應用設計分析
升壓轉換器的拓撲類型如何?
本質上,升壓轉換器IC被用于電池
2010-03-20 13:57:14910 LLC的優勢之一就是能夠在比較寬的負載范圍內實現原邊MOSFET的零電壓開通(ZVS),MOSFET的開通損耗理論上就降為零了。要保證LLC原邊MOSFET的ZVS,需要滿足以下三個基本條件
2018-06-11 07:51:0020147 LTC?3722-1 / LTC3722-2 相移 PWM 控制器提供了實現高效率、零電壓開關 (ZVS)、全橋式功率轉換器所必需的全部控制和保護功能。自適應 ZVS 電路可延遲每個 MOSFET 的接通信號,這與內部和外部組件的容差無關。手動延遲設定模式負責啟用副端控制操作或開關接通延遲的直接控制。
2020-10-30 10:38:071178 近幾年來,開關電源市場對高能效、大功率系統的需求不斷提高,在此拉動下,設計人員轉向尋找電能損耗更低的轉換器拓撲。PWM移相控制全橋轉換器就是其中一個深受歡迎的軟硬結合的開關電源拓撲,能夠在大功率條件下達取得高能效。本文旨在于探討MOSFET開關管在零壓開關(ZVS)轉換器內的工作特性。
2021-03-16 11:24:252358 和軟開關技術的優點。本文的目的是研究MOSFET器件用作零壓開關(ZVS)轉換器中的開關時所受到的潛在電氣應力。
2022-04-01 16:18:391882 電子發燒友網站提供《360W數控相移全橋轉換器參考設計.zip》資料免費下載
2022-09-07 10:08:243 作為Si功率元器件評估篇的第2波,將開始一系列有關Si功率元器件通過PSFB電路進行“相移全橋電路的功率轉換效率提升”的文章。這類大功率電源中大多采用全橋電路,尤其是相移全橋(以下稱“PSFB
2023-02-13 09:30:053711 相移全橋電路中輕負載時流過的電流小,LS中積蓄的能量少,所以很有可能在滯后臂的COSS充放電完成之前就開始開關工作。因此,ZVS工作無法執行,很容易發生MOSFET的導通損耗。
2023-02-13 09:30:05881 在下面的表格中,匯總了當著眼于上一篇文章中給出的基本電路的一次側MOSFET時,LLC轉換器的優缺點。LLC轉換器通過部分諧振方式實現ZVS工作,部分諧振方式是使用激勵電流對MOSFET的輸出電容Coss進行充電和放電。這樣可以減少開關損耗,從而可以減小MOSFET封裝和散熱器的尺寸。
2023-02-13 09:30:12661 在上一篇的圖2的區域(2)中,MOSFET導通時是ZVS工作,因此LLC轉換器通常在這個區域使用。圖3為區域(2)中的工作波形。Q1和Q2的漏極電流波形(ID_Q1、ID_Q2)表明在導通時是ZVS工作。
2023-02-13 09:30:13706 的品質因數(RDS(on)x Qg),能夠為要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉換器帶來極高的效率和功率水平,適用于工業和汽車應用。該產品系列提供了廣泛的封裝選項,包括長引線 TO-247、TO-LL,以及SOT223-2封裝。 ? 最新的快速恢復體二極管超結MOSFET技術針對要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉換器進
2023-02-22 15:26:58601 電子發燒友網站提供《用于反激式轉換器的同步MOSFET選擇.pdf》資料免費下載
2023-07-26 10:29:261 如何避免LLC諧振轉換器中的MOSFET出現故障? 在LLC諧振轉換器中,MOSFET扮演著至關重要的角色。因為它們在轉換器的關鍵電路中,控制著電流的流動和開關。但是,由于轉換器的工作環境可能很嚴
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