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電子發燒友網>模擬技術>MACOM推出寬帶多級硅基氮化鎵 (GaN

MACOM推出寬帶多級硅基氮化鎵 (GaN

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為什么使用氮化

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什么是氮化GaN)?

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什么阻礙氮化器件的發展

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基于氮化IC的150W高效率高功率密度適配器設計

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基于VIPerGaN50和STUSB4761的45W QR USB PD適配器參考設計

氮化GaN)- 寬帶隙(WBG)材料? GaN HEMT-高電子遷移率晶體管,代表著電力電子技術的重大進步? 用于更高的工作頻率? 提高效率? 與晶體管相比,功率密度更高
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如何學習氮化電源設計從入門到精通?

和優化、EMC優化和整改技巧、可靠性評估和分析。第一步:元器件選型對于工程師來說,GaN元器件相較于傳統的MOSFET而言有很多不同和優勢,但在設計上也帶來一定挑戰。課程從、砷化、碳化硅、氮化
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如何實現氮化的可靠運行

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如何用集成驅動器優化氮化性能

導讀:將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能,并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化 (GaN) 晶體管的開關速度比MOSFET快很多,從而有可能實現更低的開關損耗。然而,當
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實現更小、更輕、更平穩的電機驅動器的氮化器件

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氮化技術非常適合4.5G或5G系統,因為頻率越高,氮化的優勢越明顯。那對于手機來說射頻GaN技術還需解決哪些難題呢?
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將低壓氮化應用在了手機內部電路

OPPO公司分享了這一應用的優勢,一顆氮化可以代替兩顆MOS,體積更小、更節省空間,且阻抗比單顆MOS更低,可降低在此路徑上的熱量消耗,降低充電溫升,提升充電的恒流持續時間。不僅如此,氮化
2023-02-21 16:13:41

微波射頻能量:工業加熱和干燥用氮化

降低性能。行業內外隨著射頻能量通過加大控制來改進工藝的機會持續增多,MACOM將繼續與行業領導者合作,以應用最佳實踐并通過我們的氮化(GaN-on-Si)解決方案實現射頻能量。確保了解有關射頻能量
2018-01-18 10:56:28

德州儀器助力氮化技術的推廣應用

在德州儀器不斷推出的“技術前沿”系列博客中,一些TI最優秀的人才討論當今最大的技術趨勢以及如何應對未來挑戰等問題。相較于先前使用的晶體管,氮化GaN)可以讓全新的電源應用在同等電壓條件下以更高
2018-08-30 15:05:40

想要實現高效氮化設計有哪些步驟?

  第 1 步 – 柵極驅動選擇  驅動GaN增強模式高電子遷移率晶體管(E-HEMT)的柵極與驅動(Si)MOSFET的柵極有相似之處,但有一些有益的差異。  驅動氮化E-HEMT不會消除任何
2023-02-21 16:30:09

支持瓦特到千瓦級應用的氮化技術介紹

兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設計,帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2022-11-10 06:36:09

有關氮化半導體的常見錯誤觀念

功率/高頻射頻晶體管和發光二極管。2010年,第一款增強型氮化晶體管普遍可用,旨在取代功率MOSFET。之后隨即推出氮化功率集成電路- 將GaN FET、氮化驅動電路和電路保護集成為單個器件
2023-06-25 14:17:47

用于大功率和頻率應用的舍入 GaN 晶體管

針對可靠的高功率和高頻率電子設備,制造商正在研究氮化(GaN)來制造具有高開關頻率的場效應晶體管(FET)由于正在接近其理論極限,制造商現在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25

第三代半導體材料氮化/GaN 未來發展及技術應用

重要作用。下圖展示的是鍺化硅和氮化的毫米波5G基站MIMO天線方案,左側展示的是鍺化硅MIMO天線,它有1024個元件,裸片面積是4096平方毫米,輻射功率是65dbm,與之形成鮮明對比的,是右側氮化
2019-04-13 22:28:48

請問氮化GaN是什么?

氮化GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56

誰發明了氮化功率芯片?

,是氮化功率芯片發展的關鍵人物。 首席技術官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業生涯中,長期擔任副總裁及更高級別的管理職位,并領導研發工作。他在、碳化硅(SiC)和氮化GaN)功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08

針對電機控制應用如何選擇寬帶隙器件?

在功率轉換應用中,使用碳化硅(SiC)和氮化GaN)材料的寬帶隙(WBG)半導體器件作為開關,能讓開關性能更接近理想狀態。相比MOSFET或IGBT,寬帶隙器件的靜態和動態損耗都更低。此外還有
2023-02-05 15:16:14

高壓氮化的未來分析

就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案,相對于傳統的、基于材料的技術,創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26

高壓氮化的未來是怎么樣的

就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案,相對于傳統的、基于材料的技術,創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50

NPT2020 氮化晶體管

NPT2020PT2020 是一款 48 V 氮化晶體管,工作頻率為 DC 至 3.5 GHz,功率為 50 W,增益為 17 dB。它采用陶瓷封裝,面向軍事和大批量商業市場。 
2023-04-14 15:39:35

MACOM推出用于無線基站的全新高性能氮化鎵功率晶體管系列

中國上海,2016年2月24日- 領先的高性能模擬、微波、毫米波和光波半導體產品供應商MACOM日前宣布推出其備受矚目、應用于宏基站的MAGb系列氮化鎵(GaN)功率晶體管。
2016-02-24 10:40:21992

#氮化 #英飛凌 8.3億美元!英飛凌完成收購氮化系統公司 (GaN Systems)

半導體氮化
深圳市浮思特科技有限公司發布于 2023-10-25 16:11:22

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