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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>在1:5CW轉(zhuǎn)換器中具有N相和分相時(shí)鐘的GaN FET開關(guān)

在1:5CW轉(zhuǎn)換器中具有N相和分相時(shí)鐘的GaN FET開關(guān)

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2022-07-26 11:57:091274

200V交流伺服驅(qū)動(dòng)的三高PWM逆變器全部設(shè)計(jì)資料

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2018-10-31 17:33:14

3類PoE隔離型反激式轉(zhuǎn)換器/降壓POL轉(zhuǎn)換器包括BOM及框圖

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2018-10-08 09:07:22

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2018-07-26 13:59:50

CW32系列模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)

12 位精度、最高 1M SPS 轉(zhuǎn)換速度的逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (SAR ADC),最多可將 16 路模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)。現(xiàn)實(shí)世界的絕大多數(shù)信號(hào)都是模擬量,如光、電、聲、圖像信號(hào)等,都要
2023-06-01 11:59:20

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GaN器件Class D上的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

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GaN是如何轉(zhuǎn)換射頻能量及其烹飪的應(yīng)用【6】

面的需求。鑒于它具有對(duì)輸出功率的微調(diào)能力,GaN組件將能開拓出現(xiàn)有磁控技術(shù)所無法實(shí)現(xiàn)的醫(yī)療方面的創(chuàng)新應(yīng)用。 提高汽車點(diǎn)火系統(tǒng)的燃油效率是射頻功率另一新興應(yīng)用領(lǐng)域,它可用來提高發(fā)動(dòng)機(jī)的工作效率。相比于
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GaN是如何轉(zhuǎn)換射頻能量及其烹飪的應(yīng)用【1

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N2A1 485/422串口轉(zhuǎn)TCP/IP轉(zhuǎn)換器

,此時(shí),轉(zhuǎn)換器進(jìn)入工作狀態(tài)。SW2:設(shè)置數(shù)據(jù)保護(hù)開關(guān),將SW2撥到OFF時(shí)允許對(duì)C2000 N2A1進(jìn)行設(shè)置;將SW2撥到ON時(shí)保存設(shè)置處于寫保護(hù)狀態(tài),此時(shí)保存設(shè)置數(shù)據(jù)的不能改變。RS-485/422:標(biāo)準(zhǔn)DB9接口。
2015-06-13 14:13:08

具有GaN FET1/8磚型數(shù)字模塊參考設(shè)計(jì)含PCB設(shè)計(jì)資料

描述PMP4435 是一款面向工業(yè)和電信應(yīng)用并且采用 GaN mosfet 的直流-直流隔離式數(shù)字模塊參考設(shè)計(jì)。直流輸入范圍為36V-60V,其中典型輸入為 12V,而輸出為 12V/5A。此設(shè)計(jì)
2018-11-02 16:47:28

具有GaN的汽車降壓/反向升壓轉(zhuǎn)換器是如何實(shí)現(xiàn)高效48V配電的?

實(shí)現(xiàn)的,該FET具有2.2 mΩ R上額定峰值直流電流為 90 A。兩設(shè)計(jì)還降低了電感所需的額定電流。    圖1: 采用eGaN FET的兩雙向轉(zhuǎn)換器的簡(jiǎn)化原理圖。  該設(shè)計(jì),電感值和開關(guān)
2023-02-21 15:57:35

具有同步串行接口和低通阻開關(guān)的12位采樣模數(shù)轉(zhuǎn)換器

?觸摸屏顯示說明ADS7843-Q1是一個(gè)12位采樣模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC),具有同步串行接口和低通阻開關(guān),用于驅(qū)動(dòng)觸摸屏。125kHz吞吐量和+2.7V電源條件下,典型功耗為750μW。參考電壓
2020-09-08 17:38:19

具有高電壓GaN FET的高效率和高功率密度1kW諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)

的功率密度。整板重量不足 230g。穩(wěn)定的 950kHz 開關(guān)頻率下,可達(dá)到 97.6% 的峰值效率。 特性390V - 48V/1kW 高頻諧振轉(zhuǎn)換器諧振頻率為 950kHz,重量小于 210g
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GaN解決方案門戶上查看TI完整的GaN直流/直流轉(zhuǎn)換產(chǎn)品組合

損耗,實(shí)現(xiàn)了更高的開關(guān)頻率,減少甚至去除了散熱。圖2顯示了GaN和硅FET之間48V至POL的效率比較。 圖 2:不同負(fù)載電流下GaN與硅直流/直流轉(zhuǎn)換器的48V至POL效率 TI的新型48V至POL
2019-07-29 04:45:02

諧振LLC半橋實(shí)施同步整流

作者:Brian King 德州儀器諧振 LLC 半橋轉(zhuǎn)換器非常適合離線大功率應(yīng)用 (200-800W),因?yàn)橐淮蝹?cè) FET 可從零電壓開關(guān) (ZVS) 獲得極大的優(yōu)勢(shì)。LLC 轉(zhuǎn)換器需要相當(dāng)窄
2018-09-19 11:06:18

開關(guān)電容轉(zhuǎn)換器(SCC)降壓裝換氣解決方案

想到的是基于電感的降壓轉(zhuǎn)換器。然而,像我們這樣輸入電壓與輸出電壓之比為整數(shù) (2) 的情況下,SCC 表現(xiàn)出更高的效率。與電感降壓轉(zhuǎn)換器相比,SCC 還具有更低的開關(guān)損耗。降壓轉(zhuǎn)換器,每個(gè)開關(guān)阻斷
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開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器如何充分利用SiC器件的性能優(yōu)勢(shì)?

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2018-10-18 11:29:03

AD轉(zhuǎn)換器 DA轉(zhuǎn)換器的分類與指標(biāo)簡(jiǎn)介

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2011-10-31 09:43:45

AD轉(zhuǎn)換器時(shí)鐘有什么作用?

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2019-10-17 17:16:14

AD轉(zhuǎn)換器的分類

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2012-08-11 17:08:20

DC/DC 轉(zhuǎn)換器開關(guān)模式電源下設(shè)計(jì)要點(diǎn)

能效。負(fù)載越低,則能效越低。但設(shè)計(jì)精良的轉(zhuǎn)換器具有穩(wěn)定的高能效,尤其重要的到低負(fù)載范圍內(nèi)。對(duì)指甲大小的新型 R1SX-0505 1 W 轉(zhuǎn)換器進(jìn)行測(cè)試,并與相同額定功率的定制轉(zhuǎn)換器比較進(jìn)行,兩者
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ETA9697專為TWS設(shè)計(jì),具有電池線性充電器和5V升壓同步轉(zhuǎn)換器

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HI5746是10位的單片模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器用CMOS工藝制造的轉(zhuǎn)換器

  HI5746是一個(gè)10位全差分采樣管道a/D帶數(shù)字糾錯(cuò)邏輯的轉(zhuǎn)換器。圖25描繪了前端差分輸入差分輸出采樣保持電路(S/H)。開關(guān)由內(nèi)部控制非重疊式二信號(hào)采樣時(shí)鐘1和2,來自主采樣時(shí)鐘采樣階段,?1,輸入
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PMP7966四升壓轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)

設(shè)計(jì)概述PMP7966 是一款四升壓轉(zhuǎn)換器輸入電壓為 6V 到 42V 且電流為 2.5A 時(shí)的額定輸出值為 52V。該設(shè)計(jì)采用 LM5122 升壓控制,每開關(guān)頻率為 100kHz…
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PRD1175應(yīng)用設(shè)計(jì)是一種所謂的級(jí)聯(lián)耦合SEPIC-Cuk轉(zhuǎn)換器

使用耦合電感可提高效率并改善頻率響應(yīng)。名稱的級(jí)聯(lián)是指Q1,它是與ADP1613的內(nèi)部FET串聯(lián)的FET。這使我們能夠更高的開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓下使用這個(gè)20V最大額定芯片
2019-07-16 08:23:15

SAR模數(shù)轉(zhuǎn)換器AD7989-1和AD7989-5

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2018-11-29 11:09:34

SEPIC轉(zhuǎn)換器開關(guān)損失怎么減少?

用于電壓轉(zhuǎn)換的每個(gè)開關(guān)模式穩(wěn)壓都會(huì)引起干擾。電壓轉(zhuǎn)換器的輸入端和輸出端,有一部分是通過線傳輸?shù)模灿幸徊糠质禽椛涞摹_@些干擾主要是由快速開關(guān)的邊緣引起的。
2019-08-02 07:14:00

SiC/GaN具有什么優(yōu)勢(shì)?

基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
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隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì),氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET具有低傳導(dǎo)損耗、低開關(guān)損耗、低驅(qū)動(dòng)功率及低電感等優(yōu)點(diǎn),可以實(shí)現(xiàn)更高功率密度、高頻時(shí)更大電流及高效以及諧振設(shè)計(jì)的占空比更高,從而
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非常關(guān)鍵。子類1使用SYSREF信號(hào)來對(duì)齊串行輸出數(shù)據(jù)。將SYSREF信號(hào)輸入轉(zhuǎn)換器的輸出數(shù)據(jù)。這個(gè)配置使得SYSREF可與轉(zhuǎn)換時(shí)鐘同步,并確保分配的各SYSREF信號(hào)同時(shí)到達(dá)各轉(zhuǎn)換器。這會(huì)產(chǎn)生將置于
2018-09-03 14:48:59

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不是實(shí)際量級(jí)。  圖 4:準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器 BJT 的開關(guān)波形   t1 時(shí)間段的起點(diǎn),集電極電流為0。基極使用19mA 的最小驅(qū)動(dòng)電流(IDRV(MIN))驅(qū)動(dòng),該電流可逐步遞增至37 mA的最大
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2021-12-01 09:38:22

為什么這個(gè)降壓轉(zhuǎn)換器輸出如此低的電流?

了LTSpice轉(zhuǎn)換器,盡管這些部件與LTSpice的部件編號(hào)不完全相同,所以我相信很多重要的值都有些不同。面包板上,我用過:一個(gè)DMG3420U(邏輯電平的N溝道MOSFET)極化帽1N4001二極管我有
2018-07-20 14:33:06

使用開關(guān)穩(wěn)壓!設(shè)計(jì)您自己的DCDC轉(zhuǎn)換器

,使用開關(guān)穩(wěn)壓的DCDC轉(zhuǎn)換器可以由一個(gè)電阻、幾個(gè)電容和一個(gè)線圈制作而成。當(dāng)12V電壓施加到所完成的電路時(shí),輸出電壓為5V。電路的反饋機(jī)制可以使輸出電壓保持不變,因此即使外部電壓發(fā)生波動(dòng),電路也始終輸出
2022-07-27 11:20:39

使用多相降壓轉(zhuǎn)換器和單相轉(zhuǎn)換器的好處

了印刷電路板或者某個(gè)特定組件上的熱點(diǎn)。實(shí)際上,二降壓轉(zhuǎn)換器FET 和電感的 RMS-電流功耗降低了一半。相交錯(cuò)還可以降低傳導(dǎo)損耗。 圖 1降壓轉(zhuǎn)換器圖 2 1 和 2 的節(jié)點(diǎn)波形輸出濾波考慮由于每個(gè)相位的功率級(jí)電流更低,多相實(shí)現(xiàn)的輸出濾波要求也隨之降低…
2022-11-23 06:04:49

借助高能效GaN轉(zhuǎn)換器,提高充電器和適配器設(shè)計(jì)的功率密度

漏感能量損耗,限制了QR反激式轉(zhuǎn)換器的最大開關(guān)頻率,從而限制了功率密度。QR反激式轉(zhuǎn)換器采用GaN HEMT和平面變壓,有助于提高開關(guān)頻率和功率密度。然而,為了超薄充電器和適配器設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)更高
2022-04-12 11:07:51

借助高能效GaN轉(zhuǎn)換器,提高充電器和適配器設(shè)計(jì)的功率密度

漏感能量損耗,限制了QR反激式轉(zhuǎn)換器的最大開關(guān)頻率,從而限制了功率密度。QR反激式轉(zhuǎn)換器采用GaN HEMT和平面變壓,有助于提高開關(guān)頻率和功率密度。然而,為了超薄充電器和適配器設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)更高
2022-06-14 10:14:18

創(chuàng)建具有GaN速度,尺寸和功耗優(yōu)勢(shì)的LIDAR應(yīng)用

LMG1020。在此處查看演示:如下圖和上圖中所示,該GaN驅(qū)動(dòng)器具有1ns 100W光輸出的能力。這是演示的脈沖激光開發(fā)板:這是帶有最少外部組件的簡(jiǎn)單應(yīng)用圖:LMG1210半橋GaN FET驅(qū)動(dòng)TI
2019-11-11 15:48:09

升壓轉(zhuǎn)換器開關(guān)節(jié)點(diǎn)的振鈴最小化-PMP-便攜式電源應(yīng)用

≈5.7 V,但是開關(guān)節(jié)點(diǎn)上振鈴的峰值幅度為 9.8 V,有可能損壞低側(cè)開關(guān)設(shè)計(jì)方面,電源設(shè)計(jì)人員具有多種方法來實(shí)現(xiàn)振鈴的最小化。如果采用控制,設(shè)計(jì)人員應(yīng)同時(shí)選用具有最小寄生電容的 FET 及二極管
2008-09-25 08:45:25

參考設(shè)計(jì)與SEPIC轉(zhuǎn)換器ADP1613

參考設(shè)計(jì)與SEPIC轉(zhuǎn)換器ADP1613連,可將3至5V輸入轉(zhuǎn)換為干凈的5V輸出,并具有極低的紋波噪聲。通過輸出端的pi濾波實(shí)現(xiàn)低噪聲。根據(jù)SIMPLIS仿真,Iout等于25mA時(shí),Vout紋波應(yīng)為392uV。該設(shè)計(jì)規(guī)定為25mA,但應(yīng)能夠處理更多的輸出電流
2019-07-18 07:59:32

反向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器布局方式概述

LM5017系列產(chǎn)品等降壓轉(zhuǎn)換器或穩(wěn)壓集成電路(IC)可以從正VIN產(chǎn)生負(fù)VOUTDC/DC轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域是常識(shí)。乍一看,使用降壓穩(wěn)壓IC的反向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器的電路圖與降壓轉(zhuǎn)換器分相似(圖1
2019-08-12 04:45:09

反思后硅世界的服務(wù)電源架構(gòu):從48Vin - 1Vout直接獲取

先前的基于Si MOSFET的架構(gòu)更高。 從48 VIN– 1 VOUT直接獲取自采用12 V中間總線架構(gòu)(IBA)以來,此總線轉(zhuǎn)換器輸出功率中正接近數(shù)量級(jí)的提高。型電源模塊足跡,現(xiàn)行設(shè)計(jì)從約
2018-08-29 15:10:47

升壓轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)

描述 PMP7966 是一款四升壓轉(zhuǎn)換器輸入電壓為 6V 到 42V 且電流為 2.5A 時(shí)的額定輸出值為 52V。該設(shè)計(jì)采用 LM5122 升壓控制,每開關(guān)頻率為 100kHz,從而
2022-09-27 07:10:27

圖文并茂!講解自制升降壓轉(zhuǎn)換器

考慮EMC,輸入和輸出線纜是頻率范圍高達(dá)1GHz的主要天線。由于現(xiàn)代四開關(guān)升降壓轉(zhuǎn)換器輸入和輸出端都具有高頻電流環(huán)路,因此必須根據(jù)工作模式對(duì)輸入和輸出進(jìn)行濾波。這可以防止由于MOSFET快速開關(guān)導(dǎo)致
2020-09-01 14:07:07

基于4開關(guān)降壓升壓轉(zhuǎn)換器的USB供電設(shè)計(jì)

。新供電要求的一項(xiàng)獨(dú)特挑戰(zhàn)是如何使用一個(gè)4.5V-32V輸入電壓來提供一個(gè)5V-20V直流總線。一個(gè)4開關(guān)降壓-升壓轉(zhuǎn)換器是合適的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),提供降壓或升壓電源轉(zhuǎn)換,因其可提供設(shè)計(jì)人員和客戶所需的寬電壓
2019-07-16 06:44:27

基于4開關(guān)降壓升壓轉(zhuǎn)換器的USB供電設(shè)計(jì)

。新供電要求的一項(xiàng)獨(dú)特挑戰(zhàn)是如何使用一個(gè)4.5V-32V輸入電壓來提供一個(gè)5V-20V直流總線。一個(gè)4開關(guān)降壓-升壓轉(zhuǎn)換器是合適的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),提供降壓或升壓電源轉(zhuǎn)換,因其可提供設(shè)計(jì)人員和客戶所需的寬電壓
2020-10-30 09:04:18

基于GaN開關(guān)器件

在過去的十多年里,行業(yè)專家和分析人士一直預(yù)測(cè),基于氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件的黃金時(shí)期即將到來。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比,基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30

如何使用SiC功率模塊改進(jìn)DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)?

設(shè)計(jì)方面,SiC功率模塊被認(rèn)為是關(guān)鍵使能技術(shù)。  為了提高功率密度,通常的做法是設(shè)計(jì)更高開關(guān)頻率的功率轉(zhuǎn)換器。  DC/DC 轉(zhuǎn)換器和應(yīng)用簡(jiǎn)介  許多應(yīng)用,較高的開關(guān)頻率會(huì)導(dǎo)致濾波更小,電感和電容值
2023-02-20 15:32:06

如何利用C2000實(shí)時(shí)MCU提高GaN數(shù)字電源設(shè)計(jì)實(shí)用性

與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比,氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對(duì)于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換器等高開關(guān)頻率應(yīng)用大有裨益,可幫助減小磁性元件
2022-11-04 06:18:50

實(shí)時(shí)功率GaN波形監(jiān)視的必要性討論

工作區(qū)域 (SOA) 曲線。圖1顯示了一個(gè)示例。圖1.GaN FET SOA曲線示例,此時(shí)Rds-On = 毫歐硬開關(guān)設(shè)計(jì)功率GaN FET被用在硬開關(guān)和數(shù)MHz的諧振設(shè)計(jì)。上面展示的零電壓
2019-07-12 12:56:17

彌合基于CW測(cè)量的高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器規(guī)范和調(diào)制信號(hào)的之間的差異

作者:Robert Keller,德州儀器 我們一般使用連續(xù)波 (CW) 信號(hào)來描述高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 和數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (DAC)。這樣做的原因是:1)就 ADC 而言,CW 信號(hào)更易于通過
2018-09-19 14:27:16

彌合高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器連續(xù)波和調(diào)制信號(hào)測(cè)量的區(qū)別

我們一般使用連續(xù)波 (CW) 信號(hào)來描述高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 和數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (DAC)。這樣做的原因是:1)就 ADC 而言,CW 信號(hào)更易于通過 CW 生成器和窄帶通濾波無噪生成;2
2022-11-23 07:30:26

改進(jìn)交錯(cuò)式DC/DC轉(zhuǎn)換器

的電流。傳統(tǒng)方法是各均使用電流檢測(cè)方案。電流檢測(cè)一般用于保護(hù)目的,這種技術(shù)會(huì)增加交錯(cuò)式轉(zhuǎn)換器的成本。  為了利用一路輸入檢測(cè)兩的電流,控制必須分離各的電流。交錯(cuò)式正向操作,主開關(guān)的占空比始終
2011-07-14 08:52:28

方波波形開關(guān)節(jié)點(diǎn)概述

。其120V / ns轉(zhuǎn)換速率下,從0V升到480V,并具有小于50V的過沖。 圖1:TI 600V半橋功率級(jí)——開關(guān)波形(a);設(shè)備封裝(b);半橋板圖(c)。 GaN FET具有低端子電容,因而
2019-08-26 04:45:13

模擬開關(guān)充當(dāng)DC / DC轉(zhuǎn)換器

。ALD4213模擬開關(guān)內(nèi)部的集成電平轉(zhuǎn)換器和邏輯門提供邏輯轉(zhuǎn)換,可將單個(gè)5V輸入轉(zhuǎn)換為±5V邏輯擺幅。該電路時(shí)鐘控制下閉合兩個(gè)開關(guān)S 1和S 4。一個(gè)時(shí)鐘周期的前半部分,C 1充電至等于輸入電壓V
2020-06-03 13:57:17

氮化鎵GaN技術(shù)助力電源管理革新

的諧振架構(gòu)可以減少開關(guān)損耗并提高整體效率,也可以受益于GaN的卓越開關(guān)特性。  許多應(yīng)用需要從相對(duì)較高電壓(幾百伏)到低電壓的功率轉(zhuǎn)換以供電電路元件(如處理)。具有高輸入至輸出電壓比的開關(guān)模式功率轉(zhuǎn)換器
2018-11-20 10:56:25

氮化鎵晶體管高速電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域開辟新前沿

新的GaN FET完全替換現(xiàn)有的硅MOSFET,就享受帶來的益處,世界會(huì)變得輕松簡(jiǎn)單。例如,柵極驅(qū)動(dòng)電路和印刷電路板(PCB)布局實(shí)現(xiàn)高壓擺率具有獨(dú)特的挑戰(zhàn)性。如果處理不當(dāng),更高的dV/dt意味著
2017-08-21 14:36:14

電源工程師詳細(xì)講解:如何設(shè)計(jì)AC/DC降壓轉(zhuǎn)換器電路

系列的其他一些轉(zhuǎn)換器可主動(dòng)避免聲頻范圍內(nèi)進(jìn)行開關(guān)操作,從而有效地獲得最大導(dǎo)通和斷開時(shí)間。TPS6420x系列起初是為電池供電型應(yīng)用而設(shè)計(jì),擁有1.8V~6.5V的輸入電壓范圍,以及非常低的靜態(tài)
2021-03-27 07:00:00

電源技巧#3:設(shè)計(jì)CCM反激式轉(zhuǎn)換器

低成本意味著它們已被廣泛用于商業(yè)和工業(yè)應(yīng)用。本文將提供先前電源提示:反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)考慮討論的5A CCM反激式的53Vdc至12V的功率級(jí)設(shè)計(jì)公式。圖1顯示了一個(gè)詳細(xì)的60W反激式原理圖,工作
2018-09-12 09:19:55

電源技巧#1:反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)考慮因素

,工作頻率為250 kHz。當(dāng)FET Q2導(dǎo)通時(shí),輸入電壓施加在變壓的初級(jí)繞組上。繞組的電流現(xiàn)在升高,允許能量存儲(chǔ)變壓。由于輸出整流D1反向偏置,因此阻止了流向輸出的電流。當(dāng)Q2關(guān)閉時(shí),初級(jí)
2018-09-10 11:08:57

電源設(shè)計(jì)#8 從升壓轉(zhuǎn)換器獲得更多升壓

降低了工作占空比,從而實(shí)現(xiàn)了更高的開關(guān)頻率,更小的元件尺寸和更低的FET電壓。降低的占空比還可以提供更多的控制選擇,這些控制以前傳統(tǒng)的升壓轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)時(shí)無法以足夠高的占空比工作。
2020-08-10 14:27:34

電源設(shè)計(jì)#5 高頻諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)注意事項(xiàng),第1部分

oss和Q rr也很重要。如圖1所示的電感-電感-電容器-串聯(lián)諧振轉(zhuǎn)換器(LLC-SRC)之類的諧振轉(zhuǎn)換器,諧振儲(chǔ)能電路的電流對(duì)FET 的C oss進(jìn)行充電/放電(圖2的狀態(tài)1),以便實(shí)現(xiàn)零電壓
2020-08-02 10:32:31

直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性

的電流來控制壓擺率。對(duì)于升壓轉(zhuǎn)換器,驅(qū)動(dòng)電路的簡(jiǎn)易模型如圖3所示。可使用該模型推導(dǎo)公式。等式1證明:當(dāng)GaN器件具有足夠的柵漏電容(Cgd)時(shí),可通過使用柵極電流通過米勒反饋來控制開關(guān)事件的壓擺率。對(duì)于
2023-02-14 15:06:51

相移時(shí)延如何改善DC/DC轉(zhuǎn)換器性能?

RMS(50%占空比)。圖2:同相和異相配置三DC轉(zhuǎn)換器對(duì)比。如上文所述,使用相移技術(shù)可顯著減小輸入和輸出電容要求。RMS輸入電流由公式1規(guī)定:其中,n數(shù),L為輸出電感,F(xiàn)s為開關(guān)頻率,k(n
2018-12-03 11:26:43

負(fù)載點(diǎn)DC-DC轉(zhuǎn)換器解決電壓精度、效率和延遲問題

間要求,因而可能難以獲得真正的POL穩(wěn)壓解決方案,如圖5的示例布局所示。圖5.DC-DC轉(zhuǎn)換器與CPU的理想布局控制的一個(gè)替代方案是單芯片解決方案,其中FET轉(zhuǎn)換器IC內(nèi)部。例如,LTC3310S
2021-12-14 07:00:00

選擇正確的航空級(jí)隔離型直流-直流轉(zhuǎn)換器的方法

的好處。反激(升降壓)轉(zhuǎn)換器FET導(dǎo)通時(shí)將能量存儲(chǔ)變壓的磁場(chǎng),然后當(dāng)FET關(guān)斷時(shí)再釋放到負(fù)載。反激轉(zhuǎn)換器可以被視為共享同一磁芯、并具有相反極性繞組的兩個(gè)電感,如圖3所示。圖3:?jiǎn)?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)和雙開關(guān)
2018-10-16 19:33:11

采用4開關(guān)降壓-升壓轉(zhuǎn)換器的USB供電設(shè)計(jì)

。新供電要求的一項(xiàng)獨(dú)特挑戰(zhàn)是如何使用一個(gè)4.5V-32V輸入電壓來提供一個(gè)5V-20V直流總線。一個(gè)4開關(guān)降壓-升壓轉(zhuǎn)換器是合適的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),提供降壓或升壓電源轉(zhuǎn)換,因其可提供設(shè)計(jì)人員和客戶所需的寬電壓
2018-10-30 09:05:44

降壓轉(zhuǎn)換器TPS54260電子資料

概述:TPS54260是德州儀器(TI)宣布推出其首款支持高達(dá)60伏輸入電壓的2.5A降壓SWIFT 轉(zhuǎn)換器。該款具有集成型高側(cè)FET的最新TPS54260單片同步開關(guān)轉(zhuǎn)換器可為12V、24V以及48V負(fù)載點(diǎn)設(shè)計(jì)方案...
2021-04-20 06:44:57

集成FET升壓轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)

描述此集成 FET 升壓轉(zhuǎn)換器通過 6V - 8.4V 輸入(2S 鋰離子電池)提供 11V 輸出 (1.2A)。此轉(zhuǎn)換器經(jīng)過優(yōu)化,可以緊湊的尺寸為便攜式收音機(jī)等應(yīng)用提供高效率和低成本。特性成本低
2022-09-19 07:44:38

集成氮化鎵改變將影響到電源電子產(chǎn)品

永久性損壞。盡管GaN系統(tǒng)效率、尺寸和冷卻方面具有優(yōu)勢(shì),但其高開關(guān)速度和頻率也呈現(xiàn)出越來越大的挑戰(zhàn)。TI GaN產(chǎn)品的保護(hù)和其他集成功能正在改變使用分立Si MOSFET了解高速開關(guān)轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)復(fù)雜性
2019-07-29 04:45:12

非標(biāo)準(zhǔn)PoE高效正向轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)

? 高效率(使用 PoE 電源時(shí)為 93%,使用適配器電源時(shí)為 92%)? 5V (10A) 輸出? 具有同步整流的隔離式正向? 使用與 UCC2897A 相結(jié)合的 TPS2379 實(shí)施高效的有源正向轉(zhuǎn)換器? 可實(shí)現(xiàn)外部熱插拔 FET 以提高效率
2022-09-26 06:04:41

驅(qū)動(dòng)新一代SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器的IC生態(tài)系統(tǒng)

. ADuM4121評(píng)估板當(dāng)隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器用在高速拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">中時(shí),必須對(duì)其正確供電以保持其性能水平。ADI公司的LT8304/LT8304-1是單芯片、微功耗、隔離式反激轉(zhuǎn)換器。這些器件從原邊反激式波形直接對(duì)隔離
2018-10-22 17:01:41

高頻諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

oss和Q rr也很重要。如圖1所示的電感-電感-電容器-串聯(lián)諧振轉(zhuǎn)換器(LLC-SRC)之類的諧振轉(zhuǎn)換器,諧振儲(chǔ)能電路的電流對(duì)FET 的C oss進(jìn)行充電/放電(圖2的狀態(tài)1),以便實(shí)現(xiàn)零電壓
2022-05-11 10:17:28

高頻諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)注意事項(xiàng),第1部分

oss和Q rr也很重要。如圖1所示的電感-電感-電容器-串聯(lián)諧振轉(zhuǎn)換器(LLC-SRC)之類的諧振轉(zhuǎn)換器,諧振儲(chǔ)能電路的電流對(duì)FET 的C oss進(jìn)行充電/放電(圖2的狀態(tài)1),以便實(shí)現(xiàn)零電壓
2022-05-25 10:08:50

時(shí)鐘分相技術(shù)應(yīng)用

摘要: 介紹了時(shí)鐘分相技術(shù)并討論了時(shí)鐘分相技術(shù)在高速數(shù)字電路設(shè)計(jì)中的作用。關(guān)鍵詞: 時(shí)鐘分相技術(shù); 應(yīng)用中圖分類號(hào): TN 79  文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A   文章編號(hào): 025820934 (2000) 0
2008-08-19 18:54:4124

TI推出具有集成FET的最新全集成10A同步降壓轉(zhuǎn)換器--T

TI推出具有集成FET的最新全集成10A同步降壓轉(zhuǎn)換器--TPS51315 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉(zhuǎn)換器
2009-07-28 07:48:391051

使用C2000 MCU應(yīng)對(duì)GaN開關(guān)挑戰(zhàn)

與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比,氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對(duì)于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換器等高開關(guān)頻率應(yīng)用大有裨益,可幫助減小磁性元件
2021-05-13 15:39:351434

基于GaN的耐輻射DC/DC轉(zhuǎn)換器可提高關(guān)鍵應(yīng)用的效率

除了顯著提高各種拓?fù)浜凸β始?jí)別的商用 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的效率外,基于 GaNFET 還表現(xiàn)出對(duì)伽馬輻射和單事件效應(yīng) (SEE) 的非凡彈性。所有這些特性使 GaN FET 非常適合用于衛(wèi)星和運(yùn)載火箭的電源。
2022-07-25 09:22:411059

48V電源系統(tǒng)中的GaN FET應(yīng)用

解決方案需要額外的 IC,這會(huì)增加額外的復(fù)雜性和挑戰(zhàn)。在本文中,作者介紹了一種兼容 GaN FET 的模擬控制器,該控制器的物料清單數(shù)量少,使設(shè)計(jì)人員能夠像使用硅 FET 一樣簡(jiǎn)單地設(shè)計(jì)同步降壓轉(zhuǎn)換器,并提供卓越的性能。 眾所周知,與傳統(tǒng)的硅 FET 相比,氮化鎵 (GaN) FET 已顯
2022-08-04 09:58:08570

具有高電壓GaN FET的高效率和高功率密度1kW諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)

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2022-09-07 11:30:0510

AMEYA360:羅姆 Semiconductor GNP1 EcoGaN? 650V E模式GaN FET

ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN?650V E模式氮化鎵(GaN)FET采用低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)來提高電源轉(zhuǎn)換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具有內(nèi)置ESD
2023-06-19 15:09:18273

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