從產業鏈角度看,碳化硅包括單晶襯底、外延片、器件設計、器件制造等環節,但目前全球碳化硅市場基本被在國外企業所壟斷。
2018-12-06 16:03:5612188 本推文主要介碳化硅器件,想要入門碳化硅器件的同學可以學習了解。
2023-11-27 17:48:06642 近日,東莞市天域半導體科技有限公司(簡稱“天域”)發生工商變更,新增股東華為關聯投資機構深圳哈勃科技投資合伙企業(有限合伙)等,注冊資本由約9027萬增至約9770萬,增幅超8%。 ? 碳化硅外延
2021-07-06 07:49:004318 電子發燒友原創? 章鷹 ? 2023年,車規級碳化硅器件進入供不應求的階段。當前碳化硅市場處于結構性缺貨中,車規級產品持續短缺,光伏、儲能需求也在增長。據博世中國執行副總裁徐大全表示,由于新能源汽車
2023-05-24 00:10:003423 碳化硅(SiC)具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強、化學穩定性良好等特點,被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料
2020-09-24 16:22:14
PN結器件優越的指標是正向導通電壓低,具有低的導通損耗。 但硅肖特基二極管也有兩個缺點,一是反向耐壓VR較低,一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。 二、碳化硅半導體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開關頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言,該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量,并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值,對短路行為的動態變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
更新換代,SiC并不例外 新一代半導體開關技術出現得越來越快。下一代寬帶隙技術仍處于初級階段,有望進一步改善許多應用領域的效率、尺寸和成本。雖然,隨著碳化硅技術的進步,未來還將面臨挑戰,例如,晶圓
2023-02-27 14:28:47
應用領域。更多規格參數及封裝產品請咨詢我司人員!附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購!碳化硅(SiC)半導體材料是自第一代元素半導體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導體材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能,碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種,主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等,因此被應用于各種半導體材料當中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
碳化硅(SiC)即使在高達1400℃的溫度下,仍能保持其強度。這種材料的明顯特點在于導熱和電氣半導體的導電性極高。碳化硅化學和物理穩定性,碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強度好的材料
2021-01-12 11:48:45
精細化,集成化方向發展。 在新技術驅動下,汽車電子行業迎來新一輪技術革命,行業整體升級。在汽車大量電子化的帶動之下,車用電路板也會向上成長。車用電路板穩定訂單和高毛利率的特點吸引諸多碳化硅基板從業者
2020-12-16 11:31:13
。 碳化硅近幾年的快速發展 近幾年來,低碳生活也是隨之而來,隨著太陽能產業的發展,作為光伏產業用的材料,碳化硅的銷售市場也是十分火爆,許多磨料磨具業內人開始關注起碳化硅這個行業了。目前碳化硅制備技術非常
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過,自1893 年以來,粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料,為什么應用的領域會受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
碳化硅肖特基二極管主要特點及產品系列 基本半導體B1D系列碳化硅肖特基二極管主要技術參數如下: 650V、1200V系列B1D碳化硅肖特基二極管電流范圍從2-40A,封裝涵蓋TO-220,TO-252,TO-263,TO-247及其家族群封裝,產品列表見下:原作者:基本半導體
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,比傳統的硅基器件具有更優越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導熱系數(49W/mK)使功率半導體器件效率更高,運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
二十世紀五十年代后半期,才被納入到固體器件的研究中來。二十世紀九十年代,碳化硅技術才真正意義上得到了迅速發展。SiC材料與目前應該廣泛的Si材料相比,較高的熱導率決定了其高電流密度的特性,較高的禁帶寬
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
TGF2023-2-10碳化硅晶體管產品介紹TGF2023-2-10報價TGF2023-2-10代理TGF2023-2-10咨詢熱線TGF2023-2-10現貨,王先生*** 深圳市首質誠
2018-06-12 10:22:42
通損耗一直是功率半導體行業的不懈追求。 相較于傳統的硅MOSFET和硅IGBT 產品,基于寬禁帶碳化硅材料設計的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導通電阻低,開關損耗小的特點,可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
項目名稱:基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究試用計劃:申請理由:碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料,近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統的性能
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結構是如何構成的?
2021-06-18 08:32:43
無不積極研發經濟型高性能碳化硅功率器件,例如Cascode結構、碳化硅MOSFET平面柵結構、碳化硅MOSFET溝槽柵結構等。這些不同的技術對于碳化硅功率器件應用到底有什么影響,該如何選擇呢?首先
2022-03-29 10:58:06
應用領域,SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上,電力電子產業的技術大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統硅
2021-09-23 15:02:11
電機驅動。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽能發電、風力發電、電焊機、電力機車、遠距離輸電、服務器、家電、電動汽車、充電樁等用途。創能動力于2015年在國內開發出6英寸SiC制造技術,2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
本文重點介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能,特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無基板模塊。 分立器件(如 TO-247)是將碳化硅集成到各種應用中的第一步,但對于更強大和更
2023-02-20 16:29:54
附件:嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
國產碳化硅MOS基于車載OBC與充電樁新技術:1 車載電源OBC與最新發展2 雙向OBC關鍵技術3 11kW全SiC雙向OBC電路4 OBC與車載DC/DC集成二合一5 車載DC/DC轉換電源電路比較6 充電樁電源電路
2022-06-20 16:31:07
的混合碳化硅分立器件(Hybrid SiC Discrete Devices)將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合,為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的完美方案。 該器件將傳統
2023-02-28 16:48:24
技術需求的雙重作用,導致了對于可用于構建更高效和更緊湊電源解決方案的半導體產品擁有巨大的需求。這個需求寬帶隙(WBG)技術器件應運而生,如碳化硅場效應管(SiC MOSFET) 。它們能夠提供設計人
2023-03-14 14:05:02
本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實現了高頻LLC諧振全橋隔離變換器,如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開關及低損耗等
2016-08-05 14:32:43
對于高壓開關電源應用,碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設計一個雙向降壓-升壓轉換器
2021-02-22 07:32:40
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
摘要: 碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導通電阻低,開關速度快等優點。如何充分發揮碳化硅器件的這些優勢性能則給封裝技術帶來了新的挑戰
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題,解決各行業遇到的各種芯片散熱問題,如果你有類似的困惑,歡迎前來探討,鋁碳化硅做封裝材料的優勢它有高導熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41
一體的高科技企業,產品研發骨干來自北京清華大學和韓國延世大學,掌握碳化硅功率器件的核心技術。再加上薩科微總經理宋仕強先生深耕華強北多年,深度了解華強北的商業模式,薩科微slkor的多年積累,為現階段快速
2023-02-21 09:24:40
的門檻變得越來越低,價格也在逐步下降,應用領域也在慢慢扭轉被海外品牌一統天下的局面。據統計,目前國內多家龍頭企業已開始嘗試與內資品牌合作。而SiC-MOSFET, 當前國內品牌尚不具備競爭優勢。碳化硅
2019-09-17 09:05:05
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動兩者電氣參數特性差別較大,碳化硅MOSFET對于驅動的要求也不同于傳統硅器件,主要體現在GS開通電壓、GS關斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個方面,具體如下
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能,特別是在800 V 電池系統和大電池容量中,它可提高逆變器的效率,從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
一、什么是碳化硅碳化硅(SiC)又叫金剛砂,它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過電阻爐高溫冶煉而成,其實碳化硅很久以前就被發現了,它的特點是:化學性能穩定、導熱系數高、熱膨脹系數小、耐磨性能
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
黑碳化硅基礎知識
黑碳化硅是以石英砂,石油焦為主要原料,通過電阻爐高溫冶煉而成
黑碳化硅是以石英砂,石油焦為主要原料,通過電阻
2009-11-17 09:37:27757 碳化硅(SiC)基地知識
碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:491240 代C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中,碳化硅為應用最廣泛、最經濟的一種,可以稱為金鋼砂或耐火砂。 目前中國工業生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種,均為六方晶體,比重為3.20~3.25,顯微硬度為2840~3320kg/mm2。 人類1905年 第一次在隕
2018-01-03 09:48:4819904 碳化硅概念股有哪些?碳化硅國內企業有哪些?國內碳化硅產業鏈企業盤點分析:英飛凌以1.39億美元收購初創企業Siltectra,獲得后者創新技術ColdSpilt以用于碳化硅晶圓的切割上,進一步加碼
2018-12-06 16:08:00138137 近期,國內碳化硅龍頭企業--上海瀚薪科技有限公司(以下簡稱“瀚薪”)宣布完成Pre-A輪融資,本輪融資由國家集成電路基金的子基金—上海半導體裝備材料產業投資基金領投,跟投方包括上汽旗下尚頎資本
2021-01-26 16:13:153170 碳化硅器件總成本的50%,外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的意義,基本半導體從產業鏈各環節探究材料特性及缺陷產生的原因,與上下游企業協同合作提升碳化硅功率器件
2021-08-16 10:46:405267 基本半導體是國內比較早涉及第三代半導體碳化硅功率器件研發的企業,率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件,為業界熟知,并得到廣泛應用。在11月27日舉行的2021基本創新日活動
2021-11-29 14:54:087839 億美元的新工廠。隨著新能源汽車的加速滲透,碳化硅技術的重要性愈發凸顯。安森美、Wolfspeed、意法半導體等碳化硅領域主導企業,均發表了對行業發展的積極展望,并計劃投資擴大產能。碳化硅大廠間的新一輪卡位之戰正在展開。 激進的擴產步伐 作為碳化
2022-10-08 17:02:25872 相比硅基功率半導體,碳化硅功率半導體在開關頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優勢,隨著特斯拉大規模量產碳化硅逆變器之后,更多的企業也開始落地碳化硅產品。
2022-10-14 17:52:065310 碳化硅器件總成本的50%,外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的意義,從產業鏈各環節探究材料特性及缺陷產生的原因,與上下游企業協同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。
2023-01-05 11:23:191191 ,莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中,碳化硅為應用最廣泛、最經濟的一種,可以稱為金鋼砂或耐火砂。 中國工業生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種,均為六方晶體,比重為3.20~3.25,顯微硬度為2840~3320kg/mm。 碳化硅也可以通過使
2023-02-02 14:50:021981 汽車碳化硅技術原理圖 相比硅基功率半導體,碳化硅功率半導體在開關頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優勢,隨著特斯拉大規模量產碳化硅逆變器之后,更多的企業也開始落地碳化硅產品。 功率半導體碳化硅
2023-02-02 15:10:00467 特斯拉碳化硅技術怎么樣?特斯拉碳化硅技術成熟嗎? 大家都知道碳化硅具有高功率、耐高壓、耐高溫等優點,碳化硅技術能夠幫助電動汽車實現快速充電,增加續航;這個特性使得眾多的車企把目光投注過來。 我們
2023-02-02 17:39:092602 碳化硅的電阻率。碳化硅的電阻率隨溫度的變化而改變,但在一定的溫度范圍內與金屬的電阻溫度特性相反。碳化硅的電阻率與溫度的關系更為復雜。碳化硅的導電率隨溫度升高到一定值時出現峰值,繼續升高溫度,導電率又會下降。
2023-02-03 09:31:234410 碳化硅技術壁壘分析:碳化硅技術壁壘是什么 碳化硅技術壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口,也是一個很大的挑戰,那么我們來碳化硅技術壁壘分析下碳化硅技術壁壘是什么?碳化硅技術
2023-02-03 15:25:163637 高技術耐火原料中,碳化硅為應用最廣泛、最經濟的一種,可以稱為金鋼砂或耐火砂。中國工業生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種,均為六方晶體,比重為3.20~3.25。
2023-02-03 16:11:352997 高技術耐火原料中,碳化硅為應用最廣泛、最經濟的一種,可以稱為金鋼砂或耐火砂。 碳化硅基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性,可以在電力電子技術領域打破硅的極限,成為新能源及電力電子的首選器件。 碳
2023-02-05 16:34:591314 遷移率和體積小等特點,因此碳化硅能夠應用于許多領域。 在儲能領域,碳化硅的應用已經非常非常多了。 在經典的儲能系統中包含了電源、DC/DC轉換器、電池充電機以及把能量輸送到家庭端或輸送回電網的逆變器,碳化硅技術在這種配置
2023-02-12 15:12:32933 電機碳化硅技術是一種利用碳化硅材料制作電機的技術,它是利用碳化硅材料的特性,如高熱導率、高電阻率、低摩擦系數等,來提高電機的效率、耐久性和可靠性,從而降低電機的成本。
2023-02-16 17:54:004556 汽車碳化硅技術是一種利用碳化硅材料制作汽車零部件的技術,它可以提高汽車零部件的性能,提高汽車的效率、耐久性和可靠性,并且可以降低汽車的成本。
2023-02-16 18:21:03497 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成為粉末,碳化硅粉末經過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠;碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 首先,讓我們簡要介紹一下碳化硅到底是什么,以及它與傳統硅的一些不同之處。關于SiC的一個有趣的事實是,碳化硅的碳化物成分不是天然存在的物質。事實上,碳化物最初是從隕石的碎片中發現的。其獨特的性能非常有前途,以至于今天,我們合成了用于碳化硅功率產品的硬質合金。
2023-05-20 17:00:09614 碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業讀者喜愛,本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產業鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應用市場,以及未來的發展趨勢,感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導體器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性,因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩定性良好、響應速度快等特點,廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領域,如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:32747 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導體場效應晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151182 6.3.2氧化硅的介電性能6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.3.1氧化速率∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-01-04 14:11:56775 6.1.2n型區的離子注入6.1離子注入第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.1.1選擇性摻雜技術∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-01-06 09:17:33617 碳化硅,也稱為SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體,或將其與鈹,硼,鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅存在許多品種和純度,但半導體級質量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451094 業內人士預測,今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國際功率半導體巨頭Wolfspeed和意法半導體等公司正在加速推進8英寸碳化硅技術。在國內市場方面,碳化硅設備、襯底和外延領域也有突破性進展,多家行業龍頭選擇與國際功率半導體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:21969 在碳化硅產業鏈中,碳化硅襯底制造是碳化硅產業鏈技術壁壘最高、價值量最大的環節,是未來碳化硅大規模產業化推進的核心環節。
碳化硅襯底的生產流程包括長晶、切片、研磨和拋光四個環節。
2023-10-27 09:35:57931 單晶生長,以高純硅粉和高純碳粉作為原材料形成碳化硅晶體;2)襯底環節,碳化硅晶體經過切割、研磨、拋光、清洗等工序加工形成單晶薄片,也即半導體襯底材料;
2023-12-05 15:26:53561 碳化硅,又稱SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體,或將其與鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅的品種和純度很多,但半導體級質量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438 碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導通電阻。
2023-12-12 09:47:33456 碳化硅在溫度傳感器中的應用? 碳化硅 (SiC) 是一種廣泛應用于溫度傳感器中的材料。由于其出色的耐高溫和抗腐蝕能力,碳化硅成為了各種工業和高溫環境下的溫度測量領域中的首選材料。在本文中,我們將討論
2023-12-19 11:48:30207 碳化硅(SiC)是一種優良的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點,因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379 碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導體材料,具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優點。由于這些優異的性能,碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領域具有廣泛的應用前景。然而,由于碳化硅
2024-01-11 17:33:14294 2024年以來,包括廣汽集團等4家企業均推出了基于碳化硅技術的汽車充電方案,意味著碳化硅有望在充電基礎設施領域實現大規模應用
2024-01-29 16:53:252814
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