工程師對(duì)電磁干擾，并行化和布局非常熟悉，但是當(dāng)從基于硅的芯片過(guò)渡到碳化硅或寬帶隙器件時(shí)，需要多加注意。 芯片顯示，基于硅（Si）的半導(dǎo)體比寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體具有十多年的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，主要是碳化硅
2021-04-06 17:50:53
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半導(dǎo)體器件與工藝
2012-08-20 08:39:08
《電子電路分析與設(shè)計(jì)：半導(dǎo)體器件及其基本應(yīng)用》主要內(nèi)容：電子學(xué)是研究電荷在空氣、真空和半導(dǎo)體內(nèi)運(yùn)動(dòng)的一門科學(xué)（注意此處不包括電荷在金屬中的運(yùn)動(dòng)）。這一概念最早起源于20世紀(jì)早期，以便和電氣工程
2018-11-13 15:34:39
半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分（場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分）組成。
2011-10-23 22:05:11
半導(dǎo)體器件熱譜分析方法
2016-04-18 16:38:19
半導(dǎo)體器件物理（胡正明）
2020-09-22 19:57:16
!!1、半導(dǎo)體元件與芯片的區(qū)別按照國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類方式，在國(guó)際半導(dǎo)體的統(tǒng)計(jì)中，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)只分成四種類型：集成電路，分立器件，傳感器和光電子。所有的國(guó)際半導(dǎo)體貿(mào)易中都是分成這四類。上面說(shuō)的...
2021-11-01 09:11:54
請(qǐng)問(wèn)半導(dǎo)體分立器件怎么分類？
2011-10-26 10:29:14
摘要 : 導(dǎo)讀：ASEMI半導(dǎo)體這個(gè)品牌自打建立以來(lái)，就一直不間斷在研發(fā)半導(dǎo)體各類元器件，在半導(dǎo)體的制程和原理上可謂已經(jīng)是精益求精，今天ASEMI半導(dǎo)體要和大家一起分享的，就是這個(gè)半導(dǎo)體的制程導(dǎo)讀
2018-11-08 11:10:34
近年來(lái)，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國(guó)轉(zhuǎn)移。目前,我國(guó)已經(jīng)成為全球最重要的半導(dǎo)體功率器件封測(cè)基地。如IDM類（吉林華微電子、華潤(rùn)微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體
2021-07-12 07:49:57
家電企業(yè)作為儲(chǔ)備技術(shù)。真正最多應(yīng)用于家電的電機(jī)控制IC產(chǎn)品是MCU。來(lái)自家電行業(yè)的信息顯示，意法半導(dǎo)體（ST）、NEC、瑞薩半導(dǎo)體是家電電機(jī)控制的主要MCU產(chǎn)品提供商。
2019-06-21 07:45:46
本人小白，最近公司想上半導(dǎo)體器件的塑封生產(chǎn)線，主要是小型貼片器件封裝，例如sot系列。設(shè)備也不需要面面俱到，能進(jìn)行小規(guī)模正常生產(chǎn)就行。哪位大神能告知所需設(shè)備的信息，以及這些設(shè)備的國(guó)內(nèi)外生產(chǎn)廠家，在此先行感謝！
2022-01-22 12:26:47
半導(dǎo)體存儲(chǔ)元器件工作原理
2017-02-05 13:25:23
半導(dǎo)體氣敏器件相關(guān)資料分享
2021-04-01 06:01:54
、635nm、650nm、670nm）。這些器件的特征是：?jiǎn)晤l窄線寬、高速率、可調(diào)諧、短波長(zhǎng)、光電單片集成化等。 大功率半導(dǎo)體激光器（功率型激光器），主要用于泵浦源、激光加工系統(tǒng)、印刷行業(yè)、生物醫(yī)療等領(lǐng)域
2016-01-14 15:34:44
在這里我們通過(guò)半導(dǎo)體與其他材料的主要區(qū)別來(lái)了解半導(dǎo)體的本性： 在室溫下，半導(dǎo)體的電導(dǎo)率處在103~10-9西[門子]/厘米之間，其中西[門子]/厘米為電導(dǎo)率的單位，電導(dǎo)率與電阻率互為倒數(shù)。一般金屬
2018-03-29 09:04:21
寬帶隙器件的技術(shù)優(yōu)勢(shì)實(shí)際應(yīng)用中的寬帶隙功率轉(zhuǎn)換
2021-02-22 08:14:57
帶隙高于硅半導(dǎo)體的新型材料可縮減芯片尺寸，同時(shí)保持相同的隔離電壓。 較小的芯片產(chǎn)生較低的寄生電容，并降低了晶體管柵極電荷 (Qg) 及輸出電容 (Coss)。相比于標(biāo)準(zhǔn)的硅 MOSFET，在給定的頻率
2022-11-16 06:48:11
應(yīng)用于EMI及ESD的新型片式元器件有哪些？
2021-05-31 06:06:13
意法半導(dǎo)體擁有最先進(jìn)的平面工藝，并且會(huì)隨著G4不斷改進(jìn)：? 導(dǎo)通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單性、可靠性、經(jīng)驗(yàn)…? 適用于汽車的高生產(chǎn)率
2023-09-08 06:33:00
GVM電機(jī)技術(shù)特點(diǎn)是什么？有哪些主要特征？GVM電機(jī)優(yōu)勢(shì)有哪些？主要應(yīng)用于哪些方面？
2021-09-30 08:35:56
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開(kāi)關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
材料。與目前絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料相比，GaN 具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)：禁帶更寬、飽和漂移速度更大、臨界擊穿電場(chǎng)和熱導(dǎo)率更高，使其成為最令人矚目的新型半導(dǎo)體材料之一。目前，GaN 基發(fā)光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41:00
IHDF-1300AE-10是什么？主要應(yīng)用于哪些領(lǐng)域？IHDF-1300AE-10器件規(guī)格是什么？
2021-07-09 07:03:19
KIA半導(dǎo)體MOS管具備挺大的核心競(jìng)爭(zhēng)力，是開(kāi)關(guān)電源生產(chǎn)廠家的最好的選擇。KIA半導(dǎo)體 MOS管廠家主要研發(fā)、生產(chǎn)、經(jīng)營(yíng)：場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）、COOL MOS（超結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管）、三端穩(wěn)壓管、快恢復(fù)
2021-11-12 08:43:18
LED具備哪些重要優(yōu)勢(shì)？ LED在汽車領(lǐng)域應(yīng)用所面臨的挑戰(zhàn)有哪些？LED主要應(yīng)用于哪些領(lǐng)域？
2021-05-19 06:42:00
LED有哪些關(guān)鍵特性？控制LED的方法有哪些？LED主要應(yīng)用于哪些領(lǐng)域？
2021-05-12 06:42:04
TQ6122是什么？TQ6122的結(jié)構(gòu)有哪些特點(diǎn)？TQ6122的引腳功能包括哪些？TQ6122主要應(yīng)用于哪些領(lǐng)域？TQ6122在應(yīng)用中有哪些問(wèn)題？
2021-04-14 06:53:20
XCP是什么？它為什么會(huì)出現(xiàn)？XCP的結(jié)構(gòu)是由哪些部分組成的？XCP從設(shè)備包括哪些?XCP有哪些設(shè)計(jì)準(zhǔn)則？XCP主要應(yīng)用于哪些領(lǐng)域？
2021-04-15 06:05:24
最近手上好多半導(dǎo)體芯片職位，可是人都不知道去哪了，都沒(méi)什么人關(guān)注。請(qǐng)教：1. 對(duì)現(xiàn)在工作很滿意2. 形勢(shì)不好，不敢跳槽3. 不知道招聘信息4. 跳槽工資不吸引5. 其他你們心里是怎么想的？[此貼子已經(jīng)被作者于2009-8-27 10:58:45編輯過(guò)]
2009-08-27 10:58:18
_BV（i）指令到底是什么意思？_BV（i）指令主要應(yīng)用于哪些地方？
2021-07-08 07:19:03
和 102 之間變化Q cm（硅的電阻率在 0.1 到 60 Qcm 之間）。半導(dǎo)體介于絕緣體和導(dǎo)體之間，因?yàn)樗鼈兊膸?b class="flag-6" style="color: red">隙（價(jià)帶最高能級(jí)與電導(dǎo)帶最低能級(jí)之間的能量差）相對(duì)較小。分子軌道理論指出，當(dāng)原子
2021-07-01 09:38:40
鎵和碳化硅的各種蝕刻劑，包括水性無(wú)機(jī)酸和堿溶液以及熔融鹽。濕法刻蝕在寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)中有多種應(yīng)用，包括缺陷裝飾、通過(guò)產(chǎn)生特征凹坑或小丘識(shí)別極性和多型(用于碳化硅)以及在光滑表面上制造器件。對(duì)于氮化鎵
2021-10-14 11:48:31
使用這些納米線陣列，可以實(shí)現(xiàn)寬帶光捕獲。接觸電極，如氧化銦錫 (ITO)、銀和銅，對(duì)具有不同帶隙的半導(dǎo)體納米線太陽(yáng)能電池器件的影響，重點(diǎn)是光吸收。雖然傳統(tǒng)的導(dǎo)電氧化物材料，如氧化銦錫 (ITO
2021-07-09 10:20:13
變換和電路控制，更是弱電控制與強(qiáng)電運(yùn)行之間的溝通橋梁，主要作用是變頻、變壓、變流、功率放大和功率管理，對(duì)設(shè)備正常運(yùn)行起到關(guān)鍵作用。與此同時(shí)，功率半導(dǎo)體器件還具有綠色節(jié)能功能，被廣泛應(yīng)用于幾乎所有的電子制造業(yè)
2019-02-26 17:04:37
建模工具所采用。基于其集成的并行SPICE引擎，BSIMProPlus提供強(qiáng)大的全集成SPICE建模平臺(tái)，可以用于對(duì)各種半導(dǎo)體器件從低頻到高頻的各種器件特性的SPICE建模，包括電學(xué)特性測(cè)試、器件模型
2020-07-01 09:36:55
半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分（場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分）組成。五個(gè)部分意義如下： 第一部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管
2021-05-25 08:01:53
滿足市場(chǎng)需求，使用硅的新器件年復(fù)一年地實(shí)現(xiàn)更大的功率密度和能效，已經(jīng)越來(lái)越成為一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。從本質(zhì)上講，芯片的演進(jìn)已經(jīng)接近其基礎(chǔ)物理極限。但是，為什么說(shuō)寬帶隙半導(dǎo)體的表現(xiàn)已經(jīng)超越了硅呢？
2019-07-30 07:27:44
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合用于
2019-07-29 07:16:49
1，半導(dǎo)體基礎(chǔ)2，PN節(jié)二極管3，BJT和其他結(jié)型器件4，場(chǎng)效應(yīng)器件
2020-11-27 10:09:56
基于霍耳效應(yīng)的半導(dǎo)體磁電轉(zhuǎn)換傳感器。在磁場(chǎng)測(cè)量以及利用磁場(chǎng)作為媒介對(duì)位移、速度、加速度、壓力、角度、角速度、流量、電流、電功率等許多非電量測(cè)量中，半導(dǎo)體磁敏元件是一種重要的器件。磁敏元件分霍耳元件
2019-09-10 10:42:32
去的三十年里，III-V 技術(shù)（GaAs 和InP）已經(jīng)逐漸擴(kuò)大到這個(gè)毫米波范圍中。新近以來(lái)，由于工藝尺寸持續(xù)不斷地減小，硅技術(shù)已經(jīng)加入了這個(gè)“游戲”。在本文中，按照半導(dǎo)體特性和器件要求，對(duì)可用于
2019-07-31 07:43:42
什么是OP4177？它有什么優(yōu)點(diǎn)？OP4177主要應(yīng)用于哪些領(lǐng)域？OP4177的電源解決方案有哪些？
2021-04-20 07:25:28
的鉗位感性負(fù)載電路。 一旦對(duì)半導(dǎo)體器件進(jìn)行了表征，就需要對(duì)其進(jìn)行評(píng)估。這同樣適用于WBG設(shè)備。為了評(píng)估用WBG半導(dǎo)體代替硅器件可能獲得的優(yōu)勢(shì)，需要從系統(tǒng)級(jí)的角度進(jìn)行評(píng)估。評(píng)估程序通常基于在連續(xù)和非連續(xù)
2023-02-21 16:01:16
電路保護(hù)用于幾乎所有的電氣或電子設(shè)備,不僅保護(hù)設(shè)備,而且保護(hù)人、企業(yè)和聲譽(yù)。這些器件有針對(duì)性地保護(hù)敏感電子免受過(guò)流、過(guò)壓、靜電放電、浪涌和其他破壞性的故障所導(dǎo)致的失效。國(guó)內(nèi)電路保護(hù)專家優(yōu)恩半導(dǎo)體專業(yè)研發(fā)及生產(chǎn)高規(guī)格、高性能電路保護(hù)元件，本文將介紹優(yōu)恩半導(dǎo)體電路保護(hù)器件的優(yōu)勢(shì)
2018-09-25 15:45:33
Python是什么？Python主要應(yīng)用于哪些領(lǐng)域？
2021-07-02 06:15:31
說(shuō)到功率轉(zhuǎn)換電子器件，每位設(shè)計(jì)師都希望用到損耗最小的完美半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，而寬帶隙碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）器件通常被認(rèn)為是接近完美的器件。不過(guò)，想要達(dá)到“完美”，只靠低損耗是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。開(kāi)關(guān)必須
2023-02-05 15:14:52
點(diǎn)擊: 功率半導(dǎo)體器件 &
2008-08-03 17:05:29
功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用手冊(cè)功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用手冊(cè)——彎腳及焊接應(yīng)注意的問(wèn)題本文將向您介紹大家最關(guān)心的有關(guān)TSE功率半導(dǎo)體器件封裝的兩個(gè)問(wèn)題：一、 怎樣彎腳才能不影響器件的可靠性？二、 怎樣確保焊接
2008-08-12 08:46:34
電力電子器件（Power Electronic Device），又稱為功率半導(dǎo)體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上)電子器件。可以分為半控型器件
2021-09-09 06:29:58
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡(jiǎn)寫(xiě)為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡(jiǎn)寫(xiě)為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
。目前，凱仕德離子風(fēng)機(jī)，離子風(fēng)棒，凱仕德空間離子棒具有很好的去除工業(yè)靜電的作用，已應(yīng)用于大多數(shù)半導(dǎo)體生產(chǎn)中。
2023-12-12 17:18:54
，安森美半導(dǎo)體提供優(yōu)質(zhì)的全局快門系列產(chǎn)品，可捕獲快速移動(dòng)的的對(duì)象，主要應(yīng)用于掃碼的VGA、100萬(wàn)像素及更高像素輸出，產(chǎn)品經(jīng)市場(chǎng)驗(yàn)證，質(zhì)量、信用及技術(shù)水平都得到客戶的廣泛認(rèn)可，目前占據(jù)超過(guò)40
2018-11-08 16:23:34
安森美半導(dǎo)體應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)的成像技術(shù)和方案分享
2021-05-31 07:07:32
安森美半導(dǎo)體將于下周在德國(guó)紐倫堡舉辦的Embedded World展示應(yīng)用于汽車、工業(yè)及消費(fèi)的的基于半導(dǎo)體的集成系統(tǒng)方案。我們將重點(diǎn)展示物聯(lián)網(wǎng)(IoT) 及工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)(IIoT) 或工業(yè)4.0，以及
2018-10-11 14:28:55
（GaN）寬帶隙器件，助力開(kāi)發(fā)先進(jìn)、高能效的下一代電動(dòng)車（EV）和混合動(dòng)力電動(dòng)車（HEV），實(shí)現(xiàn)更高的安全性、智能性和每次充電后更遠(yuǎn)的續(xù)航里程。 此次安森美半導(dǎo)體與奧迪的全新合作將加快開(kāi)發(fā)進(jìn)程，打造自動(dòng)駕駛系統(tǒng)和汽車功能電子化的全新性能，推進(jìn)汽車領(lǐng)域的變革。
2018-10-11 14:33:43
安森美半導(dǎo)體電源方案部（PSG）加速了擴(kuò)展分立器件、集成電路(IC)、模塊和驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品陣容，針對(duì)汽車應(yīng)用中的高電源能效方案。公司電源方案部的汽車認(rèn)證的器件數(shù)現(xiàn)已超過(guò)4,000，是該行業(yè)中最大的供應(yīng)商
2018-10-25 08:53:48
常用半導(dǎo)體器件本章要求：一、理解PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕龢O管的電流分配和 &
2009-09-30 18:12:20
1.常用半導(dǎo)體器件型號(hào)命名的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)常用半導(dǎo)體器件的型號(hào)命名由五個(gè)部分組成，第一部分用數(shù)字表示電極的數(shù)目；第二部分用漢語(yǔ)拼音字母表示器件的材料和極性；第三部分表示器件的類別；第四部分表示器件的序號(hào)
2017-11-06 14:03:02
半導(dǎo)體元器件是用半導(dǎo)體材料制成的電子元器件，隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，各種新型半導(dǎo)體元器件層出不窮。半導(dǎo)體元器件是組成各種電子電路的核心元件，學(xué)習(xí)電子技術(shù)必須首先了解半導(dǎo)體元器件的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
2008-05-24 10:29:38
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
帶隙高于硅半導(dǎo)體的新型材料可縮減芯片尺寸，同時(shí)保持相同的隔離電壓。 較小的芯片產(chǎn)生較低的寄生電容，并降低了晶體管柵極電荷 (Qg) 及輸出電容 (Coss)。相比于標(biāo)準(zhǔn)的硅 MOSFET，在給定的頻率
2018-08-30 14:43:17
能量轉(zhuǎn)換效率是一個(gè)重要的指標(biāo)，各制造商摩拳擦掌希望在95%的基礎(chǔ)上再有所提升。為了實(shí)現(xiàn)這一提升，開(kāi)始逐漸采用越來(lái)越復(fù)雜的轉(zhuǎn)換拓?fù)洌缫葡嗳珮颍≒SFB）和LLC變換器。而且二極管將逐漸被功耗更低的MOSFET所取代，寬帶隙（WBG）器件更是以其驚人的開(kāi)關(guān)速度被譽(yù)為未來(lái)的半導(dǎo)體業(yè)明珠。
2020-10-29 07:12:23
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
電力半導(dǎo)體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2019-06-27 06:18:41
在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，使用碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）材料的寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體器件作為開(kāi)關(guān)，能讓開(kāi)關(guān)性能更接近理想狀態(tài)。相比硅MOSFET或IGBT，寬帶隙器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗都更低。此外還有
2023-02-05 15:16:14
半導(dǎo)體器件,半導(dǎo)體器件的種類
半導(dǎo)體器件從肯有2個(gè)管腳的二極管到最新的系統(tǒng)LSI、超大功率器件均有廣泛的研究，且被廣泛地運(yùn)用于手機(jī)、數(shù)碼家電產(chǎn)品
2010-03-01 17:25:025985 什么是寬帶隙半導(dǎo)體材料
氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等都是寬帶隙半導(dǎo)體材料，因?yàn)樗慕麕挾榷荚?個(gè)電子伏以上，在室溫下不可
2010-03-04 10:32:487106 半導(dǎo)體分立器件器件國(guó)內(nèi)主要公司有韋爾股份、揚(yáng)杰科技、捷捷微電、蘇州固锝、華微電子、臺(tái)基股份、士蘭微等。
2018-11-15 17:06:5425412 半導(dǎo)體光電器件是指把光和電這兩種物理量聯(lián)系起來(lái)，使光和電互相轉(zhuǎn)化的新型半導(dǎo)體器件。即利用半導(dǎo)體的光電效應(yīng)（或熱電效應(yīng)）制成的器件。光電器件主要有，利用半導(dǎo)體光敏特性工作的光電導(dǎo)器件，利用半導(dǎo)體光伏打效應(yīng)工作的光電池和半導(dǎo)體發(fā)光器件等。
2019-01-09 15:06:1624699 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體教程之半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)的資料說(shuō)明主要內(nèi)容包括了:1 半導(dǎo)體的基本知識(shí)，2 半導(dǎo)體二極管，3 半導(dǎo)體三極管，4 BJT模型，5 場(chǎng)效應(yīng)管
2019-01-22 08:00:00
52 正是由于帶隙，使得半導(dǎo)體具備開(kāi)關(guān)電流的能力，以實(shí)現(xiàn)給定的電子功能;畢竟，晶體管僅僅是嵌入在硅基襯底上的微型開(kāi)關(guān)。更高的能量帶隙賦予了WBG材料優(yōu)于硅的半導(dǎo)體特性。 相較于硅器件，WBG器件可以在較小
2019-08-28 12:31:068446 
近日，為了促進(jìn)寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，IEEE電力電子學(xué)會(huì)（PELS）發(fā)布了寬帶隙功率半導(dǎo)體（ITRW）的國(guó)際技術(shù)路線圖。
2020-04-13 16:01:314681 寬帶隙 （WBG） 半導(dǎo)體器件的集成在多種技術(shù)應(yīng)用中作為硅技術(shù)的替代品是一個(gè)不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)，它可以提供效率和功率密度的改進(jìn)，這對(duì)能源和成本節(jié)約有很大的影響 。WBG 具有顯著優(yōu)勢(shì)，例如更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的功率損耗和更高的功率密度。
2022-04-22 17:01:511719 
寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體，例如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，已經(jīng)終結(jié)了硅在電力電子領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。自硅問(wèn)世以來(lái)，WBG 半導(dǎo)體被證明是電力電子行業(yè)最有前途的材料。與傳統(tǒng)的硅基技術(shù)相比
2022-07-27 15:11:441258 使用寬帶隙半導(dǎo)體的技術(shù)可以滿足當(dāng)今行業(yè)所需的所有需求。顧名思義，它們具有更大的帶隙，因此各種電子設(shè)備可以在高電壓、高溫和高頻率下工作。碳化硅 （SiC） 和氮化鎵 （GaN） 是最近推出的寬帶
2022-07-29 08:06:461389 
寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體極大地影響了使用它們的設(shè)備的可能性。材料的帶隙是指電子從半導(dǎo)體價(jià)帶的最高占據(jù)態(tài)移動(dòng)到導(dǎo)帶的最低未占據(jù)態(tài)所需的能量。
2022-07-29 15:10:451618 工程師熟悉電磁干擾、并聯(lián)和布局，但在從硅基芯片過(guò)渡到碳化硅或寬帶隙器件時(shí)，需要多加注意。 據(jù)chip稱，硅（Si）基半導(dǎo)體比寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體領(lǐng)先十年，主要是碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN
2022-08-05 14:30:09731 
追求更高效的電子產(chǎn)品以功率器件為中心，而半導(dǎo)體材料則處于研發(fā)活動(dòng)的前沿。硅的低成本和廣泛的可用性使其在幾年前超越鍺成為主要的功率半導(dǎo)體材料。然而，今天，硅正在將其在功率器件中的主導(dǎo)地位讓給兩種更高
2022-08-08 10:16:49935 
碳化硅（SiC）晶圓經(jīng)常出現(xiàn)在新聞中，這一事實(shí)預(yù)示著這種寬帶隙（WBG）材料作為顛覆性半導(dǎo)體技術(shù)的證書(shū)，適用于更小、更輕、更高效的電力電子設(shè)備。
2022-12-15 11:08:18691 用于光電子和電子的寬帶隙和超寬帶隙半導(dǎo)體
2022-12-22 09:32:25640 碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結(jié)合力非常強(qiáng)，使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬帶隙和高熱穩(wěn)定性允許
2022-12-30 13:57:49632 
隨著硅接近其物理極限，電子制造商正在轉(zhuǎn)向非常規(guī)半導(dǎo)體材料，特別是寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。由于寬帶隙材料具有相對(duì)較寬的帶隙（與常用的硅相比），寬帶隙器件可以在高壓、高溫和高頻下工作。寬帶隙器件可以提高能效并延長(zhǎng)電池壽命，這有助于推動(dòng)寬帶隙半導(dǎo)體的市場(chǎng)。
2023-02-05 14:25:15677 寬帶隙半導(dǎo)體是一種具有寬帶隙的半導(dǎo)體材料，其特性是具有較寬的能帶隙，可以吸收和發(fā)射更多的光子，從而提高半導(dǎo)體器件的效率。它廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能電池、激光器件、光電子器件等領(lǐng)域。
2023-02-16 15:07:08700 功率半導(dǎo)體器件是一種用于控制和轉(zhuǎn)換大功率電能的半導(dǎo)體器件，主要包括以下幾種類型：
二極管：功率二極管是一種只允許電流單向流動(dòng)的半導(dǎo)體器件，常用于整流、反向保護(hù)等應(yīng)用中。
2023-02-28 11:41:342705 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于高密度和高效率電源設(shè)計(jì)的意法半導(dǎo)體WBG解決方案.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-01 16:54:170 調(diào)查結(jié)果顯示，SiC、GaN（氮化鎵）等寬帶隙半導(dǎo)體單晶主要用于功率半導(dǎo)體器件，市場(chǎng)正在穩(wěn)步擴(kuò)大。
2023-09-04 15:13:24365 
功率逆變器應(yīng)用采用寬帶隙半導(dǎo)體器件時(shí)柵極電阻選型注意事項(xiàng)
2023-11-23 16:56:32254 
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