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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>碳化硅和硅相比有何性能優(yōu)勢(shì)

碳化硅和硅相比有何性能優(yōu)勢(shì)

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電壓或高溫條件的器件非常有利。在高頻、高溫、高功率及惡劣環(huán)境下,仍具有更優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能以及更小的結(jié)溫和結(jié)溫波動(dòng)?! ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅二極管廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、功率因素校正(PFC)電路、不間斷電源(UPS)、光伏
2020-09-24 16:22:14

碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點(diǎn)

一樣,可以制成結(jié)型器件、場(chǎng)效應(yīng)器件、和金屬與半導(dǎo)體接觸的肖特基二極管?! ∑鋬?yōu)點(diǎn)是:  (1)碳化硅單載流子器件漂移區(qū)薄,開(kāi)態(tài)電阻小。比器件小100-300倍。由于小的導(dǎo)通電阻,碳化硅功率器件
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碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了

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2015-06-01 15:38:39

碳化硅MOSFET是如何制造的?如何驅(qū)動(dòng)碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管?

討論一下SiC器件?! ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅,不那么新的材料  第一次記錄在案的SiC材料實(shí)驗(yàn)是在1849年左右,這種材料已經(jīng)廣泛用于防彈背心或磨料。IGBT的發(fā)明者之一早在1993年就討論了與(Si)器件相比
2023-02-24 15:03:59

碳化硅MOSFET的SCT怎么樣?

本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言,該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門(mén)的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量,并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值,對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07

碳化硅MOS管650V-3300V,電流1A-200A(國(guó)產(chǎn)碳化硅MOS晶圓裸芯、全碳SiC模塊)

本帖最后由 ewaysqian 于 2024-2-21 14:26 編輯 碳化硅MOS具有寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、高電流密度、快速開(kāi)關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和抗輻射性能等獨(dú)特特點(diǎn),在電子器件領(lǐng)域有著
2022-02-17 14:36:16

碳化硅SiC技術(shù)導(dǎo)入應(yīng)用的最大痛點(diǎn)

?! 」β拾雽?dǎo)體就是這樣。在首度商業(yè)化時(shí),碳化硅的創(chuàng)新性和較新的顛覆性技術(shù)必然很昂貴,盡管認(rèn)識(shí)到了與基產(chǎn)品(如IGBT和Si-MOSFET)相比的潛在優(yōu)勢(shì),大多數(shù)工程師還是把它放在了“可有可無(wú)”的清單
2023-02-27 14:28:47

碳化硅二極管選型表

反向恢復(fù)電流,其關(guān)斷過(guò)程很快,開(kāi)關(guān)損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度較高,可以制作出超過(guò)1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域,由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23

碳化硅半導(dǎo)體器件哪些?

200V,但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復(fù)時(shí)間實(shí)踐,同時(shí)在正向電壓也減少,耐壓也大大超過(guò)200V,典型的電壓650V、1200V等,另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢(shì)。在
2020-06-28 17:30:27

碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

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碳化硅器件是如何組成逆變器的?

進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13

碳化硅器件的特點(diǎn)是什么

今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04

碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

泛的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一,憑借碳化硅(SiC)陶瓷材料自身優(yōu)異的半導(dǎo)體性能,在各個(gè)現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域發(fā)揮重要革新作用。是高溫、高頻、抗輻射、大功率應(yīng)用場(chǎng)合下極為理想的半導(dǎo)體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低
2021-01-12 11:48:45

碳化硅基板——汽車(chē)電子發(fā)展新動(dòng)力

上,對(duì)介電常數(shù)要求嚴(yán)格,雖然低溫共燒陶瓷,仍然無(wú)法滿足他們的要求,需要一種性能更好的升級(jí)產(chǎn)品,建議可以使用富力天晟的碳化硅基板;因應(yīng)汽車(chē)需求而特別開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品(如IC 載板、軟板、銀膠貫孔等),也在向
2020-12-16 11:31:13

碳化硅如何改進(jìn)開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)?

,但基于碳化硅的設(shè)計(jì)更具成本競(jìng)爭(zhēng)力?!   D 4:即使是 107 mΩ CoolSiC CCM 圖騰柱 PFC 的效率也接近 99%,性能優(yōu)于最佳的 CoolMOS? 雙升壓 PFC? 方法
2023-02-23 17:11:32

碳化硅深層的特性

電磁性。因碳化硅是一種共價(jià)鍵化合物,原子間結(jié)合的鍵很強(qiáng),它具有以下一些獨(dú)特的性能,因而得以廣泛應(yīng)用。1)高熔點(diǎn)。關(guān)于碳化硅熔點(diǎn)的數(shù)據(jù).不同資料取法不一,2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22

碳化硅混合分立器件 IGBT

和 DC-AC 變流器等。集成式快速開(kāi)關(guān) 50A IGBT 的關(guān)斷性能優(yōu)于純解決方案,可與 MOSFET 媲美。較之常規(guī)的碳化硅 MOSFET,這款即插即用型解決方案可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間,能以更低成本實(shí)現(xiàn) 95
2021-03-29 11:00:47

碳化硅的歷史與應(yīng)用介紹

與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過(guò),自1893 年以來(lái),粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52

碳化硅的應(yīng)用

碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39

碳化硅肖特基二極管技術(shù)演進(jìn)解析

  01  碳化硅材料特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)  碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一,其材料本征特性與材料相比具有諸多優(yōu)勢(shì)。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例,其禁帶寬度是材料的3倍
2023-02-28 16:55:45

碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

  碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)的基器件具有更優(yōu)越的性能碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(chǎng)(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(49W/mK)使功率半導(dǎo)體器件效率更高,運(yùn)行速度更快
2023-02-28 16:34:16

碳化硅陶瓷線路板,半導(dǎo)體功率器件的好幫手

二十世紀(jì)五十年代后半期,才被納入到固體器件的研究中來(lái)。二十世紀(jì)九十年代,碳化硅技術(shù)才真正意義上得到了迅速發(fā)展。SiC材料與目前應(yīng)該廣泛的Si材料相比,較高的熱導(dǎo)率決定了其高電流密度的特性,較高的禁帶寬
2021-03-25 14:09:37

CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片

哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32

MACOM:基氮化鎵器件成本優(yōu)勢(shì)

不同,MACOM氮化鎵工藝的襯底采用基。基氮化鎵器件既具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優(yōu)點(diǎn),又比碳化硅基氮化鎵器件在成本上更具有優(yōu)勢(shì),采用來(lái)做氮化鎵襯底,與碳化硅基氮化鎵相比,基氮化鎵晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41

SIC碳化硅二極管

SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11

SiC器件與器件相比哪些優(yōu)越的性能

相比,SiC哪些優(yōu)勢(shì)?SiC器件與器件相比哪些優(yōu)越的性能?碳化硅器件的缺點(diǎn)哪些?
2021-07-12 08:07:35

Si與SiC肖特基二極管應(yīng)用對(duì)比優(yōu)勢(shì)

電子設(shè)備中。與傳統(tǒng)的相比碳化硅具有以下優(yōu)點(diǎn):  ·碳化硅的禁帶寬度Eg幾乎是的三倍,約為3.26eV,而是1.12eV,所以碳化硅具有低得多的反向電流;  ·碳化硅的臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度約是的九倍
2019-01-02 13:57:40

TGF2023-2-10碳化硅晶體管

TGF2023-2-10碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2023-2-10報(bào)價(jià)TGF2023-2-10代理TGF2023-2-10咨詢熱線TGF2023-2-10現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠(chéng)
2018-06-12 10:22:42

TO-247封裝碳化硅MOSFET引入輔助源極管腳的必要性

通損耗一直是功率半導(dǎo)體行業(yè)的不懈追求。  相較于傳統(tǒng)的MOSFET和IGBT 產(chǎn)品,基于寬禁帶碳化硅材料設(shè)計(jì)的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導(dǎo)通電阻低,開(kāi)關(guān)損耗小的特點(diǎn),可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19

【羅姆BD7682FJ-EVK-402試用體驗(yàn)連載】基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究

用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì),尋找出適合碳化硅功率器件的電機(jī)驅(qū)動(dòng)場(chǎng)合,開(kāi)發(fā)工程應(yīng)用技術(shù)?,F(xiàn)已有Sct3017AL在實(shí)驗(yàn)室初步用于無(wú)感控制驅(qū)動(dòng)技術(shù)中,為了進(jìn)一步測(cè)試功率器件性能,為元器件選型和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證做調(diào)研
2020-04-21 16:04:04

為何碳化硅比氮化鎵更早用于耐高壓應(yīng)用呢?

運(yùn)行時(shí)的電性能和效率要比傳統(tǒng)的材料高得多。對(duì)于已被實(shí)際使用的碳化硅半導(dǎo)體和氮化鎵半導(dǎo)體來(lái)說(shuō),其耐受電壓(高于標(biāo)稱電壓,用于保持可靠性的基礎(chǔ)電壓)的需求是不同的。例如,碳化硅耐電壓大于或等于1000
2023-02-23 15:46:22

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43

過(guò)渡到碳化硅,MOSFET的結(jié)構(gòu)及性能優(yōu)劣勢(shì)對(duì)比

無(wú)不積極研發(fā)經(jīng)濟(jì)型高性能碳化硅功率器件,例如Cascode結(jié)構(gòu)、碳化硅MOSFET平面柵結(jié)構(gòu)、碳化硅MOSFET溝槽柵結(jié)構(gòu)等。這些不同的技術(shù)對(duì)于碳化硅功率器件應(yīng)用到底什么影響,該如何選擇呢?首先
2022-03-29 10:58:06

傳統(tǒng)的組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

組件高出一大截,但其開(kāi)關(guān)速度、切換損失等性能指針,也是組件難以望其項(xiàng)背的。碳化硅具有極佳的材料特性,可以顯著降低開(kāi)關(guān)損耗,因此電源開(kāi)關(guān)的操作頻率可以大為提高,從而使電源系統(tǒng)的尺寸明顯縮小。至于在轉(zhuǎn)換
2021-09-23 15:02:11

你知道為飛機(jī)電源管理提供解決方案的碳化硅嗎?

,在這些環(huán)境中,傳統(tǒng)的基電子設(shè)備無(wú)法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運(yùn)行的能力將提高各種系統(tǒng)和應(yīng)用的性能,包括飛機(jī)、車(chē)輛、通信設(shè)備和航天器。今天,SiC MOSFET是長(zhǎng)期可靠的功率器件。未來(lái),預(yù)計(jì)多芯片電源或混合模塊將在SiC領(lǐng)域發(fā)揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24

創(chuàng)能動(dòng)力推出碳化硅二極管ACD06PS065G

,獲得華大半導(dǎo)體有限公司投資,創(chuàng)能動(dòng)力致力于開(kāi)發(fā)以碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊,并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中,可實(shí)現(xiàn)相比元器件更高的工作溫度,實(shí)現(xiàn)雙倍的功率密度,更小
2023-02-22 15:27:51

功率模塊中的完整碳化硅性能怎么樣?

0.5Ω,內(nèi)部柵極電阻為0.5Ω?! 」β誓K的整體熱性能也很重要。碳化硅芯片的功率密度高于器件。與具有相同標(biāo)稱電流的IGBT相比,SiC MOSFET通常表現(xiàn)出顯著較低的開(kāi)關(guān)損耗,尤其是在部分
2023-02-20 16:29:54

嘉和半導(dǎo)體(GaN)氮化鎵&碳化硅元器件

附件:嘉和半導(dǎo)體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51

圖騰柱無(wú)橋PFC中混合碳化硅分立器件的應(yīng)用

基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封,在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT (基IGBT與基快恢復(fù)二極管合封),使得IGBT的開(kāi)關(guān)損耗大幅降低。這款混合碳化硅分立器件的性能介于超結(jié)MOSFET
2023-02-28 16:48:24

在開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢(shì)

,碳化硅MOSFET比MOSFET具有更多的優(yōu)勢(shì),但代價(jià)是在某些方面參數(shù)碳化硅MOSFET性能比較差。這就要求設(shè)計(jì)人員需要花時(shí)間充分了解碳化硅MOSFET的特性和功能,并考慮如何向新拓?fù)浼軜?gòu)過(guò)渡。一點(diǎn)
2023-03-14 14:05:02

基于碳化硅MOSFET的20KW高效LLC諧振隔離DC/DC變換器方案研究

特點(diǎn), 高壓輸入隔離DC/DC變換器的拓?fù)淇梢缘玫胶?jiǎn)化(從原來(lái)的三電平簡(jiǎn)化為傳統(tǒng)全橋拓?fù)洌?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅MOSFET在軟開(kāi)關(guān)橋式上具有以下明顯的優(yōu)勢(shì):高阻斷電壓可以簡(jiǎn)化拓?fù)湓O(shè)計(jì),電路從復(fù)雜三電平變?yōu)閮呻娖饺?/div>
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基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管性能詳解

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2023-02-28 17:13:35

如何用碳化硅(SiC)MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)高性能門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路

對(duì)于高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用,碳化硅或SiC MOSFET帶來(lái)比傳統(tǒng)MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢(shì)。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31

如何用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器?

碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
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應(yīng)用于新能源汽車(chē)的碳化硅半橋MOSFET模塊

,工作結(jié)溫可達(dá)175℃,與傳統(tǒng)基模塊具有相同的封裝尺寸,可在一定程度上替代相同封裝的IGBT模塊,從而幫助客戶有效縮短產(chǎn)品開(kāi)發(fā)周期,提高工作效率?! ‘a(chǎn)品特點(diǎn)  溝槽型、低RDS(on) 碳化硅
2023-02-27 11:55:35

歸納碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)

摘要: 碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導(dǎo)通電阻低,開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些優(yōu)勢(shì)性能則給封裝技術(shù)帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)
2023-02-22 16:06:08

新型電子封裝熱管理材料鋁碳化硅

新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問(wèn)題,解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問(wèn)題,如果你類似的困惑,歡迎前來(lái)探討,鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問(wèn)題及時(shí)交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41

淺談IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)的區(qū)別

風(fēng)險(xiǎn),配置合適的短路保護(hù)電路,可以有效減少開(kāi)關(guān)器件在使用過(guò)程中因短路而造成的損壞。與IGBT相比,碳化硅MOSFET短路耐受時(shí)間更短。  1)IGBT:  IGBT的承受退保和短路的時(shí)間一般小于
2023-02-27 16:03:36

電動(dòng)汽車(chē)的全新碳化硅功率模塊

面向電動(dòng)汽車(chē)的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能,特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中,它可提高逆變器的效率,從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16

被稱為第三代半導(dǎo)體材料的碳化硅有著哪些特點(diǎn)

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2023-02-20 15:15:50

請(qǐng)教碳化硅刻蝕工藝

最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50

107 應(yīng)用如此廣泛的碳化硅廠商名單來(lái)咯!應(yīng)用如此廣泛的碳化硅廠商名單來(lái)咯!

元器件碳化硅
車(chē)同軌,書(shū)同文,行同倫發(fā)布于 2022-08-04 15:48:57

AMEYA360:八英寸碳化硅成中外廠商必爭(zhēng)之地!#碳化硅

碳化硅
jf_81091981發(fā)布于 2023-07-13 11:39:58

碳化硅 SiC 可持續(xù)發(fā)展的未來(lái) #碳化硅 #SiC #MCU #電子愛(ài)好者

工業(yè)控制碳化硅
Asd666發(fā)布于 2023-08-10 22:08:03

不容小覷!碳化硅晶圓沖擊傳統(tǒng)晶圓市場(chǎng)!

晶圓碳化硅
北京中科同志科技股份有限公司發(fā)布于 2023-10-10 09:20:13

采用碳化硅和氮化鎵材料器件的應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)介紹

1.1 碳化硅和氮化鎵器件的介紹, 應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)
2018-08-17 02:33:006437

碳化硅材料的特性和優(yōu)勢(shì)分析

碳化硅半導(dǎo)體 一、碳化硅材料的特性 SiC(碳化硅)是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導(dǎo)體。與 Si 相比,SiC 具有十倍的介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)、三倍的帶隙和三倍的熱導(dǎo)率。在半導(dǎo)體材料中形成器件結(jié)構(gòu)
2021-06-15 17:27:148206

淺談碳化硅半導(dǎo)體的兩大優(yōu)勢(shì)

與普通硅相比碳化硅可以承受更高的電壓,因此,碳化硅半導(dǎo)體中的電源系統(tǒng)需要更少的串聯(lián)開(kāi)關(guān),從而提供了簡(jiǎn)化和可靠的系統(tǒng)布局。
2022-04-07 14:49:043206

碳化硅龍頭擴(kuò)產(chǎn)忙

來(lái)源:中國(guó)電子報(bào) 日前,國(guó)際碳化硅大廠安森美宣布,其在捷克Roznov擴(kuò)建的碳化硅工廠落成,未來(lái)兩年內(nèi)產(chǎn)能將逐步提升。另一家碳化硅大廠Wolfspeed也表示將在美國(guó)北卡羅來(lái)納州建造一座價(jià)值數(shù)十
2022-10-08 17:02:25872

介紹碳化硅產(chǎn)品的應(yīng)用方向和生產(chǎn)過(guò)程

相比硅基功率半導(dǎo)體,碳化硅功率半導(dǎo)體在開(kāi)關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢(shì),隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后,更多的企業(yè)也開(kāi)始落地碳化硅產(chǎn)品。
2022-10-14 17:52:065310

一文了解SiC碳化硅性能優(yōu)勢(shì)和使用場(chǎng)景

碳化硅(SiC) 是第三代半導(dǎo)體,相較于前兩代半導(dǎo)體(一代硅,二代砷化鉀)碳化硅在使用極限性能,上優(yōu)于硅襯底,可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的應(yīng)用需求。
2023-01-16 10:22:08412

碳化硅原理是什么

碳化硅原理是什么 碳化硅,是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物
2023-02-02 14:50:021981

汽車(chē)碳化硅技術(shù)原理圖

汽車(chē)碳化硅技術(shù)原理圖 相比硅基功率半導(dǎo)體,碳化硅功率半導(dǎo)體在開(kāi)關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢(shì),隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后,更多的企業(yè)也開(kāi)始落地碳化硅產(chǎn)品。 功率半導(dǎo)體碳化硅
2023-02-02 15:10:00467

特斯拉碳化硅技術(shù)怎么樣?特斯拉碳化硅技術(shù)成熟嗎?

對(duì)新材料探索的腳步便從未停止。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,屬于第三代半導(dǎo)體材料,其禁帶寬度高達(dá)3.0eV,相比第一代半導(dǎo)體材料硅,碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍;導(dǎo)熱率為硅的4-5倍;擊穿電壓為硅的8倍;電子飽和漂移速率為硅
2023-02-02 17:39:092602

簡(jiǎn)述碳化硅材料特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)

碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一,其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢(shì)。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例,其禁帶寬度是硅材料的3倍,熱導(dǎo)率是硅材料的3倍,電子飽和漂移速率是硅的2倍,臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)更是硅的10倍。
2023-02-03 14:40:411859

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口,也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn),那么我們來(lái)碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么?碳化硅技術(shù)壁壘
2023-02-03 15:25:163637

碳化硅技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)_碳化硅工藝

碳化硅,是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997

碳化硅MOS的結(jié)構(gòu)與優(yōu)勢(shì)

碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)N+源區(qū)和P井摻雜都是采用離子注入的方式,在1700℃溫度中進(jìn)行退火激活。另一個(gè)關(guān)鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時(shí)有Si和C兩種原子存在,需要非常特殊的柵介質(zhì)生長(zhǎng)方法。
2023-02-09 09:51:231810

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹

我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開(kāi)說(shuō)明。碳和硅進(jìn)過(guò)化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成為粉末,碳化硅粉末經(jīng)過(guò)碳化硅單晶生長(zhǎng)成為碳化硅晶錠;碳化硅
2023-02-21 10:04:111693

SiC碳化硅二極管的特性和優(yōu)勢(shì)

什么是第三代半導(dǎo)體?我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體,這個(gè)是相對(duì)以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090

碳化硅與工業(yè)應(yīng)用的未來(lái)

首先,讓我們簡(jiǎn)要介紹一下碳化硅到底是什么,以及它與傳統(tǒng)硅的一些不同之處。關(guān)于SiC的一個(gè)有趣的事實(shí)是,碳化硅碳化物成分不是天然存在的物質(zhì)。事實(shí)上,碳化物最初是從隕石的碎片中發(fā)現(xiàn)的。其獨(dú)特的性能非常有前途,以至于今天,我們合成了用于碳化硅功率產(chǎn)品的硬質(zhì)合金。
2023-05-20 17:00:09614

碳化硅功率模組有哪些

碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專業(yè)讀者喜愛(ài),本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場(chǎng),以及未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì),感謝各位
2023-05-31 09:43:20390

碳化硅MOSFET什么意思

MOSFET相比傳統(tǒng)的硅MOSFET具有更高的電子遷移率、更高的耐壓、更低的導(dǎo)通電阻、更高的開(kāi)關(guān)頻率和更高的工作溫度等優(yōu)點(diǎn)。因此,碳化硅MOSFET可以被廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、交流/直流電源轉(zhuǎn)換、汽車(chē)和航空航天等領(lǐng)域。
2023-06-02 15:33:151182

碳化硅功率器件的基本原理、特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件,具有許多優(yōu)勢(shì)和廣泛的應(yīng)用前景。
2023-06-28 09:58:092319

碳化硅是如何制造的?碳化硅優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

碳化硅,也稱為SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹,硼,鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅存在許多品種和純度,但半導(dǎo)體級(jí)質(zhì)量的碳化硅僅在過(guò)去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451094

碳化硅性能和應(yīng)用場(chǎng)景

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國(guó)防軍工、新能源汽車(chē)和新能源光伏等領(lǐng)域的發(fā)展,碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:221042

碳化硅功率器件的基本原理及優(yōu)勢(shì)

? 隨著新能源汽車(chē)的快速發(fā)展,碳化硅功率器件在新能源汽車(chē)領(lǐng)域中的應(yīng)用也越來(lái)越多。碳化硅功率器件相比傳統(tǒng)的硅功率器件具有更高的工作溫度、更高的能耗效率、更高的開(kāi)關(guān)速度和更小的尺寸等優(yōu)點(diǎn),因此在新能源
2023-09-05 09:04:421880

碳化硅的5大優(yōu)勢(shì)

碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
2023-12-12 09:47:33456

碳化硅陶瓷應(yīng)用在光纖領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)有哪些?

碳化硅陶瓷應(yīng)用在光纖領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)有哪些? 碳化硅陶瓷是一種具有廣泛應(yīng)用潛力的材料,特別是在光纖領(lǐng)域。以下是碳化硅陶瓷在光纖領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)。 1. 高溫穩(wěn)定性:碳化硅陶瓷具有出色的高溫穩(wěn)定性,能夠在極端環(huán)境
2023-12-19 13:47:10155

碳化硅MOSFET在高頻開(kāi)關(guān)電路中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

碳化硅MOSFET在高頻開(kāi)關(guān)電路中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)? 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,具有在高頻開(kāi)關(guān)電路中廣泛應(yīng)用的多個(gè)優(yōu)勢(shì)。 1. 高溫特性: 碳化硅MOSFET具有極低的本征載流子濃度
2023-12-21 10:51:03357

碳化硅肖特基二極管的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)材料因其出色的物理性能而備受關(guān)注。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有巨大潛力。其中,碳化硅肖特基二極管作為一種重要
2023-12-29 09:54:29188

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)應(yīng)及發(fā)展趨勢(shì)

隨著科技的不斷進(jìn)步,碳化硅(SiC)作為一種新型的半導(dǎo)體材料,在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。碳化硅功率器件在未來(lái)具有很大的發(fā)展?jié)摿Γ瑢⒃诙鄠€(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢(shì)。本文將介紹未來(lái)碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)
2024-01-06 14:15:03353

碳化硅功率器件簡(jiǎn)介、優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379

碳化硅逆變器是什么 功能介紹

碳化硅逆變器是一種基于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料的功率電子設(shè)備,主要用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅逆變器具有許多優(yōu)越性能,如更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通損耗、更高的工作溫度
2024-01-10 13:55:54272

SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢(shì)

碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。
2024-01-20 17:18:29502

一文了解SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢(shì)

共讀好書(shū) 碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。 碳化硅MOSFET具有高頻高效
2024-02-21 18:24:15412

碳化硅功率器件的工作原理和性能優(yōu)勢(shì)

的物理性能和潛力巨大的市場(chǎng)應(yīng)用前景,受到了業(yè)界的廣泛關(guān)注。本文將深入探討碳化硅功率器件的工作原理、性能優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)。
2024-02-25 10:37:01165

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