可以使用極快的開關晶體管：超級結 MOSFET (SJ)、碳化硅 MOSFET (SiC) 和基于氮化鎵 (GaN) 的晶體管；這些仍然比傳統晶體管昂貴得多，但它們使設計更小、更高效的開關電源
2021-10-14 15:33:00
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功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導體的優勢前面已經介紹過，如低損耗、高速開關、高溫工作等，顯而易見這些優勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較，進一步加深對SiC-MOSFET的理解。
2022-07-26 13:57:522075 MOSFET是一種金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)的縮寫，是一種用于電子電路中的半導體器件
2023-02-25 16:24:382103 遷移率晶體管）。為什么同是第三代半導體材料，SiC和GaN在功率器件上走了不同的道路？為什么沒有GaN MOSFET產品？下面我們來簡單分析一下。 ? GaN 和SiC 功率器件的襯底材料區別 ? 首先我們從襯底材料來看看SiC和GaN功率器件的區別，一般而言，SiC功率器件是在
2023-12-27 09:11:361220 8050的情況下，補碼通常是8550。8050和8550晶體管的技術額定值通常是相同的。區別在于它們的極性。它們共同允許電流安全地流過無線電和無線電，從而為傳輸提供動力，并允許在用戶端實現多種功能
2023-02-16 18:22:30
開關性能。集成驅動器還可以實現保護功能簡介氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關性能要優于硅MOSFET，因為在同等導通電阻的情況下，氮化鎵 (GaN) 晶體管的終端電容較低，并避免了體二極管所導致的反向恢復
2018-08-30 15:28:30
，幾代MOSFET晶體管使電源設計人員實現了雙極性早期產品不可能實現的性能和密度級別。然而，近年來，這些已取得的進步開始逐漸弱化，為下一個突破性技術創造了空間和需求。這就是氮化鎵（GaN）引人注目
2022-11-14 07:01:09
半導體的關鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導通狀態所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現更高功率，更高開關速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
1. MOSFET、MESFET、MODFET有何區別？MOSFET是MOS(金屬-氧化物-半導體) 做柵極MODFET/MESFET 是用金屬-半導體接觸(肖特基二極管)，用二極管做柵極，速度比
2022-01-25 06:48:08
1.MOSFET的速度比晶體管或IGBT快。2.MOSFET的過電流適中；晶體管是一個流控流型的，要使集電極上的電流增大，基極上的電流就要增大，但是基極上的電流是無用的。IGBT一般使用在大電流的場景。...
2021-10-29 08:28:40
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor）是金屬-氧化物-半導體場效應晶體管的縮寫，也叫場效應管，是一種由運算器的基礎構成
2023-03-08 14:13:33
在本文中，我們將探討 MOSFET 和鰭式場效應晶體管的不同器件配置及其演變。我們還看到 3D 配置如何允許每個集成電路使用更多晶體管。 平面與三維 （3D） 平面MOSFET（圖1）在Lg
2023-02-24 15:20:59
1. 器件結構和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-04-09 04:58:00
從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數，不如先弄清楚驅動方法等
2018-11-30 11:34:24
SiC-SBD－關于可靠性試驗所謂SiC-MOSFET所謂SiC-MOSFET－特征所謂SiC-MOSFET－功率晶體管的結構與特征比較所謂SiC-MOSFET－與Si-MOSFET的區別與IGBT
2018-11-27 16:40:24
SiC-DMOS的特性現狀是用橢圓圍起來的范圍。通過未來的發展，性能有望進一步提升。從下一篇開始，將單獨介紹與SiC-MOSFET的比較。關鍵要點:?功率晶體管的特征因材料和結構而異。?在特性方面各有優缺點，但SiC-MOSFET在整體上具有優異的特性。＜ 相關產品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
1. 器件結構和特征 Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。 IGBT
2023-02-07 16:40:49
的SiC-MOSFET由于寄生雙極晶體管的電流放大倍數hFE較低，因而不會發生電流放大，截至目前的調查中，即使在50kV/μs左右的工作條件下，也未發生這種損壞模式。關于體二極管快速恢復時的dV/dt，一般認為
2018-11-30 11:30:41
作的。全橋式逆變器部分使用了3種晶體管（Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介紹的第三代溝槽結構SiC-MOSFET），組成相同尺寸的移相DCDC轉換器，就是用來比較各產品效率的演示機
2018-11-27 16:38:39
的上限。SiC晶體管的出現幾乎消除了IGBT的開關損耗，以實現類似的導通損耗（實際上，在輕載時更低）和電壓阻斷能力，除了降低系統的總重量和尺寸外，還能實現前所未有的效率。 然而，與大多數顛覆性技術
2023-02-27 13:48:12
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器SiC/GaN具有的優勢
2021-03-10 08:26:03
1. 器件結構和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-05-07 06:21:55
晶體是什么？晶振又是什么？它們有何區別？
2021-06-07 07:04:34
晶體管并聯時，當需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯使用。因為存在VBE擴散現象，有必要在每一個晶體管的發射極上串聯一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據
2024-01-26 23:07:21
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
是晶體管的直流電流放大系數，是指在靜態（無變化信號輸入）情況下，晶體管IC與IB的比值。即hFE=IC/IB。一般情況下β和hFE較為接近,也可相等，但兩者含義是有明顯區別的，而且在許多場合β并不
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數有哪些？晶體管的開關電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
不同分類角度，有幾種不同的分類方法。在這里，從結構和工藝方面粗略地分類如下。其中，本篇的主題“功率類”加粗/涂色表示。雙極晶體管和MOSFET中，分功率型和小信號型，IGBT原本是為處理大功率而開發
2018-11-28 14:29:28
本文為大家介紹“Si晶體管”（之所以前面加個Si,是因為還有其他的晶體管，例如SiC）。 雖然統稱為“Si晶體管”，但根據制造工藝和結構，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據處理
2020-06-09 07:34:33
100V到700V，應有盡有．幾年前，晶體管的開關能力還小于10kW。目前，它已能控制高達數百千瓦的功率。這主要歸功于物理學家、技術人員和電路設計人員的共同努力，改進了功率晶體管的性能。如(1)開關晶體管
2018-10-25 16:01:51
計算機等使用的數字信號中，晶體管起著切換0和1的開關作用。IC及LSI歸根結底是晶體管的集合，其作用的基礎便是晶體管的增幅作用。4. 集電阻和晶體管于一體原來基板上的電阻和晶體管分別安裝，數字晶體管
2019-05-05 00:52:40
【不懂就問】圖中的晶體管驅動電路，在變壓器Tr的副邊輸出電阻R3上并聯的二極管D2，說D2的作用是在輸入端有正脈沖輸入時使得變壓器次級產生的的正脈沖通過D2，直接驅動MOSFET管Q2，達到提高導
2018-07-09 10:27:34
`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應用于各種射頻和微波應用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
是碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN內匹配（IM）場效應晶體管與其他技術相比，提供了優異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
的高功率晶體管產品組合。我們目前的產品提供超過80％的效率，并利用GaN-on-SiC，Si-LDMOS和Si-VDMOS半導體技術。我們還致力于制造一些首批Si-bipolar器件，從而支持傳統方案
2019-04-15 15:12:37
電壓（與功率MOSFET的低導通電阻相當）和較快的開關特性的晶體管。盡管其具有較快的開關特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點。【功率元器件的基本結構與特點
2019-05-06 05:00:17
電壓（與功率MOSFET的低導通電阻相當）和較快的開關特性的晶體管。盡管其具有較快的開關特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點。【功率元器件的基本結構與特點
2019-03-27 06:20:04
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達系統的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內運行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
和雙極技術。產品型號：IGN2856S40產品名稱：晶體管IGN2856S40產品特性SiC HEMT技術中的GaN500瓦輸出功率AB類操作預匹配內阻抗100%高功率射頻測試負柵電壓/偏置序列
2018-11-12 11:14:03
，裝在基于金屬的封裝中，并用陶瓷環氧樹脂蓋密封。GaN on SiC HEMT技術40W輸出功率AB類操作預先匹配的內部阻抗經過100％大功率射頻測試負柵極電壓/偏置排序IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 09:57:55
PLC晶體管輸出和繼電器輸出區別
2012-08-20 08:26:07
發射極流向集電極。摻雜半導體可以在晶體管的三個不同部分中找到。一側有一個發射器，另一側有一個收集器。術語“基地”是指中心區域。晶體管的三個組件將在下面詳細介紹。PNP 晶體管結構發射發射器有責任向接收器
2023-02-03 09:44:48
QPD1004氮化鎵晶體管產品介紹QPD1004報價QPD1004代理QPD1004咨詢熱線QPD1004現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司QPD1004是25W（p3db），50歐姆輸入匹配
2018-07-30 15:25:55
QPD1018氮化鎵晶體管產品介紹QPD1018報價QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司QPD1018內部匹配離散GaN-on-SiC
2018-07-27 09:06:34
QPD1020射頻功率晶體管產品介紹QPD1020報價QPD1020代理QPD1020咨詢熱線QPD1020現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司QPD1020是30 W（p3db），50歐姆輸入
2018-07-27 11:20:12
上一章針對與Si-MOSFET的區別，介紹了關于SiC-MOSFET驅動方法的兩個關鍵要點。本章將針對與IGBT的區別進行介紹。與IGBT的區別：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
TGF2954碳化硅晶體管產品介紹TGF2954報價TGF2954代理TGF2954TGF2954現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司TGF2954是離散的5.04毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:01:58
TGF2955碳化硅晶體管產品介紹TGF2955報價TGF2955代理TGF2955TGF2955現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司TGF2955是離散的7.56毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:06:57
TGF2977-SM氮化鎵晶體管產品介紹TGF2977-SM報價TGF2977-SM代理TGF2977-SM咨詢熱線TGF2977-SM現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司TGF2977-SM是5
2018-07-25 10:06:15
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
和更快的切換速度與傳統的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅動在設計過程中必須仔細考慮需求。本應用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅動IC時的關鍵參數。
2023-06-16 06:04:07
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶體管通道完全閉合；二維過渡金屬二硫化物受損于其比透明導電氧化物還低的載流子遷移率。 在新加坡-麻省理工學院研究與技術聯盟，正在先行研發一種有前景的替代材料：GaN。從光學角度看，GaN的帶隙為
2020-11-27 16:30:52
按工作電壓的極性可分為NPN型或PNP型。》 雙極結型晶體管“雙極”意味著電子和空穴在工作的同時都在運動。雙極結型晶體管，又稱半導體三極管，是通過一定工藝將兩個PN結組合在一起的器件。PNP和NPN有
2023-02-03 09:36:05
，電壓源連接的極性和電流流向不同。在大多數情況下，NPN晶體管可以用PNP晶體管代替，反之亦然，但必須改變電源極性。PNP和NPN有什么區別？NPN 代表負-正-負晶體管，而 PNP 代表正-負-正
2023-02-03 09:50:59
達林頓晶體管是一對雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進一步放大
2023-02-16 18:19:11
。 為什么使用鰭式場效應晶體管器件代替MOSFET？ 選擇鰭式場效應晶體管器件而不是傳統的MOSFET有多種原因。提高計算能力意味著增加計算密度。需要更多的晶體管來實現這一點，這導致了更大的芯片。但是
2023-02-24 15:25:29
應用領域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產業的技術大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統硅
2021-09-23 15:02:11
晶體管，基極上的電壓必須低于發射極上的電壓。像這樣的基本電路通常將發射器連接到電源的加號。通過這種方式，您可以判斷發射極上的電壓。PNP 晶體管如何開啟？PNP 和 NPN 晶體管的端子電阻值然后，我們
2023-02-03 09:45:56
`功率場效應晶體管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10:49
各位高手，小弟正在學習單結晶體管，按照網上的電路圖做的關于單結晶體管的仿真，大多數都不成功，請問誰有成功的單結晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
）-正在取代以往占主導地位的硅解決方案，這標志著市場的轉折。許多應用場景，比如手機充電器，尤其得益于GaN技術的快速發展。GaN晶體管不僅提供了比硅晶體管更高的開關速度，而且還降低了大多數MOSFET
2022-02-17 08:04:47
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門輸出驅動。然而，螺線管、燈和電機等大功率電子設備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關。 晶體管開關操作和操作區域 圖 1 中圖表上的藍色陰影區域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區別是什么？例如《晶體管電路設計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現在產品設計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
什么是電信號？常見的晶體管的電路符號有哪幾種？
2021-10-29 07:04:27
% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數值代入式子②計算。根據下面的式子選擇數字晶體管的電阻R1、R2，使數字晶體管的IC比使用設備上的最大輸出電流Iomax大。∴ Iomax
2019-04-22 05:39:52
選定方法數字晶體管的型號說明IO和IC的區別GI和hFE的區別VI(on)和VI(off)的區別關于數字晶體管的溫度特性關于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領域（數字晶體管的情況）關于數字晶體管
2019-04-09 21:49:36
一個級聯，功率器件是JFET，級聯中的下部晶體管是MOSFET。級聯碼的內部節點不可訪問，與IGBT相同。因此，只能影響打開，而不能影響關閉！可以快速關閉柵極處的MOSFET，但器件的關斷方式不會
2023-02-20 16:40:52
晶體管的半導體的電流由空穴（正極性）和電子（負極性）產生。一般而言的晶體管是指這種由硅構成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱，是指場效應晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
650V的MOSFET。根據應用程序的要求，開發人員可以針對最高效率，最大功率密度或兩者之間的折衷。 由于其“0反向恢復”行為，GaN晶體管使得一些拓撲實際上可用，例如圖騰柱PFC，其需要比傳統
2023-02-27 15:53:50
降低［5］。 圖 3：安裝在 PCB 上的 LGA GaN 晶體管顯示交流電流 （a） 頂視圖 （b） 側視圖 通過將器件兩側的漏極和源極電流從中心線引出并復制磁場消除效應，可以進一步降低部分
2023-02-24 15:15:04
勵磁電流ILM開始在死區時間內對低側晶體管的輸出電容放電。在狀態2時，寄生輸出電容完全放電，GaN功率晶體管通過2DEG通道從源極到漏極以第三象限工作。至于Si和SiC MOSFET，有一個固有的雙極
2023-02-27 09:37:29
兩種原子存在，需要非常特殊的柵介質生長方法。其溝槽星結構的優勢如下（圖片來源網絡）：平面vs溝槽SiC-MOSFET采用溝槽結構可最大限度地發揮SiC的特性。相比GAN, 它的應用溫度可以更高。
2019-09-17 09:05:05
和高頻場效應晶體管(FET)。WBG 材料以其優異的電學特性，如 GaN 和碳化硅(SiC) ，克服了硅基高頻電子器件的局限性。更重要的是，WBG 半導體可用于可擴展的汽車電氣系統和電動汽車(電動汽車
2022-06-15 11:43:25
。在數字設備中，肯定會使用大規模集成電路，所以不會采用電子管。 通過以上的內容可以看到，電子管與晶體管在結構與工作方式上都存在著較大的區別，這就導致了兩者在應用范圍上的不同，顯然適應性更加廣泛的晶體管將逐漸取代傳統電子管是必然的發展方向，但在某些特定的設計或者場合中仍需使用電子管。
2016-01-26 16:52:08
，在這種情況下采用基于氮化鎵（GaN）晶體管的解決方案意義重大。與傳統硅器件相類似，GaN晶體管單位裸片面積同樣受實際生產工藝限制，單個器件的電流處理能力存在上限。為了增大輸出功率，并聯配置晶體管已成為
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
本帖最后由 傲壹電子 于 2017-6-16 10:38 編輯
1.GaN功率管的發展微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS管向以碳化硅
2017-06-16 10:37:22
或 MOSFET 相比，絕緣柵雙極性晶體管器件的優勢在于，它比標準雙極型晶體管提供了更大的功率增益，并且具有更高的電壓工作和更低的 MOSFET 輸入損耗。實際上，它是一種集成了雙極性晶體管的達靈頓
2022-04-29 10:55:25
雙極性晶體管與MOSFET對比分析哪個好？
2021-04-20 06:36:55
時鐘多米諾邏輯是晶體管級的結構，請問其結構如何，有何作用？如何理解比較好。
2019-07-25 05:56:04
范圍。因為接下來的幾篇將談超級結MOSFET相關的話題，因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基礎上，根據其特征和特性對使用區分有個初步印象。下圖表示處理各功率晶體管的功率與頻率范圍。可以看出
2018-11-28 14:28:53
這篇文章的目的是提供一個指南，高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶體管的熱性能的克里寬禁帶半導體設備的用戶。
2017-06-27 08:54:11
23 氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶體管這兩種化合物半導體器件已作為方案出現。這些器件與長使用壽命的硅功率橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS) MOSFET和超級結MOSFET競爭。
2022-04-01 11:05:193412 半導體的關鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導通狀態所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現更高功率，更高開關速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導體。
2022-04-16 17:13:015712 **氮化鎵**晶體管和**碳化硅** MOSFET是近兩三年來新興的功率半導體，相比于傳統的硅材料功率半導體，他們都具有許多非常優異的特性：耐壓高，導通電阻小，寄生參數小等。
他們也有各自
2023-02-03 14:35:40974 
從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數，不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區別。
2023-02-08 13:43:20644 
上一章針對與Si-MOSFET的區別，介紹了關于SiC-MOSFET驅動方法的兩個關鍵要點。本章將針對與IGBT的區別進行介紹。與IGBT的區別：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:201722 
SIC MOSFET在電路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅場效應晶體管）是一種新型的功率晶體管，具有較高的開關速度和功率密度，廣泛應用于多種電路中。 首先，讓我們簡要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13687
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