當IGBT在開關時普遍會遇到的一個問題即寄生米勒電容開通期間的米勒平臺。米勒效應在單電源門極驅動的應用中影響是很明顯的。基于門極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關斷期間會產生一個很高的瞬態dv
2015-01-14 17:10:29
7144 
米勒效應在MOS驅動中臭名昭著，他是由MOS管的米勒電容引發的米勒效應，在MOS管開通過程中，GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩定值，過后GS電壓又開始上升直至完全導通。為什么會有穩定值這段
2018-09-28 08:02:0019124 MOS管的米勒效應會在高頻開關電路中，延長開關頻率、增加功耗、降低系統穩定性，可謂是臭名昭著，各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。
2022-09-29 09:26:071441 上篇文章聊了MOS管-傳輸特性曲線的細微之處，希望同學們能精準識別三種特性曲線的區別，而不是死記硬背。研究MOS管，一定繞不開一個重要現象——Miller效應，今天我們就一起探討下，一次聊不完，可能會分幾篇來探討。
2023-02-01 10:18:411547 從多個維度分析了米勒效應，針對Cgd的影響也做了定量的推導，今天我們再和大家一起，結合米勒效應的仿真，探討下如何減小米勒平臺。
2023-02-14 09:25:467164 對于MOSFET，米勒效應（Miller Effect）指其輸入輸出之間的分布電容（柵漏電容）在反相放大作用下，使得等效輸入電容值放大的效應。由于米勒效應，MOSFET柵極驅動過程中，會形成平臺電壓，引起開關時間變長，開關損耗增加，給MOS管的正常工作帶來非常不利的影響。
2023-04-26 09:20:532057 
本文主要介紹了米勒效應的由來，并詳細分析了MOSFET開關過程米勒效應的影響，幫助定性理解米勒平臺的形成機制。最后給出了場效應管柵極電荷的作用。
2023-05-16 09:47:341316 
通過了解MOS管的的開關過程，以及MOS米勒電容的影響，來改進MOS管設計。
2023-07-21 09:19:364571 
MOS管具有三個內在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點在MOS管的規格書中可以體現（規格書常用Ciss、Coss、Crss這三個參數代替）。MOS管之所以存在米勒效應，以及ＧＳ之間要并電阻
2023-08-26 08:12:55915 
本章首先介紹了MOS管的基本結構并推導了其I/V特性，并闡述MOS管的二級效應，如體效應、溝道長度調制效應和亞閾值傳導等，之后介紹了MOS管的寄生電容，并推導其小信號模型。
2023-10-02 17:36:001342 
SOT-89 N溝道MOS管/場效應管HN03N10D參數：100V MOS管100V 3A SOT-89 N溝道 MOS管/場效應管HN0801產品應用于：小家電，霧化器，加濕器，電源，LED。品牌
2021-05-08 15:10:13
`惠海半導體【中低壓MOS管廠家】，供應中低壓壓N溝道場效應管NMOS管 廠家直銷，質優價廉 大量現貨 量大價優 歡迎選購，超低內阻，結電容超小，采用溝槽工藝，性能優越,惠海半導體專業20-150V
2020-11-14 13:54:14
惠海半導體 供應30V 30ATO-252MOS管HC020N03L，原裝，庫存現貨熱銷HC020N03L參數：30V 30A TO-252 N溝道 MOS管/場效應管品牌：惠海
2020-11-11 17:32:09
的是MOS場效應管，簡稱MOS管（即金屬-氧化物-半導體場效應管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應管，以及最近剛問世的πMOS場效應管、VMOS功率模塊等。按溝道半導體資料
2018-10-29 22:20:31
(VGE)：5.5VG-E極漏電流(IGES)：100na工作溫度：-55~+150℃引線數量：3 MOS管25N120又稱場效應管，我們首先介紹一個更簡單的器件——MOS電容，可以更好地理解MOS管
2021-10-30 15:41:50
本帖最后由 菜鳥到大神 于 2020-5-17 21:24 編輯
MOS管類型MOS管有N溝道型和P溝道型兩種，根據場效應原理的不同又可分為耗盡型和增強型。因此，MOS管可構成P溝道增強型、P
2020-05-17 21:00:02
`電子元器件行業有今天的成就，那絕離不開MOS管與場效應晶體管的鼎力相助，但是一些剛入電子行業的常常把MOS管與場效應晶體管混為一談，到底MOS管和場效應晶體管兩者背后到底有何聯系？這對于初學者來說
2019-04-15 12:04:44
了，沒錯就是米勒電容。我們都知道因為多晶硅寬度、溝道與溝槽寬度、G極氧化層厚度、PN結摻雜輪廓等因素，MOS管會產生寄生電容?！ ∷鼈兎謩e是輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Crss
2023-03-15 16:55:58
MOS管也就是常說的場效應管（FET），有結型場效應管、絕緣柵型場效應管（又分為增強型和耗盡型場效應管）。也可以只分成兩類P溝道和N溝道。場效應管的作用主要有信號的轉換、控制電路的通斷，這里我們講解
2021-10-28 07:46:04
影響不明顯，可是當開關速度比較高，而且VDD供電電壓比較高，比方310V下，經過Cgd的電流比較大，強的積分很容易引起振動，這個振動叫米勒振動。所以Cgd也叫米勒電容，而在MOS管開關導通或者關斷的那段時刻
2019-04-09 11:39:46
也叫米勒電容，而在MOS管開關導通或者關斷的那段時間，也就是積分那段時間，叫米勒平臺，如下圖圓圈中的那部分為米勒平臺，右邊的是振蕩嚴重的米勒振蕩：因為MOS管的反饋引入了電容，當這個電容足夠大，并且
2018-11-21 14:43:01
米勒振蕩可以認為是開關電源設計的核心關鍵。A、減緩驅動強度 1、提高MOS管G極的輸入串聯電阻，一般該電阻阻值在1~100歐姆之間，具體值看MOS管的特性和工作頻率，阻值越大，開關速度越緩。2、在MOS
2018-11-26 11:40:06
上一節講了MOS管的等效模型，引出了米勒振蕩，可以這么講，在電源設計中，米勒振蕩是一個很核心的一環，尤其是超過100KHz以上的頻率，而作者是做超高頻感應加熱電源的，工作頻率在500K~1MHz范圍
2018-11-20 16:00:00
，Vds開始下降，Id開始上升，此時MOSFET進入飽和區；但由于米勒效應，Vgs會持續一段時間不再上升，此時Id已經達到最大，而Vds還在繼續下降，直到米勒電容充滿電，Vgs又上升到驅動電壓的值，此時
2021-01-27 15:15:03
MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會發生像三極管做開關時的因基極電流引起的電荷存儲效應，因此在開關應用中，MOS管的開關速度比三極管快。
2023-03-12 05:16:04
網上查詢到的MOS管防過壓原理圖，求大神解析原理，跪謝！
2022-10-13 09:37:04
MOS_場效應晶體管
2012-08-20 08:21:29
MOS場效應晶體管
2012-08-20 08:51:08
MOS場效應晶體管的結構_工作原理
2012-08-20 07:46:37
MOS場效應管電源開關電路MOS場效應管也被稱為金屬氧化物半導體場效應管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡
2018-10-27 11:36:33
MOS場效應管的工作原理MOS場效應管也被稱為MOS FET，即Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金屬氧化物半導體場效應管）的縮寫
2011-06-08 10:43:25
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 編輯
mos管叫場效應管，mos管和三極管不能直接代換，因它們的工作機理不一樣。mos管是電壓控制器件而三極管是電流控制器
2012-07-11 11:53:45
場效應管和IGBT的驅動經常聽到米勒效應這個詞，查閱了一些資料是柵極和漏極之間的等效電容，這個等效電容在場效應管或者IGBT開通的時候在某一階段會放大較多倍，進而導致驅動電路需要提供的電壓電流增多
2024-01-11 16:47:48
【不懂就問】看到TI的一個三相逆變器設計資料中，關于有源米勒鉗位的設計這是一段原話“開關IGBT過程中，位移電流流經IGBT的GE極電容，使其柵極電壓上升，可能讓器件誤導通原因是，當逆變器的上管導
2017-12-21 09:01:45
MOS管質量過硬，性能穩定，可替換6N40場效應管。飛虹的FHP730高壓MOS管為N溝道增強型高壓功率場效應管，除了可替代6N40外，還可替代7N40、IRF730B這兩款場效應管。FHP730高壓
2019-07-18 20:32:19
。飛虹微電子研發的這個FHP3205低壓MOS管在轉換效率、安全性能等方面都是可以替換IRF1010E場效應管使用的。飛虹的這個FHP3205低壓場效應管是N溝道溝槽工藝MOS管，主要適用于300W
2019-09-03 11:28:28
VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱Vmos管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發展起來的高效、功率開關器件。它不僅繼承了MOS場效應管輸入阻抗高（≥108W
2021-05-13 06:40:51
產生很大感抗，這里面就有電容，電感，電阻組成震蕩電路（能形成2個回路），并且電流脈沖越強頻率越高震蕩幅度越大。所以最關鍵的問題就是這個米勒平臺如何過渡。Gs極加電容，減慢mos管導通時間，有助于減小米勒
2019-07-26 07:00:00
MOSFET開時米勒平臺的形成過程的詳細解析！純手工畫圖解析，這資料還是可以的回帖直接下載原文檔 [hide]https://pan.baidu.com/s/1gf0A2pt[/hide]
2017-10-25 16:14:46
二極管三極管與晶閘管場效應管解析
2021-02-24 09:22:34
MOSFET的柵極驅動過程，可以簡單的理解為驅動源對MOSFET的輸入電容的充放電過程；當Cgs達到門檻電壓之后， MOSFET就會進入開通狀態；當MOSFET開通后，Vds開始下降，Id開始上升，此時MOSFET進入飽和區；
2019-09-12 09:05:05
什么是MOS管？MOS管的工作原理是什么？MOS管和晶體三極管相比有何特性呢？
2022-02-22 07:53:36
MOS管學名是場效應管，是金屬-氧化物-半導體型場效應管，屬于絕緣柵型，本文就結構構造、特點、實用電路等幾個方面用工程師的話詳細描述。
2021-03-11 06:11:03
1. 什么是MOS管？MOS管是金屬-氧化物-半導體場效應晶體管的簡稱。1.1 如何判斷MOS管的G柵極、D漏極、S源極?（1）引腳一般如上圖所示。（2）萬用表測量，方法如下S源極與D漏極之間應該有
2021-12-31 06:20:08
中的作用就是保護電路，控制過級電流大小，HY4004場效應管是目前家用電器應用得比較多的場效應管型號之一。逆變器的直流轉換是由MOS開關管和儲能電感組成電壓變換電路，輸入的脈沖經過推挽放大器放大后驅動
2019-08-10 16:05:34
組成震蕩電路（能形成2個回路），并且電流脈沖越強頻率越高震蕩幅度越大，所以最關鍵的問題就是這個米勒平臺如何過渡。 Gs極加電容，減慢mos管導通時間，有助于減小米勒振蕩。防止mos管燒毀。 過快的充電會
2020-06-26 13:11:45
負載適應性和穩定性。因而為了保證產品質量，減少維修成本，廠家就更應該選擇一款優質的場效應管，而飛虹電子自主研發的這個FHP740高壓MOS管在轉換效率、安全性能等方面都是可以替換11N40場效應管
2019-07-22 15:36:13
場效應管電機驅動-MOS管H橋原理所謂的H 橋電路就是控制電機正反轉的。下圖就是一種簡單的H 橋電路，它由2 個P型場效應管Q1、Q2 與2 個N 型場效應管Q3、Q3 組成，所以它叫P-NMOS
2021-06-29 07:52:44
的是MOS場效應管，簡稱MOS管（即金屬-氧化物-半導體場效應管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應管，以及最近剛問世的πMOS場效應管、VMOS功率模塊等?！ “礈系腊雽w
2009-04-25 15:38:10
障礙!MOS管MOS管即MOSFET，中文名金屬氧化物半導體絕緣柵場效應管。其特性，輸入阻抗高、開關速度快、熱穩定性好、電壓控制電流等特性。IGBT管IGBT中文名絕緣柵雙極型場效應晶體管，是MOS管
2019-05-02 22:43:32
的米勒平臺區，它會影響MOS管的開通和關斷過程。對于這個平臺區，在開關電源中會引起較大的開關損耗，這是它不利的一面；但是在EMI超標的時候，適當的增加Cgd電容，延長MOS管的開通過程，又可以用來降低
2023-03-22 14:52:34
一、MOS管簡介：MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金屬氧化物半導體型場效應管，屬于場效應管中
2018-10-25 16:36:05
也叫米勒電容，而在MOS管開關導通或者關斷的那段時間，也就是積分那段時間，叫米勒平臺，如下圖圓圈中的那部分為米勒平臺，右邊的是振蕩嚴重的米勒振蕩： 因為MOS管的反饋引入了電容，當這個電容足夠大，并且
2018-11-27 14:11:15
的半導體器材。 MOS管可以用作可變電阻也可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。且場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器
2018-12-28 11:54:50
開始上升，此時MOS管進入飽和區;但由于米勒效應，Vgs會持續一段時間不再上升，此時ld已經達到最大，而Vds還在繼續下降，直到米勒電容充滿電，Vgs又上升到驅動電壓的值，此時MOS管進入電阻區，此時
2018-12-19 13:55:15
` MOS管放大器是電壓控制器件，具有輸入阻抗高、噪聲低的優點，被廣泛應用在電子電路中，特別是具有上述要求前級放大器顯示器出越性。根據場效應管兩大類型--結型MOS管和絕緣柵場效應管可構成相應
2018-10-30 16:02:32
電壓時導電溝道是低阻狀態，加上控制電壓溝道電阻逐漸變大。
2、絕緣柵型場效應管分為N溝道和P溝道，每一種又分為增強型和耗盡型。
N溝道增強型MOS管在其柵源之間加正向電壓，形成反型層和導電溝道，溝道電阻
2024-01-30 11:38:27
絕緣柵場效應管的導電機理是，利用UGS 控制"感應電荷"的多少來改變導電溝道的寬窄，從而控制漏極電流ID。若UGS＝0時，源、漏之間不存在導電溝道的為增強型MOS管，UGS＝0 時，漏、源之間存在導電溝道的為耗盡型MOS管。
2019-09-30 09:02:16
擊穿現象、安全工作范圍寬等優點。本節我們講解一下N溝道增強型MOS場效應管，其基本結構如下圖所示：如上圖所示，在一塊P型硅片（半導體）襯底（Substrate，也有稱為Bulk或Body）上，形成兩個高
2023-02-10 15:58:00
MOS管與IGBT是不是都有這個GS米勒效應？
2019-09-05 03:29:03
三極管會不會存在米勒效應
2019-09-10 04:37:38
由MOS場效應管和普通電源變壓器構成，TK8A50D場效應管是目前家用電器的逆變器后級電路應用得比較多的場效應管型號之一。冰箱、空調、LED等是我們每天都會應用到的電器，如果場效應管的質量不過關，無法進行
2019-08-15 15:08:53
的競爭優勢等。飛虹研發的這個FHP3205低壓MOS管在轉換效率、安全性能等方面都是可以替換IRF1010E場效應管使用的。飛虹的這個FHP3205低壓場效應管是N溝道溝槽工藝MOS管，主要適用于300W
2019-08-29 13:59:20
請問各路大神，場效應管組成的放大電路，存在米勒效應，階躍時間變得很長，是不是需要增大前級驅動電流，就能減小階躍時間，或者還有其他方法嗎，我看米勒效應都在開關狀態下來講解，但在放大狀態依然有米勒平臺，這是正常的嗎？
2018-08-08 10:29:41
MOS場效應管
表16-3 列出了一些小功率MOS 場效應管的主要特性參數。
2009-08-22 15:54:231094
MOS場效應管
2009-11-06 17:21:00943 米勒效應解決
2017-06-09 09:56:40
48 米勒效應在單電源門極驅動過程中非常顯著?；陂T極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關斷期間會產生一個很高的瞬態dv/dt，這樣會引發門極VGE間電壓升高而導通，這里存在著潛在的風險。
2019-02-04 11:17:0037672 
在描述米勒平臺（miller plateau）之前，首先來看看“罪魁禍首”米勒效應（miller effect） 。
2019-02-02 17:08:0058509 
MOS管的等效模型 我們通常看到的MOS管圖形是左邊這種，右邊的稱為MOS管的等效模型。
2020-09-24 11:24:3727499 
當IGBT在開關時普遍會遇到的一個問題即寄生米勒電容開通期間的米勒平臺。米勒效應在單電源門極驅動的應用中影響是很明顯的?；陂T極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關斷期間會產生一個很高的瞬態dv/dt，這樣會引發門極VGE間電壓升高而導通，這是一個潛在的風險（如圖1）。
2021-03-15 15:01:2615562 
MOS管的細節
2022-02-11 16:33:053 MOS管即場效應管(MOSFET)，屬于壓控型，是一種應用非常廣泛的功率型開關元件，在開關電源、逆變器、直流電機驅動器等設備中很常見，是電力電子的核心元件。
2022-02-16 16:38:464395 
本文介紹了米勒效應的由來，并詳細分析了MOSFET開關過程米勒效應的影響，幫助定性理解米勒平臺的形成機制。最后給出了場效應管柵極電荷的作用。
2022-03-10 14:44:186226 
米勒電容器寄生導通效應的抑制方法
2022-03-17 15:32:1210 如下是一個NMOS的開關電路，階躍信號VG1設置DC電平2V，方波（振幅2V，頻率50Hz），T2的開啟電壓2V，所以MOS管T2會以同期T=20ms進行開啟和截止狀態的切換。
2022-03-29 13:56:160 從t1時刻開始，MOS進入了飽和區。在飽和有轉移特性：Id=Vgs*Gm。其中Gm是跨導，只要Id不變Vgs就不變。Id在上升到最大值以后，而此時又處于飽和區，所以Vgs就會維持不變。
2022-08-22 09:11:431821 米勒效應在MOS驅動中臭名昭著，他是由MOS管的米勒電容引發的米勒效應，在MOS管開通過程中，GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩定值，過后GS電壓又開始上升直至完全導通。
2022-08-30 15:34:142286 MOS管的米勒效應會在高頻開關電路中，延長開關頻率、增加功耗、降低系統穩定性，可謂是臭名昭著，各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。
2022-10-31 02:03:321073 
在現在使用的MOS和IGBT等開關電源應用中，所需要面對一個常見的問題 — 米勒效應，本文將主要介紹MOS管在開通過程中米勒效應的成因、表現、危害及應對方法。
2023-02-10 14:05:506736 
在上一篇文章中詳細描述了帶阻性負載時米勒平臺是怎樣的，對各階段做了定量分析，相信看過的同學應該會有所收獲。今天我們來聊一聊帶感性負載時米勒平臺是怎樣的。
2023-03-26 13:40:481714 關于MOS管的米勒效應，已經輸出了8篇，今天這一篇是MOS管章節的最后一篇，下一篇就開始整理運放相關的內容。我個人認為今天聊的這個話題至關重要：抑制米勒效應和抑制EMI之間如何平衡。
2023-04-17 10:28:194149 米勒效應（Miller effect）是在電子學中，反相放大電路中，輸入與輸出之間的分布電容或寄生電容由于放大器的放大作用，其等效到輸入端的電容值會擴大1+K倍，其中K是該級放大電路電壓放大倍數
2023-05-15 16:11:324100 
之前我們在介紹MOS和IGBT的文章中也有提到米勒電容和米勒效應的概念，在IGBT的導通過程分析的文章中我們也簡單提到過米勒平臺
2023-05-25 17:24:253999 
搞電力電子的同學想必經常被“米勒效應”這個詞困擾。米勒效應增加開關延時不說，還可能引起寄生導通，增加器件損耗。那么米勒效應是如何產生的，我們又該如何應對呢？我們先來看IGBT開通時的典型波形：上圖
2023-03-03 16:04:061634 
場效應管MOSFET是mos管嗎？場效應管mos管的區別？場效應管和mos管有什么不一樣的地方？? MOSFET和場效應管（FET）都屬于半導體器件中的一種，類似晶體管。MOSFET是MOS（金屬
2023-09-02 11:31:152546 為什么說共源共柵結構會減小米勒電容效應呢？ 共源共柵結構是一種常見的放大器電路結構，在多種電路應用中都有廣泛的應用。它由共源、共柵、共耦合電容和外部負載等元件組成。共源共柵結構由于具有許多優良的特性
2023-09-05 17:29:36769 如何減輕米勒電容所引起的寄生導通效應？? 米勒電容是指由電路中存在的電感所形成的電容。它可以導致電路中的寄生導通效應，從而影響電路的性能。常見的一種解決方法是使用補償電容，但這么做也會帶來其他
2023-09-05 17:29:39977 米勒電容效應怎么解決？? 米勒電容效應是指在一個帶有放大器的電路中，負載電容會產生一種反饋效應，使得整個電路的增益降低或者不穩定。這種效應的產生會影響到很多電路的穩定性和性能，是電子設計中必須面對
2023-09-18 09:15:451230 MOS管開通過程的米勒效應及應對措施
2023-11-27 17:52:431378 
在半導體開關中使用共源共柵拓撲消除米勒效應
2023-12-07 11:36:43237 
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