，快速切換能力和非常好的熱穩(wěn)定性，因此可以滿足所有這些要求，但是由于成本高，這些器件并未廣泛用于開(kāi)發(fā)轉(zhuǎn)換器[4]。SiC MOSFET的成本是其兩倍，但與Si IGBT相比，它的高電流范圍是其8倍。為了減少成本問(wèn)題，現(xiàn)在的重點(diǎn)是混合Si和SiC器件。在[5]中，介
2021-03-22 13:00:16
3753 
最終的器件是額定電壓為650 V的FET，具有4 V的高閾值，小于15mΩ的導(dǎo)通電阻以及類(lèi)似于單芯片的封裝。
2020-12-07 13:43:053055 在很寬的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)對(duì)器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認(rèn)為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對(duì)于功率器件，4H-SiC被認(rèn)為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。
2022-11-22 09:59:261373 其中一個(gè)優(yōu)勢(shì)是，MOSFET 器件在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中使用 應(yīng)用非常重要。MOSFET 晶體管更加容易驅(qū)動(dòng)，因?yàn)槠淇刂齐姌O與導(dǎo)電器件隔離，所以不需要連續(xù)的導(dǎo)通電流。一旦 MOSFET 晶體管開(kāi)通
2023-02-03 14:48:24827 
EV、混合動(dòng)力車(chē)和燃料電池車(chē)等電動(dòng)車(chē)應(yīng)用市場(chǎng)。 與Si器件相比，SiC功率器件可以有效實(shí)現(xiàn)電力電子系統(tǒng)的 高效率、小型化和輕量化。 據(jù)了解，SiC功率器件的能量損耗只有Si器件的50%，發(fā)熱量只有Si器件的50%，且有更高的電流密度。在相同功率等級(jí)下，SiC功率
2019-07-05 11:56:2833343 13.56Mhz SI522兼容MFRC522的資料以及對(duì)比性Si522（超低功耗13.56M芯片）是一顆專(zhuān)門(mén)替代替代RC522 FM17522，PIN對(duì)PIN，完全軟硬件兼容。相對(duì)于MFRC522
2020-09-11 14:05:14
。下面是25℃和150℃時(shí)的Vd-Id特性。請(qǐng)看25℃時(shí)的特性圖表。SiC及Si MOSFET的Id相對(duì)Vd（Vds）呈線性增加，但由于IGBT有上升電壓，因此在低電流范圍MOSFET元器件的Vds
2018-12-03 14:29:26
半導(dǎo)體相比，損耗更低，高溫環(huán)境條件下工作特性優(yōu)異，有望成為新一代低損耗元件的“碳化硅（SiC）功率元器件”。提及功率元器件，人們當(dāng)然關(guān)注SiC之類(lèi)的新材料，但是，目前占有極大市場(chǎng)份額和應(yīng)用領(lǐng)域的Si功率
2018-11-28 14:34:33
一樣，商用SiC功率器件的發(fā)展走過(guò)了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發(fā)展置于背景中，并且 - 以及器件技術(shù)進(jìn)步的簡(jiǎn)要?dú)v史 - 展示其技術(shù)優(yōu)勢(shì)及其未來(lái)的商業(yè)前景。 碳化硅或碳化硅的歷史
2023-02-27 13:48:12
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-03-14 06:20:14
的小型化。 另外，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。 與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積小（可實(shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-04-09 04:58:00
與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動(dòng)與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。與Si-MOSFET的區(qū)別：驅(qū)動(dòng)電壓SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比，由于漂移層
2018-11-30 11:34:24
、對(duì)溫度穩(wěn)定是比較理想的，但事實(shí)是不是零、并會(huì)受溫度影響而變動(dòng)。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND的FRD（快速恢復(fù)二極管）進(jìn)行比較。下圖是相對(duì)于SiC-SBD和Si-FRD的正向
2018-11-30 11:52:08
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對(duì)具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢(shì)壘二極管開(kāi)始。SiC肖特基勢(shì)壘二極管和Si肖特基勢(shì)壘二極管下面從SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SBD”）的結(jié)構(gòu)開(kāi)始
2018-11-29 14:35:50
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢(shì)？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點(diǎn)有哪些？
2021-07-12 08:07:35
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積小（可實(shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時(shí)可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與Si相比，它在應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢(shì)。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達(dá)600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
前面對(duì)SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來(lái)將針對(duì)SiC的開(kāi)發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)
2018-11-29 14:35:23
，關(guān)斷時(shí)電子可以迅速被抽走，沒(méi)有拖尾電流，因而關(guān)斷損耗更小，且基本不隨溫度變化。相比于其它SiCMOSFET, CoolSiCTM MOSFET有以下獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)為了與方便替換現(xiàn)在的Si IGBT
2019-04-22 02:17:17
在市場(chǎng)上開(kāi)始流通是在二十世紀(jì)初，而SiC MOSFET則僅有5年左右的歷史。首先對(duì)SiC半導(dǎo)體材料的物理性質(zhì)稍作說(shuō)明。SiC是在熱、化學(xué)、機(jī)械方面都非常穩(wěn)定的化合物半導(dǎo)體，對(duì)于功率元器件來(lái)說(shuō)很重
2018-12-03 15:12:02
AD625失調(diào)電壓相對(duì)于時(shí)間的比值指標(biāo)，這個(gè)參數(shù)在datasheet里沒(méi)有給出來(lái)
2019-02-18 14:26:32
操作系統(tǒng)（包括內(nèi)核、驅(qū)動(dòng)等）是使用C語(yǔ)言和匯編編寫(xiě)的，Windows,UNIX,Linux都是這樣的。絕大部分是C語(yǔ)言，極少情況使用匯編寫(xiě)的。C語(yǔ)言相對(duì)于其他語(yǔ)言有哪些特點(diǎn)：1、有出色的可移植性2、能夠訪問(wèn)硬件3、運(yùn)行效率高良好的移植性：C語(yǔ)言在不同的軟件平臺(tái)，擁有相同的語(yǔ)法。在不同的硬件平臺(tái)
2021-10-27 08:25:21
半導(dǎo)體材料可實(shí)現(xiàn)比硅基表親更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，這些功能使得在各種電源應(yīng)用中減少重量，體積和生命周期成本成為可能。 Si，SiC和GaN器件的擊穿電壓和導(dǎo)通電阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42:07
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 編輯
問(wèn):LED相對(duì)于CCFL而言，優(yōu)勢(shì)在哪里？LED背光的興起是不是意味著CCFL的淘汰呢？答:LED（發(fā)光二極管）背光相對(duì)于
2012-05-22 10:40:09
什么是LPDDR5？LPDDR4又是什么？LPDDR5相對(duì)于LPDDR4，性能上又有哪些提升呢？
2021-06-18 08:22:53
一、你真的決定要轉(zhuǎn)嵌入式Linux嗎？1. 單片機(jī)開(kāi)發(fā)相對(duì)于Linux嵌入式最大的劣勢(shì)在于基層的打工崗位平均薪資偏低2. 你所在的城市嵌入式Linux崗位多嗎？3. 單片機(jī)雖然待遇較低，但是就業(yè)機(jī)會(huì)更多，對(duì)大齡求職者相對(duì)友好4. 單片機(jī)也有一些較高薪職位二、 單片機(jī)和嵌入式...
2021-11-05 08:47:17
效果相對(duì)于貼片元器件來(lái)說(shuō)是很不錯(cuò)的，在SMT包工包料中使用插件加工對(duì)于產(chǎn)品的性能穩(wěn)定來(lái)說(shuō)會(huì)有更好的效果。 3、在極端環(huán)境中面對(duì)顛簸震動(dòng)的穩(wěn)定性插件會(huì)表現(xiàn)得更加出色。不同的元器件有不同的優(yōu)勢(shì)這個(gè)需要工程師在電子設(shè)計(jì)階段做全盤(pán)考慮從而選擇合適的元器件進(jìn)而使SMT加工達(dá)到最好的實(shí)現(xiàn)效果。
2020-09-02 17:23:10
工業(yè)領(lǐng)域的特點(diǎn)有哪些？WiFi為什么會(huì)被用于工業(yè)控制中？SimpleWiFi相對(duì)于常見(jiàn)的UARTWiFi具有哪些優(yōu)勢(shì)？
2021-07-19 08:17:40
paas的優(yōu)勢(shì)是什么？為什么選擇paas而不是laas
2020-04-07 12:58:23
zynq是xilinx的新一代的嵌入ARM硬核的SOC，請(qǐng)問(wèn)1、這種FPGA器件相對(duì)以往傳統(tǒng)FPGA有哪些優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)？2、針對(duì)圖像和視頻處理的，這兩類(lèi)哪一種器件更適合？3、相同價(jià)格的情況下，ARM硬核的引入相比傳統(tǒng)FPGA是否會(huì)降低zynq的性價(jià)比和靈活度？
2022-11-07 15:28:45
、SiC 和 Si 功率器件概述 2、SiC 功率器件的特征 3、SiC 功率器件的注意點(diǎn)，可靠性 4、SiC 功率器件的活用（動(dòng)作、回路、實(shí)驗(yàn)例
2018-07-27 17:20:31
項(xiàng)目名稱(chēng)：SiC MOSFET元器件性能研究試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗(yàn)，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
我國(guó)“新基建”的各主要領(lǐng)域中發(fā)揮重要作用。
一、 SiC的材料優(yōu)勢(shì)
碳化硅（SiC）作為寬禁帶材料相較于硅（Si）具有很多優(yōu)勢(shì)，如表1所示：3倍的禁帶寬度，有利于碳化硅器件工作在更高的溫度；10倍
2023-10-07 10:12:26
引言：前段時(shí)間，Tesla Model3的拆解分析在行業(yè)內(nèi)確實(shí)很火，現(xiàn)在我們結(jié)合最新的市場(chǎng)進(jìn)展，針對(duì)其中使用的碳化硅SiC器件，來(lái)了解一下SiC器件的未來(lái)需求。我們從前一段時(shí)間的報(bào)道了解到：目前
2021-09-15 07:42:00
？下面，小編就為大家詳細(xì)介紹一下什么是QSFP28光模塊？QSFP28光模塊相對(duì)于其他光模塊有什么優(yōu)勢(shì)？ 首先，我們先來(lái)了解一下： 什么是QSFP28光模塊 我們要了解的就是光模塊封裝。 通俗的說(shuō)光模塊
2017-10-24 15:18:08
元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開(kāi)關(guān)頻率，但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開(kāi)關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
關(guān)于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢(shì)。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成
2018-11-29 14:33:47
我正在使用 STM32WLE5JCI6 開(kāi)發(fā)硬件設(shè)計(jì)。作為參考，我正在查看項(xiàng)目“MB1842.PrjPcb”（參考設(shè)計(jì)）和“MB1389.PrjPcb”（Nucleo-WL55JC1 設(shè)計(jì)文件）降低功耗是使用 RFO_LP 輸出相對(duì)于 RFO_HP 的唯一優(yōu)勢(shì)嗎？
2022-12-08 08:42:05
、機(jī)械方面都非常穩(wěn)定的化合物半導(dǎo)體，對(duì)于功率元器件來(lái)說(shuō)的重要參數(shù)都非常優(yōu)異。作為元件，具有優(yōu)于Si半導(dǎo)體的低阻值，可以高速工作，高溫工作，能夠大幅度削減從電力傳輸?shù)綄?shí)際設(shè)備的各種功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中的能量損耗
2018-11-29 14:39:47
小，因此在高溫條件下特性也很穩(wěn)定。上述的trr特性也相對(duì)于溫度非常穩(wěn)定。Si-FRD的trr隨溫度上升而増加，而SiC-SBD則能夠保持幾乎恒定的trr。此外，高溫工作時(shí)，開(kāi)關(guān)損耗也幾乎沒(méi)有増加。另外
2018-12-04 10:26:52
現(xiàn)在的labview使用初始化鼠標(biāo)控件，再用輸入控件采集。得到的是鼠標(biāo)相對(duì)于電腦屏幕的絕對(duì)位置。但是我想要鼠標(biāo)相對(duì)于前面板窗格的絕對(duì)位置。請(qǐng)問(wèn)如何實(shí)現(xiàn)？
2019-01-06 18:51:35
開(kāi)關(guān)電源相對(duì)于線性電源的優(yōu)點(diǎn)效率高，但是雜波多，不管是線性電源還是開(kāi)關(guān)電源都需要濾波。下面是嘉立創(chuàng)的方案以及測(cè)評(píng)。https://www.szlcsc.com/info/12160.html在這里做
2021-10-29 06:43:08
在開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中,如何充分利用SiC器件的性能優(yōu)勢(shì)？
2021-02-22 07:16:36
地感線圈這一從20世紀(jì)中期就被使用的車(chē)輛檢測(cè)設(shè)備，正面遭遇了無(wú)線地磁的挑戰(zhàn)。相對(duì)于地感線圈來(lái)說(shuō)，無(wú)線地磁傳感器在關(guān)鍵的數(shù)據(jù)采集、施工簡(jiǎn)便程度都有自己的優(yōu)勢(shì)。無(wú)線地磁傳感器的優(yōu)勢(shì)地球的磁場(chǎng)在幾公里之內(nèi)
2020-05-09 21:47:44
。但是，SiC器件需要對(duì)其關(guān)鍵規(guī)格和驅(qū)動(dòng)要求有新的了解才能充分發(fā)揮其優(yōu)勢(shì)。本文概述了EV和HEV的功率要求，解釋了為什么基于SiC的功率器件非常適合此功能，并闡明了其輔助器件驅(qū)動(dòng)器的功能。在簡(jiǎn)要討論了
2019-08-11 15:46:45
，損耗更低，高溫環(huán)境條件下工作特性優(yōu)異，有望成為新一代低損耗元件。②SiC功率元器件SiC是在熱、化學(xué)、機(jī)械方面都非常穩(wěn)定的化合物半導(dǎo)體，對(duì)于功率元器件來(lái)說(shuō)的重要參數(shù)都非常優(yōu)異。作為元件，具有優(yōu)于Si
2017-07-22 14:12:43
，一直被視為“理想器件”而備受期待。然而，相對(duì)以往的Si材質(zhì)器件，SiC功率器件在性能與成本間的平衡以及其對(duì)高工藝的需求，將成為SiC功率器件能否真正普及的關(guān)鍵。近年來(lái)，隨著國(guó)內(nèi)多品牌的進(jìn)入，SiC技術(shù)
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
甚至無(wú)法工作。解決方法就是在管殼內(nèi)引入內(nèi)匹配電路，因此內(nèi)匹配對(duì)發(fā)揮GaN功率管性能上的優(yōu)勢(shì)，有非常重要的現(xiàn)實(shí)意義。 2.SIC碳化硅(SiC)以其優(yōu)良的物理化學(xué)特性和電特性成為制造高溫、大功率電子器件
2017-06-16 10:37:22
本文描述了ROHM推出的SiC-SBD其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢(shì)。ROHM的SiC-SBD已經(jīng)發(fā)展到第3代。第3代產(chǎn)品的抗浪涌電流特性與漏電流特性得到
2019-07-10 04:20:13
請(qǐng)問(wèn)Arm Cortex-M85內(nèi)核相對(duì)于M7內(nèi)核有哪些提升？有沒(méi)有哪位大神科普一下
2022-09-22 10:37:06
PLC相對(duì)于繼電器線路的優(yōu)勢(shì)1、功能強(qiáng)，性能價(jià)格比高一臺(tái)小型PLC內(nèi)有成百上千個(gè)可供用戶使用的編程元件，有很強(qiáng)的功能，可以實(shí)現(xiàn)非常復(fù)雜的控制功能。與相同功能的繼電
2009-11-24 16:22:03
21 3GPP R4相對(duì)于R99的優(yōu)勢(shì)
相對(duì)于傳統(tǒng)電路交換網(wǎng)絡(luò)，軟交換網(wǎng)絡(luò)可以實(shí)現(xiàn)更簡(jiǎn)單的目標(biāo)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，主要是從節(jié)約運(yùn)營(yíng)成本、易于維護(hù)和保
2009-06-13 22:27:091050 分析了SiC半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)類(lèi)型和基本特性， 介紹了SiC 單晶材料的生長(zhǎng)技術(shù)及器件工藝技術(shù)， 簡(jiǎn)要討論了SiC 器件的主要應(yīng)用領(lǐng)域和優(yōu)勢(shì)
2011-11-01 17:23:2081 SIC是什么呢？相比于Si器件，SiC功率器件的優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在哪些方面？電子發(fā)燒友網(wǎng)根據(jù)SIC器件和SI器件的比較向大家講述了兩者在性能上的不同。
2012-12-04 10:23:4411979 引言SiC功率器件已經(jīng)成為高效率、高電壓及高頻率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中Si功率器件的可行替代品。正如預(yù)期的優(yōu)越材料
2018-03-20 11:43:024444 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 
SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-09-29 09:08:008115 山東康道資訊：桁架機(jī)器人相對(duì)于人工的優(yōu)勢(shì)，桁架機(jī)器人相對(duì)于人工來(lái)說(shuō)，具有很高的效率和產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定性，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單更易于維護(hù)，可以滿足不同種類(lèi)產(chǎn)品的生產(chǎn)，對(duì)用戶來(lái)說(shuō)，只需要作出有限調(diào)整，就可以很快
2018-12-10 15:27:47225 SiC主要用于實(shí)現(xiàn)電動(dòng)車(chē)逆變器等驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的小量輕化。SiC器件相對(duì)于Si器件的優(yōu)勢(shì)之處在于，降低能量損耗、更易實(shí)現(xiàn)小型化和更耐高溫。
2019-05-09 10:06:545171 
隨著我國(guó)新能源汽車(chē)市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，充電樁市場(chǎng)發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實(shí)現(xiàn)比Si基功率器件更高的開(kāi)關(guān)頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-06-18 17:24:501774 
直到最近，功率模塊市場(chǎng)仍被硅（Si）絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）把持。需求的轉(zhuǎn)移和對(duì)更高性能的關(guān)注，使得這些傳統(tǒng)模塊不太適合大功率應(yīng)用，這就帶來(lái)了 SiC 基功率器件的應(yīng)運(yùn)而生。
2019-11-08 11:41:5317040 FPGA相對(duì)于CPU和GPU，在進(jìn)行感知處理等簡(jiǎn)單重復(fù)的任務(wù)的時(shí)候的優(yōu)勢(shì)很明顯，按照現(xiàn)在的趨勢(shì)發(fā)展下去，F(xiàn)PGA或許會(huì)在未來(lái)取代機(jī)器人開(kāi)發(fā)中GPU的工作。
2019-12-20 14:39:312425 文章來(lái)源：電子工程世界 作者：湯宏琳 就在我們還沉浸在Si器件帶來(lái)的低成本紅利時(shí)，很多關(guān)鍵型應(yīng)用已經(jīng)開(kāi)始擁抱SiC了。 雖然SiC成本還有些略高，但它卻有著自己得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì)：與Si相比，SiC
2020-10-26 10:12:252654 
首先，5G基站相對(duì)于之前基站最大的變革在于，行業(yè)對(duì)于虛擬化和開(kāi)放RAN（radio access network，無(wú)線接入網(wǎng)絡(luò)）的接受和推廣。
2020-10-26 15:05:183050 碼垛機(jī)器人相對(duì)于傳統(tǒng)的碼垛機(jī)而言，效率、功能、自由度更高，且易于維護(hù)。騰陽(yáng)為各種類(lèi)型的包裝和碼垛作業(yè)提供對(duì)應(yīng)的關(guān)節(jié)機(jī)器人，他能很方便的集成在任何生產(chǎn)線中，并很好的處理紙箱、塑箱、瓶類(lèi)、袋裝桶裝等物料
2020-11-06 17:27:29657 的 3 倍，而且在器件制造時(shí)可以在較寬的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)必要的 P 型、N 型控制，所以被認(rèn)為是一種超越 Si 極限的用于制造功率器件的材料。SiC 存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。最適合于制造功率器件的是 4H-SiC，現(xiàn)在 4inch～6inch 的單晶晶圓已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。
2021-04-20 16:43:0957 硅 （Si） 基功率器件由于其技術(shù)的成熟性和相對(duì)容易的可獲性，長(zhǎng)期占據(jù)著電力電子行業(yè)的主導(dǎo)地位。然而，碳化硅 （SiC） 器件因其先天的巨大優(yōu)勢(shì)能夠很好地契合當(dāng)前的工業(yè)趨勢(shì)，正在獲得越來(lái)越多的采用
2021-06-17 18:20:045732 
碳化硅器件正在幾個(gè)大容量功率應(yīng)用中取代其現(xiàn)有的硅對(duì)應(yīng)物。隨著 SiC 市場(chǎng)份額的持續(xù)增長(zhǎng)，該行業(yè)正在消除大規(guī)模商業(yè)化的最后一道障礙，包括高于 Si 器件的成本、相對(duì)缺乏晶圓平面度、存在
2022-07-30 16:11:17471 
的 SiO 2界面處的本征缺陷。這使得氧化物更容易受到過(guò)電壓和其他電應(yīng)力的影響，相對(duì)于基于硅的器件，V GSMax相當(dāng)大。
2022-08-04 09:23:041129 
ROHM 具有電流隔離功能的新型晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器 ( BM6112 ) 非常適合應(yīng)對(duì)驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET 的獨(dú)特挑戰(zhàn)。它可以驅(qū)動(dòng)高達(dá) 20A 的大電流，驅(qū)動(dòng)高達(dá) 20V 的柵極電壓，并且以小于 150ns 的最大 I/O 延遲完成所有操作。
2022-11-01 10:43:391331 碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動(dòng)態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢(shì)電子和電氣系統(tǒng)。回顧了SiC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景
2022-11-11 11:06:141503 近年來(lái)，SiC功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來(lái)提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場(chǎng)前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問(wèn)題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020 SiC 器件取代服務(wù)器、電機(jī)、EV 中的 Si MOSFET 和二極管
2023-01-05 09:43:43529 隨著硅接近其物理極限，電子制造商正在轉(zhuǎn)向非常規(guī)半導(dǎo)體材料，特別是寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。由于寬帶隙材料具有相對(duì)較寬的帶隙（與常用的硅相比），寬帶隙器件可以在高壓、高溫和高頻下工作。寬帶隙器件可以提高能效并延長(zhǎng)電池壽命，這有助于推動(dòng)寬帶隙半導(dǎo)體的市場(chǎng)。
2023-02-05 14:25:15677 SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來(lái)將針對(duì)SiC的開(kāi)發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行介紹。通過(guò)將SiC應(yīng)用到功率元器件上，實(shí)現(xiàn)以往Si功率元器件無(wú)法實(shí)現(xiàn)的低損耗功率轉(zhuǎn)換。不難發(fā)現(xiàn)這是SiC使用到功率元器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19448 
關(guān)于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢(shì)。
2023-02-08 13:43:18705 
前面對(duì)SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來(lái)將針對(duì)SiC的開(kāi)發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行介紹。
2023-02-22 09:15:30346 
碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術(shù)，具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469 硅 (Si) 基功率器件由于其技術(shù)的成熟性和相對(duì)容易的可獲性，長(zhǎng)期占據(jù)著電力電子行業(yè)的主導(dǎo)地位。然而，碳化硅 (SiC) 器件因其先天的巨大優(yōu)勢(shì)能夠很好地契合當(dāng)前的工業(yè)趨勢(shì)，正在獲得越來(lái)越多的采用
2023-05-20 16:45:131890 
碳化硅（SiC）作為寬禁帶半導(dǎo)體材料，相對(duì)于Si基器件具備降低電能轉(zhuǎn)換過(guò)程中的能量損耗、更容易小型化、更耐高溫高壓的優(yōu)勢(shì)。如今，SiC“上車(chē)”已成為新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)難以繞開(kāi)的話題，而這要?dú)w功于搭載
2022-11-25 18:14:081756 
一、什么是SiC半導(dǎo)體？1.SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時(shí)可以在較寬
2023-08-21 17:14:581145 
碳化硅(SiC)技術(shù)已達(dá)到臨界點(diǎn)，即不可否認(rèn)的優(yōu)勢(shì)推動(dòng)技術(shù)快速采用的狀態(tài)。 如今，出于多種原因，希望保持競(jìng)爭(zhēng)力并降低長(zhǎng)期系統(tǒng)成本的設(shè)計(jì)人員正在轉(zhuǎn)向基于SiC的技術(shù)，其中包括： 降低總擁有
2023-10-13 09:24:17824 在逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電池充電器等應(yīng)用中，碳化硅（SiC）器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢(shì)。
2023-11-07 09:45:59434 
了解SiC器件的命名規(guī)則
2023-11-27 17:14:49357 
SiC的導(dǎo)熱性大約是Si的三倍，并且將其他特性的所有優(yōu)點(diǎn)結(jié)合在一起。導(dǎo)熱率是指熱量從半導(dǎo)體結(jié)傳遞到外部環(huán)境的速度。這意味著SiC器件可以在高達(dá)200°C的溫度下工作，而Si的典型工作溫度限制為150°C。
2023-11-23 15:08:11490 
的 R sp將導(dǎo)致更低的損耗，從而產(chǎn)生更高的效率。 電子漂移速度是電子由于電場(chǎng)而在材料中移動(dòng)的速度。SiC 半導(dǎo)體的電子漂移速度比 Si 基半導(dǎo)體高 2 倍。電子移動(dòng)得越快，設(shè)備開(kāi)關(guān)的速度就越快。系統(tǒng)
2023-12-19 09:41:36348 
SiC材料具有兩倍于Si的電子飽和速度，使得SiC 器件具有極低的導(dǎo)通電阻（1/100 于Si），導(dǎo)通損耗低；SiC材料具有3倍于Si 的禁帶寬度，泄漏電流比Si 器件減少了幾個(gè)數(shù)量級(jí)，從而可以減少功率器件的功率損耗。
2023-12-20 15:47:44169 
SiC器件的核心優(yōu)勢(shì)在于其寬禁帶、高熱導(dǎo)率、以及高擊穿電壓。具體來(lái)說(shuō)，SiC的禁帶寬度是硅的近3倍，這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能；其熱導(dǎo)率是硅的3倍以上，有利于高功率應(yīng)用中的熱管理。
2024-03-08 10:27:1542 
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