65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
(86) ,因此在正常體溫下,它會(huì)在人的手中融化。
又過(guò)了65年,氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀(jì)60年代,制造氮化鎵單晶薄膜的技術(shù)才得以出現(xiàn)。作為一種化合物,氮化鎵的熔點(diǎn)超過(guò)1600℃,比硅高
2023-06-15 15:50:54
從將PC適配器的尺寸減半,到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換,德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V,提供從低功率適配器到超過(guò)2 kW設(shè)計(jì)的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
的數(shù)十億次的查詢,便可以獲得數(shù)十億千瓦時(shí)的能耗。
更有效地管理能源并占用更小空間,所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒(méi)有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年
2019-03-14 06:45:11
被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運(yùn)用到通信、軍工領(lǐng)域,隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求,氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中,尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開(kāi)來(lái),以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
的挑戰(zhàn)絲毫沒(méi)有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年,電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源,而2005年這一比例僅為30%1。這相當(dāng)于30億千瓦時(shí)以上
2020-11-03 08:59:19
能源并占用更小空間,所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒(méi)有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年,電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源,而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
在所有電力電子應(yīng)用中,功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一,這主要由更高能效和更高開(kāi)關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限,設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵(GaN)來(lái)提供方案。
2020-10-28 06:01:23
技術(shù)迭代。2018 年,氮化鎵技術(shù)走出實(shí)驗(yàn)室,正式運(yùn)用到充電器領(lǐng)域,讓大功率充電器迅速小型化,體積僅有傳統(tǒng)硅(Si)功率器件充電器一半大小,氮化鎵快充帶來(lái)了充電器行業(yè)變革。但作為新技術(shù),當(dāng)時(shí)氮化鎵
2022-06-14 11:11:16
(on)=100mΩ)元件特性:當(dāng)氮化鎵元件與矽功率元件比較時(shí),超接面Si元件(SuperJunction)顯然是目前業(yè)界最主要的選擇。檢視當(dāng)前最新的技術(shù),超接面元件已經(jīng)問(wèn)世將近20年,經(jīng)多個(gè)世代的演進(jìn),可以
2019-09-19 09:05:03
是什么氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料,具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn),應(yīng)用在充電器方面,主要是集成氮化鎵MOS管,可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開(kāi)關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來(lái)了低電荷(低電容)、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件,以及分立氮化鎵的典型開(kāi)關(guān)頻率(65kHz)相比,集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小:GaNFast? 功率芯片,可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節(jié)約方面,它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快:氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
`從研發(fā)到商業(yè)化應(yīng)用,氮化鎵的發(fā)展是當(dāng)下的顛覆性技術(shù)創(chuàng)新,其影響波及了現(xiàn)今整個(gè)微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對(duì)眾多射頻應(yīng)用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產(chǎn)生了明確而深刻的影響,并實(shí)現(xiàn)了利用傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)無(wú)法實(shí)現(xiàn)
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動(dòng)器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
波段,隨著襯底、外延、芯片和封裝技術(shù)的不斷進(jìn)步,藍(lán)光激光器的性能在不斷提升。 圖3、(a)氮化鎵/藍(lán)寶石模板和(b)GaN自支撐襯底的位錯(cuò)缺陷對(duì)比(圖中暗斑為位錯(cuò)缺陷) 在襯底方面,早期的氮化鎵
2020-11-27 16:32:53
氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門(mén)到精通,這個(gè)系列直播共分為八講,本篇第六講將為您介紹EMC優(yōu)化和整改技巧,助您完成電源工程師從入門(mén)到精通的蛻變。前期回顧(點(diǎn)擊下方內(nèi)容查看上期直播):- 第一講:元器件選型
2021-12-29 06:31:58
應(yīng)對(duì)能力以及供應(yīng)鏈的靈活性和固有可靠性。作為新一代無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施獨(dú)一無(wú)二的出色半導(dǎo)體技術(shù),硅基氮化鎵有望以LDMOS成本結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的氮化鎵性能,并且具備支持大規(guī)模需求的商業(yè)制造擴(kuò)展能力。 MACOM
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)?氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)?
2021-06-17 10:56:45
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí),GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比,這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內(nèi)部匹配(IM)FET與其他技術(shù)相比,具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵(GaN)高電子遷移率基于晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能,包括更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
深圳市尊信電子技術(shù)有限公司專業(yè)開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)電子產(chǎn)品方案鈺泰,智融,賽芯微一級(jí)代理吉娜:*** 微信:mphanfan歡迎行業(yè)客戶聯(lián)系,獲取datasheet、報(bào)價(jià)、樣片等更多產(chǎn)品信息氮化鎵技術(shù)的普及,使
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì),并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容,在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術(shù),瞄準(zhǔn)主流消費(fèi)
2018-02-12 15:11:38
,尤其是2010年以后,MACOM開(kāi)始通過(guò)頻繁收購(gòu)來(lái)擴(kuò)充產(chǎn)品線與進(jìn)入新市場(chǎng),如今的MACOM擁有包括氮化鎵(GaN)、硅鍺(SiGe)、磷化銦(InP)、CMOS、砷化鎵等技術(shù),共有40多條生產(chǎn)線
2017-09-04 15:02:41
多個(gè)方面都無(wú)法滿足要求。在基站端,由于對(duì)高功率的需求,氮化鎵(GaN)因其在耐高溫、優(yōu)異的高頻性能以及低導(dǎo)通損耗、高電流密度的物理特性,是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器(PA)芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
測(cè)試背景地點(diǎn):國(guó)外某知名品牌半導(dǎo)體企業(yè),深圳氮化鎵實(shí)驗(yàn)室測(cè)試對(duì)象:氮化鎵半橋快充測(cè)試原因:因高壓差分探頭測(cè)試半橋上管Vgs時(shí)會(huì)炸管,需要對(duì)半橋上管控制信號(hào)的具體參數(shù)進(jìn)行摸底測(cè)試測(cè)試探頭:麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
`明佳達(dá)優(yōu)勢(shì)供應(yīng)NV6115氮化鎵MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器絲印1342AMDCD。產(chǎn)品信息1、NV6115氮化鎵MOS絲印:NV6115芯片介紹:NV6115氮化鎵MOS,是針對(duì)
2021-01-08 17:02:10
QPD1004氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1004報(bào)價(jià)QPD1004代理QPD1004咨詢熱線QPD1004現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司QPD1004是25W(p3db),50歐姆輸入匹配
2018-07-30 15:25:55
QPD1018氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1018報(bào)價(jià)QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司QPD1018內(nèi)部匹配離散GaN-on-SiC
2018-07-27 09:06:34
`QPD1018氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1018報(bào)價(jià)QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司QPD1018內(nèi)部匹配離散GaN-on-SiC
2019-07-17 13:58:50
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
TGF2977-SM氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹TGF2977-SM報(bào)價(jià)TGF2977-SM代理TGF2977-SM咨詢熱線TGF2977-SM現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司TGF2977-SM是5
2018-07-25 10:06:15
由于換了三星手機(jī),之前的充電器都不支持快充了,一直想找一款手機(jī)電腦都能用的快充充電器,「倍思GaN2 Pro氮化鎵充電器」就是這樣一款能滿足我的充電器,這篇文章就來(lái)說(shuō)下這款充電器的選購(gòu)過(guò)程
2021-09-14 08:28:31
書(shū)籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號(hào):JFSJ-21-041作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20
碳化硅(SiC)和硅上氮化鎵(GaN-on-Si)。這兩種突破性技術(shù)都在電動(dòng)汽車市場(chǎng)中占有一席之地。與Si IGBT相比,SiC提供更高的阻斷電壓、更高的工作溫度(SiC-on-SiC)和更高的開(kāi)關(guān)
2018-07-19 16:30:38
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比,不僅性能優(yōu)異,應(yīng)用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中,傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面,已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離出來(lái)所需要的能量,氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev,是硅的 3 倍多,所以說(shuō)氮化鎵擁有寬禁帶特性(WBG)。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
目前,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等“WBG(Wide Band Gap,寬禁帶,以下簡(jiǎn)稱為:WBG)”以及基于新型材料的電力半導(dǎo)體,其研究開(kāi)發(fā)技術(shù)備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計(jì),帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起,我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22
eMode硅基氮化鎵技術(shù),創(chuàng)造了專有的AllGaN?工藝設(shè)計(jì)套件(PDK),以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器,邏輯和保護(hù)功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
通過(guò)SMT封裝,GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年,無(wú)論是吊打碳化硅,還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì),確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
的 3 倍多,所以說(shuō)氮化鎵擁有寬禁帶特性(WBG)。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場(chǎng)。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度,使它具有非常細(xì)窄的耗盡區(qū),從而可以開(kāi)發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術(shù)是5G的絕配,基站功放使用氮化鎵。氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
應(yīng)用領(lǐng)域,SiC和GaN形成競(jìng)爭(zhēng)。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等組件上,電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開(kāi)序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
明佳達(dá)電子優(yōu)勢(shì)供應(yīng)氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268,只做原裝,價(jià)格優(yōu)勢(shì),實(shí)單歡迎洽談。產(chǎn)品信息型號(hào)1:NV6127絲印:NV6127屬性:氮化鎵功率芯片封裝:QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
客戶希望通過(guò)原廠FAE盡快找到解決方案,或者將遇到技術(shù)挫折歸咎為芯片本身設(shè)計(jì)問(wèn)題,盡管不排除芯片可能存在不適用的領(lǐng)域,但是大部分時(shí)候是應(yīng)用層面的問(wèn)題,和芯片沒(méi)有關(guān)系。這種情況對(duì)新興的第三代半導(dǎo)體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
材料特性對(duì)比展開(kāi),通過(guò)泰克儀器測(cè)試英飛凌GaN器件來(lái)進(jìn)行氮化鎵特性的測(cè)量與分析。方案配置:示波器MSO5+光隔離探頭TIVH08+電壓及電流探頭+電源和IGBT town 軟件第二步:電路設(shè)計(jì)和PCB
2020-11-18 06:30:50
如何帶工程師完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化鎵電源,包括元器件選型、電路設(shè)計(jì)和PCB布線、電路測(cè)試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計(jì)和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評(píng)估和分析。
2021-06-17 06:06:23
我經(jīng)常感到奇怪,我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟,大潮之下,沒(méi)人能獨(dú)善其身。每年,我們都看到市場(chǎng)預(yù)測(cè)的前景不太令人滿意。但通過(guò)共同努力,我們就能
2022-11-16 06:43:23
如何實(shí)現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個(gè)c to c 的一個(gè)充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但這個(gè)口不可以充電,它是用來(lái)轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了,可以外接顯示器,拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
性能要優(yōu)于硅MOSFET,因?yàn)樵谕葘?dǎo)通電阻的情況下,氮化鎵 (GaN) 晶體管的終端電容較低,并避免了體二極管所導(dǎo)致的反向恢復(fù)損耗。正是由于這些特性,GaN FET可以實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)頻率,從而在保持
2022-11-16 06:23:29
如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品?
2021-06-15 06:30:55
的性能已接近理論極限[1-2],而且市場(chǎng)對(duì)更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性,可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開(kāi)關(guān)性能,有助消除死區(qū)時(shí)間且增加PWM頻率,從而
2023-06-25 13:58:54
氮化鎵技術(shù)非常適合4.5G或5G系統(tǒng),因?yàn)轭l率越高,氮化鎵的優(yōu)勢(shì)越明顯。那對(duì)于手機(jī)來(lái)說(shuō)射頻GaN技術(shù)還需解決哪些難題呢?
2019-07-31 06:53:15
重新設(shè)計(jì)壓降檢測(cè)精度更高的保護(hù)芯片,來(lái)適配氮化鎵在鋰電池保護(hù)電路中的應(yīng)用。性能方面介紹完畢后,是不是開(kāi)始有點(diǎn)心動(dòng)。還有個(gè)大家關(guān)心的話題繞不開(kāi),自然就是成本。目前氮化鎵單顆的成本相比傳統(tǒng)MOS略高,但是
2023-02-21 16:13:41
氮化鎵完整方案有深圳市展嶸電子有限公司提供,包括45W、69W單口、多口全協(xié)議輸出適配器,更有87W適配器+移動(dòng)電源超級(jí)快充二合一方案。總有一款適合您。目前包括小米、OPPO、realme、三星
2021-04-16 09:33:21
這樣的領(lǐng)導(dǎo)者正在將氮化鎵和固態(tài)半導(dǎo)體技術(shù)與這些過(guò)程相結(jié)合,以更低的成本進(jìn)行廣泛使用,從而改變行業(yè)的基礎(chǔ)狀況。采油與傳統(tǒng)的干燥和加熱方法相比,射頻能量使用更少的能量,而且高精度可使每瓦都得到有效利用。從
2018-01-18 10:56:28
PCB布局設(shè)計(jì)的最佳工程實(shí)踐。介紹了以下四種電路配置的布局指南: 用于單GaN E-HEMT的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器電路 用于并聯(lián)氮化鎵E-HEMT的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器電路 半橋自舉柵極驅(qū)動(dòng)器電路
2023-02-21 16:30:09
功率,降額使用。
PI官方的資料顯示,INN3378C屬于InnoSwitch3-Pro家族,它采用了PI獨(dú)家的PowiGaN技術(shù),也就是內(nèi)置了GaN氮化鎵功率器件,相比傳統(tǒng)MOSFET可以輸出更大
2023-06-16 14:05:50
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計(jì),帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起,我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2022-11-10 06:36:09
。衛(wèi)星系統(tǒng)開(kāi)始大量使用GaN FET,因?yàn)樗麄円庾R(shí)到氮化鎵器件在涉及多種輻射的環(huán)境下,具備優(yōu)異的特性。數(shù)十萬(wàn)個(gè)GaN FET和混合模塊已經(jīng)用于飛行應(yīng)用,包括用于低地球軌道以至更嚴(yán)格的地球同步軌道
2023-06-25 14:17:47
請(qǐng)問(wèn)半橋上管氮化鎵這樣的開(kāi)爾文連接正確嗎?
2024-01-11 07:23:47
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來(lái),橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變,硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
日前,在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢(shì)專場(chǎng)中,晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會(huì)者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告,與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
氮化鎵GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎?然后提取參數(shù)想基于candence model editor進(jìn)行氮化鎵器件的建模,有可能實(shí)現(xiàn)嗎?求教ICCAP軟件呢?
2019-11-29 16:04:02
,是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關(guān)鍵人物。
首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長(zhǎng)達(dá) 30 年的職業(yè)生涯中,長(zhǎng)期擔(dān)任副總裁及更高級(jí)別的管理職位,并領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)工作。他在硅、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
,因此我們能夠借用各種各樣的既有商業(yè)光刻和加工技術(shù)。借助這些方法,精確定義幾十納米的晶體管尺寸和產(chǎn)生各種各樣的器件拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)變得相對(duì)簡(jiǎn)單。其他寬帶隙的半導(dǎo)體材料不具備這種難以置信的有用特性,甚至氮化鎵也不
2023-02-27 15:46:36
靈活應(yīng)對(duì)不同的應(yīng)用場(chǎng)景。2. 應(yīng)用領(lǐng)域? 適配器? 充電器? AC-DC 開(kāi)關(guān)電源. 特性? 集成氮化鎵直接驅(qū)動(dòng)(6V DRV)? 集成高壓?jiǎn)?dòng)(700V)? 集成高壓 BROWN-IN &
2023-03-28 10:24:46
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開(kāi)創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案,相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開(kāi)創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案,相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
評(píng)論
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