已成功用于電力應(yīng)用近20年。最早的SiC肖特基二極管采用純肖特基勢壘二極管（SBD）結(jié)構(gòu)。后來，它發(fā)展成為一種具有低反向泄漏電流的結(jié)型勢壘肖特基（JBS）結(jié)構(gòu)。最新的結(jié)構(gòu)稱為合并式PN肖特基（MPS），其浪涌電流處理能力大大提高。 WeEn Semiconductors于2014年發(fā)
2021-03-27 12:03:22
5635 下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列，進行詳細介紹
2023-11-01 14:46:19736 
、柔性輸電等新能源領(lǐng)域中應(yīng)用的不斷擴展，現(xiàn)代社會對電力電子變換器的效率和功率密度提出了更高的要求，需要器件在較高溫度環(huán)境時仍具有更優(yōu)越的開關(guān)性能以及更小的結(jié)溫和結(jié)溫波動。SiC肖特基勢壘二極管(SBD
2019-10-24 14:25:15
面對SiC-SBD和Si-PND的特征進行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復(fù)特性。反向恢復(fù)特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要
2018-11-29 14:34:32
范圍基本相同，可用于相同應(yīng)用。SiC-SBD是新的元器件，換個說法可以說，現(xiàn)有Si-PND/FRD覆蓋的范圍基本上都可以用SiC-SBD替換。尤其是高速性很重要的應(yīng)用等，在Si-FRD和SiC-SBD
2018-11-30 11:52:08
進行半導(dǎo)體元器件的評估時，電氣/機械方面的規(guī)格和性能當(dāng)然是首先要考慮的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率元器件是以處理較大功率為前提的，更需要具備充分的可靠性。SiC-SBD的可靠性SiC作為
2018-11-30 11:50:49
）。2010年在日本國內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在擴充第二代SIC-SBD產(chǎn)品陣容，并推動在包括車載在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。SiC-SBD具有以下特征。當(dāng)前的SiC-SBD?反向恢復(fù)
2019-03-27 06:20:11
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。SiC肖特基勢壘二極管和Si肖特基勢壘二極管下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始
2018-11-29 14:35:50
在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。當(dāng)前的SiC-SBD產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分為耐壓為650V與1200V、額定電流為5A～40A的產(chǎn)品，具體因封裝而異。其概要如下表所示。另外，ROHM正在開發(fā)650V產(chǎn)品可支持達100A
2018-12-04 10:09:17
的發(fā)展，整理一下當(dāng)前實際上供應(yīng)的SiC-SBD。電源IC等通過不同的架構(gòu)和配置功能比較容易打造出品牌特色，而二極管和晶體管等分立元器件，功能本身是一樣的，因此是直接比較幾乎共通的特性項目來選型的。此時
2018-11-30 11:51:17
SiC SBD 晶圓級測試 求助：需要測試的參數(shù)和測試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-04-22 06:20:22
一樣，商用SiC功率器件的發(fā)展走過了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發(fā)展置于背景中，并且 - 以及器件技術(shù)進步的簡要歷史 - 展示其技術(shù)優(yōu)勢及其未來的商業(yè)前景。 碳化硅或碳化硅的歷史
2023-02-27 13:48:12
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。 IGBT
2023-02-07 16:40:49
SiC-MOSFET－溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實際產(chǎn)品SiC功率元器件基礎(chǔ)篇前言前言何謂SiC（碳化硅）？何謂碳化硅SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點SiC肖特基勢壘二極管所謂SiC-SBD－特征以及與Si
2018-11-27 16:40:24
”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續(xù)進行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-04-09 04:58:00
功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點SiC肖特基勢壘二極管所謂SiC-SBD－特征以及與Si二極管的比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的反向恢復(fù)特性比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的正向電壓比較所謂
2018-11-27 16:38:39
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點有哪些？
2021-07-12 08:07:35
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點
2018-11-29 14:35:23
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
。我們就SCS3系列的特點、應(yīng)用范圍展望等，采訪了負責(zé)開發(fā)的ROHM株式會社 功率元器件制造部 千賀 景先生。－今年春天ROHM宣布推出SiC-SBD的第三代產(chǎn)品。后面我會問到第三代SiC-SBD的特點
2018-12-03 15:12:02
Solutions是電子元器件、電池、電源領(lǐng)域的日本著名制造商——村田制作所集團旗下的一家企業(yè)。ROHM的高速開關(guān)SiC SBD產(chǎn)品“SCS308AH”此次成功應(yīng)用于Murata Power
2023-03-02 14:24:46
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
、SiC 和 Si 功率器件概述 2、SiC 功率器件的特征 3、SiC 功率器件的注意點，可靠性 4、SiC 功率器件的活用（動作、回路、實驗例
2018-07-27 17:20:31
失效模式等。項目計劃①根據(jù)文檔，快速認識評估板的電路結(jié)構(gòu)和功能；②準(zhǔn)備元器件，相同耐壓的Si-MOSFET和業(yè)內(nèi)3家SiC-MOSFET③項目開展，按時間計劃實施，④項目調(diào)試，優(yōu)化，比較，分享。預(yù)計成果分享項目的開展，實施，結(jié)果過程，展示項目結(jié)果
2020-04-24 18:09:12
項目名稱：微電網(wǎng)結(jié)構(gòu)與控制研究試用計劃：本人從事電力電子開發(fā)與研究已有10年，目前在進行微電網(wǎng)結(jié)構(gòu)與其控制相關(guān)項目，我們擁有兩電平和多電平并網(wǎng)逆變器，需要將逆變器功率器件全部更換為SiC MOS，以
2020-04-29 18:26:12
700VDC以上。另一方面，由于系統(tǒng)回路內(nèi)雜散電感的存在，在功率器件開關(guān)時會在模塊主端子上產(chǎn)生尖峰電壓，因此在傳統(tǒng)的APS系統(tǒng)中不得已采用1.7kV的混合SiC模塊，該模塊由普通IGBT和SiC SBD組成
2017-05-10 11:32:57
可以降低開關(guān)器件的工作速度以減小噪聲源，但會降低系統(tǒng)效率；或者增加濾波網(wǎng)絡(luò)、磁珠等器件，但會增加系統(tǒng)成本。而采用SiC SBD可以降低電流尖峰，從而減小干擾源。下圖為SiC SBD替換Si FRD
2023-10-07 10:12:26
引言：前段時間，Tesla Model3的拆解分析在行業(yè)內(nèi)確實很火，現(xiàn)在我們結(jié)合最新的市場進展，針對其中使用的碳化硅SiC器件，來了解一下SiC器件的未來需求。我們從前一段時間的報道了解到：目前
2021-09-15 07:42:00
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計演進的關(guān)鍵驅(qū)動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
關(guān)于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成
2018-11-29 14:33:47
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和優(yōu)化了散熱設(shè)計的新封裝，成功提高了額定電流。另外，與普通的同等額定電流的IGBT＋FRD模塊相比，開關(guān)損耗降低了75%（芯片溫度150℃時）。不僅如此，利用SiC功率元器件的優(yōu)勢–高頻驅(qū)動，不僅
2018-12-04 10:24:29
內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管的IGBT：RGWxx65C系列內(nèi)置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋IGBT的車載充電器案例中開關(guān)損耗降低67%關(guān)鍵詞* ? SiC肖特基勢壘二極管（SiC
2022-07-27 10:27:04
。SiC半導(dǎo)體的功率元器件SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）和SiC-MOSFET已于2010年＊1量產(chǎn)出貨，SiC的MOSFET和SBD的“全SiC”功率模塊也于2012年＊1實現(xiàn)量產(chǎn)。此時，第二代
2018-11-29 14:39:47
SiC-SBD的特征，下面將介紹一些其典型應(yīng)用。主要是在電源系統(tǒng)應(yīng)用中，將成為代替以往的Si二極管，解決當(dāng)今的重要課題——系統(tǒng)效率提高與小型化的關(guān)鍵元器件之一。＜應(yīng)用例＞PFC（功率因數(shù)改善）電路電機驅(qū)動器電路
2018-12-04 10:26:52
的高性價比功率芯片和模塊產(chǎn)品。 傳統(tǒng)的平面型碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Planar SiC MOSFET，例如垂直雙擴散金屬氧化物晶體管VDMOS）由于器件尺寸較大，影響了器件的特征導(dǎo)通電
2020-07-07 11:42:42
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
Barrier Schottky）結(jié)構(gòu)。JBS結(jié)構(gòu)是基本上有效改善抗浪涌電流性能和漏電流IR的結(jié)構(gòu)，而且第二代SiC-SBD實現(xiàn)的低VF特性還成功得以進一步改善。Tj＝25℃時的typ值為1.35V
2018-12-03 15:11:25
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
新日本無線的這款新MUSES音頻系列產(chǎn)品 MUSES7001 是采用了粗銅線絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier
2013-11-14 12:16:01
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
小型化。然而，必須首先解決一個問題：SiC MOSFET反向操作期間，體二極管雙極性導(dǎo)通會造成導(dǎo)通電阻性能下降。將肖特基勢壘二極管嵌入MOSFET，使體二極管失活的器件結(jié)構(gòu)，但發(fā)現(xiàn)用嵌入式SBD代替
2023-04-11 15:29:18
的比較。藍色部分是用于功率元器件時的重要參數(shù)。如數(shù)值所示，SiC的這些參數(shù)頗具優(yōu)勢。另外，與其他新材料不同，它的一大特征是元器件制造所需的p型、n型控制范圍很廣，這點與Si相同。基于這些優(yōu)勢，SiC作為
2018-11-29 14:43:52
改善，并進一步降低了第2代達成的低VF。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成肖特基勢壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，僅
2019-07-10 04:20:13
低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現(xiàn)更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
二極管，工藝上和設(shè)計上要求都是非常高的，不要以為CMOS能做好就一定能做好SBD哦，SBD界面特性如果不好的話，會產(chǎn)生一種叫做pinning effect(釘扎效應(yīng))，額外增加一個勢壘的。設(shè)計的結(jié)構(gòu)上
2023-02-08 16:40:30
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
羅姆展出了采用溝道構(gòu)造的SiC制肖特基勢壘二極管(SBD)和MOSFET。溝道型SBD的特點在于，與普通SiC制SBD相比二極管導(dǎo)通電壓(以下稱導(dǎo)通電壓)較低。溝道型SBD的導(dǎo)通電壓為0.5V，降到了以往
2011-10-12 09:35:301111 分析了SiC半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)類型和基本特性， 介紹了SiC 單晶材料的生長技術(shù)及器件工藝技術(shù)， 簡要討論了SiC 器件的主要應(yīng)用領(lǐng)域和優(yōu)勢
2011-11-01 17:23:20
81 分段、機理解耦與參數(shù)解耦，突出器件開關(guān)特性，弱化物理機理，簡化瞬態(tài)過程分析，建立基于SiC MOSFET與SiC SBD的換流單元瞬態(tài)模型。理論計算結(jié)果與實驗結(jié)果對比表明，該模型能夠較為精細地體現(xiàn)SiC MOSFET開關(guān)瞬態(tài)波形且能夠較為準(zhǔn)確地計算
2018-02-01 14:01:343 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 
SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-09-29 09:08:008115 寬帶隙半導(dǎo)體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進行了對比。
2022-10-31 09:03:23666 基于以日本、美國和歐洲為中心對生長、材料特性和器件加工技術(shù)的廣泛研究，SiC SBD和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的生產(chǎn)已經(jīng)開始。然而，SiC功率MOSFET的性能仍遠未達到材料的全部潛力。
2022-11-02 15:04:281551 一、SiC模塊的特征 電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-01-12 16:35:47489 1. SiC模塊的特征 大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-02-07 16:48:23646 
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。SiC肖特基勢壘二極管和Si肖特基勢壘二極管：下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始介紹。
2023-02-08 13:43:17612 
下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。
2023-02-08 13:43:17404 
二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩(wěn)定是比較理想的，但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND的FRD（快速恢復(fù)二極管）進行比較。
2023-02-08 13:43:18378 
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。
2023-02-08 13:43:18396 
關(guān)于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。
2023-02-08 13:43:18705 
SiC作為半導(dǎo)體材料的歷史不長，與Si功率元器件相比其實際使用業(yè)績還遠遠無法超越，可能是其可靠性水平還未得到充分認識。這是ROHM的SiC-SBD可靠性試驗數(shù)據(jù)。
2023-02-08 13:43:18364 
繼前篇結(jié)束的SiC-SBD之后，本篇進入SiC-MOSFET相關(guān)的內(nèi)容介紹。功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進行各種改良。
2023-02-08 13:43:19211 
近年來超級結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:19525 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機型。
2023-02-08 13:43:21685 
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在擴充第二代SIC-SBD產(chǎn)品陣容，并推動在包括車載在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。
2023-02-13 09:30:07401 
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，
2023-02-16 09:40:102938 
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。
2023-02-22 09:15:30346 
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。
2023-02-22 09:16:27492 
面對SiC-SBD和Si-PND的特征進行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復(fù)特性。反向恢復(fù)特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
2023-02-22 09:17:07198 
二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩(wěn)定是比較理想的，但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND的FRD（快速恢復(fù)二極管）進行比較。
2023-02-22 09:18:59140 
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的，所以在此匯總一下SiC-SBD的發(fā)展，整理一下當(dāng)前實際上供應(yīng)的SiC-SBD。
2023-02-22 09:19:45355 
SiC-SBD為形成肖特基勢壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，僅電子移動、電流流動。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合結(jié)構(gòu)，電流通過電子與空穴（孔）流動。
2023-02-23 11:24:11586 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應(yīng)用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430 
SiC SBD成功應(yīng)用于村田數(shù)據(jù)中心電源模塊
2023-03-03 16:28:00457 
來源：國星光電官微 近日，國星光電開發(fā)的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過第三方權(quán)威檢測機構(gòu)可靠性驗證，并獲得AEC-Q101車規(guī)級認證。這標(biāo)志著國星光電第三代
2023-03-14 17:22:57393 
近日，國星光電開發(fā)的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過第三方權(quán)威檢測機構(gòu)可靠性驗證，并獲得AEC-Q101車規(guī)級認證。這標(biāo)志著國星光電第三代半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品
2023-03-20 19:16:30550 國星光電SiC-SBD器件采用TO-247-2L封裝形式,在長達1000小時的高溫、高濕等惡劣環(huán)境下驗證，仍能保持正常穩(wěn)定的工作狀態(tài)，可更好地適應(yīng)復(fù)雜多變的車載應(yīng)用環(huán)境，具備高度的可靠性、安全性和穩(wěn)定性。
2023-03-22 10:56:52537 ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:29483 SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiCMOSFET的結(jié)構(gòu)，如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點是工藝簡單，單元的一致性較好，雪崩能量比較高。但是，這種結(jié)構(gòu)的中間
2023-06-19 16:39:467 我們從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。
2023-07-18 09:47:30236 
一、什么是SiC半導(dǎo)體？1.SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬
2023-08-21 17:14:581145 
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全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex?Microtechnology的功率模塊
2023-09-14 19:15:14353 額外的650和1200V SiC SBD型號滿足當(dāng)今交通、可再生能源和工業(yè)系統(tǒng)的功率密度要求。 Bourns宣布，它在現(xiàn)有的碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)產(chǎn)品系列中增加了十種新的變體
2023-10-13 17:06:38866 繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規(guī)級認證后
2023-10-25 18:28:10423 
SiC SBD的高耐壓（反壓）特性
2023-12-13 15:27:55197 
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