?●空調壓縮機、工業電機驅動 ?●高效高密度工業、通信、服務器電源 ?●半橋、全橋、LLC電源拓撲 ? 如下圖NSD1624功能框圖所示，納芯微創新地將隔離技術方案應用于高壓半橋驅動中，使得高壓輸出側可以承受高達1200V的直流電壓，同時SW pin可以滿足高dv/dt和耐負壓尖峰的需求。可適
2022-06-27 09:57:07
2093 
穩壓器調整端增加簡單電路控制輸出電壓的 dV/dt ，限制啟動電流 ,有時，設計約束突出地暴露了平凡器件和電路的不利方面
2011-04-12 19:30:243169 
傳感器時要面臨一些挑戰，這些挑戰與絕緣的嚴格要求以及與 10 kV SiC MOSFET 相關的更高 dv/dt （50-100 V/ns） 相關。有不同的方法可以測量中壓電源的電壓，其中一些是霍爾效應傳感器、電容分壓器、電阻分壓器和電阻-電容梯。在理想條件下，我們可以在電阻分壓器中找到無限帶寬。
2022-07-26 08:03:01741 
系統。因此，對3.3kV等級的IGBT模塊驅動電路進行研究十分有意義。目前，市場上專業驅動器生產廠商有相關配套驅動器產品提供給客戶選擇，但是做為一款廣泛應用的模塊產品，很有必要做更深入的細節分析
2018-12-06 10:06:18
的正偏壓VGE負偏壓-VGE和門極電阻RG的大小，對IGBT的通態壓降、開關時間、開關損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數有不同程度的影響。門極驅動條件與器件特性的關系見表1。柵極正電壓 的變化
2012-07-25 09:49:08
各位高手，查看資料貼的時候，看到逆變器有一重要參數---電壓轉換系數，對于IGBT是需要計算還是在IGBT的說明書中有此參數說明，請高手給予幫助，謝謝了！！！
2018-07-03 15:21:28
dv/dt限制，過小的柵極電阻可能會導致震蕩甚至造成IGBT或二極管的損壞。 柵極電阻的大小影響開關速度，即后邊介紹的開通關斷時間，進而影響IGBT的開關損耗，datasheet上驅動電阻對開
2021-02-23 16:33:11
˙dv/dt電流和寄生導通圖2：因C˙dv/dt效應產生穿通電流時的真實開關波形為了防止出現這種現象，可以采用的一種方法是增大IGBT VGEth的閥值。然而，IGBT的Vce(sat)行為與VGEth
2015-12-30 09:27:49
集電極、發射極擊穿或造成柵極、發射極擊穿。IGBT保護方法當過流情況出現時，IGBT必須維持在短路安全工作區內。IGBT承受短路的時間與電源電壓、柵極驅動電壓以及結溫有密切關系。為了防止由于短路故障
2020-09-29 17:08:58
方面，差異性很大的模塊并聯概率是很小的，且IGBT參數之間偏離可以忽略。從均流角度方面，并聯設計好壞對降額起關鍵性的作用，且遠大于IGBT自身參數差異性所引起的問題。因此，并聯應重點考慮如何通過設計確保
2018-12-03 13:50:08
IGBT作為電力電子領域的核心元件之一，其結溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設計，還會影響IGBT可靠性和壽命。因此，如何計算IGBT的結溫Tj，已成為大家普遍關注的焦點。由最基本的計算公式Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss可知，損耗Ploss和熱阻Rth(j-a)是Tj計算的關鍵。
2019-08-13 08:04:18
IGBT模塊是由哪些模塊組成的？IGBT模塊有哪些特點？IGBT模塊有哪些應用呢？
2021-11-02 07:39:10
IGBT過流保護的保護時間一般設定成多少合適？根據IGBT哪些參數得出來的那？
2017-02-24 11:01:51
`如圖請問英飛凌IGBT參數頻率參數里最大最小值分別是什么意義`
2017-08-30 13:05:50
IGBT 飽和壓降Vsat實測值和官方參數對比在國內電子市場上，魚目混珠的產品太多，特別是大功率的IGBT，全新的和翻新的很難分辨出真假，標稱的飽和壓降參數和實際的參數相差較大。工程師容易測試
2015-03-11 13:15:10
值。基于兩者都是基于溫升接近器件失效閾值作為參數劃定條件。可見由于溫度因素帶來的老化衰減，對應于同樣的工作時長應該是接近的。但是，由于脈沖最大電流的限制因素是高電流密度引起的瞬間溫升，因此電流密度導致
2018-08-14 15:05:21
VCE的 dv/dt造成的電流注到柵極驅動回路中的風險，避免使器件重新偏置為傳導狀態，從而導致多個產生Eoff的開關動作。ZVS和ZCS拓撲在降低MOSFET 和 IGBT的關斷損耗方面很有優勢。不過
2018-08-27 20:50:45
針對特定SMPS應用中的IGBT 和 MOSFET進行性能比較，確定關鍵參數的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對一些參數進行探討，如硬開關和軟開關ZVS(零電壓轉換) 拓撲中的開關損耗，并對電路
2021-06-16 09:21:55
米勒電容CRES和關斷VCE的dv/dt造成的電流注到柵極驅動回路中的風險，避免使器件重新偏置為傳導狀態，從而導致多個產生Eoff的開關動作。 ZVS和ZCS拓撲在降低MOSFET和IGBT的關斷
2020-06-28 15:16:35
，即開關管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但針對特定SMPS應用中的IGBT 和 MOSFET進行性能比較，確定關鍵參數的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對
2018-09-28 14:14:34
是靈敏電流計)，并將電壓刻度標成相應溫度刻度，圖1便成了量程為100℃的溫度計了。由于利用硅或鍺三極管PN結得到的溫度傳感器靈敏度相對較低，必須對變化的電流(電壓)進行放大才能有效顯示。因此，集成溫敏
2021-05-21 07:30:05
具有高脈沖電流緩沖級的設計最小驅動器交叉傳導。漂浮的通道可用于驅動N通道電源高壓側配置的MOSFET或IGBT工作電壓高達600V。特性：欠壓鎖定，電壓高達600V耐負瞬態電壓，dV/dt柵極驅動電源
2021-05-11 19:40:19
主 電 路 的 dv/dt比 正 常 開 關 狀 態 下 大 了 許 多 ， 造 成 了 施 加 于IGBT兩 端 的 電 壓 升 高 很 多 ， 有 時 就 可 能 造 成IGBT的 擊 穿 。（歡迎技術類網站分享轉載，版權所有潮光光耦網，如有轉載謝謝保留潮光光耦網鏈接）
2012-12-12 11:20:44
needed to slew aspecified dv/dt across a given gate capacitance. The IntersilHIP2030 MCT/IGBT Gate
2009-05-12 11:02:59
開關管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但針對特定SMPS應用中的IGBT 和 MOSFET進行性能比較，確定關鍵參數的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對一些
2017-04-15 15:48:51
關斷時，在IGBT少數載流子BJT中仍存在存儲時間延遲td(off)I。不過，降低Eoff驅動阻抗將會減少米勒電容 (Miller capacitance) CRES和關斷VCE的 dv/dt造成的電流
2019-03-06 06:30:00
三敏元件資料下載內容主要介紹了：溫敏元件的特點及應用光敏元件的特點及應用磁敏元件的特點及應用
2021-04-02 06:01:26
EN-3020C IGBT靜態參數測試系統是什么？EN-3020C IGBT靜態參數測試系統測試原理是什么？
2021-09-27 08:22:51
單芯片集成額溫槍的技術參數是什么？單芯片集成額溫槍有哪些優勢？
2021-06-26 06:00:48
印制電路板溫升因素分析熱設計原則元器件的排布要求布線時的要求
2021-02-22 07:36:28
IGT--門極觸發電流 VGT--門極觸發電壓IH--維持電流 dv/dt--斷態電壓臨界上升率di/dt--通態電流臨界上升率 Rthjc--結殼熱阻 VISO--模塊絕緣電壓 Tjm--額定結溫 VDRM--通態重復峰值電壓IRRM--反向重復峰值電流 IF(AV)--正向平均電流
2009-04-02 12:10:16
在開啟時提供此功能。實驗驗證表明，在高負載范圍和低開關速度（《5V/ns）下，SiC-MOSFET或IGBT的電流源驅動與傳統方法相比，導通損耗降低了26%。在電機驅動器等應用中，dv/dt 通常限制為 5V/ns，電流源驅動器可提高效率并提供有前途的解決方案。
2023-02-21 16:36:47
測量和校核開關電源、電機驅動以及一些電力電子變換器的功率器件結溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結溫，是一個不可或缺的過程，功率器件的結溫與其安全性、可靠性直接相關。測量功率器件的結溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
/div）、綠線為VGE （5.0V/div）、藍線為VCE （500V/div），黃線為開關能量。表1根據相關開關參數（dIc/dt、dv/dt、Eoff 和 VCEmax）進行了歸納。 圖4a.
2018-12-06 10:05:40
電路中的參數。 1 柵極電阻和分布參數分析 IGBT在全橋電路工作時的模型如圖1所示。 RG+Rg是IGBT的柵極電阻， L01、L02、L03是雜散電感(分布電感)， Cgc、Cge、Cce
2011-09-08 10:12:26
電動機溫升的定義是：電動機的額定溫升，是指在設計規定的環境溫度(40℃)下，電動機繞組的最高允許溫升，它取決于繞組的絕緣等級。溫升取決于電動機運行中發熱情況和散熱情況。常根據溫升判斷電動機散熱是否正常。那么影響電動機溫升一般有哪些因素呢？小編告訴大家主要有下面2個方面因素：
2021-01-27 06:46:31
如圖，經常看到IR系列的IC說明“抗du/dt干擾能力為50 V/ns”，這個概念是什么？還有在別的地方看到“較小的柵極電阻還使得IGBT開通di/dt變大”“波形中di/dt分量比較大”這些是什么概念。
2016-06-14 09:14:09
減弱。此外，迫使二極管換向的開關IGBT通常在低電流水平下開關速度更快（dV/dt）。最后，二極管過壓與開關電流沒有關系，而是由二極管的反向恢復電流峰值的負斜率導致的，該斜率在低電流和低溫下同樣最陡
2018-12-10 10:07:35
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯
IGBT失效分析大概有下面幾個方面：1、IGBT過壓失效，Vge和Vce、二極管反向電壓失效等。2、IGBT過流，一定程度
2012-12-19 20:00:59
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動兩者電氣參數特性差別較大，碳化硅MOSFET對于驅動的要求也不同于傳統硅器件，主要體現在GS開通電壓、GS關斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個方面，具體如下
2023-02-27 16:03:36
1、磁敏電阻的R~B關系圖2、磁敏電阻的頻率特性2、磁敏二極管磁敏二極管與霍爾元件相比，有體積小、靈敏度高、電路簡單等優點。磁敏二極管主要為P+IN+結構，I區是本征高阻半導體且長度遠超過
2018-01-16 09:57:54
1、磁敏電阻的R~B關系圖2、磁敏電阻的頻率特性2、磁敏二極管磁敏二極管與霍爾元件相比，有體積小、靈敏度高、電路簡單等優點。磁敏二極管主要為P+IN+結構，I區是本征高阻半導體且長度遠超過
2018-01-17 09:53:02
磁敏電阻器的主要參數如下： (1)磁阻靈敏度，是指在某一規定的磁感應強度下.磁敏電阻器約阻值隨磁感應強度的相對變化率。 (2)磁阻系，是指在某一規定的磁感應強度下，磁敏電阻器的阻值與其標稱阻值之比。 (3)磁阻比，是指在某一規定的磁感應強度下，磁敏電阻器的阻值與零磁感應強度下的阻值之比。
2011-09-24 11:00:55
），可達到150-180KHz。三．絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的參數與特性： （1）轉移特性圖1-10：IGBT的轉移特性這個特性和MOSFET極其類似，反映了管子的控制能力
2009-05-12 20:44:23
英飛凌IGBT參數中文版搞電源變頻器電焊機 必備資料
2019-02-09 21:33:19
問下大家，一般開關的開關速度（dv/dt），與電磁干擾（EMI）有沒有計算關系？還是說一般取經驗值，為什么一般上升速度會做的下降速度慢？
2018-12-17 11:29:58
關于限制穩壓器啟動時dV/dt和電容的電路的詳細介紹
2021-04-12 06:21:56
頻譜測量提示波形參數dt小于等于0錯誤，怎么解決？
2017-05-21 10:54:55
額溫槍方案有哪些優勢？額溫槍具有哪些技術參數？
2021-06-10 14:38:53
切換參數下的切換損耗。于開通及關斷時分別達到di/dt=1.5千安培(kA)/微秒(μs)和dv/dt=4.5千伏特(kV)/μs的條件設定RG。HS3 IGBT具有最低的切換損耗EON及EOFF，且
2018-10-10 16:55:17
Analysis of dv/dt Induced Spurious Turn-on of MOSFET:Power MOSFET is the key semiconductor
2009-11-26 11:17:32
10 Analysis of dv_dt Induced Spurious Turn-on of Mosfet:對高頻的DC-DC轉換器,功率MOSFET是一個關鍵的器件.快速的開關可以降低開關LOSS, 但是在MOS漏級上dv/dt也變得越來越高.然而,高的dv/dt可能導致在
2009-11-28 11:26:1543 單正向柵驅動IGBT簡化驅動電路設計方案
目前，為了防止高dV/dt應用于橋式電路中的IGBT時產生瞬時集電極電流，設計人員一般會設計柵特性是需要負偏置柵驅動
2010-03-19 11:58:0640 4路硬盤錄像機詳細技術參數--DV-375
2010-12-26 22:19:0162 本文根據IGBT的短路特性和大功率IGBT模塊的結構特點設計了一種新型大功率IGBT模塊的短路檢測電路，采用兩級di/dt檢測IGBT兩類短路狀態的實用方法。
2016-08-17 15:19:155190 
Si827x數據表：具有高瞬態(dV-dt)抗擾度的4種放大器ISOdriver
2016-12-25 21:33:110 電動機的三相定子繞組流過電流之后產生了旋轉磁場，而根據電磁感應的原理，電動機的外殼就會產生感應電動勢。此感應電動勢的大小，就取決于變 頻器IGBT的開關頻率的大小和C*DV/DT（與IGBT的開關的速度有關）；由于高性能的控制要求較高的開關頻率，其開關速度要求較快，則DV/DT 偏大。
2017-10-05 22:49:5024024 
IGBT等功率器件的技巧。 1、如何避免米勒效應？ IGBT操作時所面臨的問題之一是米勒效應的寄生電容。這種效果是明顯的在0到15V類型的門極驅動器（單電源驅動器）。門集-電極之間的耦合，在于IGBT關斷期間，高dV/dt瞬態可誘導寄生IGBT道通（門集電壓尖峰），這是潛在的危險。 當上半橋的I
2017-10-26 16:52:4614 反向恢復電流過大及IGBT內部的閂鎖（latch-up）進而導致失效。同時過高的dv/dt 與di/dt 也會引發更高的共模與差模噪聲，導致驅動電路甚至其它器件的誤動作。當增大Rg時必須考慮關斷延時與門
2018-06-08 10:30:001289 
由式(5)和式(6)可知，反饋電流IL值為正。IL不能直接加在柵極，以免對柵極電流造成沖擊，因此需要引入一個由Q5、Q6組成的鏡像電路，將流過Q6的電流鏡像到流過Q5的電路上反饋到柵極。這樣，實現了對IGBT開通時柵極電流的調控，IGBT開通時di/dt得到控制，如式(7)所示。
2018-04-17 08:48:5012138 
米勒效應在單電源門極驅動過程中非常顯著。基于門極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關斷期間會產生一個很高的瞬態dv/dt，這樣會引發門極VGE間電壓升高而導通，這里存在著潛在的風險。
2019-02-04 11:17:0037672 
器件均采用緊湊型DIP-6和SMD-6封裝，進一步擴展光電產品組合。Vishay Semiconductors VOT8026A和VOT8123A斷態電壓高達800 V，靜態dV/dt為1000
2019-01-16 18:18:01442 和VOT8123A斷態電壓高達800V，靜態dV/dt為1000V/μs，具有高穩定性和噪聲隔離能力，適用于家用電器和工業設備。 日前發布的光耦隔離120 VAC、240 VAC和380 VAC線路低電壓邏輯，控制電
2019-03-12 22:30:01322 柵極電路的正偏壓VGE、負偏壓-VGE和柵極電阻RG的大小，對IGBT的通態壓降、開關時間、開關損耗、承受短路能力以及dV/dt電流等參數有不同程度的影響。
2020-06-18 08:00:0042 英飛凌電流源型驅動芯片，一種非常適合電機驅動方案的產品，將同時實現高效率和低EMI成為可能。它是基于英飛凌無核變壓器技術平臺的隔離式驅動芯片，能精準地實時控制開通時的dv/dt。下面我們來仔細看看它到底有什么與眾不同之處。
2020-07-07 17:20:072945 TRENCHSTOP IGBT7器件具有優異的可控性和卓越的抗電磁干擾性能。它很容易通過調整來達到特定于應用的最佳dv/dt和開關損耗。
2020-09-29 11:43:232051 由于 IGBT反并聯SiC 肖特基勢壘二極管，在 dv/dt 和 di/dt 值幾乎不變下，CoolSiC? Hybrid IGBT能大幅降低開關損耗。
2021-02-23 10:23:021660 高共模噪聲是汽車系統設計人員在設計實用而可靠的動力總成驅動系統時必須克服的一個重大問題。當高壓逆變電源和其他電源進行高頻切換時，共模噪聲（又稱 dV/dt 噪聲）便在系統內自然生成。本文將討論混合動力系統驅動器內各種 dV/dt 噪聲的來源，并提出一些方法來盡量減少噪聲對驅動電子設備的影響。
2021-03-15 15:16:273189 
電子發燒友網為你提供為什么不同輸入電壓，功率MOSFET關斷dV/dT也會不同呢？資料下載的電子資料下載，更有其他相關的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-20 08:46:2512 工況下IGBT4與IGBT7的結溫對比。實驗結果表明，在連續大功率負載工況與慣量盤負載工況的對比測試中，IGBT7的結溫均低于IGBT4。 伺服驅動系統響應速度快，過載倍數高，小型化和高功率密度的趨勢更是對功率器件提出了更苛刻的要求。英飛凌明星產品IGBT7憑借超低導通壓降、dv/dt可控、175℃過載結溫
2021-10-26 15:41:192729 
Du/Dt濾波器又名“Du/Dt濾波器”、“Dv/Dt濾波器”、“Dv/Dt電抗器”等，一般是安裝在變頻器的逆變側，用來抑制變頻器逆變側的Du/Dt，保護電動機，同時，還能夠延長變頻器的有效傳輸距離至≤500米，但其無法改變變頻器逆變側的電壓波形。
2021-12-20 10:19:545283 dV/dt失效是MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導通而引起短路從而造成失效的現象。
2022-03-29 17:53:223889 
首先，讓我們先來看一下SiC MOSFET開關暫態的幾個關鍵參數，圖片來源于Cree官網SiC MOS功率模塊的datasheet。開通暫態的幾個關鍵參數包括：開通時間ton、開通延遲時間td(on)、開通電流上升率di/dton、開通電壓下降率dv/dton，電流上升時間tr
2022-04-27 15:10:216745 使用寬帶隙 （WBG） 器件設計電子轉換器確實存在與高 dv/dt 瞬態相關的挑戰，因為它們通常會導致有源和無源元件中的寄生參數。WBG 器件的 dv/dt 比硅基 IGBT 大，眾所周知
2022-07-26 08:02:531062 
在電動機控制等部分應用中，放緩開關期間的dV/dt非常重要。速度過快會導致電動機上出現電壓峰值，從而損壞繞組絕緣層，進而縮短電動機壽命。
2022-12-19 09:38:491180 電源上的高 dV/dt 上升時間會導致下游組件出現問題。在具有大電流輸出驅動器的24V供電工業和汽車系統中尤其如此。該設計思想描述了如何控制上升時間，同時限制通過控制FET的功率損耗。
2023-01-16 11:23:371078 
封裝的集成三相整流與逆變單元PIM（功率集成模塊） IGBT模塊，采用TRENCHSTOP IGBT7、第七代發射極控制二極管和PressFIT壓接技術,模塊內集成有NTC。 產品特性 低通態電壓VCE（sat）和Vf 過載時Tvjop=175°C 增強dv/dt可控性 基于dv/dt =5kV/ μ s，
2023-01-29 19:00:04931 IGBT是大家常用的開關功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數據手冊，對手冊中的一些關鍵參數和圖表進行解釋說明，用戶可以了解各參數的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2023-02-07 15:36:593924 
IGBT是大家常用的開關功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數據手冊，對手冊中的一些關鍵參數和圖表進行解釋說明，用戶可以了解各參數的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2023-02-07 15:39:285337 
IGBT是一個受門極電壓控制開關的器件，只有門極電壓超過閾值才能開通。工作時常被看成一個高速開關，在實際使用中會產生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。
2023-02-07 16:17:44703 
MOSFET的失效機理本文的關鍵要點?dV/dt失效是MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導通而引起短路從而造成失效的現象。
2023-02-13 09:30:08829 
電源上的高 dV/dt 上升時間會導致下游組件出現問題。在具有大電流輸出驅動器的24V供電工業和汽車系統中尤其如此。該設計思想描述了如何控制上升時間，同時限制通過控制FET的功率損耗。
2023-02-13 10:49:01556 
di/dt水平過高是晶閘管故障的主要原因之一。發生這種情況時，施加到半導體器件上的應力會大大超過額定值并損壞功率元件。在這篇新的博客文章中，我們將解釋dv/dt和di/dt值的重要性，以及為什么在為您的應用選擇固態繼電器之前需要考慮它們。
2023-02-20 17:06:572528 
的器件，只有門極電壓超過閾值才能開通。工作時常被看成一個高速開關，在實際使用中會產生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。電壓變化Dv/dt通過米勒電容CCG
2022-05-19 16:36:44913 
９.３.４dv/dt觸發９.３晶閘管第９章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產
2022-03-29 10:35:54214 
①靜態dV/dt：會引起MOSFET柵極電壓變化，導致錯誤開通。在柵源間并聯電阻，可防止誤開通。
2023-07-14 14:39:26702 
電子發燒友網站提供《電子燈鎮流器IGBT門驅動因素.pdf》資料免費下載
2023-07-24 10:29:220 IGBT模塊動態參數是評估IGBT模塊開關性能如開關頻率、開關損耗、死區時間、驅動功率等的重要依據，本文重點討論以下動態參數：模塊內部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數、柵極充電電荷、IGBT開關時間參數，結合IGBT模塊靜態參數可全面評估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543294 
IGBT動態測試參數有哪些？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種重要的功率半導體器件，廣泛應用于各種高能效的電力電子設備中。為了保證IGBT的可靠性
2023-11-10 15:33:51885 、絕緣基板、驅動電路和封裝材料等組成。 選擇適合的IGBT模塊需要考慮多個因素，包括額定電壓、額定電流、最大耗散功率、開
2024-01-18 17:31:231082 型號和規格，以確保其穩定、高效地工作。IGBT的選型涉及到多個參數的考慮，下面將詳細介紹這些參數。 額定電壓（Vce）：這是指IGBT能夠承受的最大電壓。根據應用需求，選擇的IGBT型號的額定電壓應大于應用中最高電壓。 額定電流（Ic）：這是指IGBT能夠承受的最大連續電流。根據應用需求，選擇的
2024-03-12 15:31:12260
電子發燒友App
工商網監
評論