受益于新能源汽車(chē)、工業(yè)控制等終端市場(chǎng)需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價(jià)，帶動(dòng)了2018年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模大幅成長(zhǎng)12.76%至2,591億元人民幣。
2019-03-11 11:15:58
2158 市場(chǎng)調(diào)查公司Yole Developpement（以下簡(jiǎn)稱(chēng)Yole）認(rèn)為，市場(chǎng)規(guī)模方面，2020年GaN器件市場(chǎng)整體規(guī)模有可能達(dá)到約6億美元。從（2020年將支配市場(chǎng)的）電源和PFC（功率因數(shù)校正）領(lǐng)域，到UPS（不間斷電源）和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)，很多應(yīng)用領(lǐng)域都將從GaN-on-Si功率器件的特性中受益。
2016-12-19 10:34:181254 
與SEMI的報(bào)告指出，化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將在2020年成長(zhǎng)至440億美元，年復(fù)合成長(zhǎng)率（CAGR）為12.9%，遠(yuǎn)優(yōu)于硅晶半導(dǎo)體的成長(zhǎng)速度。
2017-01-20 10:32:171040 經(jīng)由智慧型手機(jī)等行動(dòng)裝置上網(wǎng)，已成為現(xiàn)代生活的重要一部分，而汽車(chē)，尤其是混合動(dòng)力車(chē)和電動(dòng)車(chē)，也日益朝向連網(wǎng)化與電子化發(fā)展。調(diào)研機(jī)構(gòu)IHS預(yù)估全球車(chē)用功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將由2016年的55億美元，成長(zhǎng)為2022年的85億美元。合計(jì)2015~2022年市場(chǎng)規(guī)模年復(fù)合成長(zhǎng)率為7.5%。
2017-03-28 09:47:451483 全球范圍內(nèi)5G技術(shù)的迅猛發(fā)展，為氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商提供新的增長(zhǎng)前景。2020年，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為7億美元，預(yù)計(jì)2021年至2027年的復(fù)合年增長(zhǎng)率
2021-05-21 14:57:182257 近幾年碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等第三代半導(dǎo)體異?；馃?，國(guó)內(nèi)外很多半導(dǎo)體企業(yè)都涌入其中。據(jù)Yole Développement統(tǒng)計(jì)，2021全球GaN功率器件市場(chǎng)規(guī)模為1.26億美元，預(yù)計(jì)
2023-06-08 09:40:301692 
的增長(zhǎng)速度調(diào)整，但仍然保持著相對(duì)快速的發(fā)展態(tài)勢(shì)，預(yù)計(jì)行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模將在2015年達(dá)到373億元。關(guān)鍵詞：[url=http://news.rfidworld.com.cn/search.aspx?keyws
2014-04-16 09:27:36
%。目前，我國(guó)MEMS壓力傳感器大約占整個(gè)MEMS傳感器規(guī)模的26%。產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域分析：汽車(chē)領(lǐng)域?yàn)樽畲髴?yīng)用市場(chǎng)之一半導(dǎo)體
2018-12-17 11:30:50
來(lái)源 華西證券編輯：智東西內(nèi)參作者：吳吉森等隨著 5G、IoT 物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的來(lái)臨，以砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)有望快速崛起。其中，Ga...
2021-08-31 06:32:26
仍在于Wafer Cost，根據(jù)yole development測(cè)算，單片成本SiC比Si基產(chǎn)品高出7-8倍。研究機(jī)構(gòu)IHS預(yù)測(cè)到2025年SiC功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到30億美元。在未來(lái)的10
2019-05-06 10:04:10
應(yīng)用的發(fā)展功不可沒(méi)?！ ≡诠馄骷a(chǎn)業(yè)鏈，根據(jù)研究中心數(shù)據(jù)，2018年全球光器件行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模103億美元，同比微增0.98%，受益于數(shù)據(jù)中心資本開(kāi)支的增加和5G大規(guī)模的資本開(kāi)支增加，預(yù)計(jì)
2020-03-24 15:44:18
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導(dǎo)體帶來(lái)AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
不同廠商有不同的應(yīng)用場(chǎng)景，而適合構(gòu)架和解決方案也各不相同，如云側(cè)和端側(cè)處理構(gòu)架的設(shè)計(jì)導(dǎo)向差別較大。對(duì)于半導(dǎo)體領(lǐng)域，只要市場(chǎng)規(guī)模足夠大，有足夠多的客戶(hù)買(mǎi)單，那么就有足夠的動(dòng)力去做相應(yīng)的硬件定制。下面對(duì)以Nvidia和Intel為代表的半導(dǎo)體廠商方案進(jìn)行論述。
2019-08-09 07:40:59
、軍事、醫(yī)療等領(lǐng)域大展拳腳。正是因?yàn)榧す庠O(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域很廣，涉及行業(yè)眾多，所以半導(dǎo)體激光器的市場(chǎng)規(guī)模很大。據(jù)OFweek行業(yè)研究的數(shù)據(jù)顯示，半導(dǎo)體激光器在2017年的市場(chǎng)規(guī)模高達(dá)53．1億美元，同比
2019-05-13 05:50:35
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
；這也說(shuō)明市場(chǎng)對(duì)于充電器功率的市場(chǎng)需求及用戶(hù)使用的范圍；隨著小米65W的充電器的發(fā)布，快速的走進(jìn)氮化鎵快充充電器時(shí)代。目前市面上已經(jīng)量產(chǎn)商用的氮化鎵方案主要來(lái)自PI和納微半導(dǎo)體兩家供應(yīng)商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
的挑戰(zhàn)絲毫沒(méi)有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當(dāng)于30億千瓦時(shí)以上
2020-11-03 08:59:19
的選擇。 生活更環(huán)?！ 榱舜蚱瞥杀竞痛?b class="flag-6" style="color: red">規(guī)模采用周期，一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點(diǎn)。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機(jī)會(huì)，使其在高電壓應(yīng)用中的貢獻(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
更小：GaNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨(dú)特的性能，被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測(cè)器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力，甚至為該行業(yè)帶來(lái)跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
DARPA提出WBST計(jì)劃以來(lái)，氮化鎵已經(jīng)走過(guò)了較長(zhǎng)的發(fā)展歷程，現(xiàn)在已成為微波和射頻行業(yè)的前沿。它的成本結(jié)構(gòu)已經(jīng)與傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)持平，當(dāng)兩種競(jìng)爭(zhēng)性技術(shù)成本相同的時(shí)候，性能高者將主宰市場(chǎng)。MACOM等企業(yè)
2017-08-15 17:47:34
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過(guò)2 kW設(shè)計(jì)的各類(lèi)解決方案。
2019-08-01 07:38:40
封裝技術(shù)的效率。三維散熱是GaN封裝的一個(gè)很有前景的選擇。
生活更環(huán)保
為了打破成本和大規(guī)模采用周期，一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點(diǎn)。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機(jī)會(huì)
2019-03-14 06:45:11
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN
2018-08-17 09:49:42
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí)，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
，傳統(tǒng)的硅功率器件的效率、開(kāi)關(guān)速度以及最高工作溫度已逼近其極限，使得寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵成為應(yīng)用于功率管理的理想替代材料。香港科技大學(xué)教授陳敬做了全GaN功率集成技術(shù)的報(bào)告，該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)智能功率集成
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術(shù)，瞄準(zhǔn)主流消費(fèi)
2018-02-12 15:11:38
用于無(wú)線(xiàn)基礎(chǔ)設(shè)施的半導(dǎo)體技術(shù)正在經(jīng)歷一場(chǎng)重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場(chǎng)。橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管在功率放大器領(lǐng)域幾十年來(lái)的主導(dǎo)地位正在被氮化鎵(GaN)撼動(dòng)，這將對(duì)無(wú)線(xiàn)
2017-08-30 10:51:37
應(yīng)用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產(chǎn)品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來(lái)作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來(lái)替代磁控管帶來(lái)好處很多：半導(dǎo)體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅(qū)動(dòng)電壓
2017-09-04 15:02:41
的優(yōu)勢(shì)，近年來(lái)在功率器件市場(chǎng)大受歡迎。然而，其居高不下的成本使得氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用受到很多限制。 但是隨著硅基氮化鎵技術(shù)的深入研究，我們逐漸發(fā)現(xiàn)了一條完全不同的道路，甚至可以說(shuō)是顛覆性的半導(dǎo)體技術(shù)。這就
2017-07-18 16:38:20
測(cè)試背景地點(diǎn)：國(guó)外某知名品牌半導(dǎo)體企業(yè)，深圳氮化鎵實(shí)驗(yàn)室測(cè)試對(duì)象：氮化鎵半橋快充測(cè)試原因：因高壓差分探頭測(cè)試半橋上管Vgs時(shí)會(huì)炸管，需要對(duì)半橋上管控制信號(hào)的具體參數(shù)進(jìn)行摸底測(cè)試測(cè)試探頭：麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號(hào)：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20
的開(kāi)路條件下被光蝕刻。 介紹近年來(lái)，氮化鎵和相關(guān)氮化物半導(dǎo)體在藍(lán)綠色發(fā)光二極管、激光二極管和高溫大功率電子器件中的應(yīng)用備受關(guān)注。蝕刻組成材料的有效工藝的可用性因此非常重要。由于第三族氮化物不尋常的化學(xué)
2021-10-13 14:43:35
Canaccord Genuity預(yù)計(jì)，到2025年，電動(dòng)汽車(chē)解決方案中每臺(tái)汽車(chē)的半導(dǎo)體構(gòu)成部分將增加50％或更多。本文將探討氮化鎵（GaN）電子器件，也涉及到一點(diǎn)碳化硅（SiC），在不增加汽車(chē)成本的條件下
2018-07-19 16:30:38
的設(shè)計(jì)和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計(jì)，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級(jí)為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
2寸的芯片，現(xiàn)在已經(jīng)能制造4寸了。業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，要大規(guī)模生產(chǎn)功率半導(dǎo)體，至少需要6英寸以上的芯片，因此目前還不能大規(guī)模生產(chǎn)。此外，上述用于小型 AC轉(zhuǎn)換器的氮化鎵功率半導(dǎo)體使用以下的晶片，其最大尺寸為
2023-02-23 15:46:22
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，成為落地量產(chǎn)設(shè)計(jì)的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個(gè)系統(tǒng)性能的關(guān)鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開(kāi)關(guān)”的電路構(gòu)件，即一個(gè)能將最小能量的數(shù)字信號(hào)，轉(zhuǎn)化為無(wú)損功率傳輸?shù)碾娐窐?gòu)件。
納微半導(dǎo)體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
通過(guò)SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無(wú)論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導(dǎo)體生產(chǎn)中采用的主要半導(dǎo)體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導(dǎo)體工作溫度。此外，SiC 的導(dǎo)熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導(dǎo)通電
2023-02-21 16:01:16
氮化鎵也處于這一階段，成本將會(huì)隨著市場(chǎng)需求量加速、大規(guī)模生產(chǎn)、工藝制程革新等，而走向平民化，而最終的市場(chǎng)也將會(huì)取代傳統(tǒng)的硅基功率器件。8英寸硅基氮化鎵的商用化量產(chǎn)，可以大幅降低成本。第三代半導(dǎo)體的普及
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
作為功率半導(dǎo)體廠商，為下游客戶(hù)提供典型應(yīng)用方案似乎成行業(yè)內(nèi)約定俗成的事。也就是說(shuō)，作為半導(dǎo)體原廠不僅要設(shè)計(jì)好芯片，還要親自設(shè)計(jì)和驗(yàn)證很多應(yīng)用方案供下游客戶(hù)參考或者直接采用，以便讓自己的芯片能快速通過(guò)
2023-02-01 14:52:03
程度不斷增加，功率半導(dǎo)體需求提升，器件應(yīng)用范圍不斷拓展。2021 年-2025 年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將從 258.2 億元增至 342.5 億美元，對(duì)應(yīng)復(fù) 合增速 10.6%；其中，模塊增速快，2025
2022-11-11 11:50:23
人士表示半導(dǎo)體市場(chǎng)的慘淡恰是整個(gè)IT市場(chǎng)由于全球經(jīng)濟(jì)低迷而遭受巨大沖擊的真實(shí)寫(xiě)照，2012年內(nèi)包括個(gè)人電腦經(jīng)銷(xiāo)商和閃存供給商在內(nèi)的相關(guān)行業(yè)的表現(xiàn)都不盡如人意。 IHS預(yù)計(jì)今年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模增幅最高
2013-01-30 09:56:19
升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
的測(cè)試，讓功率半導(dǎo)體設(shè)備更快上市并盡量減少設(shè)備現(xiàn)場(chǎng)出現(xiàn)的故障。為幫助設(shè)計(jì)工程師厘清設(shè)計(jì)過(guò)程中的諸多細(xì)節(jié)問(wèn)題，泰克與電源行業(yè)專(zhuān)家攜手推出“氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門(mén)到精通“8節(jié)系列直播課，氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門(mén)到
2020-11-18 06:30:50
如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
LED?，F(xiàn)在市場(chǎng)上銷(xiāo)售的很多LED就是使用藍(lán)寶石襯底的氮化鎵技術(shù)。除了LED，氮化鎵也被使用到了功率半導(dǎo)體與射頻器件上。 基于氮化鎵的功率芯片正在市場(chǎng)站穩(wěn)腳跟?！拔覀兿嘈?，氮化鎵在600V功率器件市場(chǎng)將
2016-08-30 16:39:28
%，激光產(chǎn)業(yè)整體市場(chǎng)規(guī)模突破137億元;2011年和2012年我國(guó)激光產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模保持了持續(xù)增長(zhǎng)，分別達(dá)到151.16億元和164.47億元;2014年我國(guó)激光器銷(xiāo)售總規(guī)模超過(guò)200億元，2015年
2018-02-09 14:31:13
流，但隨著5G的到來(lái)，砷化鎵器件將無(wú)法滿(mǎn)足在如此高的頻率下保持高集成度。于是，GaN成為下一個(gè)熱點(diǎn)。氮化鎵作為一種寬禁帶半導(dǎo)體，可承受更高的工作電壓，意味著其功率密度及可工作溫度更高，因而具有高功率
2019-07-05 04:20:06
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術(shù)很新且還沒(méi)有經(jīng)過(guò)驗(yàn)證
氮化鎵器件是一種非常堅(jiān)硬、具高機(jī)械穩(wěn)定性的寬帶隙半導(dǎo)體，于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47
` 本帖最后由 boeone 于 2016-12-8 15:54 編輯
未來(lái)5年無(wú)線(xiàn)充電設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)135億，你看好嗎？ 無(wú)線(xiàn)充電是近幾年的熱點(diǎn)技術(shù)，但卻一直因?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)的“三足鼎立”而放緩
2016-12-08 15:42:33
整流器公司(InternationalRectifier；IR)等大型廠商的競(jìng)爭(zhēng)或并購(gòu)壓力。Yole估計(jì)，2015年GaN在功率半導(dǎo)體應(yīng)用的全球市場(chǎng)規(guī)模約為1千萬(wàn)美元。但從2016-2020年之間，這一市場(chǎng)
2015-09-15 17:11:46
一、化合物半導(dǎo)體應(yīng)用前景廣闊，市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大 化合物半導(dǎo)體是由兩種及以上元素構(gòu)成的半導(dǎo)體材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作為第二代和第三代半導(dǎo)體的主要代表，因其在高功率
2019-06-13 04:20:24
隨著萬(wàn)物互聯(lián)的物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代到來(lái)，數(shù)以千億的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備接入網(wǎng)絡(luò)，物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大。根據(jù)全球移動(dòng)通信系統(tǒng)協(xié)會(huì)（GSMA）所發(fā)布的《2020年移動(dòng)經(jīng)濟(jì)》報(bào)告顯示，全球物聯(lián)網(wǎng)收入在未來(lái)幾年將增加三倍
2021-02-02 17:08:03
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
的商機(jī)。另外，X-Fab、漢磊及環(huán)宇也提供SiC及GaN的代工業(yè)務(wù)。隨著代工業(yè)務(wù)的帶動(dòng)，第三代半導(dǎo)體材料的市場(chǎng)規(guī)模也將進(jìn)一步擴(kuò)大。
2019-05-09 06:21:14
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
鎵基MIMO天線(xiàn)，盡管價(jià)格較高，但功耗降低了40%，裸片面積減少94%。資料來(lái)源：國(guó)金證券根據(jù)Yole預(yù)測(cè)，2018年GaN射頻器件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到4.57億美元，未來(lái)5年復(fù)合增長(zhǎng)率超過(guò)23%。在整個(gè)射頻
2019-04-13 22:28:48
的市場(chǎng)規(guī)模。簡(jiǎn)而言之，就是天花板很高，大家都有飯吃。目前，投入這個(gè)行業(yè)里的資金也就是多說(shuō)也就十億美金吧。投資規(guī)模還趕不上一個(gè)硅的12寸線(xiàn)。所以，這里是一個(gè)充滿(mǎn)機(jī)會(huì)的藍(lán)海，但是風(fēng)浪也很大，沒(méi)有有經(jīng)驗(yàn)的水手，光有錢(qián)是不行的。希望國(guó)內(nèi)各位入局第三代半導(dǎo)體的廠商能夠幫助國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體沖出一片新天地。
2017-05-15 17:09:48
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
會(huì)產(chǎn)生熱量。這些發(fā)熱限制了系統(tǒng)的性能。比如說(shuō)，當(dāng)你筆記本電腦的電源變熱時(shí)，其原因在于流經(jīng)電路開(kāi)關(guān)內(nèi)的電子會(huì)產(chǎn)生熱量，并且降低了它的效率。由于氮化鎵是一款更好、效率更高的半導(dǎo)體材料，它的發(fā)熱量更低，所以
2018-08-30 15:05:50
2010年車(chē)用半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將成長(zhǎng)16%
據(jù)研究機(jī)構(gòu)Semicast的報(bào)告指出，在汽車(chē)制造量復(fù)蘇的推動(dòng)下，2010年全球車(chē)用半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模可望較2009年成長(zhǎng)16%，金額達(dá)到 184億美元
2010-01-15 09:33:52513 隨著氮化鎵（GaN）技術(shù)在射頻（RF）中的應(yīng)用逐漸增多以及LTE基站在中國(guó)的廣泛部署，射頻氮化鎵的市場(chǎng)規(guī)模在2015年增長(zhǎng)將近50%。
2018-04-23 11:53:001218 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)一直都處于溫溫不火的狀態(tài)的，但是隨著混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車(chē)、電力和光伏（PV）逆變器的需求，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)井噴式增長(zhǎng)。
2018-05-23 15:00:059833 我國(guó)安防行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模從2012年的3240億元增長(zhǎng)到2017年的5960億元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到13%。據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)，2018年，我國(guó)安防行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到6570億元。
2018-09-01 10:55:464458 功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，市場(chǎng)規(guī)模高達(dá)數(shù)百億美元。
2019-07-05 16:23:514377 
半導(dǎo)體檢測(cè)市場(chǎng)的發(fā)展隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展的繁榮。2018年，我國(guó)半導(dǎo)體檢測(cè)市場(chǎng)規(guī)模已達(dá)到262.33億元的規(guī)模，其中設(shè)計(jì)驗(yàn)證市場(chǎng)規(guī)模約為26億元，前道量測(cè)檢測(cè)規(guī)模約為119.46億元，后道測(cè)試規(guī)模約116.87億元。
2020-01-09 11:05:088060 器件市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到7.45 億美元；GaN功率器件市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到4.50億美元。 基于此，新材料在線(xiàn)特推出【2020年氮化鎵半導(dǎo)體材料行業(yè)研究報(bào)告】，供業(yè)內(nèi)人士參考： 原文標(biāo)題：【重磅報(bào)告】2020年氮化鎵半導(dǎo)體材料行業(yè)研究報(bào)告 文章出處：【微信公眾號(hào)：新材料在線(xiàn)】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)
2020-10-09 10:16:033675 半導(dǎo)體設(shè)備是在芯片制造和封測(cè)流程中應(yīng)用到的設(shè)備，廣義上也包括生產(chǎn)半導(dǎo)體原材料所需的機(jī)器設(shè)備。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)顯示，2013-2019年中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)逐年增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，增速波動(dòng)變化。2019年行業(yè)實(shí)現(xiàn)市場(chǎng)規(guī)模134.5億美元，同比增長(zhǎng)2.6%，增速較2018年有所回落。
2020-11-02 16:10:513542 
截止至2020年上半年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模為2081.6億美元，同比增長(zhǎng) 5.98%，疫情未對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生顯著影響，僅歐洲地區(qū)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模連續(xù)6個(gè)月較上年同期均下滑。
2020-11-05 15:30:172872 
顯微鏡廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)的研發(fā)、制造和質(zhì)量分析，目前半導(dǎo)體已經(jīng)成為了全球顯微鏡第二大應(yīng)用需求領(lǐng)域，近年來(lái)市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)。未來(lái)，檢測(cè)需求、技術(shù)創(chuàng)新與政府支持將會(huì)推動(dòng)全球顯微鏡市場(chǎng)規(guī)模進(jìn)一步擴(kuò)大。
2021-01-13 16:04:124153 由于晶圓生產(chǎn)附加值極高，因此半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的地位日益凸顯。2020年，我國(guó)半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到176億元。隨著我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，我國(guó)半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模有望接近400億元。
2021-01-14 16:47:086113 
模擬芯片無(wú)處不在，幾乎所有常見(jiàn)的電子設(shè)備都需要使用模擬芯片。根據(jù)WSTS數(shù)據(jù)，2020年全球半導(dǎo)體行業(yè)的整體規(guī)模為4331億美元，模擬芯片的市場(chǎng)規(guī)模則達(dá)到540億美元，占比約為13%，是半導(dǎo)體行業(yè)中的重要組成部分。
2021-02-18 14:15:447828 
氮化鎵（GaN）是一種非常堅(jiān)硬且在機(jī)械方面非常穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體材料。由于具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開(kāi)關(guān)速度，更高的熱導(dǎo)率和更低的導(dǎo)通電
阻，氮化鎵基功率器件明顯比硅基器件更優(yōu)越。
氮化鎵晶體
2023-02-15 16:19:06
0 氮化鎵 (GaN) 是一種半導(dǎo)體材料，因其卓越的性能而越來(lái)越受歡迎。與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體不同，GaN 具有更寬的帶隙，這使其成為高頻和大功率應(yīng)用的理想選擇。
2023-03-03 10:14:39718 來(lái)源：半導(dǎo)體綜研，謝謝 編輯：感知芯視界 Link 2024年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)6240億美元，同比增長(zhǎng)16.8%。 2023年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模約5340億美元，同比下降10.9%。 根據(jù)
2023-12-20 09:25:52698 
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