本文將介紹一種門極驅動器利用SiC-MOSFET的檢測端子為其提供全面保護的先進方法。所提供的測試結果包括了可調整過流和短路檢測以及軟關斷和有源鉗位（可在關斷時主動降低過壓尖峰）等功能。
2016-11-16 11:19:57
8316 功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現(xiàn)低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導體的優(yōu)勢前面已經介紹過，如低損耗、高速開關、高溫工作等，顯而易見這些優(yōu)勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較，進一步加深對SiC-MOSFET的理解。
2022-07-26 13:57:522075 三菱電機集團近日（2023年6月1日）宣布，其開發(fā)出一種集成SBD的SiC-MOSFET新型結構，并已將其應用于3.3kV全SiC功率模塊——FMF800DC-66BEW，適用于鐵路、電力系統(tǒng)等大型
2023-06-09 11:20:09366 
下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列，進行詳細介紹
2023-11-01 14:46:19736 
在高耐壓范圍中，SiC MOSFET與Si-MOSFET相比，具有“開關損耗與導通損耗小”、“可支持大功率”、“耐溫度變化”等優(yōu)勢。基于這些優(yōu)勢，當SiC-MOSFET用于AC/DC轉換器和DC
2019-04-24 12:46:442091 有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅動方法等
2018-11-30 11:34:24
SiC-MOSFET－溝槽結構SiC-MOSFET與實際產品SiC功率元器件基礎篇前言前言何謂SiC（碳化硅）？何謂碳化硅SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點SiC肖特基勢壘二極管所謂SiC-SBD－特征以及與Si
2018-11-27 16:40:24
”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結構，不過目前ROHM已經開始量產特性更優(yōu)異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續(xù)進行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
比Si器件低，不需要進行電導率調制就能夠以MOSFET實現(xiàn)高耐壓和低阻抗。 而且MOSFET原理上不產生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關損耗，并且實現(xiàn)散熱部件
2023-02-07 16:40:49
，不需要進行電導率調制就能夠以MOSFET實現(xiàn)高耐壓和低阻抗。而且MOSFET原理上不產生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關損耗，并且實現(xiàn)散熱部件的小型化。另外
2019-04-09 04:58:00
本文就SiC-MOSFET的可靠性進行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產品相關的信息和數(shù)據(jù)。另外，包括MOSFET在內的SiC功率元器件的開發(fā)與發(fā)展日新月異，如果有不明之處或希望
2018-11-30 11:30:41
SiC-SBD－SiC-SBD的發(fā)展歷程所謂SiC-SBD－使用SiC-SBD的優(yōu)勢所謂SiC-SBD－關于可靠性試驗所謂SiC-MOSFET所謂SiC-MOSFET－特征所謂SiC-MOSFET－功率
2018-11-27 16:38:39
`請問：圖片中的紅色白色藍色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個東西？抗干擾或散熱嗎？這是個SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
的穩(wěn)健性、可靠性、高頻應用中的瞬時振蕩以及故障處理等問題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對系統(tǒng)設計的影響。如圖1所示，與同類型的Si MOSFET相比，900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
一樣，商用SiC功率器件的發(fā)展走過了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發(fā)展置于背景中，并且 - 以及器件技術進步的簡要歷史 - 展示其技術優(yōu)勢及其未來的商業(yè)前景。 碳化硅或碳化硅的歷史
2023-02-27 13:48:12
家公司已經建立了SiC技術作為其功率器件生產的基礎。此外，幾家領先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產品的路線圖奠定了基礎。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
程度的小電流，所以與Si-FRD相比，能夠明顯地減少損耗。而且，該瞬態(tài)電流基本上不隨溫度和正向電流而變化，所以不管何種環(huán)境下，都能夠穩(wěn)定地實現(xiàn)快速恢復。另外，還可以降低由恢復電流引起的噪音，達到降噪的效果。SiC半導體SiC-MOSFET
2019-03-14 06:20:14
，不需要進行電導率調制就能夠以MOSFET實現(xiàn)高耐壓和低阻抗。而且MOSFET原理上不產生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關損耗，并且實現(xiàn)散熱部件的小型化。另外
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
的不是全SiC功率模塊特有的評估事項，而是單個SiC-MOSFET的構成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結構的設計中，該信息也非常有用。“柵極誤導通”是指在高邊SiC-MOSFET＋低邊
2018-11-30 11:31:17
本文將開始AC/DC轉換器設計篇的新篇章：“使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的設計案例”。在本文中，繼此前提到的“反激式”和“正激式”之后，將介紹使用了“準諧振方式”電源IC的隔離型AC
2018-11-27 17:03:34
的 ＃sic-mosfet #***d＃sct30n120以上來自于谷歌翻譯以下為原文 Hi everyone, I am planning to use sic mosfets in inverter
2019-05-29 06:12:00
上一章針對與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關于SiC-MOSFET驅動方法的兩個關鍵要點。本章將針對與IGBT的區(qū)別進行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
的量產化，并于 2010 年全球首家成功實現(xiàn)了 SiC-MOSFET 的量產。羅姆希望通過本次研討會，讓更多同行了解 SiC 的優(yōu)點和特性，更好地應用 SiC 功率器件。研討會的演講概要如下： 1
2018-07-27 17:20:31
` 首先萬分感謝羅姆及電子發(fā)燒友論壇給予此次羅姆SiC Mosfet試用機會。 第一次試用體驗，先利用晚上時間做單管SiC Mos的測試，由于沒有大功率電源，暫且只考察了Mos管的延時時間、上升時間
2020-05-21 15:24:22
失效模式等。項目計劃①根據(jù)文檔，快速認識評估板的電路結構和功能；②準備元器件，相同耐壓的Si-MOSFET和業(yè)內3家SiC-MOSFET③項目開展，按時間計劃實施，④項目調試，優(yōu)化，比較，分享。預計成果分享項目的開展，實施，結果過程，展示項目結果
2020-04-24 18:09:12
SiC Mosfet管組成上下橋臂電路，整個評估板提供了一個半橋電路，可以支持Buck，Boost和半橋開關電路的拓撲。SiC Mosfet的驅動電路主要有BM6101為主的芯片搭建而成，上下橋臂各有一塊
2020-06-07 15:46:23
本帖最后由 熊宇豪 于 2022-2-16 16:45 編輯
`在學習評估板的user guide之后，了解其基本功能和組成電路組成，首先對SiC管做雙脈沖測試考察其開關特性。對于雙脈沖測試
2020-06-18 17:57:15
是48*0.35 = 16.8V，負載我們設為0.9Ω的阻值，通過下圖來看實際的輸入和輸出情況：圖4 輸入和輸出通過電子負載示數(shù)，輸出電流達到了17A。下面使用示波器測試SIC-MOSFET管子的相關
2020-06-10 11:04:53
項目名稱：基于Sic MOSFET的直流微網雙向DC-DC變換器試用計劃：申請理由本人在電力電子領域（數(shù)字電源）有五年多的開發(fā)經驗，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓撲。我
2020-04-24 18:08:05
``首先感謝羅姆公司提供的開發(fā)板試用機會，本人作為高校學生，一直從事電源管理方向的研究，想向大功率的方向發(fā)展。SiC作為第三代半導體為功率電子的發(fā)展提供了很大的潛力，現(xiàn)在比較成熟的SiC器件制造廠商
2020-05-19 16:03:51
`收到了羅姆的sic-mosfet評估板，感謝羅姆，感謝電子發(fā)燒友。先上幾張開箱圖，sic-mos有兩種封裝形式的，SCT3040KR，主要參數(shù)如下：SCT3040KL，主要參數(shù)如下：后續(xù)準備搭建一個DC-DC BUCK電路，然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
封裝的SIC MOSFET各兩片，分別是TO-247-4L的SCT3040KR，TO-247-3L的SCT3040KL，這兩款都是羅姆推出的SIC MOSFET。兩款SIC 的VDS都是1200V
2020-05-09 11:59:07
項目名稱：特種電源開發(fā)試用計劃：在I項目開發(fā)中，有一個關鍵電源，需要在有限空間，實現(xiàn)高壓、大電流脈沖輸出。對開關器件的開關特性和導通電阻都有嚴格要求。隨著SIC產品的技術成熟度越來越高，計劃把IGBT開關器件換成SIC器件。
2020-04-24 17:57:09
SiC模塊，對比相同充放電功率情況下SiC與MOSFET或者IGBT的溫升。預計成果：在性能滿足要求，價格可接受范圍內，后續(xù)適用到產品中
2020-04-24 18:09:35
;Reliability (可靠性) " ，始終堅持“品質第一”SiC元器有三個最重要的特性：第一個高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對應
2020-07-16 14:55:31
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應用領域，如電動汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲系統(tǒng)、工業(yè)和電網基礎設施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
要充分認識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導通和關斷
2017-12-18 13:58:36
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
SiC-MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管的相關內容，有許多與Si同等產品比較的文章可以查閱并參考。采用第三代SiC溝槽MOSFET，開關損耗進一步降低ROHM在行業(yè)中率先實現(xiàn)了溝槽結構
2018-11-27 16:37:30
ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產的“SCT2H12NZ”，是實現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-04 10:11:25
極驅動器的優(yōu)勢和期望，開發(fā)了一種測試板，其中測試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標準電壓源驅動器也在另一塊板上實現(xiàn)，見圖3。 圖3.帶電壓源驅動器（頂部）和電流源驅動器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
本文討論如何設計基于 SiC-MOSFET 的 6.6kW 雙向電動汽車車載充電器。介紹隨著世界轉向更清潔的燃料替代品，電動汽車運輸領域正在經歷快速增長。此外，配備足夠電池容量的電動汽車可用于支持
2023-02-27 09:44:36
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術尚不完全成熟。從國內
2019-09-17 09:05:05
低，可靠性高，在各種應用中非常有助于設備實現(xiàn)更低功耗和小型化。本產品于世界首次※成功實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現(xiàn)更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
本文將從設計角度首先對在設計中使用的電源IC進行介紹。如“前言”中所述，本文中會涉及“準諧振轉換器”的設計和功率晶體管使用“SiC-MOSFET”這兩個新課題。因此，設計中所使用的電源IC，是可將
2018-11-27 16:54:24
使用圖騰柱無橋PFC升壓轉換器，以減少二極管數(shù)量并提高效率[6]，[7]。但是，硅MOSFET體二極管的反向恢復會導致連續(xù)導通模式（CCM）中的高功率損耗，從而使其不適用于高功率應用。隨后，與SiC
2019-10-25 10:02:58
從本篇開始，介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率
2018-11-28 14:28:53
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
請問：驅動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
上一篇介紹了近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產品定位，以及近年來的高耐壓Si-MOSFET的代表超級結MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）的概要
2018-12-03 14:27:05
世界首家！ROHM開始量產采用溝槽結構的SiC-MOSFET，導通電阻大大降低，有助于工業(yè)設備等大功率設備的小型化與低功耗化
2015-06-25 14:26:461974 和MOSFET器件的同時，沒有出現(xiàn)基于SiC的類似器件。
SiC-MOSFET與IGBT有許多不同，但它們到底有什么區(qū)別呢？本文將針對與IGBT的區(qū)別進行介紹。
2017-12-21 09:07:0436486 
羅姆在全球率先實現(xiàn)了搭載羅姆生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1313514 ，硅基 IGBT 廣泛用于大功率轉換器設計。表 1 提供了基于 Si 的模塊和基于 SiC-MOSFET 的模塊之間基于其開關速度的比較。
2022-07-26 08:02:531062 
SiC MOSFET 的優(yōu)勢和用例是什么？
2022-12-28 09:51:201034 
一、SiC模塊的特征 電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-01-12 16:35:47489 功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現(xiàn)低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導體有如下優(yōu)勢，如低損耗、高速開關、高溫工作等，顯而易見這些優(yōu)勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較，進一步加深對SiC-MOSFET的理解。
2023-02-06 14:39:132876 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現(xiàn)的新功能。另外，除了SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應用實例。
2023-02-06 14:39:51645 
1. SiC模塊的特征 大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-02-07 16:48:23646 
近年來超級結（Super Junction）結構的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，ROHM已經開始量產特性更優(yōu)異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:19525 
從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。
2023-02-08 13:43:20644 
上一章針對與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關于SiC-MOSFET驅動方法的兩個關鍵要點。本章將針對與IGBT的區(qū)別進行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:201722 
上一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復特性進行說明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。
2023-02-08 13:43:20790 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結構在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結構有利于降低導通電阻也備受關注。
2023-02-08 13:43:211381 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現(xiàn)的新功能。
2023-02-08 13:43:21366 
本文就SiC-MOSFET的可靠性進行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產品相關的信息和數(shù)據(jù)。另外，包括MOSFET在內的SiC功率元器件的開發(fā)與發(fā)展日新月異，如果有不明之處或希望確認現(xiàn)在的產品情況，請點擊這里聯(lián)系我們。
2023-02-08 13:43:21860 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產品，都有哪些機型。
2023-02-08 13:43:21685 
在探討“SiC MOSFET：橋式結構中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結構和工作進行介紹，這也是這個主題的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
本文的關鍵要點?具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20301 
從本篇開始，介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結MOSFET。功率晶體管的特征與定位：首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。
2023-02-10 09:41:00538 
上一篇介紹了近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產品定位，以及近年來的高耐壓Si-MOSFET的代表超級結MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）的概要。
2023-02-10 09:41:011301 
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
在SiC MOSFET的開發(fā)與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 15:29:032102 
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2023-02-13 09:30:04331 
SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiC MOSFET的結構，
2023-02-16 09:40:102938 
上一篇文章對設計中使用的電源IC進行了介紹。本文將介紹設計案例的電路。準諧振方式：上一篇文章提到，電源IC使用的是SiC-MOSFET驅動用AC/DC轉換器控制IC“BD7682FJ-LB”。
2023-02-17 09:25:06380 
截至上一篇文章，結束了部件選型相關的內容，本文將對此前介紹過的PCB電路板布局示例進行總結。使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的PCB布局示例
2023-02-17 09:25:07397 
此前共用19個篇幅介紹了“使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的設計案例”，本文將作為該系列的最后一篇進行匯總。該設計案例中有兩個關鍵要點。一個是功率開關中使用了SiC-MOSFET。
2023-02-17 09:25:08480 功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現(xiàn)低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導體的優(yōu)勢前面已經介紹過，如低損耗、高速開關、高溫工作等，顯而易見這些優(yōu)勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較，進一步加深對SiC-MOSFET的理解。
2023-02-23 11:25:47203 
Junction）結構的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結構，不過目前ROHM已經開始量產特性更優(yōu)異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續(xù)進行介紹。
2023-02-23 11:26:58464 
本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅動與Si-MOSFET的比較中應該注意的兩個關鍵要點。
2023-02-23 11:27:57736 
如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET的結構上講，體二極管是由源極-漏極間的pn結形成的，也被稱為“寄生二極管”或“內部二極管”。對于MOSFET來說，體二極管的性能是重要的參數(shù)之一，在應用中使用時，其性能發(fā)揮著至關重要的作用。
2023-02-24 11:47:402315 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現(xiàn)的新功能。
2023-02-24 11:49:19481 
ROHM針對SiC上形成的柵極氧化膜，通過工藝開發(fā)和元器件結構優(yōu)化，實現(xiàn)了與Si-MOSFET同等的可靠性。
2023-02-24 11:50:12784 
如何為SiC MOSFET選擇合適的驅動芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產品與傳統(tǒng)硅IGBT或者MOSFET參數(shù)特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應用環(huán)境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:04
79 相對于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關關斷時的損耗，實現(xiàn)了高頻率工作，有助于應用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET，導通電阻較小，可減少相同導通電阻的芯片面積，并顯著降低恢復損耗。
2023-09-11 10:12:33566 
繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規(guī)級認證后，近日，國星光電開發(fā)的1200V/80mΩ SiC-MOSFET（碳化硅-場效應管）器件也成功獲得了
2023-10-24 15:52:32606 SiC MOSFET的橋式結構
2023-12-07 16:00:26157
正在加载...
電子發(fā)燒友App
工商網監(jiān)
評論