為了匹配CREE SiC MOSFET的低開關損耗，柵極驅動器必須能夠以快速壓擺率提供高輸出電流和電壓，以克服SiC MOSFET的柵極電容。
2021-05-24 06:17:00
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SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiC MOSFET的結構，如圖1所示。這種結構的特點是工藝簡單，單元的一致性較好，雪崩能量比較高。但是，這種結構
2023-02-12 16:03:093214 
當前量產主流SiC MOSFET芯片元胞結構有兩大類，是按照柵極溝道的形狀來區分的，平面型和溝槽型。
2023-06-07 10:32:074310 
在高壓開關電源應用中，相較傳統的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET有明顯的優勢。使用硅MOSFET可以實現高頻（數百千赫茲）開關，但它們不能用于非常高的電壓（>
2023-08-03 11:09:57740 
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
電阻低，通道電阻高，因此具有驅動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導通電阻與Vgs的關系。導通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
Si-MOSFET大得多。而在給柵極-源極間施加18V電壓、SiC-MOSFET導通的條件下，電阻更小的通道部分（而非體二極管部分）流過的電流占支配低位。為方便從結構角度理解各種狀態，下面還給出了MOSFET的截面圖
2018-11-27 16:40:24
”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結構，不過目前ROHM已經開始量產特性更優異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續進行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
1. 器件結構和特征 Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）?！ GBT
2023-02-07 16:40:49
1. 器件結構和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-04-09 04:58:00
確認現在的產品情況，請點擊這里聯系我們。ROHM SiC-MOSFET的可靠性柵極氧化膜ROHM針對SiC上形成的柵極氧化膜，通過工藝開發和元器件結構優化，實現了與Si-MOSFET同等的可靠性
2018-11-30 11:30:41
作的。全橋式逆變器部分使用了3種晶體管（Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介紹的第三代溝槽結構SiC-MOSFET），組成相同尺寸的移相DCDC轉換器，就是用來比較各產品效率的演示機
2018-11-27 16:38:39
`請問：圖片中的紅色白色藍色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個東西？抗干擾或散熱嗎？這是個SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
專門的溝槽式柵極結構（即柵極是在芯片表面構建的一個凹槽的側壁上成形的），與平面式SiC MOSFET產品相比，輸入電容減小了35%，導通電阻減小了50%，性能更優異。圖4 SCT3030KL的內部電路
2019-07-09 04:20:19
（MPS）結構，該結構保持最佳場分布，但通過結合真正的少數載流子注入也可以增強浪涌能力。如今，SiC二極管非常可靠，它們已經證明了比硅功率二極管更有利的FIT率?！ ?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET替代品 2008年推出
2023-02-27 13:48:12
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時間短于IGTB的短路耐受時間，也可以通過集成在柵極驅動器IC中的去飽和功能來保護SiC
2019-07-30 15:15:17
的快速充電器等的功率因數校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。開啟電壓由肖特基勢壘的勢壘高度決定，通常如果將勢壘高度
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結構和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-05-07 06:21:55
SiC-MOSFET的構成中，SiC-MOSFET切換（開關）時高邊SiC-MOSFET的柵極電壓產生振鈴，低邊SiC-MOSFET的柵極電壓升高，SiC-MOSFET誤動作的現象。通過下面的波形圖可以很容易了解這是
2018-11-30 11:31:17
極-源極電壓振鈴。將柵極驅動放置在緊鄰 SiC MOSFET 的位置，以最小的走線長度將柵極回路電感降至最低。此外，這種做法還有助于使各并聯 MOSFET 設計之間的共源極電感保持恒定。以最小走線長
2022-03-24 18:03:24
Sic MOSFET 主要優勢.更小的尺寸及更輕的系統.降低無源器件的尺寸/成本.更高的系統效率.降低的制冷需求和散熱器尺寸Sic MOSFET ，高壓開關的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
結構 引言 功率MOSFET以其開關速度快、驅動功率小和功耗低等優點在中小容量的變流器中得到了廣泛的應用。當采用功率MOSFET橋式拓撲結構時，同一橋臂上的兩個功率器件在轉換過程中，柵極驅動信號
2018-08-27 16:00:08
開來，并應用于電纜以將電線與電纜所穿過的環境隔離開來。 SiC MOSFET可作為1200V，20A器件提供，在+ 15V柵極-源極電壓下具有100mΩ。此外，固有的導通電阻降低也使SiC MOSFET
2022-08-12 09:42:07
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
時的波形可以看到，SiC-MOSFET原理上不流過尾電流，因此相應的開關損耗非常小。在本例中，SiC-MOSFET＋SBD（肖特基勢壘二極管）的組合與IGBT＋FRD（快速恢復二極管）的關斷損耗Eoff相比
2018-12-03 14:29:26
失效模式等。項目計劃①根據文檔，快速認識評估板的電路結構和功能；②準備元器件，相同耐壓的Si-MOSFET和業內3家SiC-MOSFET③項目開展，按時間計劃實施，④項目調試，優化，比較，分享。預計成果分享項目的開展，實施，結果過程，展示項目結果
2020-04-24 18:09:12
，以及源漏電壓進行采集，由于使用的非隔離示波器，就在單管上進行了對兩個波形進行了記錄：綠色：柵極源極間電壓；黃色：源極漏極間電壓；由于Mosfet使用的SiC材料，通過分析以上兩者電壓的導通時間可以判斷出
2020-06-07 15:46:23
項目名稱：基于Sic MOSFET的直流微網雙向DC-DC變換器試用計劃：申請理由本人在電力電子領域（數字電源）有五年多的開發經驗，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓撲。我
2020-04-24 18:08:05
。碳化硅有優點相當突出。是半導體公司兵家必爭之地。應用場景;評估板采用常見的半橋電路配置，并配有驅動電路、驅動電源、過電流保護電路及柵極信號保護電路等評估板的主要特點如下：? 可評估 TO-247-4L
2020-07-26 23:24:05
導電溝道越大，則導通電阻越小；但是柵極驅動電壓太大的話，很容易將柵極和漏極之間絕緣層擊穿，造成Mosfet管的永久失效；3.為了增加開關管的速度，減少開關管的關斷時間是有必要的；且為了提高Mosfet管
2020-07-16 14:55:31
和更快的切換速度與傳統的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅動在設計過程中必須仔細考慮需求。本應用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅動IC時的關鍵參數。
2023-06-16 06:04:07
要充分認識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導通和關斷
2017-12-18 13:58:36
MOSFET柵極為低電平時，其漏極電壓上升直至使SiC JFET的GS電壓達到其關斷的負壓時，這時器件關斷。Cascode結構主要的優點是相同的導通電阻有更小的芯片面積，由于柵極開關由Si MOSFET控制
2022-03-29 10:58:06
，而且結構簡單 ?？娠@著減少SiC MOSFET選型和柵極驅動電路調整等 設計和評估工時 。 內置各種保護功能 ，基本上只需根據要設計的電源規格設置外置元器件的常數即可，使利用了SiC MOSFET性能
2022-07-27 11:00:52
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅動器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內均可調整。將該柵極驅動器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來確認柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
介紹了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二極管的100KHz，10KW交錯式硬開關升壓型DC / DC轉換器的參考設計和性能。 SiC功率半導體的超低開關損耗使得開關頻率在硅實現方面顯著增加
2019-05-30 09:07:24
2的結構，用深度來換面積，將柵極埋入基體中，形成垂直的溝道，從而保持溝道的寬度，這樣形成的結構稱為垂直導電的溝槽結構。圖3：N溝道垂直導電的溝槽結構及Rdson組成 工作原理是：柵極和源極間加正向電壓
2016-10-10 10:58:30
功率MOSFET的結構特點為什么要在柵極和源極之間并聯一個電阻呢？
2021-03-10 06:19:21
; } ＜BD7682FJ-LB＞準諧振方式（低EMI）SiC-MOSFET驅動柵極箝位電路工作電源電壓范圍(VCC)：15.0V～27.5V輕負載時突發脈沖工作、降頻功能工作電流：0.80mA(typ.)、突發時 0.50mA
2018-12-04 10:11:25
CRD-60DD12N，60 kW交錯式升壓轉換器演示板基于1200 V，75mΩ（C3M）SiC MOSFET。該演示板由四個15 kW交錯升壓級組成，每個級使用CGD15SG00D2隔離式柵極驅動板
2019-04-29 09:18:26
本帖最后由 liuyongwangzi 于 2018-5-30 10:03 編輯
使用橋式整流器配置中的四個二極管是對AC電壓進行整流的最簡單、也是最常規的方法。在一個橋式整流器中運行一個
2018-05-30 10:01:53
極驅動器的優勢和期望，開發了一種測試板，其中測試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標準電壓源驅動器也在另一塊板上實現，見圖3?！ D3.帶電壓源驅動器（頂部）和電流源驅動器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
MOSFET一般工作在橋式拓撲結構模式下，如圖1所示。由于下橋MOSFET驅動電壓的參考點為地，較容易設計驅動電路，而上橋的驅動電壓是跟隨相線電壓浮動的，因此如何很好地驅動上橋MOSFET成了設...
2021-07-27 06:44:41
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
升壓轉換器。不幸的是，二極管橋式整流器的傳導損耗效率不高，也不支持雙向操作［5］。接下來，考慮使用圖騰柱無橋PFC升壓轉換器，以減少二極管數量并提高效率［6］，［7］。然而，硅MOSFET體二極
2023-02-27 09:44:36
） MOSFET很難在圖騰柱PFC拓撲中的連續導通模式（CCM）下工作，因為體二極管的反向恢復特性很差。碳化硅（SiC） MOSFET采用全新的技術，比Si MOSFET具有更勝一籌的開關性能、極小
2022-04-19 08:00:00
的一個潛在問題是，僅有一個隔離輸入通道，而且依賴高壓驅動器來提供通道間所需的時序匹配以及應用所需的死區。另一問題是，高壓柵極驅動器并無電流隔離，而是依賴結隔離來分離同一IC中的上橋臂驅動電壓和下橋臂驅動
2018-10-16 16:00:23
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
1、結構 第一個功率MOSFET - 與小信號MOSFET不同 -出現在1978年左右上市，主要供應商是Siliconix。它們是所謂的V-MOS設備。MOSFET的特點是源極和漏極之間的表面
2023-02-20 16:40:52
描述此參考設計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅動器解決方案，可在半橋配置中驅動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設計分別為雙通道隔離式柵極驅動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
MOS的結構碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源區和P井摻雜都是采用離子注入的方式，在1700℃溫度中進行退火激活。一個關鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時有Si和C
2019-09-17 09:05:05
的快速充電器等的功率因數校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。開啟電壓由肖特基勢壘的勢壘高度決定，通常如果將勢壘高度
2019-05-07 06:21:51
SiCMOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的單端反激式轉換器設計演示板。該設計采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面貼裝封裝，占板面
2019-04-29 09:25:59
MOSFET中的開關損耗為0.6 mJ。這大約是IGBT測量的2.5 mJ的四分之一。在每種情況下，均在 800 V、漏極/拉電流 10 A、環境溫度 150 °C 和最佳柵極-發射極閾值電壓下進行測試（圖
2023-02-22 16:34:53
柵極處獲得 20V，以便在最小 RDSon 時導通?！ ‘斠?V關閉SiC MOSFET時，必須考慮一種效應，即Si MOSFET中已知的米勒效應。當器件用于橋式配置時，這種影響可能會出現問題，尤其是
2023-02-24 15:03:59
小型化。然而，必須首先解決一個問題：SiC MOSFET反向操作期間，體二極管雙極性導通會造成導通電阻性能下降。將肖特基勢壘二極管嵌入MOSFET，使體二極管失活的器件結構，但發現用嵌入式SBD代替
2023-04-11 15:29:18
低，可靠性高，在各種應用中非常有助于設備實現更低功耗和小型化。本產品于世界首次※成功實現SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
輸入動作禁止功能）、過流保護、二次側電壓過壓保護等。在高耐壓應用中，與Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET具有開關損耗及傳導損耗少、溫度帶來的特性波動小的優點。這些優點有利于解決近年來的重要課題
2018-11-27 16:54:24
使用圖騰柱無橋PFC升壓轉換器，以減少二極管數量并提高效率[6]，[7]。但是，硅MOSFET體二極管的反向恢復會導致連續導通模式（CCM）中的高功率損耗，從而使其不適用于高功率應用。隨后，與SiC
2019-10-25 10:02:58
損耗。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低組成全SiC功率模塊的SiC-MOSFET在不斷更新換代，現已推出新一代產品的定位–采用溝槽結構的第3代產品
2018-12-04 10:11:50
） MOSFET很難在圖騰柱PFC拓撲中的連續導通模式（CCM）下工作，因為體二極管的反向恢復特性很差。碳化硅（SiC） MOSFET采用全新的技術，比Si MOSFET具有更勝一籌的開關性能、極小
2022-05-30 10:01:52
單通道STGAP2SiCSN柵極驅動器旨在優化SiC MOSFET的控制，采用節省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強大穩定的性能。隨著SiC技術廣泛應用于提高功率轉換效率，STGAP2SiCSN簡化了設計、節省了空間，并增強了節能型動力系統、驅動器和控制的穩健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
請問：驅動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
ADI隔離柵極驅動器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:08
30 具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝產品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。
2022-07-06 12:30:421114 近年來超級結（Super Junction）結構的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，ROHM已經開始量產特性更優異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:19525 
在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結構在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結構有利于降低導通電阻也備受關注。
2023-02-08 13:43:211381 
從本文開始，我們將進入SiC功率元器件基礎知識應用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開關元器件被廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22250 
本文將針對上一篇文章中介紹過的SiC MOSFET橋式結構的柵極驅動電路及其導通(Turn-on)/關斷( Turn-off)動作進行解說。
2023-02-08 13:43:23491 
在上一篇文章中，對SiC MOSFET橋式結構的柵極驅動電路的導通(Turn-on)/關斷( Turn-off)動作進行了解說。
2023-02-08 13:43:23291 
上一篇文章中，簡單介紹了SiC MOSFET橋式結構中柵極驅動電路的開關工作帶來的VDS和ID的變化所產生的電流和電壓情況。本文將詳細介紹SiC MOSFET在LS導通時的動作情況。
2023-02-08 13:43:23300 
上一篇文章中介紹了LS開關導通時柵極 – 源極間電壓的動作。本文將繼續介紹LS關斷時的動作情況。低邊開關關斷時的柵極 – 源極間電壓的動作：下面是表示LS MOSFET關斷時的電流動作的等效電路和波形示意圖。
2023-02-08 13:43:23399 
本文的關鍵要點?通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負電壓浪涌，來防止SiC MOSFET的LS導通時，SiC MOSFET的HS誤導通。?具體方法取決于各電路中所示的對策電路的負載。
2023-02-09 10:19:16589 
關于SiC功率元器件中柵極－源極間電壓產生的浪涌，在之前發布的Tech Web基礎知識 SiC功率元器件 應用篇的“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作”中已進行了詳細說明，如果需要了解,請參閱這篇文章。
2023-02-09 10:19:17707 
本文的關鍵要點?具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20301 
SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiC MOSFET的結構，
2023-02-16 09:40:102938 
SiC MOSFET溝槽結構將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復雜，單元一致性比平面結構差。但是，溝槽結構可以增加單元密度，沒有JFET效應，寄生電容更小，開關速度快，開關損耗非常低；而且
2023-02-16 09:43:011446 
在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
ROHM針對SiC上形成的柵極氧化膜，通過工藝開發和元器件結構優化，實現了與Si-MOSFET同等的可靠性。
2023-02-24 11:50:12784 
下面給出的電路圖是在橋式結構中使用SiC MOSFET時最簡單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導通的，為了防止HS和LS同時導通，設置了兩個SiC MOSFET均為OFF的死區時間。右下方的波形表示其門極信號（VG）時序。
2023-02-27 13:41:58737 
驅動芯片，需要考慮如下幾個方面： 驅動電平與驅動電流的要求首先，由于SiC MOSFET器件需要工作在高頻開關場合，其面對的由于寄生參數所帶來的影響更加顯著。由于SiC MOSFET本身柵極開啟電壓較
2023-02-27 14:42:0479 SiC MOSFET溝槽結構將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復雜，單元一致性比平面結構差。
2023-04-01 09:37:171329 SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介
2023-04-06 09:11:46731 
布局注意事項。 橋式結構SiC MOSFET的柵極信號，由于工作時MOSFET之間的動作相互關聯，因此導致SiC MOSFET的柵－源電壓中會產生意外的電壓浪涌。這種浪涌的抑制方法除了增加抑制電路外，電路板的版圖布局也很重要。希望您根據具體情況，參考本系列文章中介紹的
2023-04-13 12:20:02814 SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介
2023-05-08 11:23:14644 SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiCMOSFET的結構，如圖1所示。這種結構的特點是工藝簡單，單元的一致性較好，雪崩能量比較高。但是，這種結構的中間
2023-06-19 16:39:467 SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21439 
SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作
2023-12-07 14:34:17223 
SiC MOSFET的柵極驅動電路和Turn-on/Turn-off動作
2023-12-07 15:52:38185 
SiC MOSFET的橋式結構
2023-12-07 16:00:26157 
MOSFET的基本結構。SIC MOSFET是一種由碳化硅材料制成的傳導類型晶體管。與傳統的硅MOSFET相比，SIC MOSFET具有更高的遷移率和擊穿電壓，以及更低的導通電阻和開關損耗。這些特性使其成為高溫高頻率應用中的理想選擇。 SIC MOSFET在電路中具有以下幾個主要的作用： 1. 電源開關
2023-12-21 11:27:13687
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