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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>英飛凌igbt型號(hào)及參數(shù)大全

英飛凌igbt型號(hào)及參數(shù)大全

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2021-09-12 18:03:24

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英飛凌IGBT模塊FF200R17KE4

FF200R17KE4英飛凌IGBT模塊FF150R12KS4是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n型摻雜附加層,這個(gè)
2023-02-07 10:42:08

英飛凌IGBT模塊

FF300R17KE3 IGBT模塊FF300R17KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n型摻雜附加層,這個(gè)附加
2023-02-07 10:50:02

英飛凌IGBT模塊FF300R17ME3

FF300R17ME3  IGBT模塊FF300R17ME3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n型摻雜附加
2023-02-07 10:57:38

英飛凌IGBT模塊FF450R17ME3

FF450R17ME3英飛凌IGBT模塊英飛凌IGBT模塊是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n型摻雜附加層,這個(gè)附加
2023-02-07 13:46:10

英飛凌IGBT模塊

FF450R17ME4英飛凌IGBT模塊FF450R17ME4是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n型摻雜附加層,這個(gè)
2023-02-07 13:52:10

英飛凌IGBT模塊FF650R17IE4

FF650R17IE4  IGBT模塊FF650R17IE4 是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)
2023-02-07 13:59:30

德國(guó)進(jìn)口英飛凌IGBT模塊

FF1000R17IE4PrimePACK?3 模塊 帶有溫度檢測(cè)NTCFF1000R17IE4是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底
2023-02-07 14:03:17

英飛凌IGBT模塊FZ400R17KE3

FZ400R17KE3 英飛凌IGBT模塊FZ400R17KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n型摻雜附加層
2023-02-07 14:31:30

英飛凌IGBT模塊

FZ600R17KE3 IGBT模塊FZ600R17KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n型摻雜附加層,這個(gè)附加
2023-02-07 14:36:09

英飛凌IGBT模塊

FZ1200R17KE3FZ1200R17KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n型摻雜附加層,這個(gè)附加層被稱(chēng)為
2023-02-07 14:38:49

英飛凌IGBT模塊FZ1600R17KE3

FZ1600R17KE3FZ1600R17KE3 IGBT模塊是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n型摻雜附加層,這個(gè)
2023-02-07 14:42:03

英飛凌IGBT模塊FZ2400R17KE3

FZ2400R17KE3英飛凌IGBT模塊FZ2400R17KE3技術(shù)參數(shù):? Ic(A),Tc=80℃        2400
2023-02-07 14:45:06

英飛凌IGBT模塊

英飛凌IGBT模塊FF200R33KF2C是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n型摻雜附加層,這個(gè)附加層被稱(chēng)為電場(chǎng)終止
2023-02-24 14:45:08

IGBT模塊英飛凌FF400R33KF2C

FF400R33KF2C英飛凌IGBT模塊FF400R33KF2C是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n型摻雜附加層
2023-02-24 14:50:42

英飛凌IGBT模塊

FZ800R33KF2CIGBT模塊英飛凌FZ800R33KF2C是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n型摻雜附加層
2023-02-24 14:55:47

英飛凌IGBT模塊BSM100GB60DLC

BSM100GB60DLC英飛凌IGBT模塊BSM100GB60DLC是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n型摻雜附加
2023-02-24 15:07:15

英飛凌IGBT模塊FF300R06KE3

FF300R06KE3英飛凌igbt模塊FF300R06KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n型摻雜附加層,這個(gè)
2023-02-24 15:28:34

三極管參數(shù)大全

三極管參數(shù)大全
2010-01-14 10:22:1764774

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的資料大全

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的資料大全 絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體
2010-03-05 11:46:077456

英飛凌全新.XT技術(shù)大幅延長(zhǎng)IGBT模塊使用壽命

英飛凌全新.XT技術(shù)大幅延長(zhǎng)IGBT模塊使用壽命 2010年5月6日,德國(guó)Neubiberg訊——英飛凌科技股份公司在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(huì)(2010年5月4日至6日
2010-05-13 09:16:101061

英飛凌推出IGBT系列RC-D功率開(kāi)關(guān)器件

英飛凌RC-D功率開(kāi)關(guān)器件系列在單一芯片上融合了市場(chǎng)領(lǐng)先的英飛凌專(zhuān)有技術(shù)TrenchSTOP? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和續(xù)流二極管,具有很低的開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗,并且減小了永磁電機(jī)驅(qū)
2011-05-31 09:00:421610

英飛凌推出全新可控逆導(dǎo)型IGBT芯片

英飛凌推出全新可控逆導(dǎo)型IGBT芯片,可提高牽引和工業(yè)傳動(dòng)等高性能設(shè)備的可靠性
2015-06-24 18:33:292516

IGBT安裝指南

IGBT安裝指南 英飛凌的介紹IGBT如何安裝
2015-11-20 15:59:500

常用三極管參數(shù)大全

常用三極管參數(shù)大全
2017-12-08 16:51:590

英飛凌IGBT芯片技術(shù)又升級(jí)換代了?

基于最新的微溝道溝槽柵芯片技術(shù),英飛凌推出全新1200 V TRENCHSTOP? IGBT7 ,針對(duì)工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行芯片優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)更高功率密度與更優(yōu)的開(kāi)關(guān)特性。
2018-06-21 10:10:4412361

英飛凌計(jì)劃擴(kuò)大其無(wú)錫工廠(chǎng)的IGBT模塊生產(chǎn)線(xiàn)

英飛凌中國(guó)官方消息顯示,11月6日,英飛凌在第三屆中國(guó)國(guó)際進(jìn)口博覽會(huì)上宣布,將新增在華投資,擴(kuò)大其無(wú)錫工廠(chǎng)的IGBT模塊生產(chǎn)線(xiàn)。無(wú)錫工廠(chǎng)擴(kuò)產(chǎn)后,將成為英飛凌最大的IGBT生產(chǎn)基地之一。
2020-11-06 14:39:423006

為什么IGBT市場(chǎng)一直被英飛凌、安森美等少數(shù)供應(yīng)商所壟斷?

長(zhǎng)期以來(lái),IGBT市場(chǎng)一直被英飛凌、三菱、富士電機(jī)、安森美等少數(shù)供應(yīng)商所壟斷,缺貨漲價(jià)更是持續(xù)了較長(zhǎng)時(shí)間,業(yè)內(nèi)甚至一度傳出IGBT供貨周期延長(zhǎng)至52周。
2020-11-27 16:05:594381

英飛凌IGBT模塊的命名規(guī)則是什么?

、拓?fù)洹⒎庋b等等豐富的信息。如果熟悉了命名規(guī)則,不用看規(guī)格書(shū),就能對(duì)器件特性了解個(gè)大概。 這篇文章介紹了英飛凌IGBT模塊的命名規(guī)則,雖然字?jǐn)?shù)不多,但強(qiáng)烈建議大家收藏,以備隨時(shí)查閱。 先來(lái)看下英飛凌IGBT模塊的一般命名原則
2021-04-01 14:26:1111657

英飛凌最新一代IGBT技術(shù)平臺(tái)實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)速與位置的精準(zhǔn)控制

IGBT7作為英飛凌最新一代IGBT技術(shù)平臺(tái),它與IGBT4的性能對(duì)比一直是工程師關(guān)心的問(wèn)題。本文通過(guò)FP35R12W2T4與 FP35R12W2T7在同一平臺(tái)伺服驅(qū)動(dòng)中的測(cè)試,得到了相同
2021-10-26 15:14:494861

英飛凌IKW30N60的IGBT規(guī)格書(shū)

英飛凌IKW30N60的IGBT規(guī)格書(shū)
2021-12-28 10:29:0120

(ASEMI)英飛凌AIGW40N65H5汽車(chē)級(jí)IGBT規(guī)格書(shū)

(ASEMI)英飛凌AIGW40N65H5汽車(chē)級(jí)IGBT規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-10-17 16:35:186

ASEMI英飛凌AIGW50N65H5車(chē)規(guī)IGBT規(guī)格書(shū)

ASEMI英飛凌AIGW50N65H5車(chē)規(guī)IGBT規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-10-19 15:34:072

IGBT單管參數(shù)解析-上

IGBT是大家常用的開(kāi)關(guān)功率器件,本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊(cè),對(duì)手冊(cè)中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進(jìn)行解釋說(shuō)明,用戶(hù)可以了解各參數(shù)的背景信息,以便合理地使用IGBT
2023-02-07 15:36:593924

IGBT單管參數(shù)解析-下

IGBT是大家常用的開(kāi)關(guān)功率器件,本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊(cè),對(duì)手冊(cè)中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進(jìn)行解釋說(shuō)明,用戶(hù)可以了解各參數(shù)的背景信息,以便合理地使用IGBT
2023-02-07 15:39:285337

英飛凌IGBT

英飛凌IGBT 英飛凌IGBT模塊電氣性能絕佳且可靠性最高,在設(shè)計(jì)靈活性上也絲毫不妥協(xié) 我們的產(chǎn)品組合包括不同的先進(jìn)IGBT功率模塊產(chǎn)品系列,它們擁有不同的電路結(jié)構(gòu)、芯片配置和電流電壓等級(jí),適用于
2023-02-16 16:30:581136

英飛凌AIGW40N65H5汽車(chē)級(jí)IGBT參數(shù)

英飛凌AIGW40N65H5汽車(chē)級(jí)IGBT參數(shù): 型號(hào):AIGW40N65H5 脈沖集電極電流(ICpuls):120A 功耗(Ptot):250W 工作結(jié)溫度(Tvj):-40 ~ 175
2023-02-24 09:37:510

英飛凌AIGW50N65H5車(chē)規(guī)級(jí)IGBT參數(shù)特點(diǎn)

編輯-Z Infineon/英飛凌AIGW50N65H5車(chē)規(guī)級(jí)IGBT參數(shù): 型號(hào):AIGW50N65H5 脈沖集電極電流(ICpuls):150A 功耗(Ptot):270W 工作結(jié)溫度(Tvj
2023-02-24 15:19:350

igbt模塊參數(shù)怎么看 igbt的主要參數(shù)有哪些?

IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開(kāi)關(guān)性能如開(kāi)關(guān)頻率、開(kāi)關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù),本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù):模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開(kāi)關(guān)時(shí)間參數(shù),結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評(píng)估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543294

英飛凌(Infineon)IGBT管前10熱門(mén)型號(hào)

Infineon(英飛凌)作為一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商,其IGBT管產(chǎn)品在市場(chǎng)上備受矚目。下面將介紹英飛凌IGBT管前10熱門(mén)型號(hào):一、英飛凌IGBT管前10熱門(mén)
2023-08-25 16:58:531479

IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)有哪些?

IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)有哪些? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種重要的功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各種高能效的電力電子設(shè)備中。為了保證IGBT的可靠性
2023-11-10 15:33:51885

英飛凌IGBT單管命名規(guī)則

英飛凌IGBT單管命名規(guī)則
2023-11-23 09:09:35653

英飛凌IGBT模塊命名規(guī)則

英飛凌IGBT模塊命名規(guī)則
2023-11-23 09:09:36527

IGBT單管數(shù)據(jù)手冊(cè)參數(shù)解析(上)

這篇文章是《英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體》系列原創(chuàng)文章的第204篇,IGBT單管數(shù)據(jù)手冊(cè)參數(shù)解析(上)
2023-12-06 11:54:3924

IGBT單管數(shù)據(jù)手冊(cè)參數(shù)解析(下)

這篇文章是英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體微信公眾號(hào)系列原創(chuàng)文章第205篇,IGBT單管數(shù)據(jù)手冊(cè)參數(shù)解析(下)
2023-12-06 11:56:4317

英飛凌IGBT模塊封裝

英飛凌IGBT模塊封裝? 英飛凌是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司,專(zhuān)注于電力管理、汽車(chē)和電動(dòng)汽車(chē)解決方案、智能家居和建筑自動(dòng)化、工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療、安全和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。在電力管理領(lǐng)域,英飛凌IGBT模塊
2023-12-07 16:45:21469

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