GaN FET 實現了高頻電源轉換器設計。憑借出色的開關特性和零反向恢復損耗，這種輕量級設計具有更高的功率密度和更小的尺寸。
2020-12-10 12:03:51
1366 在任何電力電子轉換器中，熱設計都是一項重要的考慮因素。熱設計經優化后，工程師能夠將 GaN 用于各種功率級別、拓撲和應用中。此應用手冊論述了 TI LMG341XRxxx GaN 功率級系列非常重要
2022-11-18 09:42:25719 功率半導體”多被用于轉換器及逆變器等電力轉換器進行電力控制。目前，功率半導體材料正迎來材料更新換代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優于現在使用的Si（硅），作為“節能王牌”受到了電力公司、汽車廠商和電子廠商等的極大期待。
2013-03-07 14:43:024596 Transphorm驗證并實現了采用電橋配置的分立封裝GaN器件的功率可達10千瓦，這進一步印證了GaN用于電動汽車轉換器和變頻器的令人興奮的前景。
2020-12-07 15:56:28789 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）今年10月，英飛凌以8.3億美元完成對功率GaN公司GaN Systems的收購，成為了功率GaN領域史上最大規模的一筆收購，這筆收購的價值甚至比2022年整個功率
2023-11-10 00:24:001758 
? 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）繼去年英飛凌收購GaN Systems之后，2024年1月，另一家汽車芯片大廠瑞薩也收購了功率GaN公司Transphorm。 ? Transphorm在2022
2024-02-26 06:30:001553 
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）功率GaN的大規模應用，其實也只有六七年的歷史，從2018手機快速充電器上才正式吹響了普及的號角。目前，從晶體管來看，功率GaN主要的產品是HEMT（高電子遷移率晶體管
2024-02-28 00:13:001844 描述PMP20978 參考設計是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉換器參考設計。此設計將 390V 輸入轉換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級具有超過 140W/in^3
2018-10-26 10:32:18
GaN功率IC使能4倍功率密度150W AC/DC變換器設計
2023-06-21 07:35:15
的設計人員面臨幾個相沖突的業界挑戰，從新的USB Type C連接和USB PD (電力輸送) 的輸出是否符合法定的能效標準，一直到成本等相關問題。納微的單芯片GaN功率IC可同時達到高速運作及高效
2017-09-25 10:44:14
GaN功率半導體與高頻生態系統(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導體在快速充電市場的應用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率集成電路
2023-06-19 08:29:06
GaN功率集成電路技術:過去，現在和未來
2023-06-21 07:19:58
GaN功率集成電路可靠性的系統方法
2023-06-19 06:52:09
GaN功率集成電路的進展:效率、可靠性和自主性
2023-06-19 09:44:30
GaN功率半導體集成驅動性能
2023-06-21 13:24:43
GaN功率半導體器件集成提供應用性能
2023-06-21 13:20:16
基GaN由于具有更大輸出功率與更快作業頻率，已被看好可取代硅元件成為下一世代的功率元件。近年來全球對于都市基礎建設、新能源、節能環保等方面的政策支持，擴大對于SiC/GaN等高性能功率元件的需求，將進一步促進SiC/GaN功率元件的發展。
2022-08-12 09:42:07
GaN在單片功率集成電路中的工業應用日趨成熟
2023-06-25 10:19:10
GaN技術的出現讓業界放棄TWT放大器，轉而使用GaN放大器作為許多系統的輸出級。這些系統中的驅動放大器仍然主要使用GaAs，這是因為這種技術已經大量部署并且始終在改進。下一步，我們將尋求如何使用電路設計，從這些寬帶功率放大器中提取較大功率、帶寬和效率。
2019-09-04 08:07:56
描述該 TI 設計為適用于低成本智能恒溫器和其他樓宇自動化設備的低成本高效功率竊取提供了一種參考設計。通常，功率竊取能夠通過在 HVAC 負載關閉時從 24V 交流電獲取功率，來延長啟用
2018-12-27 15:22:31
輸出晶體管大小，以增加RF功率。GaN在這里提供了一些優勢，因為我們能夠大幅簡化輸出合成器、減少損耗，因而可以提高效率，減小芯片尺寸，如圖2所示。因此，我們能夠實現更寬帶寬并提高性能。從GaAs轉向
2018-10-17 10:35:37
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達系統的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內運行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
MACOM六十多年的技術傳承，運用bipolar、MOSFET和GaN技術，提供標準和定制化的解決方案以滿足客戶最嚴苛的需求。射頻功率晶體管 - 硅基氮化鎵 (GaN on Si)MACOM是全球唯一
2017-08-14 14:41:32
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體的新型高效率、超快速功率轉換器已經開始在各種創新市場和應用領域攻城略地——這類應用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
) !important]推動SiC/GaN功率開關普及的主要應用有太陽能光伏逆變器、電動汽車充電器和儲能轉換器。這里利用了超快的小型高效功率開關的附加價值，為市場帶來了超高開關頻率和超過99%的杰出效率
2019-07-16 23:57:01
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關將會給方方面面帶來巨大進步，從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實現更緊
2018-10-30 11:48:08
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器SiC/GaN具有的優勢
2021-03-10 08:26:03
元件來適應略微增加的開關頻率，但由于無功能量循環而增加傳導損耗［2］。因此，開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
基于平面矩陣的高頻高效LLC模塊基于GaN功率集成電路的CPRS變壓器
2023-06-16 06:48:18
漏感能量損耗，限制了QR反激式轉換器的最大開關頻率，從而限制了功率密度。在QR反激式轉換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開關頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設計中實現更高
2022-04-12 11:07:51
的對稱布局也很重要，這樣才能平衡相電流，并將由于柵極驅動延遲、開關轉換速度、過沖或其他參數不匹配而導致的任何影響降至最低。使用GaN功率器件進行設計時，內部垂直環路［2］方法是將去耦電容放置在FET附近
2023-02-21 15:57:35
描述為了達到能效要求，吊扇和換氣扇會從簡單交流感應電機移動到無刷直流電機 (BLDC)。BLDC 電機使用交流電源運行時需要以高效率和高功率因數進行交流-直流轉換。它還需要使用高效控制的逆變器以實現
2022-09-22 06:07:50
描述 PMP20978 參考設計是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉換器參考設計。此設計將 390V 輸入轉換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級具有超過 140W/in^3
2022-09-23 07:12:02
的提高功率效率的電路解決方案是產生一個中間電壓。圖2顯示了一個使用兩個高效率降壓調節器的級聯設置。第一步是將48 V電壓轉換為12 V，然后在第二轉換步驟中將該電壓轉換為3.3 V。當從48 V降至12
2018-10-30 11:44:08
速的GaN開關來降低開關損耗，從而提高功率轉換效率。然而，這種解決方案的成本目前還高于級聯解決方案（例如圖2所示）。Frederik DostalFrederik Dostal 就讀于德國愛爾蘭根大學微電子學
2018-10-30 11:52:49
升級到半橋GaN功率半導體
2023-06-21 11:47:21
單片GaN器件集成驅動功率轉換的效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59:28
的氮化鎵(GaN)直流/直流解決方案去除了中間母線直流/直流轉換級，設計師可以在單級中將48V電壓降至更低的輸出電壓。去除中間母線直流/直流轉換器使得功率密度和系統成本顯著增加，同時提高了可靠性。與硅
2019-07-29 04:45:02
基于GaN器件的產品設計可以提高開關頻率，減小體積無源器件，進一步優化產品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開關特性，給散熱帶來了一系列新的挑戰耗散設計、驅動設計和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
描述高頻臨界導電模式 (CrM) 圖騰柱功率因數校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設計高密度功率解決方案的簡便方法。TIDA-0961 參考設計使用 TI 的 600V GaN 功率級
2018-10-25 11:49:58
請大佬詳細介紹一下關于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術
2021-04-12 06:23:23
更高的功率密度。GaN的時代60多年以來，硅一直都是電氣組件中的基礎材料，廣泛用于交流電與直流電轉換，并調整直流電壓以滿足從手機到工業機器人等眾多應用的需求。雖然必要的組件一直在持續改進和優化，但物理學
2019-03-01 09:52:45
氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導體開關的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實現電源轉換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術強固，因此需謹慎應用，集成正確的門極驅動對于實現最佳性能和可靠性至關重要。本文著眼于這些問題，給出一個驅動器方案，解決設計過程的風險。
2020-10-28 06:59:27
本文基于Agilent ADS仿真軟件設計實現一款高效GaN寬禁帶功率放大器，詳細說明設計步驟并對放大器進行了測試，結果表明放大器可以在2．3～2．4 GHz內實現功率15W以上，附加效率超過67％的輸出。
2021-04-06 06:56:41
氮化鎵(GaN) 功率放大器(PA) 設計是當前的熱門話題。出于多種原因，GaN HEMT 器件已成為滿足大多數新型微波功率放大器需求的領先解決方案。過去，PA 設計以大致的起點開始并運用大量
2019-07-31 08:13:22
作為一項相對較新的技術，氮化鎵(GaN) 采用的一些技術和思路與其他半導體技術不同。對于基于模型的GaN功率放大器(PA) 設計新人來說，在知曉了非線性GaN模型的基本概念（非線性模型如何幫助進行
2019-07-31 06:44:26
轉換中期可以達到500W以上。對于尺寸為5mm x 2mm的典型功率GaN器件，這個值可以達到每mm2 50W。所以用戶也就無需對SOA曲線顯示的這個區域只支持短脈沖這一點而感到驚訝了。由于器件的熱
2019-07-12 12:56:17
市場將以93%的年復合成長率(CAGR)成長，預計在2020年時可望達到3千萬美元的產值。目前銷售GaN功率組件的主要半導體業者包括英飛凌/IR、宜普電源轉換公司(EfficientPower
2015-09-15 17:11:46
今天的博文是一個動手操作項目：你將用一個氮化鎵 (GaN) 功率級、一個Hercules? 微控制器和一個滾輪來調節一盞燈的亮度。我將會談到其中的硬件和固件。先給你的焊接設備充上電，我們馬上開始。你
2022-11-17 06:56:35
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
數據中心應用服務器電源管理的直接轉換。 此外，自動駕駛車輛激光雷達驅動器、無線充電和5G基站中的高效功率放大器包絡線跟蹤等應用可從GaN技術的效率和快速切換中受益。 GaN功率器件的傳導損耗降低，并
2018-11-20 10:56:25
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
針對可靠的高功率和高頻率電子設備，制造商正在研究氮化鎵(GaN)來制造具有高開關頻率的場效應晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限，制造商現在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
用于無線充電應用的高壓GaN功率半導體單級6.78 MHz功率放大器設計
2023-06-21 11:45:06
GaN將在高功率、高頻率射頻市場及5G 基站PA的有力候選技術。未來預估5-10年內GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導體市場需求。。。以下內容均摘自網絡媒體，如果不妥，請聯系站內信進行刪除
2019-04-13 22:28:48
描述PMP20657 參考設計是一款緊湊、高效的單向功率轉換器，在 400W 功率下可將電壓從 48V 轉換為 12V。它采用偽隔離設計，用以保護 12V 負載。相移全橋拓撲可實現 95% 以上的峰值效率。輕負載模式在 12V 時實現
2018-10-09 08:33:03
請問怎么設計一種高效低諧波失真的功率放大器？E類功率放大器的工作原理是什么？
2021-04-12 06:31:25
怎樣去設計一種高效率音頻功率放大器？如何對高效率音頻功率放大器進行測試驗證？
2021-06-02 06:11:23
新應用，產生了對超高效率、高功率密度、高頻SiC功率轉換器的需求。車載牽引電機驅動器希望獲得最高功率密度以減小尺寸和重量，并刷新新的效率記錄，而車外快速充電器希求高電壓（高達2000 VDC、>
2018-10-22 17:01:41
描述此參考設計基于 LMG1210 半橋 GaN 驅動器和 GaN 功率的高電子遷移率晶體管 (HEMT)，實現了一款數兆赫茲功率級設計。憑借高效的開關和靈活的死區時間調節，此參考設計不僅可以顯著
2018-10-17 15:39:59
基于GaN的功率技術引發電子轉換革命
功率MOSFET出現之前，雙極性晶體管在功率電子領域一直占據主導地位，而且線性供電支配著整個電源世界。但是，30年前第一批商用化
2010-04-13 14:33:371378 
“功率半導體”多被用于轉換器及逆變器等電力轉換器進行電力控制。目前，功率半導體材料正迎來材料更新換代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優
2012-07-02 11:18:331387 國產高效GaN微波功率模塊，HEG001D、HEG205B等。針對寬帶、高功率微波系統及有源相控陣雷達應用需求，最新推出小型化高功率GaN功率模塊，采用先進的平面內匹配合成技術，基于成熟的薄膜混合
2015-11-26 15:44:53
14 ADI提供GaN IC產品，滿足我們客戶的全部高功率需求。涵蓋從MMIC元件到RF和微波頻率範圍的全功率放大器。
2019-06-25 06:04:001822 基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體的新型高效率、超快速功率轉換器已經開始在各種創新市場和應用領域攻城略地——這類應用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化（如充電器和牽引電機逆變器）。
2019-06-13 11:45:003995 ）功率級工程樣品，使TI成為第一家也是唯一一家公開提供高壓驅動器集成GaN解決方案的半導體制造商。與基于硅FET的解決方案相比，新型12-A LMG3410功率級與TI的模擬和數字電源轉換控制器相結合
2019-08-07 10:17:061929 前不久，Hangzhou Zhongheng Electric Co., Ltd（HZZH）就利用Transphorm的TPH3205WS-GaN器件成功開發出一種基于GaN的超高效功率模塊。
2020-04-27 16:46:163692 同步 4 開關轉換器以高效率提供數百瓦功率
2021-03-21 12:20:2210 (MOSFET)，因為它能夠驅動更高的功率密度和高達 99% 的圖騰柱功率因數校正 (PFC) 效率。但由于其電氣特性和它所支持的性能，使用 GaN 進行設計面臨著與硅甚至其他寬帶隙技術（如碳化硅）不同的一系列挑戰。
2022-07-29 14:06:52792 
和更高的性能，使單片集成 GaN 功率 IC 更進一步。這一成就為更小、更高效的DC/DC 轉換器和 PoL 轉換器 鋪平了道路。
2022-07-29 08:56:44853 
四十年來，隨著功率 MOSFET 結構、技術和電路拓撲的創新與不斷增長的電力需求保持同步，電源管理效率和成本穩步提高。然而，在新千年中，隨著硅功率 MOSFET 接近其理論界限，改進速度已顯著放緩
2022-08-04 11:17:55587 
越來越多的社會壓力和越來越多的減少二氧化碳排放的立法正在推動從汽車到電信的行業投資于更高效的電力轉換和增加電氣化。傳統的硅基功率半導體技術如絕緣柵雙極晶體管（IGBT）在工作頻率、速度方面存在根本性
2022-08-04 09:52:161078 
分立式 GaN 解決方案的速度無疑比硅等效方案更快。使用數字控制，它們可以變得更加高效和小巧。編程以及相關固件消除了許多設計瓶頸。
2022-08-05 08:05:08569 
基于氮化鎵技術 (GaN) 的功率開關器件現已量產，并在實際功率應用中提供高效率和功率密度。本文將探討如何使用 GaN 技術實施高功率解決方案，并提供應用示例，展示 GaN 器件如何在超過 600 伏的電壓下也能有效工作。
2022-08-09 08:02:131637 
電子發燒友網站提供《具有高電壓GaN FET的高效率和高功率密度1kW諧振轉換器設計.zip》資料免費下載
2022-09-07 11:30:0510 氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場擊穿
2022-09-19 09:33:211670 GaN功率HEMT設計+GaN寬帶功率放大器設計
2023-01-30 14:17:44556 白皮書：高效轉換的 GaN 需求（日語）-nexperia_whitepaper_...
2023-02-16 20:14:590 白皮書：功率GaN技術：高效率轉換的需求-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:43:201 功率 GaN 技術：高效功率轉換的需求-AN90021
2023-02-17 19:43:381 白皮書：功率 GaN 技術：高效功率轉換的必要性-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:50:460 您可以通過多種方式控制GaN功率級。LMG5200 GaN 半橋功率級的 TI 用戶指南使用無源元件和分立邏輯門的組合。在這篇文章中，我將描述如何使用Hercules微控制器驅動它。圖 1 顯示了用于驅動 LMG5200 的 Hercules 模塊。
2023-04-14 10:07:41963 
GaN基功率開關器件能實現優異的電能轉換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質結構中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開關的核心器件增強型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本結構。
2023-04-29 16:50:00793 
GaN功率器件是雷達T/R組件或發射功放組件中的核心元器件,隨著器件的輸出功率和功率密度越來越高,器件的長期可靠性成為瓶頸。文章對雷達脈沖工作條件下GaN功率器件的失效機理進行了分析和研究,指出
2023-03-03 14:04:051074 
寬禁帶半導體GaN能夠在更高電壓、更高頻率以及更高的溫度下工作，在高效功率轉換，射頻功放，以及極端環境電子應用方面具有優異的材料優勢。
2023-08-09 16:10:10555 
GaN因其特性，作為高性能功率半導體材料而備受關注，近年來其開發和市場導入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型：水平型（在硅晶圓上生長GaN晶體）和垂直型（原樣使用GaN襯底）。
2023-09-13 15:05:25660 
不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉換和功率放大的半導體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實現高效率和高功率密度的電力應用。
2023-10-16 14:52:44544 滿足高功率應用與高效電池隔離需求的解決方案
2023-11-30 10:11:20203 
電源散熱技術，都有助于實現電源從組件到系統的全方位突破。因此，基于GaN功率器件來研究高頻、高效和輕量化的宇航電源，將引導新一代宇航電源產品實現性能參數的巨大飛躍，
2024-01-05 17:59:04272 
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