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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>碳化硅肖特基二極管的特點(diǎn)

碳化硅肖特基二極管的特點(diǎn)

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2020-03-13 13:42:49

600V碳化硅二極管SIC SBD選型

極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料,SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場(chǎng)較大、熱導(dǎo)率較高的特點(diǎn),SiC
2019-10-24 14:25:15

650V/1200V碳化硅肖特基二極管如何選型

不變。這是由于碳化硅肖特基二極管是單極器件,沒有少數(shù)載流子注入和自由電荷的存儲(chǔ)。在恢復(fù)瞬態(tài),所涉及的電荷只有結(jié)耗盡區(qū)電荷,而且它比相同結(jié)構(gòu)的Si器件結(jié)耗盡區(qū)電荷至少小一個(gè)數(shù)量級(jí)。這對(duì)于要求工作于高阻斷
2020-09-24 16:22:14

二極管常見問題15答。申請(qǐng)加精。絕對(duì)有用。

的。雖然有些公司可以提供高壓的肖特基二極管,但是也是將幾個(gè)二極管串聯(lián)之后封裝在一起。當(dāng)然也有公司稱有獨(dú)特的工藝,可以制造高壓肖特基二極管,但并不知曉是什么樣的工藝?! ?3、什么是碳化硅二極管
2012-07-15 15:28:24

二極管適合并聯(lián)么?

?二極管的參數(shù)是選用二極管的決定性因素之一,二極管的壓降的其中的一種。? 二極管在正向?qū)ǖ臅r(shí)候,流過電流的時(shí)候會(huì)產(chǎn)生壓降。一般情況下,這個(gè)壓降和正向電流以及溫度有關(guān)。通常硅二極管,電流越大,壓降越大。溫度越高,壓降越小。但是碳化硅二極管卻是溫度越高,壓降越大。二極管規(guī)格書下載:
2021-03-22 17:25:26

碳化硅(SiC)肖特基二極管特點(diǎn)

)碳化硅器件為減少功率器件體積和降低電路損耗作出了重要貢獻(xiàn)。  碳化硅的不足是:  碳化硅圓片的價(jià)格還較高,其缺陷也多。  三、碳化硅肖特基二極管特點(diǎn)  上面已談到硅肖特基二極管反向耐壓較低,約
2019-01-11 13:42:03

碳化硅二極管選型表

應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請(qǐng)咨詢我司人員!附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購(gòu)!碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23

碳化硅肖特基二極管技術(shù)演進(jìn)解析

)結(jié)構(gòu)示意圖,其結(jié)構(gòu)大致可分為四部分,上表面陽極金屬、外延層(漂移區(qū)+緩沖區(qū))、襯底層和背面陰極金屬?! ∽鳛閱螛O型器件,碳化硅肖特基二極管優(yōu)點(diǎn)尤為突出,其“反向恢復(fù)為零”的特點(diǎn)讓其反向特性相比硅基快恢復(fù)
2023-02-28 16:55:45

碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

,能夠有效降低產(chǎn)品成本、體積及重量。  碳化硅具有載流子飽和速度高和熱導(dǎo)率大的特點(diǎn),應(yīng)用開關(guān)頻率可達(dá)到1MHz,在高頻應(yīng)用中優(yōu)勢(shì)明顯,其中碳化硅肖特基二極管(SiC JBS)耐壓可以達(dá)到6000V以上
2023-02-28 16:34:16

碳化硅SiC MOSFET:低導(dǎo)通電阻和高可靠性的肖特基勢(shì)壘二極管

Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體(MOSFET),其將嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)排列成格子花紋(check-pattern embedded SBD),以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18

碳化硅半導(dǎo)體器件有哪些?

  由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)
2020-06-28 17:30:27

碳化硅器件的特點(diǎn)是什么

今天我們來聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04

碳化硅混合分立器件 IGBT

650 V CoolSiC?混合分立器件,該器件包含一個(gè)50A TRENCHSTOP? 快速開關(guān) IGBT 和一個(gè) CoolSiC 肖特基二極管,能夠提升性價(jià)比并帶來高可靠性。這種組合為硬開關(guān)拓?fù)?/div>
2021-03-29 11:00:47

肖特基二極管特點(diǎn)是什么?有哪些常用型號(hào)?

使用。 2、肖特基二極管的結(jié)構(gòu)肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與 PN 結(jié)二極管有很大區(qū)別,它的內(nèi)部是由陽極金屬(用鉬或鋁等材料制成的阻擋層)、二氧化硅(SiO2)電場(chǎng)消除材料、N 外延層(砷材料)、N 型硅
2021-06-30 16:48:53

肖特基二極管不同封裝的功能有哪些?

肖特基二極管分貼片和插件這兩種類別,一種是常見三個(gè)腳的肖特基二極管,印字是“例:MBR20100FCT”,符號(hào)是 “ ”;第種是貼片肖特基二極管,貼片肖特基二極管的印字多數(shù)是用型號(hào)來做印字
2021-07-09 11:45:01

肖特基二極管與穩(wěn)壓二極管的區(qū)別是什么呢?

值、溫度系數(shù)及耗散功率等等。所以肖特基二極管與穩(wěn)壓二極管兩個(gè)完全不一樣,肖特基二極管做開關(guān)用,特點(diǎn)是正向?qū)妷旱?,可工作與高頻開關(guān)的場(chǎng)合。穩(wěn)壓二極管起穩(wěn)壓作用,應(yīng)用場(chǎng)合大多為并聯(lián)在電源、IC器件兩端,防止過電壓,起保護(hù)作用。肖特基二極管規(guī)格書:
2020-09-25 15:38:08

肖特基二極管和普通穩(wěn)壓二極管有什么區(qū)別

肖特基二極管和普通穩(wěn)壓二極管有什么區(qū)別
2020-04-13 17:11:31

肖特基二極管如何選用?

選用肖特基二極管的時(shí)候需參考以下參數(shù)。1.導(dǎo)通壓降VF:VF為二極管正向?qū)〞r(shí)二極管兩端的壓降,選擇肖特基二極管是盡量選擇VF較小的二極管。2.反向飽和漏電流IR:IR指在二極管兩端加入反向電壓
2022-01-24 11:27:53

肖特基二極管應(yīng)用參數(shù)有哪些?

,肖特基二極管反向漏電流較大,選擇肖特基二極管是盡量選擇IR較小的二極管。三、額定電流IF:指肖特基二極管長(zhǎng)期運(yùn)行時(shí),根據(jù)允許溫升折算出來的平均電流值。肖特基二極管規(guī)格書下載:
2022-05-31 17:17:19

肖特基二極管應(yīng)用的電路

肖特基二極管一種應(yīng)用電路,這是肖特基二極管在步進(jìn)電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用。利用肖特基二極管壓降小、恢復(fù)時(shí)間短的特點(diǎn),這樣大部分電流就流過外部的肖特基二極管,從而集成電路內(nèi)部的功耗就小了很多,提高了熱穩(wěn)定性能,也就提高了可靠性。?肖特基二極管規(guī)格書下載:
2021-04-12 17:25:17

肖特基二極管的使用事項(xiàng)應(yīng)該注意哪些?

一、對(duì)于浪涌電壓或浪涌電流比較大的應(yīng)用電路應(yīng)該加抑制和吸收電路。、應(yīng)用電路的峰值工作電壓應(yīng)小于MDD肖特基二極管的最高反向擊穿電壓Vrrm。三、應(yīng)用電路內(nèi)的MDD肖特基二極管的實(shí)際工作溫升應(yīng)小于
2021-06-15 15:33:58

肖特基二極管的命名是怎樣的?

肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,完整的叫法是:肖特基整流二極管(Schottky Rectifier Diode 縮寫成SR),也有人叫做:肖特基勢(shì)壘二極管
2021-06-30 17:04:44

肖特基二極管的應(yīng)用電路是怎樣的?

?肖特基二極管在步進(jìn)電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用,是典型的肖特基二極管一種應(yīng)用電路。 肖特基二極管在電路中,主要利用肖特基二極管壓降小、恢復(fù)時(shí)間短的特點(diǎn),這樣大部分電流就流過外部的肖特基二極管,從而
2021-03-15 14:44:01

肖特基二極管的正向額定電流是什么?

肖特基二極管的額定電流是什么呢?額定電流是肖特基二極管的主要標(biāo)稱值,比如10A /100V的肖特基二極管,10A就是該肖特基二極管的額定電流。通常額定電流的定義是該肖特基二極管所能通過的額定平均電流
2021-07-21 15:26:58

肖特基二極管的目前趨勢(shì)

,大多數(shù)硅用于高達(dá)250V的電壓,而砷化鎵、碳化硅或硅鍺被用作阻斷200至1700V電壓的半導(dǎo)體材料。硅肖特基二極管具有大約0.4V的低閾值電壓,工作電流較低時(shí)甚至低于0.1V。這遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于電壓約為1V
2017-04-19 16:33:24

肖特基二極管的結(jié)構(gòu)與應(yīng)用

肖特基二極管結(jié)構(gòu):肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與。PN結(jié)二極管有很大區(qū)別,它的內(nèi)部是由陽極金屬(金、銀、鋁、鉬、鉑等材料制造成阻擋層)、二氧化硅消除邊緣區(qū)域的電場(chǎng)(提高管子耐壓)、N一外延層、N型硅基片
2020-11-16 16:34:24

ASEMI肖特基二極管是什么?肖特基二極管有什么用

少數(shù)載流子的存儲(chǔ)效應(yīng)很小,其頻率響應(yīng)僅受RC時(shí)間常數(shù)的限制。因此,它是一種理想的高頻快速開關(guān)器件。 肖特基二極管有什么用?肖特基二極管的最大特點(diǎn)是正向壓降VF比較小,在相同電流情況下,其正向壓降要
2021-10-18 16:45:00

SIC碳化硅二極管

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2016-11-04 15:50:11

STPSC4H065B代替品 B1D04065E 650V4A12nC 碳化硅肖特基二極管 新能源電動(dòng)汽車解決方案

小輕薄,小尺寸,大能量B1D04065E PD快充用碳化硅肖特基二極管。特性:?極低反向電流? 無反向恢復(fù)電流? 溫度無關(guān)開關(guān)? VF上的正溫度系數(shù)? 卓越的浪涌電流能力? 低電容電荷優(yōu)勢(shì):?基本上
2021-11-06 09:26:20

Si與SiC肖特基二極管應(yīng)用對(duì)比優(yōu)勢(shì)

的一幅圖是傳統(tǒng)的碳化硅肖特基二極管。中間的圖是帶PIN結(jié)構(gòu)的MPS二極管的結(jié)構(gòu),它的特點(diǎn)是在肖特基接觸區(qū)增加了一些P型結(jié)構(gòu)。相比于標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅肖特基二極管來說,這些結(jié)構(gòu)有利于提高它的浪涌電流的抑制和雪崩
2019-01-02 13:57:40

了解功率二極管,這15個(gè)知識(shí)點(diǎn)你必須知道

稱有獨(dú)特的工藝,可以制造高壓肖特基二極管,但并不知曉是什么樣的工藝。   13.什么是碳化硅二極管?   通常大家所用的基本都是以硅為原料的二極管,但是最近比較熱門的碳化硅二極管是用碳化硅為原料
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什么是肖特基二極管?

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是1000V。FR106,FR107300ns快速恢復(fù)二極管FR101-FR105150nsSR260肖特基二極管 10ns左右反向恢復(fù)時(shí)間短,特別適用于高頻電路。碳化硅二極管碳化硅是一種新材料,幾乎不
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低功耗SiC二極管實(shí)現(xiàn)最高功率密度解析

相較于硅,碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術(shù),提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流,且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能,因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
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關(guān)于功率二極管的一些疑問大掃盲

二極管,但是也是將幾個(gè)二極管串聯(lián)之后封裝在一起。當(dāng)然也有公司稱有獨(dú)特的工藝,可以制造高壓肖特基二極管,但并不知曉是什么樣的工藝。13. 什么是碳化硅二極管?通常大家所用的基本都是以硅為原料的二極管,但是
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關(guān)于功率二極管的一些問題,你知道嗎?

知曉是什么樣的工藝。  13. 什么是碳化硅二極管?  通常大家所用的基本都是以硅為原料的二極管,但是最近比較熱門的碳化硅二極管是用碳化硅為原料的二極管。目前常見的多為高壓的肖特基碳化硅二極管,其優(yōu)點(diǎn)
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2023-02-22 15:27:51

圖騰柱無橋PFC中混合碳化硅分立器件的應(yīng)用

電流Irr和開關(guān)T2開關(guān)波形 ?。?)碳化硅肖特基二極管具有“零反向恢復(fù)” 的特點(diǎn),可以顯著減少開關(guān)的開通損耗;(2)“零反向恢復(fù)”意味著反向恢復(fù)電流跟雜散電感產(chǎn)生的諧振幾乎為零,可顯著改善系統(tǒng)
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基于低功耗SiC二極管的最高功率密度實(shí)現(xiàn)方案

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基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管性能詳解

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如何區(qū)分硅二極管和鍺二極管?

、反向恢復(fù)時(shí)間短的半導(dǎo)體二極管)主要用于各種功率轉(zhuǎn)換器的開關(guān)功率器件(如IGBT或MOSFET),以起到續(xù)流效果。碳化硅肖特基二極管4.1 碳化硅肖特基二極管基本型肖特基二極管,也稱為熱載流二極管,通過
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2018-10-19 15:25:32

普通二極管肖特基二極管的伏安特性如何

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2018-10-22 15:32:15

被稱為第三代半導(dǎo)體材料的碳化硅有著哪些特點(diǎn)

是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)。功率二極管包括結(jié)勢(shì)壘肖特基(JBS)二極管
2023-02-20 15:15:50

部分關(guān)于功率二極管相關(guān)知識(shí)

,但是也是將幾個(gè)二極管串聯(lián)之后封裝在一起。13. 什么是碳化硅二極管?通常大家所用的基本都是以硅為原料的二極管,但是碳化硅二極管是用碳化硅為原料的二極管。目前常見的多為高壓的肖特基碳化硅二極管,其優(yōu)點(diǎn)
2020-09-18 17:00:12

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2022-05-28 12:10:17

C3D03060A分立碳化硅肖特基二極管

C3D03060A為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更堅(jiān)固
2022-05-28 12:16:00

C3D04060E分立碳化硅肖特基二極管

C3D04060E為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更堅(jiān)固
2022-05-28 12:23:31

C3D04060F分立碳化硅肖特基二極管

C3D04060F為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更堅(jiān)固
2022-05-28 15:37:47

C3D04060A分立碳化硅肖特基二極管

C3D04060A為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更堅(jiān)固
2022-05-28 15:55:46

C3D06060G分立碳化硅肖特基二極管

C3D06060G為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更堅(jiān)固
2022-05-28 16:04:58

C3D06060F分立碳化硅肖特基二極管

C3D06060F為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更堅(jiān)固
2022-05-28 16:12:24

C3D06060A分立碳化硅肖特基二極管

C3D06060A為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更堅(jiān)固
2022-05-28 16:18:33

C3D08060G分立碳化硅肖特基二極管

C3D08060G為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更堅(jiān)固
2022-05-28 16:25:05

C3D08060A分立碳化硅肖特基二極管

C3D08060A為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更堅(jiān)固
2022-05-28 16:54:16

C3D10060A分立碳化硅肖特基二極管

C3D10060A為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更堅(jiān)固
2022-05-28 17:04:18

C3D16060D分立碳化硅肖特基二極管

C3D16060D為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更堅(jiān)固
2022-05-29 10:28:06

C3D20060D分立碳化硅肖特基二極管

C3D20060D為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更堅(jiān)固
2022-05-29 10:32:40

C6D06065G分立碳化硅肖特基二極管

C6D06065G為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢(shì)肖特基勢(shì)壘二極管,電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案
2022-05-29 19:36:12

C3D06065E分立碳化硅肖特基二極管

C3D06065E為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢(shì)肖特基勢(shì)壘二極管,電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案
2022-05-29 19:45:27

C4D02120E分立碳化硅肖特基二極管

C4D02120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-02 18:25:12

C4D02120A分立碳化硅肖特基二極管

C4D02120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-02 18:29:57

C4D05120E分立碳化硅肖特基二極管

C4D05120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-02 18:35:42

C4D05120A分立碳化硅肖特基二極管

C4D05120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-02 18:40:17

C4D08120E分立碳化硅肖特基二極管

C4D08120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-02 18:44:47

C4D08120A分立碳化硅肖特基二極管

C4D08120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-02 18:48:49

E4D10120A分立碳化硅肖特基二極管

E4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-02 18:54:09

C4D10120H分立碳化硅肖特基二極管

C4D10120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 14:24:29

C4D10120E分立碳化硅肖特基二極管

C4D10120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 18:14:54

C4D10120D分立碳化硅肖特基二極管

C4D10120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 18:21:10

C4D10120A分立碳化硅肖特基二極管

C4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 18:25:26

C4D15120H分立碳化硅肖特基二極管

C4D15120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 18:30:26

C4D15120D分立碳化硅肖特基二極管

C4D15120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 18:37:08

C4D15120A分立碳化硅肖特基二極管

C4D15120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 18:43:35

E4D20120A分立碳化硅肖特基二極管

E4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 18:49:31

E4D20120D分立碳化硅肖特基二極管

E4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 18:54:14

C4D20120H分立碳化硅肖特基二極管

C4D20120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 19:01:56

C4D20120D分立碳化硅肖特基二極管

C4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 19:07:00

C4D20120A分立碳化硅肖特基二極管

C4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 19:12:16

E4D20120G分立碳化硅肖特基二極管

E4D20120G是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 19:18:42

C4D30120D分立碳化硅肖特基二極管

C4D30120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 19:34:40

C4D40120D分立碳化硅肖特基二極管

C4D40120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 19:46:36

CPW2-0600-S008B裸片碳化硅肖特基二極管

CPW2-0600-S008B是Wolfspeed的600 V 裸片碳化硅肖特基二極管 – 第 3 代。Wolfspeed 的第 3 代 600 V 碳化硅肖特基二極管系列。Wolfspeed 的第
2022-06-05 17:20:01

G2S06505A_650V_5A碳化硅肖特基功率二極管

G2S06505A 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 TO-220
2016-06-17 15:42:454

碳化硅肖特基二極管的優(yōu)點(diǎn)及應(yīng)用

流,具備更好的耐高壓能力。另一個(gè)重要的特點(diǎn)碳化硅肖特基二極管具有正的溫度系數(shù),隨著溫度的上升電阻也逐漸上升,這與硅FRD正好相反。
2020-11-17 15:55:056028

碳化硅二極管是什么

碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導(dǎo)體器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性,因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應(yīng)速度快等特點(diǎn),廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域,如電源、變頻器、太陽能、電動(dòng)汽車等。
2023-06-02 14:10:32747

碳化硅肖特基二極管的原理及應(yīng)用

碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件,具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應(yīng),即在金屬與半導(dǎo)體接觸處形成一個(gè)肖特基勢(shì)壘,使得半導(dǎo)體中的載流子向金屬一側(cè)偏移,形成整流效應(yīng)。
2023-06-07 17:10:34802

7.4 結(jié)勢(shì)壘肖特基(JBS)二極管與混合pin肖特基(MPS)二極管∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和

7.4結(jié)勢(shì)壘肖特基(JBS)二極管與混合pin肖特基(MPS)二極管第7章單極型和雙極型功率二極管碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:7.3.4電流-電壓關(guān)系∈《碳化硅技術(shù)
2022-02-15 11:20:412353

碳化硅肖特基二極管的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)材料因其出色的物理性能而備受關(guān)注。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有巨大潛力。其中,碳化硅肖特基二極管作為一種重要
2023-12-29 09:54:29188

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