損耗是MOSFET的Qg乘以驅(qū)動(dòng)器電壓和開關(guān)頻率的值。Qg請(qǐng)參考所使用的MOSFET的技術(shù)規(guī)格書。驅(qū)動(dòng)器電壓或者實(shí)測(cè)，或者參考IC的技術(shù)規(guī)格書。
2020-04-05 11:52:00
3550 
在導(dǎo)通數(shù)據(jù)中，原本2，742μJ的開關(guān)損耗變?yōu)?，690μJ，損耗減少了約38%。在關(guān)斷數(shù)據(jù)中也從2，039μJ降至1，462μJ，損耗減少了約30%。
2020-07-17 17:47:44949 
為了匹配CREE SiC MOSFET的低開關(guān)損耗，柵極驅(qū)動(dòng)器必須能夠以快速壓擺率提供高輸出電流和電壓，以克服SiC MOSFET的柵極電容。
2021-05-24 06:17:002391 
在上一篇文章中，我們通過(guò)工作原理和公式了解了有無(wú)驅(qū)動(dòng)器源極引腳的差異和效果。有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的MOSFET可以消除源極引腳的電感帶來(lái)的影響，從而可降低開關(guān)損耗。在本文中，我們將通過(guò)雙脈沖測(cè)試來(lái)確認(rèn)驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果。
2022-06-15 16:06:202920 MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFC MOSFET的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索，那么該如何量化評(píng)估呢?
2022-10-19 10:39:231504 功率晶體管組成，如雙極型晶體管、 MOSFET 或絕緣柵雙極型晶體管 （ Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT） 。在一些小型無(wú)刷直流電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)應(yīng)用中， MOSFET驅(qū)動(dòng)器可用來(lái)直接驅(qū)動(dòng)電機(jī)。 不過(guò)，在本應(yīng)用筆記中，我們需要的電壓和功率較 MOSFET
2021-09-17 07:19:25
MOSFET驅(qū)動(dòng)器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一種驅(qū)動(dòng)器最適合您的應(yīng)用呢？
2021-11-08 06:11:40
可大大降低開關(guān)損耗。順便提一下，PrestoMOS的“Presto”是源于表示“急板”的音樂速度用語(yǔ)。開發(fā)旨在trr高速化的FN系列，是為了使逆變器電路和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路的損耗更低，并通過(guò)免除外置二極
2018-11-28 14:27:08
了MOSFET結(jié)電容隨電壓的變化狀況。圖2由于Q=C*U*t為了方便計(jì)算MOSFET所需的驅(qū)動(dòng)功率以及開關(guān)損耗，規(guī)格書中通常會(huì)給出MOSFET 的Q值。圖3中描述了MOSFET開通的過(guò)程以及不同的Qg
2018-12-10 10:04:29
外部元器件而不是功率開關(guān)本身對(duì)集電極或漏極電流進(jìn)行控制。 電源開關(guān)轉(zhuǎn)換期間的開關(guān)損耗就更復(fù)雜，既有本身的因素，也有相關(guān)元器件的影響。與損耗有關(guān)的波形只能通過(guò)電壓探頭接在漏源極(集射極)端的示波器觀察
2020-08-27 08:07:20
由外部元器件而不是功率開關(guān)本身對(duì)集電極或漏極電流進(jìn)行控制。 電源開關(guān)轉(zhuǎn)換期間的開關(guān)損耗就更復(fù)雜，既有本身的因素，也有相關(guān)元器件的影響。與損耗有關(guān)的波形只能通過(guò)電壓探頭接在漏源極（集射極）端的示波器
2023-03-16 16:37:04
重要了。一個(gè)好的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路有以下幾點(diǎn)要求：（1）開關(guān)管開通瞬時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源極間電壓迅速上升到所需值，保證開關(guān)管能快速開通且不存在上升沿的高頻振蕩。（2
2017-01-09 18:00:06
3、開關(guān)動(dòng)態(tài)損耗?? 由于開關(guān)損耗是由開關(guān)的非理想狀態(tài)引起的，很難估算MOSFET 和二極管的開關(guān)損耗，器件從完全導(dǎo)通到完全關(guān)閉或從完全關(guān)閉到完全導(dǎo)通需要一定時(shí)間，也稱作死區(qū)時(shí)間，在這個(gè)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生
2021-12-29 07:52:21
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）組成的類型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類型。與Si-IGBT功率模塊相比，開關(guān)損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
）”一詞所表達(dá)的，電路的優(yōu)先事項(xiàng)一定需要用最大公約數(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)優(yōu)化。對(duì)此，將在Tech Web的基礎(chǔ)知識(shí)“SiC功率元器件”中進(jìn)行解說(shuō)。另外，您還可以通過(guò)ROHM官網(wǎng)下載并使用本次議題的基礎(chǔ)，即Application Note“利用驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開關(guān)損耗（PDF）”。
2020-07-01 13:52:06
的開關(guān)工作進(jìn)行比較，而在 Figure 5 所示的電路條件下使 Low Side（LS）的 MOSFET 開關(guān)的雙脈沖測(cè)試結(jié)果。High Side（HS）是將 RG_EXT 連接于源極引腳或驅(qū)動(dòng)器源極
2020-11-10 06:00:00
開關(guān)損耗。測(cè)試中使用的是最大額定值（RDS（on））為 40mΩ的SiC MOSFET。TO-247N封裝的產(chǎn)品（型號(hào)：SCT3040KL）沒有驅(qū)動(dòng)器源極引腳，TO-247-4L（SCT3040KR
2022-06-17 16:06:12
PWM輸入變高時(shí)，高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器將通過(guò)從CBST中抽出電荷開始打開高壓側(cè)MOSFET，Q1當(dāng)Q1打開時(shí)，SW引腳將上升到VIN，迫使BST引腳達(dá)到VIN+VC（BST），這是足以保持Q1打開的門到源電壓
2020-07-21 15:49:18
的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)壓擺率很高時(shí)，特定的封裝類型會(huì)限制GaN FET的開關(guān)性能。將GaN FET與驅(qū)動(dòng)器集成在一個(gè)封裝內(nèi)可以減少寄生電感，并且優(yōu)化開關(guān)
2018-08-30 15:28:30
指令到引腳7時(shí)，門驅(qū)動(dòng)輸出，引腳4，迅速上升到VCC電源電位在針腳5處。一旦柵極電壓超過(guò)柵極源MOSFET的閾值電壓，VGS（ON），（源是通過(guò)負(fù)載接地）MOSFET轉(zhuǎn)動(dòng)打開并將電源電壓連接到負(fù)載
2020-07-14 14:53:05
如圖片所示，為什么MOS管的開關(guān)損耗（開通和關(guān)斷過(guò)程中）的損耗是這樣算的，那個(gè)72pF應(yīng)該是MOS的輸入電容，2.5A是開關(guān)電源限制的平均電流
2018-10-11 10:21:49
本帖最后由 小小的大太陽(yáng) 于 2017-5-31 10:06 編輯
MOS管的導(dǎo)通損耗影響最大的就是Rds，而開關(guān)損耗好像不僅僅和開關(guān)的頻率有關(guān)，與MOS管的結(jié)電容，輸入電容，輸出電容都有關(guān)系吧？具體的關(guān)系是什么？有沒有具體計(jì)算開關(guān)損耗的公式？
2017-05-31 10:04:51
時(shí)間trr快（可高速開關(guān)）?trr特性沒有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發(fā)揮的優(yōu)勢(shì)。大幅降低開關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復(fù)時(shí)間trr。右側(cè)的圖表為
2019-03-27 06:20:11
免 MOSFET 的誤工作，但這種寄生電感的影響是三種主要寄生電感中最小的。整個(gè)器件的過(guò)沖電壓通常由功率回路電感（有時(shí)也稱為開關(guān)回路電感）造成，而這會(huì)產(chǎn)生高開關(guān)損耗。共源極電感會(huì)在開關(guān)瞬變過(guò)程中產(chǎn)生對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)
2022-03-24 18:03:24
產(chǎn)品尺寸，從而提升系統(tǒng)效率。而在實(shí)際應(yīng)用中，我們發(fā)現(xiàn)：帶輔助源極管腳的TO-247-4封裝更適合于碳化硅MOSFET這種新型的高頻器件，它可以進(jìn)一步降低器件的開關(guān)損耗，也更有利于分立器件的驅(qū)動(dòng)
2023-02-27 16:14:19
本帖最后由 張飛電子學(xué)院魯肅 于 2021-1-30 13:21 編輯
本文詳細(xì)分析計(jì)算功率MOSFET開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程，從而使電子
2021-01-30 13:20:31
增大，但是高頻化可以使得模塊電源的變壓器磁芯更小，模塊的體積變得更小，所以可以通過(guò)開關(guān)頻率去優(yōu)化開通損耗、關(guān)斷損耗和驅(qū)動(dòng)損耗，但是高頻化卻會(huì)引起嚴(yán)重的EMI問(wèn)題。采用跳頻控制方法，在輕負(fù)載情況下，通過(guò)降低
2019-09-25 07:00:00
。電流開始流入MOSFET時(shí)，柵電流降低以限制di/dt。當(dāng)漏-源電壓開始下降時(shí)，柵電流升高以限制開關(guān)損耗。與電阻器驅(qū)動(dòng)的MOSFET相比，di/dt階段開關(guān)損耗相同，但是在dv/dt階段開關(guān)損耗要低
2019-07-24 04:30:00
分布電容引起。改善方法:在繞組層與層之間加絕緣膠帶，來(lái)減少層間分布電容。08、開關(guān)管MOSFET上的損耗mos損耗包括：導(dǎo)通損耗，開關(guān)損耗，驅(qū)動(dòng)損耗。其中在待機(jī)狀態(tài)下最大的損耗就是開關(guān)損耗。改善辦法
2021-04-09 14:18:40
。為了避免這種情況，可采取另加邏輯延時(shí)電路，以使H橋電路上、下兩管交替導(dǎo)通時(shí)可產(chǎn)生一個(gè)“死區(qū)時(shí)間”，先關(guān)后開，防止上、下兩管直通現(xiàn)象。本驅(qū)動(dòng)器電源驅(qū)動(dòng)部分線路簡(jiǎn)單，通過(guò)對(duì)電流前后沿的合理設(shè)計(jì)，降低了開關(guān)損耗，改善了電機(jī)的高頻特性，并具有多種保護(hù)功能，實(shí)際使用中效果良好。
2020-08-25 14:11:27
什么是MOSFET驅(qū)動(dòng)器？MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗包括哪些部分？如何計(jì)算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
我需要從英飛凌推出MOSFET IPW90R120C3這里的MOSFET規(guī)格VDS @ TJ=25°C 900 VRdson @ TJ=25°C: 0.12ohmQg = 270nC驅(qū)動(dòng)器
2018-09-01 09:53:17
SiC-MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管的相關(guān)內(nèi)容，有許多與Si同等產(chǎn)品比較的文章可以查閱并參考。采用第三代SiC溝槽MOSFET，開關(guān)損耗進(jìn)一步降低ROHM在行業(yè)中率先實(shí)現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)
2018-11-27 16:37:30
各位大神，可否用IR2113 驅(qū)動(dòng)共源集MOSfet ,且mosfet關(guān)斷時(shí)，源集漏集電壓最高為700V。
2017-08-16 16:03:26
一個(gè)高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達(dá)95%，而開關(guān)電源的損耗大部分來(lái)自開關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測(cè)量開關(guān)器件的損耗，對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們?cè)撊绾螠?zhǔn)確測(cè)量開關(guān)損耗呢？一、開關(guān)損耗
2021-11-18 07:00:00
開關(guān)條件得以改善，降低硬開關(guān)的開關(guān)損耗和開關(guān)噪聲，從而 提高了電路的效率。 圖1 理想狀態(tài)下軟開關(guān)和硬開關(guān)波形比較圖軟開關(guān)包括軟開通和軟關(guān)斷兩個(gè)過(guò)程： 理想的軟開通過(guò)程是：開關(guān)器件兩端的電壓先下
2019-08-27 07:00:00
特別是高電流柵極驅(qū)動(dòng)器，其能夠通過(guò)降低開關(guān)損耗幫助提升整體系統(tǒng)效率。當(dāng)FET開關(guān)打開或關(guān)閉時(shí)，就會(huì)出現(xiàn)開關(guān)損耗。為了打開FET，柵極電容得到的電荷必須超過(guò)閾值電壓。柵極驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)電流能夠有助于柵極
2022-11-14 06:52:10
大于B管，因此選取的MOSFET開關(guān)損耗占較大比例時(shí)，需要優(yōu)先考慮米勒電容Crss的值。整體開關(guān)損耗為開通及關(guān)斷的開關(guān)損耗之和：從上面的分析可以得到以下結(jié)論：（1）減小驅(qū)動(dòng)電阻可以減小線性區(qū)持續(xù)的時(shí)間
2017-03-06 15:19:01
前面的文章講述過(guò)基于功率MOSFET的漏極特性理解其開關(guān)過(guò)程，也討論過(guò)開關(guān)電源的PWM及控制芯片內(nèi)部的圖騰驅(qū)動(dòng)器的特性和柵極電荷的特性，基于上面的這些理論知識(shí)，就可以估算功率MOSFET在開關(guān)
2017-02-24 15:05:54
`最近我在做D類放大。要放大1Mhz正弦波信號(hào)，比較用的三角波為10Mhz。需要開關(guān)頻率能大于20Mhz的mosfet驅(qū)動(dòng)器。請(qǐng)問(wèn)mosfet驅(qū)動(dòng)器的最高工作頻率是由什么參數(shù)決定的？有能達(dá)到20Mhz以上的mosfet驅(qū)動(dòng)器嗎？`
2018-04-11 23:31:46
在開啟時(shí)提供此功能。實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證表明，在高負(fù)載范圍和低開關(guān)速度（《5V/ns）下，SiC-MOSFET或IGBT的電流源驅(qū)動(dòng)與傳統(tǒng)方法相比，導(dǎo)通損耗降低了26%。在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等應(yīng)用中，dv/dt 通常限制為 5V/ns，電流源驅(qū)動(dòng)器可提高效率并提供有前途的解決方案。
2023-02-21 16:36:47
適當(dāng)?shù)碾娫窗逶O(shè)計(jì)可以省略。否則，它應(yīng)盡可能靠近ICM引腳。二極管 D1 用于保護(hù)驅(qū)動(dòng)器免受負(fù)電壓尖峰的影響，并且應(yīng)該是具有低電容的快進(jìn)恢復(fù)，如 Diodes 公司的 1N4448HWS-7-F。當(dāng)開關(guān)
2023-02-27 09:52:17
！它在高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器源連接（R57、R58 和 R59）中也有 4R7 電阻，我不明白為什么需要這些。是否有任何設(shè)計(jì)指南可以告訴我如何定義柵極電阻器、自舉電容器以及為什么高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器可能需要對(duì) MOSFET 源極施加一些電阻？
2023-04-19 06:36:06
如何更加深入理解MOSFET開關(guān)損耗？Coss產(chǎn)生開關(guān)損耗與對(duì)開關(guān)過(guò)程有什么影響？
2021-04-07 06:01:07
導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能，并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
驅(qū)動(dòng)器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。隔離式半橋驅(qū)動(dòng)器的功能是驅(qū)動(dòng)上橋臂和下橋臂N溝道MOSFET(或IGBT)的柵極，通過(guò)低輸出阻抗降低導(dǎo)通損耗，同時(shí)通過(guò)快速開關(guān)時(shí)間降低開關(guān)損耗。上橋臂
2018-10-16 16:00:23
和計(jì)算開關(guān)損耗，并討論功率MOSFET導(dǎo)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷過(guò)程的實(shí)際過(guò)程，以便電子工程師了解哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET開關(guān)損耗1，通過(guò)過(guò)程中的MOSFET開關(guān)損耗功率M...
2021-10-29 08:43:49
瞬態(tài)操作。圖1所示為硬開關(guān)關(guān)斷瞬態(tài)下，理想MOSFET的工作波形和工作順序。 圖1 升壓轉(zhuǎn)換器中的MOSFET的典型關(guān)斷瞬態(tài)波形 當(dāng)驅(qū)動(dòng)器發(fā)出關(guān)斷信號(hào)后，即開始階段1 [t=t1]操作，柵極與源極之間
2018-10-08 15:19:33
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
本文通過(guò)故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來(lái)研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
的暫態(tài)表現(xiàn)形式，若盡量減小分布電感，可使驅(qū)動(dòng)信號(hào)由阻尼振蕩變?yōu)橹笖?shù)衰減，即可消除MOSFET的高頻開關(guān)損耗。同時(shí)亦可一定程度上降低振蕩幅值。因此在設(shè)計(jì)電路時(shí)應(yīng)該盡量使驅(qū)動(dòng)芯片靠近MOSFET，并減小
2018-08-27 16:00:08
前后沿要陡，以便改善電機(jī)的高頻響應(yīng)．本驅(qū)動(dòng)器中由于功率MOSFET管柵極電容的存在，對(duì)該管的驅(qū)動(dòng)電流實(shí)際表現(xiàn)為對(duì)柵極電容的充、放電．極間電容越大，在開關(guān)驅(qū)動(dòng)中所需的驅(qū)動(dòng)電流也越大，為使開關(guān)波形具有足夠
2008-10-21 00:50:02
很小。寄生電容的降低會(huì)使開關(guān)時(shí)的電荷（Qg、Qgs、Qgd）降低。因此,器件的開關(guān)速度會(huì)更快,也降低了MOSFET中的開關(guān)損耗。同時(shí),驅(qū)動(dòng)電路所需要的能量也比較低,這也降低了驅(qū)動(dòng)器中的損耗。器件內(nèi)部的密
2012-12-06 14:32:55
MOSFET應(yīng)用于不同的開關(guān)電源以及電力電子系統(tǒng)，除了部分的應(yīng)用使用專門的驅(qū)動(dòng)芯片、光耦驅(qū)動(dòng)器或變壓器驅(qū)動(dòng)器，大量的應(yīng)用通常使用PWM IC或其它控制芯片直接驅(qū)動(dòng)。在論述功率MOSFET的開關(guān)損耗
2017-02-20 17:46:04
150 kW的電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率的輸出。阻斷電壓750V、低 VCEsat、低開關(guān)損耗、低QG和Cres、低電感設(shè)計(jì)，Tvjop = 150°C、短時(shí)間工作溫度Tvjop = 175°C。 P1、P2
2023-03-23 16:01:54
Coss、Qrr和較低的柵極環(huán)路阻抗而具有較大的振鈴和硬開關(guān)損耗。集成柵極驅(qū)動(dòng)的75mΩGaN器件TI的LMG341x系列600V GaN器件是集成GaN FET外加驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的器件。它是一個(gè)
2023-02-14 15:06:51
的圖像。圖1：開關(guān)損耗讓我們先來(lái)看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個(gè)開關(guān)周期開始時(shí)，驅(qū)動(dòng)器開始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個(gè)時(shí)段
2018-08-30 15:47:38
MOS管開通時(shí)放電引起的損耗。）當(dāng)測(cè)試mos管電流波形時(shí)，剛開啟的時(shí)候有個(gè)電流尖峰主要由變壓器分布電容引起。改善方法:在繞組層與層之間加絕緣膠帶，來(lái)減少層間分布電容。開關(guān)管MOSFET上的損耗mos
2021-05-18 06:00:00
開關(guān)損耗。此外，還要進(jìn)行開關(guān)噪聲的測(cè)量，確認(rèn)其在適當(dāng)?shù)姆秶?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET ON時(shí)的速度用R5和R6進(jìn)行調(diào)整MOSFET OFF時(shí)的清電荷用二極管D4，以R5進(jìn)行調(diào)整選擇工作電流模式的不連續(xù)模式后
2018-11-27 16:58:07
周期開始時(shí)，驅(qū)動(dòng)器開始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個(gè)時(shí)段（圖1中的t1），源極電壓（VGS）正接近MOSFET的閾值電壓，VTH和漏電流為
2018-06-05 09:39:43
電流強(qiáng)度的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器可以降低 SiC MOSFET 功率損耗，實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)頻率，從而提高效率，從而改善新的電動(dòng)汽車型號(hào)的驅(qū)動(dòng)范圍。符合 TI 功能安全標(biāo)準(zhǔn)的 UCC5870-Q1 和 UCC5871-Q1 30-A 柵極驅(qū)動(dòng)器附帶大量設(shè)計(jì)支持工具，可幫助實(shí)現(xiàn)。
2022-11-02 12:02:05
較高的高頻電流，特別是在 MOSFET 開關(guān)期間。圖 2：降壓功率級(jí)和柵極驅(qū)動(dòng)器的“剖析原理圖”（包含感性和容性寄生元素）。有效高頻電源回路電感 (LLOOP) 是總漏極電感 (LD)、共源電感 (LS)（即
2020-11-03 07:54:52
在功率電子(例如驅(qū)動(dòng)技術(shù))中，IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開關(guān)。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗產(chǎn)生于開關(guān)期間。為了最大程度減小開關(guān)損耗，要求具備較短的開關(guān)時(shí)間。
2019-08-09 08:22:15
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)
2018-11-01 11:35:35
圖1：開關(guān)損耗讓我們先來(lái)看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個(gè)開關(guān)周期開始時(shí)，驅(qū)動(dòng)器開始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個(gè)時(shí)段（圖
2022-11-16 08:00:15
新年伊始，設(shè)計(jì)師們似乎在永遠(yuǎn)不停地追求更高效率。在此系列的第一部分中，我討論了高電流柵極驅(qū)動(dòng)器如何幫助系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高的效率。高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以實(shí)現(xiàn)相同的效果。高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以通過(guò)降低FET的體二極
2019-03-08 06:45:10
高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以實(shí)現(xiàn)相同的效果。高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以通過(guò)降低FET的體二極管的功耗來(lái)提高效率。體二極管是寄生二極管，對(duì)于大多數(shù)類型的FET是固有的。它由p-n結(jié)點(diǎn)形成并且位于漏極和源極之間。圖1所示
2022-11-14 07:53:24
理解功率MOSFET的開關(guān)損耗
本文詳細(xì)分析計(jì)算開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程，從而使電子工程師知道哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并
2009-10-25 15:30:593320 MOSFET才導(dǎo)通，因此同步MOSFET是0電壓導(dǎo)通ZVS，而其關(guān)斷是自然的0電壓關(guān)斷ZVS，因此同步MOSFET在整個(gè)開關(guān)周期是0電壓的開關(guān)ZVS，開關(guān)損耗非常小，幾乎可以忽略不計(jì)，所以同步MOSFET只有RDS(ON)所產(chǎn)生的導(dǎo)通損耗，選取時(shí)只需要考慮RDS（ON）而不需要考慮Crss的值。
2012-04-12 11:04:2359180 
為了有效解決金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動(dòng)應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問(wèn)題，通過(guò)對(duì)MOSFET 柵極電荷、極間電容的闡述和導(dǎo)通過(guò)程的解剖，定位了MOSFET 開關(guān)損耗的來(lái)源，進(jìn)而為緩啟動(dòng)電路設(shè)計(jì)優(yōu)化，減少MOSFET的開關(guān)損耗提供了技術(shù)依據(jù)。
2016-01-04 14:59:05
38 氮化鎵 （GaN） 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)壓擺率很高時(shí)，特定的封裝類型會(huì)限制GaN FET的開關(guān)性能。將GaN FET與驅(qū)動(dòng)器集成在一個(gè)封裝內(nèi)可以減少寄生電感，并且優(yōu)化開關(guān)性能。集成驅(qū)動(dòng)器還可以實(shí)現(xiàn)保護(hù)功能。
2016-05-09 17:06:562888 MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFC MOSFET的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索，那么該如何量化評(píng)估呢？
2017-11-10 08:56:426345 一個(gè)高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達(dá)95%，而開關(guān)電源的損耗大部分來(lái)自開關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測(cè)量開關(guān)器件的損耗，對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們?cè)撊绾螠?zhǔn)確測(cè)量開關(guān)損耗呢？
2019-06-27 10:22:081926 Mosfet的損耗主要有導(dǎo)通損耗，關(guān)斷損耗，開關(guān)損耗，容性損耗，驅(qū)動(dòng)損耗
2020-01-08 08:00:0011 用源極引腳的 4 引腳封裝，改善了開關(guān)特性，使開關(guān)損耗可以降低 35%左右。此次，針對(duì) SiC MOSFET 采用 4 引腳封裝的原因及其效果等議題，我們采訪了 ROHM 株式會(huì)社的應(yīng)用工程師。
2020-11-25 10:56:0030 功率MOSFET的開關(guān)損耗分析。
2021-04-16 14:17:0248 一、開關(guān)損耗包括開通損耗和關(guān)斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導(dǎo)通時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗；關(guān)斷損耗是指功率管從導(dǎo)通到截止時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗。二、開關(guān)損耗原理分析：(1)、非理想的開關(guān)管在開通時(shí)，開關(guān)
2021-10-22 10:51:0611 和計(jì)算開關(guān)損耗，并討論功率MOSFET導(dǎo)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷過(guò)程的實(shí)際過(guò)程，以便電子工程師了解哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET開關(guān)損耗1，通過(guò)過(guò)程中的MOSFET開關(guān)損耗功率M...
2021-10-22 17:35:5953 的圖像。
圖1：開關(guān)損耗
讓我們先來(lái)看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個(gè)開關(guān)周期開始時(shí)，驅(qū)動(dòng)器開始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容
2022-01-21 17:01:12831 
MOSFET驅(qū)動(dòng)器是一款高頻高電壓柵極驅(qū)動(dòng)器，可利用一個(gè)同步 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和高達(dá)100V的電源電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET。強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)能力降低了具高柵極電容MOSFET中的開關(guān)損耗。針對(duì)
2022-10-25 09:19:341345 
驅(qū)動(dòng)器和 SiC MOSFET 打開電源開關(guān)的大門
2023-01-03 09:45:06433 
開關(guān)過(guò)程中，穿越線性區(qū)（放大區(qū)）時(shí)，電流和電壓產(chǎn)生交疊，形成開關(guān)損耗。其中，米勒電容導(dǎo)致的米勒平臺(tái)時(shí)間，在開關(guān)損耗中占主導(dǎo)作用。
2023-01-17 10:21:00978 通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?目前ROHM有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的封裝包括TO-247-4L和TO-263-7L兩種。
2023-02-09 10:19:20540 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具備驅(qū)動(dòng)器源極引腳，可以消除VLSOURCE對(duì)VGS_INT的影響。?具備驅(qū)動(dòng)器源極引腳，可以提高導(dǎo)通速度。
2023-02-09 10:19:20405 
通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的...
2023-02-09 10:19:20335 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?由于具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L封裝和不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝的引腳分配不同，因此在圖案布局時(shí)需要注意。
2023-02-09 10:19:21356 
－接下來(lái)，請(qǐng)您介紹一下驅(qū)動(dòng)器源極引腳是如何降低開關(guān)損耗的。首先，能否請(qǐng)您對(duì)使用了驅(qū)動(dòng)器源極引腳的電路及其工作進(jìn)行說(shuō)明？Figure 4是具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路示例。
2023-02-16 09:47:49457 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來(lái)的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開關(guān)損耗也可以說(shuō)是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28496 
MOSFET的柵極電荷（米勒電容）以及控制IC的驅(qū)動(dòng)能力。本應(yīng)用筆記將詳細(xì)分析導(dǎo)通開關(guān)損耗以及選擇開關(guān)P溝道MOSFET的標(biāo)準(zhǔn)。
2023-03-10 09:26:35557 
場(chǎng)效應(yīng)管？
選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器來(lái)匹配 MOSFET 對(duì)于設(shè)計(jì)最佳系統(tǒng)至關(guān)重要。錯(cuò)誤的選擇會(huì)不必要地增加 MOSFET 的開關(guān)損耗，從而降低系統(tǒng)效率。但也是一個(gè)錯(cuò)誤的選擇會(huì)大大增加噪聲，可能會(huì)增加VS下沖、HO或LO尖峰，并且在極端，導(dǎo)致?lián)舸瑩p壞 MOSFET 和
2023-07-24 15:51:430 同步buck電路的mos自舉驅(qū)動(dòng)可以降低mos的開關(guān)損耗嗎？ 同步buck電路的MOS自舉驅(qū)動(dòng)可以降低MOS的開關(guān)損耗 同步Buck電路是一種常見的DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器，它具有高效、穩(wěn)定、可靠的特點(diǎn)
2023-10-25 11:45:14523 使用SiC MOSFET時(shí)如何盡量降低電磁干擾和開關(guān)損耗
2023-11-23 09:08:34333 
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