本文介紹了一種新穎的測量電路，以測量用于測量SiC MOSFET的實時或實際結溫。可以看出，出于訂購和處理數據或電流傳感器的目的，不需要本質上復雜的任何算法。
2021-04-23 11:28:32
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利用IGBT雙脈沖測試電路，改變電壓及電流測量探頭的位置，即可對IGBT并聯的續流二極管（下文簡稱FRD）的相關參數進行測量與評估。
2023-11-24 16:52:10521 
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
電阻低，通道電阻高，因此具有驅動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導通電阻與Vgs的關系。導通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
。SiC-MOSFET體二極管的正向特性下圖表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中，以源極為基準向漏極施加負電壓，體二極管為正向偏置狀態。該圖中Vgs＝0V的綠色曲線基本上表示出體
2018-11-27 16:40:24
”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結構，不過目前ROHM已經開始量產特性更優異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續進行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
的小型化。 另外，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動，從而也可以實現無源器件的小型化。 與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優勢在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動，從而也可以實現無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優勢在于芯片面積小（可實現小型封裝），而且體
2019-04-09 04:58:00
減小，所以耐受時間變長。另外，Vdd較低時發熱量也會減少，所以耐受時間會更長。由于關斷SiC-MOSFET所需的時間非常短，所以當Vgs的斷路速度很快時，急劇的dI/dt可能會引發較大的浪涌電壓。請使用
2018-11-30 11:30:41
的概述和應掌握的特征 性能評估事例的設計目標和電路使用評估板進行性能評估測量方法和結果重要檢查點MOSFET的VDS和IDS、輸出整流二極管的耐壓變壓器的飽和Vcc電壓輸出瞬態響應和輸出電壓上升波形溫度
2018-11-27 16:38:39
`請問：圖片中的紅色白色藍色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個東西？抗干擾或散熱嗎？這是個SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
MOSFET能夠在1/35大小的芯片內提供與之相同的導通電阻。其原因是SiC MOSFET能夠阻斷的電壓是Si MOSFET的10倍，同時具備更高的電流密度和更低的導通電阻，能夠以更快速度（10 倍）在導
2019-07-09 04:20:19
的，但簡潔性和設計優雅在工程領域被低估了。SemiSouth還有一個常關JFET，但事實證明它的批量生產太難了。今天，USCi，Inc。提供一種正常的SiC JFET，它采用共源共柵配置的低壓硅
2023-02-27 13:48:12
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時間短于IGTB的短路耐受時間，也可以通過集成在柵極驅動器IC中的去飽和功能來保護SiC
2019-07-30 15:15:17
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動，從而也可以實現無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優勢在于芯片面積小（可實現小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
SiC-MOSFET的構成中，SiC-MOSFET切換（開關）時高邊SiC-MOSFET的柵極電壓產生振鈴，低邊SiC-MOSFET的柵極電壓升高，SiC-MOSFET誤動作的現象。通過下面的波形圖可以很容易了解這是
2018-11-30 11:31:17
極-源極電壓振鈴。將柵極驅動放置在緊鄰 SiC MOSFET 的位置，以最小的走線長度將柵極回路電感降至最低。此外，這種做法還有助于使各并聯 MOSFET 設計之間的共源極電感保持恒定。以最小走線長
2022-03-24 18:03:24
的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。測量SiC MOSFET柵-源電壓：一般測量方法電源單元等產品中使用的功率開關器件大多都配有用來冷卻的散熱器，在測量器件引腳間的電壓時，通常是無法將電壓
2022-09-20 08:00:00
無源電壓探頭是示波器最常用的探頭。雖然其它專用探頭擴展了示波器作為測量系統的范圍和功能，但是通用的無源電壓探頭則作為示波器的工作端工具，每天都被工程師和技術人員所使用。經過兩年的用戶調查、設計創新
2017-12-13 11:52:06
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導體失效分析領域有多年工作經驗，熟悉MOSET各種性能和應用，掌握各種MOSFET的應用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
，以及源漏電壓進行采集，由于使用的非隔離示波器，就在單管上進行了對兩個波形進行了記錄：綠色：柵極源極間電壓；黃色：源極漏極間電壓；由于Mosfet使用的SiC材料，通過分析以上兩者電壓的導通時間可以判斷出
2020-06-07 15:46:23
。補充一下，所有波形的測試是去掉了鱷魚夾，使用接地彈簧就近測量的，探頭的***擾情況是很小的。最后，經過了半個小時的帶載實驗，在自然散熱的情況下，測量了SIC-MOSFET的溫度：圖9 溫度測量對于
2020-06-10 11:04:53
SIC加裝了散熱片：最后，焊接到板子上：注意：加裝散熱片時，因為底部位置有走線和元器件，散熱片應預留一定的高度，避免短路。評估板硬件準備完成，接來了做簡易的波形測量。通過使用說明書可知，這個評估板的PWM
2020-05-09 11:59:07
;Reliability (可靠性) " ，始終堅持“品質第一”SiC元器有三個最重要的特性：第一個高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對應
2020-07-16 14:55:31
和更快的切換速度與傳統的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅動在設計過程中必須仔細考慮需求。本應用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅動IC時的關鍵參數。
2023-06-16 06:04:07
要充分認識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導通和關斷
2017-12-18 13:58:36
尖端和示波器輸入之間建立了一條電氣連接。為獲得可用的測量結果，把探頭連接到電路時，必須使其對電路操作的影響降到最小，探頭尖端的信號必須通過探頭頭部和電纜以足夠的保真度傳送到示波器的輸入。這三個
2017-07-27 09:46:48
性能如何？650V-1200V電壓等級的SiC MOSFET商業產品已經從Gen 2發展到了Gen 3，隨著技術的發展，元胞寬度持續減小，比導通電阻持續降低，器件性能超越Si器件，浪涌電流、短路能力、柵
2022-03-29 10:58:06
和 IEC61010-2-031應用相對低頻測量低頻計算機和電信測量電源低頻放大器P2220、P2221 無源電壓探頭P2220 和 P2221 200-MHz 無源電壓探頭允許使用位于探頭頭部的一個開關選擇 1X 或
2020-04-13 17:44:56
各位大神，可否用IR2113 驅動共源集MOSfet ,且mosfet關斷時，源集漏集電壓最高為700V。
2017-08-16 16:03:26
低壓共源共柵結構是什么？具有最小余度電壓的共源共柵電流源是什么？
2021-09-29 06:47:22
`出售全新泰克無源電壓探頭TPP0250示波器探頭同時回收示波器各型號 探頭收購 噪聲源【收購二手電子儀器儀表 】 聯系：***15920845969 Agilent 346A，Agilent
2020-03-13 17:57:26
比如，IRFP460，它的UGS(th)最小是2V，最大是4V，其特性曲線如下圖所示。那么它的柵源間的電壓要設置多大好呢？
2012-08-31 10:19:09
極驅動器的優勢和期望，開發了一種測試板，其中測試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標準電壓源驅動器也在另一塊板上實現，見圖3。 圖3.帶電壓源驅動器（頂部）和電流源驅動器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
如何用USB示波器及其無源探頭安全地測量220V交流電壓及其諧波失真
2016-05-07 15:38:04
如何用USB示波器及其無源探頭安全地測量220V交流電壓及其諧波失真
2016-09-21 19:52:12
如何用USB示波器及其無源探頭安全地測量220V交流電壓及其諧波失真（中文）
2016-03-10 14:50:01
康華光主編的模電中講到N型的增強型MOSFET、耗盡型MOSFET、JFET。關于漏極飽和電流的問題，耗盡型MOSFET、JFET中都有提到，都是在柵源電壓等于0的時候，而增強型MOSFET在柵源
2019-04-08 03:57:38
電源設計問題及其測量需求是什么？怎么消除電壓探頭和電流探頭之間的時間偏差？怎么消除探頭零偏和噪聲？
2021-05-08 06:47:53
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
使用各種不同的數字示波器進行相關電氣信號量的測量，測量的時候都需要與示波器相匹配的探頭，與示波器相匹配的探頭種類也非常多，包括無源探頭(包括高壓探頭，傳輸線探頭)、有源探頭（包括有源單端探頭、有源差
2017-12-13 11:48:36
在高度可靠、高性能的應用中，如電動/混合動力汽車，隔離柵級驅動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進，以及對GaN和SiC工藝技術的引進，現代功率轉換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
焊接到電路板上。最后，還必須考慮電流探頭的功能。某些電流探頭在示波器上讀取電壓，要求進行數學運算，把測量數據從伏特換算成安培。連接泰克示波器的泰克電流探頭把測量數據自動轉換成安培。泰克的多種電流探頭還提
2020-08-11 10:57:40
MOS的結構碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源區和P井摻雜都是采用離子注入的方式，在1700℃溫度中進行退火激活。一個關鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時有Si和C
2019-09-17 09:05:05
`海飛樂技術現貨替換IXFN50N120SIC場效應管制造商: IXYS 產品種類: MOSFET RoHS: 詳細信息 技術: SiC 安裝風格: SMD/SMT 封裝 / 箱體
2020-03-04 10:34:36
，在測量MOSFET的DS的電壓時候，要保證正確的測量方法。（1）如同測量輸出電壓的紋波一樣，所有工程師都知道，要去除示波器探頭的帽子，直接將探頭的信號尖端和地線接觸被測量位置的兩端，減小地線的環路
2023-02-20 17:21:32
MOSFET中的開關損耗為0.6 mJ。這大約是IGBT測量的2.5 mJ的四分之一。在每種情況下，均在 800 V、漏極/拉電流 10 A、環境溫度 150 °C 和最佳柵極-發射極閾值電壓下進行測試（圖
2023-02-22 16:34:53
探頭頭部實際上是一個線圈，這個線圈纏在磁芯上。當這個探頭頭部保持在指定方向及接近承載AC電流的導線時，探頭會輸出一個線性電壓，這一電壓與導線中電壓的比例是已知的。這種與電流有關的電壓可以在示波器上顯示
2017-08-30 15:43:48
直流電壓，那么1 MΩ的無源探頭基本就足夠了。然而如果是電源系統測試中經常要求測量的三相供電中的火線與火線，或者火線與零（中）線的相對電壓差，那么我們就需要用到差分探頭了。差分探頭無源探頭無源探頭是最常
2020-03-16 17:23:15
類測試場景下可以測量的最大電壓。而且這個電壓并不是一個恒定值。而是會隨著頻率的變化而變化。一般探頭會給出自己的電壓額定曲線，如下圖所示： 圖35、輸入電容 輸入電容就是從探頭的探頭頭部端測量出的電容
2020-02-14 12:16:38
探頭的結構形式大多數探頭由探頭頭部、探頭電纜、補償設備或其他信號調節網絡和探頭連接頭組成。如圖1所示。圖1 探頭的結構形式為進行示波器測量，必須先能夠在物理上把探頭連接到測試點。為實現這一點，大多數探頭
2009-02-10 20:58:40
低，可靠性高，在各種應用中非常有助于設備實現更低功耗和小型化。本產品于世界首次※成功實現SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
%的降額要求。另外，在測量MOSFET的DS的電壓時候，要保證正確的測量方法。（1）如同測量輸出電壓的紋波一樣，所有工程師都知道，要去除示波器探頭的帽子，直接將探頭的信號尖端和地線接觸被測量位置的兩端
2016-09-06 15:41:04
與Si-MOSFET的柵極驅動的不同之處。主要的不同點是SiC-MOSFET在驅動時的VGS稍高，內部柵極電阻較高，因此外置柵極電阻Rg需要采用小阻值。Rg是外置電阻，屬于電路設計的范疇。但是，柵極驅動電壓
2018-11-27 16:54:24
請問：驅動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
。高阻無源探頭中還有 2 個特殊的種類。一類是高壓探頭，其衰減比可達100:1 或 1000:1，所以測量電壓范圍很大；還有一類是 1:1 的探頭，即信號沒有衰減就進入示波器，由于不象 10：1
2018-04-02 09:17:49
，分為低頻探頭和高頻探頭，低頻探頭常見的帶寬在幾百KHz以下，高頻探頭帶寬一般在幾MHz以上。 AC電流探頭無源與有源的區別： AC無源探頭頭部實際上是一個線圈，這個線圈纏在磁芯上。當這個探頭頭部保持在指定方向及接近承載AC電流的導線時，探頭
2019-12-24 11:43:015937 P2221是200-MHz無源電壓探頭，允許使用位于探頭頭部的一個開關選擇1X或10X衰減，兼容MSO2000和DPO2000系列示波器。
2021-02-14 15:57:00620 有經驗的工程師都知道，如果我們要使用 數字示波器來進行電源測量的話，就必須先測量MOSFET開關器件漏極、源極間的電壓和電流，或IGBT集電極、發射極間的電壓。但是如果我們需要完成這一測試測量任務
2021-04-29 15:05:441036 為高共模電壓高壓差分信號，VGs2為低共模電壓低壓差分信號，VDS2為高壓對地信號。根據信號類型，VGs1、VDs1和 VGs2需采用差分探頭測量，VDS2既可采用高阻無源探頭測量，也可采用差分探頭測量
2021-09-27 08:51:15589 
建立的探頭模型和對暫態電壓精確測量實驗分析 1、實驗平臺 本文搭建了基于SiC MOSFET C3MO075120K的雙脈沖測試平臺，以驗證所建立的探頭模型和對暫態電壓精確測量所做的分析，實驗平臺
2022-03-31 17:32:27611 具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2022-06-08 14:49:532945 和 MOSFET。目前可提供擊穿電壓為 600 至 1,700 V、額定電流為 1 至 60 A 的 SiC 開關。這里的重點是如何有效地測量 SiC MOSFET。
2022-07-27 11:03:451512 
DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍，提供非常高的測量精度和豐富的連接方式，是GaN 和 SiC 器件測試的理想探頭。
2022-11-03 17:47:061121 特性和優點： 關鍵性能指標 500 MHz 探頭帶寬 探頭端部的輸入阻抗較大(10MQ，8pF) 10X衰減系數 300VCATII輸入電壓 易用性 緊湊型探頭頭部，適合探測小型幾何電路元件 探頭
2023-01-09 14:39:01367 
從本文開始，我們將進入SiC功率元器件基礎知識應用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開關元器件被廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22250 
在探討“SiC MOSFET：橋式結構中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結構和工作進行介紹，這也是這個主題的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
上一篇文章中，簡單介紹了SiC MOSFET橋式結構中柵極驅動電路的開關工作帶來的VDS和ID的變化所產生的電流和電壓情況。本文將詳細介紹SiC MOSFET在LS導通時的動作情況。
2023-02-08 13:43:23300 
本文的關鍵要點?通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負電壓浪涌，來防止SiC MOSFET的LS導通時，SiC MOSFET的HS誤導通。?具體方法取決于各電路中所示的對策電路的負載。
2023-02-09 10:19:16589 
本文的關鍵要點?具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20301 
通過驅動器源極引腳改善開關損耗本文的關鍵要點?具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝產品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的...
2023-02-09 10:19:20335 
本文的關鍵要點?如果將延長電纜與DUT引腳焊接并連接電壓探頭進行測量，在開關速度較快時，觀察到的波形會發生明顯變化。?受測量時所裝的延長電纜的影響，觀察到的波形會與真正的原始波形完全不同。
2023-02-09 10:19:21652 
本文的關鍵要點?探頭的連接方法會給波形測量結果帶來很大影響。?如果延長線較長，在柵極引腳和源極引腳與測量夾具之間形成的環路會導致觀察到的波形與真正的波形完全不同，因此，連接時要確保這個環路最小。
2023-02-09 10:19:22581 
本文的關鍵要點?在某些位置測量波形時，觀測到的波形可能與實際波形不同。?理想的做法是測量位置要應盡可能地靠近DUT，最好在引腳根部。
2023-02-09 10:19:22235 
關鍵要點 ?除了測量位置之外，探頭的安裝位置也很重要。 ?如果不慎將電壓探頭安裝在磁通量急劇變化的空間內，就會受到磁通量變化的影響，而體現在觀測波形上。 SiC MOSFET柵-源電壓測量 探頭頭部
2023-02-09 21:25:13561 驅動芯片，需要考慮如下幾個方面： 驅動電平與驅動電流的要求首先，由于SiC MOSFET器件需要工作在高頻開關場合，其面對的由于寄生參數所帶來的影響更加顯著。由于SiC MOSFET本身柵極開啟電壓較
2023-02-27 14:42:04
79 時，由于較高的 di/dt 與 du/dt 容易產生電壓電流尖峰、振蕩、上下管直通或超過負向安全電壓，干擾驅動電路輸出電壓等問題。因此為了保障 SiC MOSFET 安全可靠性的運行，需從驅動側對 S
2023-02-27 14:43:028 紹的需要準確測量柵極和源極之間產生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解，其實所講解的內容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2023-04-06 09:11:46731 
本文是“SiC MOSFET：柵極－源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結篇。介紹SiC MOSFET的柵極－源極電壓產生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對策、負電壓浪涌對策和浪涌抑制電路的電路板
2023-04-13 12:20:02814 示波器探頭是一種用于測量電路中電壓信號的工具，電壓量程是指探頭能夠測量的最大和最小電壓范圍。了解探頭的電壓量程，可以幫助我們在實際測量電路時進行選擇。以下是關于示波器探頭電壓量程的詳細解讀
2023-04-17 10:46:323863 
紹的需要準確測量柵極和源極之間產生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解，其實所講解的內容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2023-05-08 11:23:14644 泰克探頭是一種常用的測試工具，主要用于測量電流和電壓。它的操作方法簡單易懂，可以幫助用戶快速準確地測量電器設備中的電流和電壓，為維護和保養設備提供便利。下面詳細介紹一下泰克探頭的使用方法。
2023-05-23 11:00:19902 如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
2023-12-05 16:46:29483 
SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21439 
SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作
2023-12-07 14:34:17223 
示波器的測量范圍和分辨率。 示波器探頭包括探頭引線、接頭插頭、探頭底座和探頭頭部四個部分，探頭頭部是探測電壓波形信號的地方，探頭底座是連接示波器的地方，探頭引線將被測信號傳輸到探頭頭部，接頭插頭連接到被測電
2023-12-08 10:47:34469 MOSFET對驅動電路有一些基本要求，接下來將詳細介紹這些要求。 首先，SIC MOSFET對于驅動電路的電壓要求非常嚴格。由于SIC MOSFET的工作電壓通常在幾百伏特到數千伏特之間，因此驅動電路需要能提供足夠高的電壓以確保正常工作。此外，由于SIC MOSFET具有較高的耐壓能力
2023-12-21 11:15:49417 MOSFET的基本結構。SIC MOSFET是一種由碳化硅材料制成的傳導類型晶體管。與傳統的硅MOSFET相比，SIC MOSFET具有更高的遷移率和擊穿電壓，以及更低的導通電阻和開關損耗。這些特性使其成為高溫高頻率應用中的理想選擇。 SIC MOSFET在電路中具有以下幾個主要的作用： 1. 電源開關
2023-12-21 11:27:13687 示波器電流探頭可以測量多大電壓？ 示波器電流探頭是一種用于測量電流信號的工具，它可以將電流轉換為可觀測的電壓信號。然而，實際上示波器電流探頭并不能直接測量電壓，它只能間接測量電壓。 示波器電流探頭
2024-01-08 14:55:32347 普通探頭如何測量電壓？ 普通探頭是一種常見的電子測試工具，用于測量電壓。本文將詳盡、詳實、細致地講解普通探頭如何測量電壓的原理、使用方法、注意事項等方面的內容。 一、普通探頭的原理 普通探頭主要
2024-01-08 15:55:40357 示波器無源探頭的選擇方法及注意事項。 一、了解高頻示波器無源探頭的基本原理 高頻示波器無源探頭主要由探頭頭部、探頭引線和示波器連接線等組成。它是一種無源元器件，通過探頭頭部的尖端感應到被測電路上的信號，然后通過
2024-01-08 16:36:19500 探頭對測量可能引起的10種影響 ①探頭的帶寬對測量系統帶寬的影響：濾波效應 ②探頭自身的電路對被測電路特性的影響：負載效應/諧振效應 ③探頭高、低頻電容的補償效應 ④探頭的地線長短、地線的位置、形狀
2024-01-15 10:23:39100 
帶 寬 考 慮 因 素 帶寬是同時涉及探頭帶寬和示波器帶寬的測量系統問題。示波器的帶寬應超過要測量的信號的主要頻率，使用的探頭帶寬應等于或超過示波器的帶寬。 從測量系統角度看，實際問題是探頭頭部
2024-01-16 09:51:42210 
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