瑞薩電子宣布開發出了導通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時的標稱值）的600V耐壓超結（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，將從2012年9月開始樣品供貨。超結是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:02
1252 日本知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都)開發出耐壓40V的功率MOSFET ，最適合用于以工業設備和車載領域為中心的、輸入電壓24V的DC/DC轉換器。
2012-08-08 09:18:231141 基于超級結技術的功率MOSFET已成為高壓開關轉換器領域的業界規范。它們提供更低的RDS（on），同時具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結MOSFET出現之前
2017-08-25 14:36:2031083 
采用超級接面結構設計不僅可克服現有功率MOSFET結構的缺點，亦能達到低RDS(on)、低QG和低QGD等特性
2011-12-08 10:28:101661 
為主的高新技術企業，主要有高壓產品線超級結MOSFET、IGBT及功率模塊、SiC功率器件，以及中低壓產品線SGT MOSFET，產品廣泛覆蓋車規級、工業級和消費級等應用領域。 ? 在超級結MOSFET細分領域，2022年其超級結MOSFET產品銷售收入突破5億元，根據芯謀
2023-06-07 00:10:002138 
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
MOSFET耐壓為650V?？赡苡腥苏J為“那么，BD9G341AEFJ的80V耐壓是不是并不很高？”其實關鍵之處在于BD9G341AEFJ是作為“非隔離型DC/DC轉換器IC”實現80V高耐壓的。在DC
2018-12-05 10:07:06
柵極電壓來控制漏極電流，驅動電路簡單，需要的驅動功率小，開關速度快，工作頻率高，熱穩定性優于GTR，但其電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置?！ ?.功率MOSFET的結構
2019-06-14 00:37:57
系列為例，介紹trr的高速化帶來的優勢。高速trr SJ-MOSFET： PrestoMOS FN系列PrestoMOS是具備SJ-MOSFET的高耐壓、低導通電阻及低柵極總電荷量特征、且進一步實現了
2018-11-28 14:27:08
MOSFET管的耐壓在150左右，電流在80A左右，MOSFET管怎么選擇？什么型號的MOSFET管子合適。主要用在逆變器上面的。謝謝？？
2016-12-24 14:26:59
mosfet里的jte結終端拓展是什么意思？
2017-12-05 10:03:10
從本篇開始，介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率
2018-11-28 14:28:53
結構和溝槽結構的功率MOSFET，可以發現，超結型結構實際是綜合了平面型和溝槽型結構兩者的特點，是在平面型結構中開一個低阻抗電流通路的溝槽，因此具有平面型結構的高耐壓和溝槽型結構低電阻的特性。內建橫向
2018-10-17 16:43:26
為backup電源用的超級電容。它具有工作時間長，比電池的ESR低，小型化的特征，實現了在有限空間內安裝，高功率高輸出電力的功能。 應用于SSD、PLC等存儲備份以及通信設備的last gasp。(3
2022-05-24 10:21:08
高耐壓降壓型電源芯片ZCC2451完全替代MP2451 產品特點：230uA工作靜態電流3.3 V至36 V寬工作電壓范圍500mΩ的內部功率MOSFET2 MHz固定開關頻率無采樣電阻的精密電流限制> 90%的效率輸出從+ 0.8 V到0.8 x Vin可調低關機模式電流:
2019-12-11 13:53:20
4.2/4.3/4.35/4.4 5~200 1 NO 6.8 雙燈 DFN2*2-8 高耐壓，超薄，超小電流充電，電流精度高 1mA～200mA的超小容量鋰電充電XC3071 4.5~6 30
2021-12-24 22:12:23
上一篇介紹了近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產品定位，以及近年來的高耐壓Si-MOSFET的代表超級結MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）的概要
2018-12-03 14:27:05
本帖最后由 tmm0717 于 2021-5-21 17:51 編輯
1、產品型號：ETA4054-SOT23-52、應用產品：電子玩具、藍牙耳機、鋰電保護3、產品特點：高耐壓16V4、聯系：***
2021-05-21 17:47:35
高耐壓降壓型電源芯片ZCC2459完全替代MP2459產品特點：0.5A輸出峰值電流4.5V至60V寬工作電壓1Ω的內部功率MOSFET480KHz固定開關頻率 陶瓷輸出電容穩壓逐周期過流保護 熱關斷保護 > 90%的效率輸出從+ 0.81V到0.95Vin可調低關機模式電流:
2019-11-20 09:30:14
高耐壓降壓型電源芯片ZCC2459完全替代MP2459 產品特點：·0.5A輸出峰值電流·4.5V至60V寬工作電壓·1Ω的內部功率MOSFET·480KHz固定開關頻率 ·陶瓷輸出電容穩壓·逐周期
2019-11-14 16:39:17
高耐壓降壓型電源芯片fs2459完全替代MP2459產品特點：·0.5A輸出峰值電流·4.5V至60V寬工作電壓·1Ω的內部功率MOSFET·480KHz固定開關頻率·陶瓷輸出電容穩壓·逐周期過流
2022-01-03 06:38:42
高耐壓降壓型電源芯片ZCC2451完全替代MP2451 產品特點：230uA工作靜態電流3.3 V至36 V寬工作電壓范圍500mΩ的內部功率MOSFET2 MHz固定開關頻率無采樣電阻的精密電流限制> 90%的效率輸出從+ 0.8 V到0.8 x Vin可調低關機模式電流:
2019-11-12 13:35:56
高耐壓降壓型電源芯片ZCC2459完全替代MP2459 產品特點：0.5A輸出峰值電流4.5V至60V寬工作電壓1Ω的內部功率MOSFET480KHz固定開關頻率 陶瓷輸出電容穩壓逐周期過流保護 熱關斷保護> 90%的效率輸出從+ 0.81V到0.95Vin可調低關機模式電流:
2019-11-13 13:48:37
深圳市尊信電子技術有限公司，鈺泰、智融、賽芯等核心代理李先生：***號可免費拿樣品測試高耐壓BUCK芯片ETA2808，支持4.6-42V寬電壓輸入，足3A的輸出能力，可應用在車充、車載、無線充以及
2022-02-21 10:51:14
FP6291特征：1.高達12V的輸出電壓可調。2.PWM頻率可調：1.0MHz.3.反饋電壓及精度：0.6V（±2%）。4.內置0.22A功率MOSFET
2019-10-10 09:11:07
Q2的P-N結增加儲存電荷。在t4~t5時段，MOSFET Q1通道導通，流過非常大的直通電流，該電流由MOSFET Q2體二極管的反向恢復電流引起。這不是偶然的直通，因為高、低端MOSFET正常施加
2019-09-17 09:05:04
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統設計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
（規定自由電子的流動方向與電壓方向相反）。阻止的過程N的空穴流向P，P的自由電子流向N，這樣內電場減小，之前的擴散運動又加強了，反反復復最終達到平衡?！ ?PN結的特征是什么？ 1、 概述 PN結
2021-01-15 16:24:54
流向P，P的自由電子流向N，這樣內電場減小，之前的擴散運動又加強了，反反復復最終達到平衡。PN結的特征是什么？1、 概述PN結穩定之后，要想實現電流的流動必須外部施加電壓，打破內部的平衡，從而達到目的
2021-03-16 13:50:45
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-03-14 06:20:14
MOSFET－開關特性及其溫度特性所謂MOSFET－閾值、ID-VGS特性及溫度特性所謂MOSFET－超級結MOSFET所謂MOSFET－高耐壓超級結MOSFET的種類與特征所謂MOSFET－高速
2018-11-27 16:40:24
說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結構。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導通電阻，近年來超級結（Super Junction）結構的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
1. 器件結構和特征 Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）?！ GBT
2023-02-07 16:40:49
1. 器件結構和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-04-09 04:58:00
MOSFET所謂MOSFET－高耐壓超級結MOSFET的種類與特征所謂MOSFET－高速trr SJ-MOSFET : PrestoMOS ?同時具備MOSFET和IGBT優勢的Hybrid MOS發揮其特征
2018-11-27 16:38:39
介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。而SiC-SBD的特征是其不僅擁有優異的高速性還同時實現了高
2018-11-29 14:35:50
1. 器件結構和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-05-07 06:21:55
分類和特性肖特基勢壘二極管快速恢復二極管Si晶體管分類和特性高耐壓MOSFET晶體管的選擇方法選擇流程SOA、額定、溫度發揮其特征的應用事例Si二極管和MOSFET的種類非常多，耐壓和電流變動幅度也很大
2018-11-28 14:34:33
高耐壓降壓型電源芯片ZCC2451完全替代MP2451 產品特點：·230uA工作靜態電流·3.3 V至36 V寬工作電壓范圍·500mΩ的內部功率MOSFET·2 MHz固定開關頻率·無采樣電阻的精密電流限制·> 90%的效率·輸出從+ 0.8 V到0.8 x Vin可調·低關機模式電流:
2019-11-18 13:55:51
所決定，因此基本上都是一樣的?？梢韵胍姡还茉趎區和p區之間的半導體狀況怎樣（是否有本征半導體或者有高阻半導體），只要是電荷耗盡的勢壘區，就構成pn結，它的勢壘高度就都基本上由兩邊的n型和p型半導體
2013-05-20 10:00:38
：125A內阻小多個管子并聯耐壓很難做高高壓：310V電流：9.7A 耐壓高多個管子串聯內阻必然大所以根據上面分析，得出一個結論：高壓MOSFET，Rdson大；低壓MOSFET，Rdson小。MOSFET
2021-05-07 10:11:03
一個超級的A D庫，，包含各種各樣的封裝庫，種類豐富，資料齊全！！！
2017-08-01 20:14:00
范圍對應著三種不同驅動電壓類型的功率MOSFET，下面就來認識這三種類型的功率MOSFET。1、功率MOSFET驅動電壓類型1.1 通用驅動的功率MOSFET功率MOSFET的柵極氧化層厚度和溝道摻雜
2019-08-08 21:40:31
基于超級結技術的功率MOSFET已成為高壓開關轉換器領域的業界規范。它們提供更低的RDS(on)，同時具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結MOSFET出現之前
2017-08-09 17:45:55
x 6.0 x 1.0mm）－我曾認為既然稱作高耐壓產品是不是因為有什么特別之處，但其實它的構成非常簡單啊。一般高耐壓的DC/DC轉換器多采用外置高耐壓MOSFET的電路結構來實現高耐壓，但
2018-12-05 10:00:48
達50~60mΩ。實際上對于高壓的管子來說，之所以能抗這么高的耐壓，內部是很多個小MOSFET串聯在一起的，所以電阻會有點大的。我們看一個管子，第一看耐壓，其次看Id電流，第三看內阻Rdson，如果電流
2021-08-11 16:34:04
48V高耐壓BUCK芯片ETA2808，支持4.6-42V寬電壓輸入，足3A的輸出能力，可應用在車充、車載、無線充以及多串電池降壓等多種場合深圳市尊信電子技術有限公司：周志***歡迎行業客戶聯系
2022-01-17 15:39:51
/DC轉換器用IC等，500V以上的高耐壓品有很多。例如，ROHM內置MOSFET的AC/DC轉換器用IC的內置MOSFET的耐壓是650V。此外，通過將功率MOSFET外置的DC/DC轉換器控制器
2019-04-08 08:48:17
轉換器用IC的制造商有限，而且種類也并不是很多?！ D9G341AEFJ是作為功率開關內置額定80V/3.5A的N通道MOSFET的DC/DC轉換器用IC，僅需增加很少外置元器件，即可構建高性能的高耐壓
2018-10-19 16:47:06
用IC的制造商有限，而且種類也并不是很多。BD9G341AEFJ是作為功率開關內置額定80V/3.5A的N通道MOSFET的DC/DC轉換器用IC，僅需增加很少外置元器件，即可構建高性能的高耐壓DC
2018-12-04 10:10:43
功率三極管（GTR）來做比較的：優點—開關速度快、輸入阻抗高、驅動方便等；缺點—難以制成高電壓、大電流型器件，這是因為耐壓高的功率 MOSFET 的通態電阻較大的緣故。言歸正傳，下面來看看具體如何選型
2019-11-17 08:00:00
系列Hybrid MOS是同時具備超級結MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”）的高速開關和低電流時的低導通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時的低導通電阻這些優異特性的新結構MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
電機驅動市場特別是家電市場對系統的能效、尺寸和穩健性的要求越來越高?！ 闈M足市場需求，意法半導體針對不同的工況提供多種功率開關技術，例如， IGBT和最新的超結功率MOSFET?！ ”疚脑趯嶋H
2018-11-20 10:52:44
區寬度，高代表峰值電場Ec，輕摻雜情況下耗盡區寬度很大，峰值電場變小，要達到擊穿，外加電壓要加大。也就是說在低摻雜情況下擊穿電壓變大了。從上面的計算可以看出對于非穿通平行平面結，摻雜濃度越低，結的耐壓
2019-10-30 13:22:00
高耐壓降壓型電源芯片ZCC2451完全替代MP2451 產品特點：·230uA工作靜態電流·3.3 V至36 V寬工作電壓范圍·500mΩ的內部功率MOSFET·2 MHz固定開關頻率·無采樣電阻的精密電流限制·> 90%的效率·輸出從+ 0.8 V到0.8 x Vin可調·低關機模式電流:
2020-01-16 13:40:13
測量和校核開關電源、電機驅動以及一些電力電子變換器的功率器件結溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結溫，是一個不可或缺的過程，功率器件的結溫與其安全性、可靠性直接相關。測量功率器件的結溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
功率三極管（GTR）來做比較的：優點—開關速度快、輸入阻抗高、驅動方便等；缺點—難以制成高電壓、大電流型器件，這是因為耐壓高的功率 MOSFET 的通態電阻較大的緣故。言歸正傳，下面來看看具體如何選型
2019-11-17 08:00:00
ROHM一直專注于功率元器件的開發。最近推出并已投入量產的“SCT2H12NZ”，是實現1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現有650V與1200V的產品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-05 10:01:25
大于3MHz，因此高頻管和低頻管的界線已不那么明顯。 3 高、低頻小功率管高頻小功率三極管一般指特征頻率大于3MHz，功率小于1W的晶體三極管。主要使用于工作頻率比較高，功率不高于1W的放大電路，高頻
2018-01-31 10:14:10
。與MOSFET同樣能通過柵極電壓控制進行高速工作，還同時具備雙極晶體管的高耐壓、低導通電阻特征。工作上與MOSFET相同，通過給柵極施加電壓形成通道來流過電流。結構上MOSFET（以Nch為例）是相同N型的源極
2018-11-28 14:29:28
的復合結構。是為了利用MOSFET和雙極晶體管的優點而開發的晶體管。與MOSFET同樣能通過柵極電壓控制進行高速工作，還同時具備雙極晶體管的高耐壓、低導通電阻特征。 工作上與MOSFET相同，通過
2020-06-09 07:34:33
℃的工作溫度、漏極和源極不發生雪崩擊穿時，所能施加的最大的額定電壓，測試的電路如圖1所示。功率MOSFET的耐壓由結構中低摻雜層的外延層epi厚度N-決定。功率MOSFET的N+源極和P-體區形成的結
2023-02-20 17:21:32
、化學、機械方面穩定熱穩定性 ：常壓狀態下無液層，2000℃升華機械穩定性：莫氏硬度（9.3），可以媲美鉆石（10）化學穩定性 ：對大部分酸和堿具有惰性SiC功率元器件的特征SiC比Si的絕緣擊穿場強高約
2018-11-29 14:43:52
＜概要＞全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都）推出600V耐壓超級結 MOSFET“PrestoMOS”系列產品，在保持極快反向恢復時間（trr※1））的同時，提高設計靈活度，非常適用于
2020-03-12 10:08:31
＜概要＞全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都）推出600V耐壓超級結 MOSFET“PrestoMOS”系列產品，在保持極快反向恢復時間（trr※1））的同時，提高設計靈活度，非常適用于
2020-03-12 10:08:47
廣，不管是在居民區、商業區或是高速公路服務區，都能使用充電樁為新能源電動汽車便捷充電。安森德憑借在半導體功率器件和封裝領域的技術積累，研發出同類別性能優異的超級結MOSFET，具備更高性能、能效和更低
2023-06-13 16:30:37
的PN結承受高的漏極電壓。在高壓器件中絕大部分電壓由低摻雜的epi層來承受：厚的、低摻雜的epi層可以承受更高的擊穿耐壓，但是增加了導通電阻。在低壓器件中，P-體區摻雜程度和N-的epi層差不多，也可以
2016-09-06 15:41:04
=oxh_wx3、【周啟全老師】開關電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超結功率MOSFET技術白皮書資料來自網絡
2019-06-26 20:37:17
ROHM最近推出的“BD9G341AEFJ”，是內置80V高耐壓MOSFET的DC/DC轉換器IC。80V的耐壓是非隔離型DC/DC轉換器IC的業界頂級水平，在ROHM的目前產品陣容中，也是耐壓最高
2018-12-03 14:44:01
極電流，驅動電路簡單，需要的驅動功率小，開關速度快，工作頻率高，熱穩定性優于GTR， 但其電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置?！ 」β?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET的結構和工作原理 功率
2023-02-27 11:52:38
的方向，充分并迅速地了解供應商提供的仿真模型是否真實反映既定應用空間內的器件仍然是棘手的問題。
與競爭對手的模型不同，Fairchild的超級結MOSFET和IGBTSPICE模型基于一個物理可擴展模型
2019-07-19 07:40:05
功率MOSFET的種類
按導電溝道可分為P溝道和N溝道 耗盡型——當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道 增強型—
2009-04-14 22:08:473906 
試驗方法很簡單：把電容串聯一個電阻，再直接接到耐壓儀輸出端，開啟耐壓儀，慢慢升電壓，耐壓儀報警（電容擊穿）時的電壓，就是電容的耐壓值。
2017-10-31 11:09:364543 為驅動快速開關超級結MOSFET，必須了解封裝和PCB布局寄生效應對開關性能的影響，以及為使用超級結所做的PCB布局調整。主要使用擊穿電壓為500-600V的超級結MOSFET。在這些電壓額定值
2019-05-13 15:20:231240 
電容的參數包括電容的容值、耐壓、工作溫度、公差、尺寸等等。我們選擇電容不單止考慮電容的種類，還需要關注電容的各種參數，如果僅僅是耐壓不一樣，高耐壓替代低耐壓是沒有問題的。
2020-02-12 19:26:5910724 日本知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）面向服務器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉換器，開發出了功率MOSFET。
2020-11-04 11:22:00678 交流耐壓是在比運行條件更加嚴格的試驗。是一種破壞性試驗，是鑒定電力絕緣強度最有效和最直接的方法。因此，在進行耐壓之前，必須先 進行絕緣電阻、泄漏電流、介損試驗、絕緣油等非破壞性試驗。合格后才可進
2021-09-26 10:05:312797 超級結又稱超結，是制造功率場效應晶體管的一種技術，其名稱最早岀現于1993年。傳統高壓功率MOSFET的擊穿電壓主要由n型外延層和p型體區形成的pn結耗盡區的耐壓決定，又因p型體區摻雜濃度較高，耗盡區承壓主要在外延n-層。
2022-09-13 14:38:575464 NGTB20N60L2TF1G 應用筆記 [與超級結 MOSFET 的比較]
2022-11-15 19:25:27
0 放眼國內外，現階段1000V及以上超高耐壓大電流MOSFET幾乎被進口品牌壟斷，且存在價格高，交付周期長等弊端。對此維安(WAYON)面向全球市場，對800V及以上超高壓MOS產品進行了大量
2023-01-06 12:43:45853 
近年來超級結（Super Junction）結構的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，ROHM已經開始量產特性更優異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:19525 
從本篇開始，介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結MOSFET。功率晶體管的特征與定位：首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。
2023-02-10 09:41:00538 
ROHM推出內置耐壓高達80V的MOSFET的DC/DC轉換器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐壓是內置功率晶體管的非隔離型DC/DC轉換器IC的業界最高水平，在ROHM的DC/DC轉換器產品陣容中也是最高耐壓的機型。
2023-02-13 09:30:05387 
－ 您已經介紹過BM2Pxxx系列對高效率、低功耗、低待機功耗、小型這4個課題的貢獻，多次提到“因為內置超級結MOSFET，......”。接下來請您介紹一下超級結MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”）。
2023-02-17 11:37:15878 
使用的工藝技術不同結構也不同，因而電氣特征也不同。補充說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結構。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導通電阻，近年來超級結（Super
2023-02-23 11:26:58464 
功率 MOSFET 上電氣過載的故障特征-AN11243
2023-02-23 19:03:170 MOSFET的種類有哪些 1. Enhancement MOSFET（增強型MOSFET） 2. Depletion MOSFET（耗盡型MOSFET） 3. MOSFET
2023-06-02 14:15:36940 功率器件業務為主的高新技術企業，主要有高壓產品線超級結MOSFET、IGBT及功率模塊、SiC功率器件，以及中低壓產品線SGT MOSFET，產品廣泛覆蓋車規級、工業級和消費級等應用領域。 在超級結MOSFET細分領域，2022年其超級結MOSFET產品銷售收入突破5億元，根據芯
2023-06-08 07:45:021434 
。超結MOSFET兼具高耐壓特性和低電阻特性，對于相同的擊穿電壓和管芯尺寸，其導通電阻遠小于普通高壓VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速開關應用中。封裝特性美浦森S
2023-08-18 08:32:56513 
電感有耐壓值嗎？不同大小的電感的耐壓值會不會不同？ 電感器是一種能夠儲存電能的組件，根據材料的不同，電感器可以分為鐵芯電感器、空心電感器等多種類型。在電路中的使用，由于電源輸出的涉及到高壓、高電流
2023-10-24 10:04:481472 型晶體管，它屬于電壓控制型半導體器件。根據導電溝道類型和柵極驅動電壓的不同，可以分為N溝道-增強型MOSFET、N溝道-耗盡型MOSFET、P溝道-增強型MOSFET、P溝道-耗盡型MOSFET四種類型。
2023-11-07 14:51:15644 
【科普小貼士】MOSFET性能改進：超級結MOSFET（SJ-MOS）
2023-12-13 14:16:16411 
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