。 晶體管中的每個層都附有引線。由此產生的端子稱為發射極、基極和集電極。底座始終是中間層。 工作原理 晶體管基本上是一個電子開關。電源電壓和負載通過集電極和發射極端子接線。在沒有對基極端子施加電壓
2023-02-16 18:22:30
此代碼在MPLABX V4.05模擬器中失敗，但實際工作。有人知道為什么嗎？
2020-03-20 09:42:55
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請問對于這種多發射極或多集電極的晶體管時候該如何分析？按照我的理解，在含有多發射極或多集電極的晶體管電路時，如果多發射極或多集電極的每一極分別接到獨立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
: 2SD2673的規格書（記載了絕對最大額定值）例：瞬間超過絕對最大額定值的例子（不可使用）3. 是否在SOA范圍內？確認安全工作區域 (SOA *1) 1安全工作區域（SOA）表示晶體管可安全工作的區域
2019-05-05 09:27:01
安全工作區域 (SOA *1) 1安全工作區域（SOA）表示晶體管可安全工作的區域。不過，SOA只是關于1脈沖的數據，在脈沖反復混入時，需要所有脈沖都進入SOA范圍內，并且通過 "4. 確認
2019-04-15 06:20:06
晶體管參數測量技術報告摘 要晶體管的參數是用來表征管子性能優劣和適應范圍的指標，是選管的依據。為了使管子安全可靠的工作，必須注意它的參數。本文主要論述以AduC812為核心的晶體管參數測試系統，該系
2012-08-02 23:57:09
狀態），由于電荷的存儲效應，晶體管工作狀態的轉換將有幾個微妙（μs）的動作延遲，將該時間稱為“恢復時間”。在發射極連接繼電器線圈時需要注意線圈的反電動勢在晶體管開關電路中，如果連接的被控對象為電動機或
2017-03-28 15:54:24
晶體管圖示儀器是用來測量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實驗、教學和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實際特性，能更好的發揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
一、晶體管開關電路：是一種計數地接通-斷開晶體管的集電極-發射極間的電流作為開關使用的電路，此時的晶體管工作在截止區和飽和區。當需要輸出大的負載電流時，由于集電極電流(負載電流)是放大基極電流而來
2021-10-29 09:25:31
或FET電路的必要性 1．1．1 僅使用IC的場合 1．1．2 晶體管電路或FET電路的設計空間 1．2 晶體管和FET的工作原理 1．2．1 何謂放大工作 1．2．2 晶體管的工作原理 1．2．3
2009-11-20 09:41:18
等同hFE，甚至相差很大，所以不要將其混淆。β和hFE大小除了與晶體管結構和工藝等有關外，還與管子的工作電流（直流偏置）有關，工作電流IC在正常情況下改變時，β和hFE也會有所變化；若工作電流變得過小或
2018-06-13 09:12:21
是基于代表性的特性進行的，因此存在個別不吻合的內容。請理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結構、工作原理與代表性的參數如下。雙極晶體管（圖中以NPN為例）由PN結組成，通過在基極流過電流，而在集電極
2018-11-28 14:29:28
相對于晶體管的主要評估項目的特征。 對于各項目的評估是基于代表性的特性進行的，因此存在個別不吻合的內容。請理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結構、工作原理與代表性的參數如下。 雙極晶體管
2020-06-09 07:34:33
控制大功率現在的功率晶體管能控制數百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關有很多優點，主要是；(1)容易關斷，所需要的輔助元器件少，(2)開關迅速，能在很高的頻率下工作，(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
。 （3）微變等效電路只適用于低頻小信號放大電路，只能用來計算交流分量，不能計算總的瞬時值和靜態工作點。 （4）晶體管的輸入電阻 RbE（hie）一般可用下列近似公式進行估算： 式中 表示晶體管
2021-05-25 07:25:25
晶體管的電參數可分為哪幾種？晶體管的電參數在實際使用中有何意義？
2021-06-08 06:11:12
之間）和發射結（B、E極之間），發射結與集電結之間為基區。 根據結構不同，晶體管可分為PNP型和NPN型兩類。在電路圖形符號上可以看出兩種類型晶體管的發射極箭頭（代表集電極電流的方向）不同。PNP型
2013-08-17 14:24:32
在所有電源前加一負號即可得出相同的結論），即晶體管的兩個PN結均處于正偏狀態。由此可以得出晶體管飽和的定義：當晶體管的兩個PN結均處于正偏時，此晶體管就處于飽和狀態。在實際的放大應用中，如果放大電路
2012-02-13 01:14:04
1. 晶體管的結構及類型 晶體管有雙極型和單極型兩種，通常把雙極型晶體管簡稱為晶體管，而單極型晶體管簡稱為場效應管。 晶體管是半導體器件，它由摻雜類型和濃度不同的三個區（發射區、基區和集電區
2021-05-13 06:43:22
關于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負，由發射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
基區中由發射結逐漸流向集電結，形成集電極電流;最后，由于集電結處存在較大的反向電壓，阻止了集電區的自由電子向基區進行擴散，并將聚集在集電結附近的自由電子吸引至集電區，形成集電極電流。2.場效應晶體管
2016-06-29 18:04:43
利用半導體的特性，每個管子工作原理個不同，你可以找機電方面的書看 下圖中的S是指源極(Source)，D是指漏極(Drain)，G是柵極(Gate)。晶體管的工作原理其實很簡單，就是用兩個狀態表
2017-08-03 10:33:03
CH571F做AD時 用到內部1.05V 做基準電壓，手冊值給出 25℃的測試數據(1.035-1.065）)，請問,實際工作時 產品溫度范圍在零下30度~零上70度的范圍，這個溫度范圍內，芯片內部的ADC參考電壓的變化范圍是否也是（1.035-1.065之間呢）
2022-07-25 07:17:14
開是8只75A元件并聯，由于元件并聯工藝（焊接）的可靠性較差，使器件較比單一管芯的晶閘管在可靠性方面明顯降低。二. IGBT的擎住效應IGBT的簡化等效電路如圖3所示:其中的NPN晶體管和體區短路電阻
2018-10-17 10:05:39
tfe1 和tfe2 組成，如圖 2 － 58 所示IGBT 在關斷過程中，漏極電流的波形變為兩段。因為 MOSFET 關斷后，PNP 晶體管的存儲電荷難以迅速消除，造成漏極電流較長的尾部時間， td
2018-10-18 10:53:03
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達系統的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內運行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
LLC為什么不能工作在容性區？
2023-08-01 11:05:59
文章，這么看來，也不算是巧合）之外，我被問到的最多的問題可能就是安全工作區 (SOA) 曲線了。這是一片需要某些技巧和手段才能完全了解的地帶，這是因為每個供應商都有各自生成SOA曲線的方法，并且在提供有
2018-09-05 15:37:29
頻率范圍內的線性大信號輸出級。產品型號：MRF154產品名稱：射頻晶體管MRF154產品特性N溝道增強型MOSFET指定的50伏特，30兆赫的特性-輸出功率＝600瓦，功率增益＝17分貝（Typ），效率
2018-08-07 17:17:34
NPN晶體管排列和符號在解釋原理之前，我們先來了解一下NPN晶體管的基本結構和符號。要識別NPN晶體管引腳，它將是集電極（c），基極（b）和發射極（e）。圖1.NPN 晶體管結構和符號NPN晶體管由
2023-02-08 15:19:23
NPN晶體管的b處沒有電壓輸入時，c和e之間沒有電流流動，三極管處于截止狀態。在圖（b）中，當正電壓輸入到NPN晶體管的b時，e的N區的負電子被b中P區的正電子吸引。 由于發電廠的作用，它們沖向（擴散
2023-02-15 18:13:01
一、引言PNP 晶體管是雙極結型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結構。在PNP晶體管結構中，兩個PN結二極管相對于NPN晶體管反轉，使得兩個P型摻雜半導體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
能夠在高輸出功率電平下承受嚴苛的負載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當晶體管工作在負載失配狀態下時，它的輸出功率有很大一部分會被反射進器件，此時功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時，重要的是檢查不同器件制造商達到其耐用性結果的條件，因為不同制造商的測試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
。晶體管作為一種可變開關，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關，和一般機械開關（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關速度可以非常之快，在實驗室中
2010-08-13 11:36:51
的必要性晶體管和FET的工作原理晶體管和FET的近況第二章 放大電路的工作觀察放大電路的波形放大電路的設計放大電路的性能共發射極應用電路第三章 增強輸出的電路觀察射極跟隨器的波形電路設計射極跟隨器的性能射極
2017-07-25 15:29:55
利用半導體的特性，每個管子工作原理個不同，可以找機電方面的書看下圖中的S是指源極(Source)，D是指漏極(Drain)，G是柵極(Gate)。晶體管的工作原理其實很簡單，就是用兩個狀態表示二進制
2017-09-12 11:10:57
、阻抗測試儀等)進行測量。下面介紹一種用普通測量儀器測量射頻功率管在實際工作條件下的輸入輸出阻抗的方法。
2019-06-04 08:21:06
在功率半導體中，設計工程師使用安全工作區（SOA）來確定是否可以安全地操作器件，如功率金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），二極管或絕緣柵雙極晶體管（ IGBT）在其應用中的電流和電壓
2019-07-30 22:47:52
按工作電壓的極性可分為NPN型或PNP型。》 雙極結型晶體管“雙極”意味著電子和空穴在工作的同時都在運動。雙極結型晶體管，又稱半導體三極管，是通過一定工藝將兩個PN結組合在一起的器件。PNP和NPN有
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
功率晶體管的功率適用范圍為什么是由它的安全工作區（SOA）來決定的？影響SOA功耗及散熱器的因素有哪些？你知道功率放大器的使用極限在哪里嗎？
2021-04-14 06:38:16
全工作頻率范圍內的運放共模抑制比如何測試？
2023-11-17 09:17:54
的規則，則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實際上是兩個背靠背連接的二極管，基極用作公共連接。PNP 結點如何工作？PNP晶體管是由夾在兩個P型半導體之間的N型半導體組成的雙極結型晶體管
2023-02-03 09:45:56
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關時間短、通態壓降低、高頻特性好、安全工作區寬等優點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發展。—、結構特性1、結構原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關時間短、通態壓降低、高頻特性好、安全工作區寬等優點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發展。—、結構特性1、結構原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
、功率MOSFET實際工作條件在實際的工作中，功率MOSFET的TC的溫度，也就是器件下面銅皮的溫度，絕對不可能為25℃，通常遠遠高于25℃，有些應用達到100-120℃，一些極端的應用甚至會更高，這樣
2016-10-31 13:39:12
導電，故稱為單極型晶體管。 單極型晶體管的工作原理 以N溝道增強型MOS場效應管為例說明其工作原理。N溝道增強型MOS管的結構模型如圖1所示，它由兩個背靠背的PN結組成。 圖2是實際結構
2020-06-24 16:00:16
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態下，基極-發射極結（稱這個PN結為“發射結”）處于正向偏置狀態，而基極-集電極（稱這個PN結為“集電結”）則處于反向偏置狀態。
2019-09-26 09:00:23
`在電子元器件行業，場效應晶體管一直被譽為開關電路的“神器”，那是因為場效應晶體管具有噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成等優點，所以在開關電路中迅速走紅， 可是一提起場效應晶體管在電路中的有何特別
2019-04-16 11:22:48
僅是由多數載流子參與導電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點
2011-12-19 16:30:31
場效應晶體管（英語：field-effecttransistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應控制電流的電子元件。它依靠電場去控制導電溝道形狀，因此能控制半導體材料中某種類型載流子的溝道的導電性
2019-05-08 09:26:37
僅是由多數載流子參與導電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
2021-05-24 06:27:18
區域，而粉紅色陰影區域表示截止區域。 圖1. 晶體管工作區 這些區域定義為： ? 飽和區域。 在這個區域，晶體管將偏置最大基極電流，用于在集電極上實現最大電流，在集電極-發射極處實現最小壓降
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
嗨，我已經使用ADS 2009很長一段時間了，現在正考慮換到新版本。在ADS2012版本中找到真正的晶體管模型時遇到了問題。我曾經通過元件列表訪問2009版的實際晶體管模型，例如晶體管2N2222A
2019-02-26 07:19:08
和耐用性，如果需要時還應進行不確定度評估。應用實驗數據真實地證明方法的適用性、準確性和靈敏性。 1. 非標方法的確認 在《實驗室資質認定評審準則》5.3.5條款中規定：實驗室自行制訂的非標方法，經確認后
2017-11-14 14:39:11
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
制的安全工作區縮小，所以在實際應用中需要用特定工作環境下的導通電阻限定安全工作區。同樣，ID(max)、VD(MAX)和PD(MAX)都需要根據實際工作的環境條件進行降額和修正。SOA實測示波器
2020-04-22 07:00:00
各位前輩，請問關于晶閘管的安全工作區（SOA）應該怎么刻畫呢？
2017-06-20 15:40:06
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結構分類根據工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經構成
2019-05-05 01:31:57
引起的拉應力，限制垂直漏極 - 基板泄漏電流并防止導電Si襯底中的深度擊穿路徑，在兩者之間插入晶格緩沖層（圖2）。硅體和晶體管的有源頂側。 圖2.格緩沖區 該緩沖器在確定晶體管的關鍵可靠性特性中起著
2023-02-27 15:53:50
輸出LLC轉換器，以進行效率和功率密度比較。初級晶體管選擇LLC具有多種優勢，因為它具有完全諧振行為，允許在整個范圍內進行軟開關導通，這本質上有助于最大限度地減少功率晶體管和磁性元件的損耗。在圖2中
2023-02-27 09:37:29
求大佬分享一款適用于激光及MRI的寬帶LDMOS晶體管
2021-06-08 06:29:42
。在數字設備中，肯定會使用大規模集成電路，所以不會采用電子管。 通過以上的內容可以看到，電子管與晶體管在結構與工作方式上都存在著較大的區別，這就導致了兩者在應用范圍上的不同，顯然適應性更加廣泛的晶體管將逐漸取代傳統電子管是必然的發展方向，但在某些特定的設計或者場合中仍需使用電子管。
2016-01-26 16:52:08
電路仿真正常，可是實際工作輸出總是0vb點總是有負0.5v電壓。請高手幫助分析下
2018-08-18 11:58:22
高壓發生器的方法，又具有功率晶體管GP通態電壓低、耐壓高和電流容量大的優點，為電壓控制通斷的自關斷器件，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于數十kHz頻率范圍內，功率元件IGBT
2018-11-27 11:04:24
個寄生的晶體管，當IC大到一定程度，寄生晶體管導通，柵極失去控制作用。此時，漏電流增大，造成功耗急劇增加，器件損壞。安全工作區隨著開關速度增加將減小。 （6）柵極偏置電壓與電阻
2009-05-12 20:44:23
所需的組件，降低系統成本，提高可靠性。 英飛凌新型功率晶體管PTVA127002EV非常適用于空中交通管制應用和氣象觀察應用的L波段雷達系統。雷達系統在特定頻率范圍內發射高能電子脈沖，然后檢測脈沖
2018-11-29 11:38:26
`一、場效應晶體管選擇的重要性隨著電子產品更新換代的速度，我們對電子產品性能的要求也越來越高，在一些電子產品的電路設計與研發中，不光是開關電源電路中，還有在便攜式電子產品的電路中都會用到場效應晶體管
2019-04-02 11:32:36
時，RC阻尼電路能夠一直晶體管集電極和發射極間出現的浪涌電壓。 3、充放電型RCD阻尼電路 圖三 圖三適用于帶有較窄反向偏置安全工作區的器件浪涌電壓一致。當晶體管關斷時，電容C通過二極管被充電
2020-11-26 17:26:39
`在傳統MOSFET中，載流子從源極越過pn結勢壘熱注入到溝道中。而隧穿場效應晶體管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是帶間隧穿
2018-10-19 11:08:33
中，電阻大的一次，紅表筆接的就是B1極。應當說明的是，上述判別B1、B2的方法，不一定對所有的單結晶體管都適用，有個別管子的E--B1間的正向電阻值較小。不過準確地判斷哪極是B1，哪極是B2在實際
2013-05-27 15:23:44
工業企業能源計量工作確認規范 DB37/ 810－2007范圍本標準規定了工業企業能源計量工作確認規范的術語和定義、確認要求、確認管理、確認活動、考評員資格。本標準適用于
2008-11-06 16:36:19
17 本文主要闡述了磁敏晶體管的工作原理及磁敏晶體管的特性。
2019-12-20 11:16:25
6592 
代碼版本控制對于我們嵌入式軟件開發崗是一項基礎、必備的技能，需要熟練掌握。實際工作中常用的版本控制系統有：Git（分布式版本控制系統）與SVN（集中式版本控制系統）。 本次分享Git在實際工作中
2020-09-14 18:12:282257 代碼版本控制對于我們嵌入式軟件開發崗是一項基礎、必備的技能，需要熟練掌握。實際工作中常用的版本控制系統有：Git（分布式版本控制系統）與SVN（集中式版本控制系統）。
2020-09-21 09:54:232869 
使晶體管工作會產生電氣負載和熱負載。對晶體管來講，負載太大壽命會縮短，最壞的情況下會導致晶體管被破壞。 為防止這種情況，需要檢查實際使用狀態，并確認在使用上是否有問題。這里說明一下具體的判定方法
2021-08-18 09:18:201873 
從本章開始進入新篇章--“實際工作中的適用性確認”。在電路設計中，通常會基于電路要求，參考技術規格書的規格來選擇適合的晶體管。然而，實際試制后，非常有可能發生從電路圖無法預測的瞬態現象、超乎預期的波動、余量不足等問題。
2023-02-10 09:41:03167 
在本章中將介紹判斷所選的晶體管在實際工作中是否適用的方法和步驟。 本篇介紹右側流程圖的②確認在絕對最大額定值范圍內。
2023-02-10 09:41:03180 在本章中將介紹判斷所選的晶體管在實際工作中是否適用的方法和步驟。 本篇將介紹右側流程圖的④確認在使用環境溫度下降額的SOA范圍內。
2023-02-10 09:41:04217 在本章中介紹判斷所選的晶體管在實際工作中是否適用的方法和步驟。 本文將介紹右側流程圖的“⑥確認平均功耗在額定功率范圍內”。由于這一系列是以開關工作為前提介紹的，因此在第⑤步選擇的是“連續脈沖”。
2023-02-10 09:41:04166 在本章中介紹判斷所選的晶體管在實際工作中是否適用的方法和步驟。 本文將對雖然右側流程圖中沒有提及，但在下面項目中有的第⑦“確認芯片溫度”進行說明。
2023-02-10 09:41:04459 在本章中介紹了判斷所選的晶體管在實際工作中是否適用的方法和步驟。本文將進行最后的匯總。 前面按照右側流程圖及下列各項確認了所選晶體管在實工作條件下是否適用，以及是否是在確保充分的可靠性和安全的條件下工作。
2023-02-10 09:41:05173 今天，本文就和大家嘮一嘮IGBT的安全工作區，英文全稱safe operating area，簡稱SOA。顧名思義，也就是說只要使用的條件（電壓、電流、結溫等）不
超出SOA圈定的邊界，IGBT
2023-02-24 09:35:205 3. 是否在SOA范圍內？ 確認安全工作區域 （SOA *1） 1 安全工作區域（SOA）表示晶體管可安全工作的區域。 不過，SOA只是關于1脈沖的數據，在脈沖反復混入時，需要所有脈沖都進入SOA
2023-03-23 16:55:09739 
了解MOSFET安全工作區域SOA如果您想知道或擔心您的MOSFET在極端條件下或極端耗散情況下究竟能承受多少功率，那么您應該查看器件的SOA數據。在這篇文章中，我們將全面討論MOSFET數據表
2022-05-11 09:59:021108 
MOSFET安全工作區域SOA是啥?了解MOSFET安全工作區域SOA如果您想知道或擔心您的MOSFET在極端條件下或極端耗散情況下究竟能承受多少功率，那么您應該查看器件的SOA數據。在這
2023-05-09 09:47:03860
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