?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管中的每個層都附有引線。由此產生的端子稱為發射極、基極和集電極。底座始終是中間層。 工作原理 晶體管基本上是一個電子開關。電源電壓和負載通過集電極和發射極端子接線。在沒有對基極端子施加電壓
2023-02-16 18:22:30
嗨，我正在使用Planahead 14.6 - 來自Xilinx的人可以在OVERSAMPLE模式下確認Kintex-7中ISERDES原語的實際位順序輸出是什么嗎？我問的原因是，由于大多數這種
2020-08-14 08:00:57
此代碼在MPLABX V4.05模擬器中失敗，但實際工作。有人知道為什么嗎？
2020-03-20 09:42:55
（降額曲線）的示例。該曲線是表示在某環境溫度下IC可消耗多少功率的圖，表示IC芯片在不超出容許溫度的范圍內可消耗的功率。例如可考慮MSOP8的芯片溫度。該IC的保存溫度范圍為-55[℃]～150
2019-04-16 06:20:13
集電極電流Icq和管壓降Uceq基本不變，即Q點在晶體管輸出特性坐標平面中的位置基本不變，而且必須依靠Ibq的變化來抵消Icq和Uceq的變化。常用引入直流負反饋或溫度補償的方法使Ibq在溫度變化時產生
2021-12-21 10:30:00
應該會由提升，但實際上，高溫下，接收靈敏度反而降低了；相反，在低溫下，接收靈敏度反而更高，這個時什么原因？（其實對于集成的PA也有類似的現象，PA本身也是由一些基本的晶體管放大電路組成，對于晶體管來說
2020-06-17 19:57:49
關于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負，由發射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
是，最大輸出電流時產生0.2 V壓降。功率場效應管可以無需任何外接元件而直接并聯，因為其漏極電流具有負溫度系數。
1、晶體管的Vbe擴散現象是什么原理，在此基礎上為什么要加電阻？
2、場效應管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
下是否在下降的SOA范圍內？*1 按照使用環境溫度或因晶體管發熱溫度上升時的元件溫度來考慮。確認安全工作區域 (SOA) 2由于通常的安全工作區域 (SOA) 是在常溫 (25oC) 下的數據，所以
2019-04-15 06:20:06
晶體管圖示儀器是用來測量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實驗、教學和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實際特性，能更好的發揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
的hFE檔測量。測量時，應先將萬用表置于ADJ檔進行調零后，再撥至hFE檔，將被測晶體管的C、B、E三個引腳分別插入相應的測試插孔中（采用TO-3封裝的大功率晶體管，可將其3個電極接出3根引線后，再分
2012-04-26 17:06:32
或FET電路的必要性 1．1．1 僅使用IC的場合 1．1．2 晶體管電路或FET電路的設計空間 1．2 晶體管和FET的工作原理 1．2．1 何謂放大工作 1．2．2 晶體管的工作原理 1．2．3
2009-11-20 09:41:18
等同hFE，甚至相差很大，所以不要將其混淆。β和hFE大小除了與晶體管結構和工藝等有關外，還與管子的工作電流（直流偏置）有關，工作電流IC在正常情況下改變時，β和hFE也會有所變化；若工作電流變得過小或
2018-06-13 09:12:21
是基于代表性的特性進行的，因此存在個別不吻合的內容。請理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結構、工作原理與代表性的參數如下。雙極晶體管（圖中以NPN為例）由PN結組成，通過在基極流過電流，而在集電極
2018-11-28 14:29:28
相對于晶體管的主要評估項目的特征。 對于各項目的評估是基于代表性的特性進行的，因此存在個別不吻合的內容。請理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結構、工作原理與代表性的參數如下。 雙極晶體管
2020-06-09 07:34:33
控制大功率現在的功率晶體管能控制數百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關有很多優點，主要是；(1)容易關斷，所需要的輔助元器件少，(2)開關迅速，能在很高的頻率下工作，(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
。 （3）微變等效電路只適用于低頻小信號放大電路，只能用來計算交流分量，不能計算總的瞬時值和靜態工作點。 （4）晶體管的輸入電阻 RbE（hie）一般可用下列近似公式進行估算： 式中 表示晶體管
2021-05-25 07:25:25
晶體管的電參數可分為哪幾種？晶體管的電參數在實際使用中有何意義？
2021-06-08 06:11:12
在所有電源前加一負號即可得出相同的結論），即晶體管的兩個PN結均處于正偏狀態。由此可以得出晶體管飽和的定義：當晶體管的兩個PN結均處于正偏時，此晶體管就處于飽和狀態。在實際的放大應用中，如果放大電路
2012-02-13 01:14:04
關于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負，由發射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
之一，在重要性方面可以與印刷術，汽車和電話等的發明相提并論。晶體管實際上是所有現代電器的關鍵活動（active）元件。晶體管在當今社會的重要性主要是因為晶體管可以使用高度自動化的過程進行大規模生產的能力
2010-08-12 13:57:39
基區中由發射結逐漸流向集電結，形成集電極電流;最后，由于集電結處存在較大的反向電壓，阻止了集電區的自由電子向基區進行擴散，并將聚集在集電結附近的自由電子吸引至集電區，形成集電極電流。2.場效應晶體管
2016-06-29 18:04:43
溫度降額的計算 結點到表面的熱阻Rjc(℃/W) 10 開關管的最高工作溫度Tmax-spec(℃) 150 高溫測得的開關管表面溫度Tmax(℃) 81.8 89.8 開關管的實際溫度降額(%) 59.9
2011-06-10 10:20:45
ASEMI 整流橋GBPC3510壓降是在什么范圍內的？
2017-08-18 16:22:53
CH571F做AD時 用到內部1.05V 做基準電壓，手冊值給出 25℃的測試數據(1.035-1.065）)，請問,實際工作時 產品溫度范圍在零下30度~零上70度的范圍，這個溫度范圍內，芯片內部的ADC參考電壓的變化范圍是否也是（1.035-1.065之間呢）
2022-07-25 07:17:14
變化的β倍， 也就是說，電流變化放大了β倍，所以我們稱之為β晶體管的放大倍率（β一般遠大于1）。如果我們在基極和發射極之間增加一個變化的小信號，它會導致基極電流Ib的變化。Ib的變化被放大后，會導致
2023-02-08 15:19:23
晶體管是現代電子產品的基本組成部分之一。在二極管教程中，我們看到簡單的二極管由兩塊半導體材料組成，形成一個簡單的pn結。而晶體管是通過背靠背連接兩個二極管而形成的三端固態器件。因此，它有兩個PN結
2023-02-15 18:13:01
各位大俠及朋友： 小弟在最近工作中遇到一些問題，希望大家賜教 1、有一次新畫一塊板子，結果發現選取對象時，不能準確選取（有點像選取精度不精確），也就是：鼠標放在想選取的目標上點擊，卻選中旁邊的目標
2014-07-23 19:09:33
一、引言PNP 晶體管是雙極結型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結構。在PNP晶體管結構中，兩個PN結二極管相對于NPN晶體管反轉，使得兩個P型摻雜半導體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
能夠在高輸出功率電平下承受嚴苛的負載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當晶體管工作在負載失配狀態下時，它的輸出功率有很大一部分會被反射進器件，此時功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時，重要的是檢查不同器件制造商達到其耐用性結果的條件，因為不同制造商的測試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
德州儀器(TI)宣布推出一款準確度在+/-1℃范圍內的遠程結溫傳感器與本地溫度傳感器集成一體的器件——TMP411，用于監控CPU、微處理器、圖形處理單元與FPGA中的熱敏二極管。該器件的獨特
2018-12-03 10:41:26
的必要性晶體管和FET的工作原理晶體管和FET的近況第二章 放大電路的工作觀察放大電路的波形放大電路的設計放大電路的性能共發射極應用電路第三章 增強輸出的電路觀察射極跟隨器的波形電路設計射極跟隨器的性能射極
2017-07-25 15:29:55
工程設計人員提供參考，但是由于功率管參數的分散性和工作狀態(如工作頻率、溫度、偏置、電源電壓、輸入功率、輸出功率等)發生變化的情況下，手冊上的參數就和實際情況有很大的偏差。有時候為了降低產品的功耗，必須
2019-06-04 08:21:06
由BTI帶來的功耗降低是比較顯著的?！ ?b class="flag-6" style="color: red">在實際芯片測試中，使用5年后泄漏電流大約降低11%。實際的電子系統功耗降低能否達到期望的程度還不知道，但至少晶體管老化與功耗降低的關聯理論上是說得通的。這是
2017-06-15 11:41:33
在功率半導體中，設計工程師使用安全工作區（SOA）來確定是否可以安全地操作器件，如功率金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），二極管或絕緣柵雙極晶體管（ IGBT）在其應用中的電流和電壓
2019-07-30 22:47:52
按工作電壓的極性可分為NPN型或PNP型?！?雙極結型晶體管“雙極”意味著電子和空穴在工作的同時都在運動。雙極結型晶體管，又稱半導體三極管，是通過一定工藝將兩個PN結組合在一起的器件。PNP和NPN有
2023-02-03 09:36:05
法，使用氨而不是更常見的氮來減少氮化鎵晶體管在高溫退火過程中的表面損傷（見圖4）。我們通過優化離子能量、劑量、活化退火熱預算和金屬退火后熱預算，實現了注入區在良好歐姆接觸和方阻方面都有優良的結果（見表2
2020-11-27 16:30:52
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
功率晶體管的功率適用范圍為什么是由它的安全工作區（SOA）來決定的？影響SOA功耗及散熱器的因素有哪些？你知道功率放大器的使用極限在哪里嗎？
2021-04-14 06:38:16
效應。由于IDT效應在低電壓范圍內持續存在，我認為在virtex系列器件上執行相同的操作，但在xilinx論壇的一條消息中，提到在xilinx ISE中從sartan 6器件開始禁用降額選項。所以
2020-03-20 07:56:08
的規則，則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實際上是兩個背靠背連接的二極管，基極用作公共連接。PNP 結點如何工作？PNP晶體管是由夾在兩個P型半導體之間的N型半導體組成的雙極結型晶體管
2023-02-03 09:45:56
器件，又稱巨型晶體管或電力勗體管，簡稱GTR。它從本質上講仍是晶體管，因而工作原理與一般晶體管相同。但是，由于它主要用在電力電子技術領域，電流容量大，耐壓水平高，而且大多工作在開關狀態，因此其結構
2018-01-15 11:59:52
器件，又稱巨型晶體管或電力勗體管，簡稱GTR。它從本質上講仍是晶體管，因而工作原理與一般晶體管相同。但是，由于它主要用在電力電子技術領域，電流容量大，耐壓水平高，而且大多工作在開關狀態，因此其結構
2018-01-25 11:27:53
、功率MOSFET實際工作條件在實際的工作中，功率MOSFET的TC的溫度，也就是器件下面銅皮的溫度，絕對不可能為25℃，通常遠遠高于25℃，有些應用達到100-120℃，一些極端的應用甚至會更高，這樣
2016-10-31 13:39:12
的奧秘 降額曲線中就有一種常見的熱限值，該熱限值可以在大多數的功率模塊數據表中看到。降額曲線能夠顯示在不同環境溫度下可拉電流或功率的大小，同時仍然保持功率模塊在其溫度規格范圍內(通常低于125°C
2018-10-23 16:09:40
在燒寫程序時我們選定"Xtal(MHz)"的大小，但是不知道如何計算單片機的實際工作頻率還有一個問題就是：89c52的芯片支持6T/機器周期和12T/機器周期，但是咋樣才能知道自己學要的是6T還是12T？求大師賜教。。。。。。。。。。。
2012-07-20 21:38:57
如果平衡電阻與發射極串聯，則雙極晶體管（BJT）可以并聯連接。隨著溫度的升高，BJT通常會變得更具導電性。以下MMBT2222A數據表中的示例顯示了該器件的典型增益如何隨溫度在允許的工作范圍內變化而
2018-10-26 14:45:42
`在電子元器件行業，場效應晶體管一直被譽為開關電路的“神器”，那是因為場效應晶體管具有噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成等優點，所以在開關電路中迅速走紅， 可是一提起場效應晶體管在電路中的有何特別
2019-04-16 11:22:48
等于或大于1W、小于5W的晶體管被稱為中功率晶體管，將PCM等于或大于5W的晶體管稱為大功率晶體管。（三）頻率特性晶體管的電流放大系數與工作頻率有關。若晶體管超過了其工作頻率范圍，則會出現放大能力減弱
2012-07-11 11:36:52
區域，而粉紅色陰影區域表示截止區域?！ D1. 晶體管工作區 這些區域定義為： ? 飽和區域。 在這個區域，晶體管將偏置最大基極電流，用于在集電極上實現最大電流，在集電極-發射極處實現最小壓降
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
。晶體管的正確直流偏置還會通過使用兩個或四個電阻偏置網絡的實際偏置電路來建立其初始交流工作區域。在雙極型晶體管電路中， 對于NPN晶體管，Q點由（V CE，I C）表示， 對于PNP晶體管，Q點由
2020-11-12 09:18:21
嗨，我已經使用ADS 2009很長一段時間了，現在正考慮換到新版本。在ADS2012版本中找到真正的晶體管模型時遇到了問題。我曾經通過元件列表訪問2009版的實際晶體管模型，例如晶體管2N2222A
2019-02-26 07:19:08
) !important]④ 大氣溫度條件下，降額后在SOA范圍內嗎？ 是[color=rgb(69, 114, 193) !important]⑤ 單脈沖？1. 測定實際的電流、電壓波形確認電流
2019-05-05 09:27:01
和耐用性，如果需要時還應進行不確定度評估。應用實驗數據真實地證明方法的適用性、準確性和靈敏性。 1. 非標方法的確認 在《實驗室資質認定評審準則》5.3.5條款中規定：實驗室自行制訂的非標方法，經確認后
2017-11-14 14:39:11
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
放大電路實驗-實際使用（數字電源-信號源-示波器）教學放大電路實驗-實際使用（數字電源-信號源-示波器）
2021-12-30 08:05:16
℃，因此在實際設定和使用SOA時，一定要根據實際條件來對SOA限定條件進行修正和降額。例如，在不同的工作溫度、不同的脈沖電流或脈沖寬度條件下，RDS(ON)的值都會不同。在功率MOSFET的數據手冊中通常都
2020-04-22 07:00:00
)條件下，數字晶體管中流過的電流值定義為IO。如您所知，絕對最大額定值被定義為"不能同時提供2項以上"，僅用IC標記沒有問題，但結合客戶實際使用狀態，合并標記為IO。因此電路設計
2019-04-22 05:39:52
額定值，在不超過VIN(max)條件下，數字晶體管中流過的電流值定義為IO。如您所知，絕對最大額定值被定義為"不能同時提供2項以上"，僅用IC標記沒有問題，但結合客戶實際使用狀態，合并
2019-04-09 21:49:36
電容在波形上升、下降時基極電流變大，加速開關過程。在實際當中晶體管由截止狀態到導通狀態的時間也縮短了，仿真的結果稍有偏差。在實際應用中，加速電容的值要通過觀察開關波形來決定。加速電容是一種與減小R1值
2023-02-09 15:48:33
一般廠家的模塊電源都有幾個溫度范圍產品可供選用：商品級、工業級、軍用級等，在選擇模塊電源時一定要考慮實際需要的工作溫度范圍，因為溫度等級不同材料和制造工藝不同價格就相差很大，選擇不當還會
2021-11-17 08:28:02
，例如在線路浪涌的情況下，松下X-GaN器件的設計具有很大的漏極 - 源極擊穿極限。實際上，當前可用的符合600V操作的晶體管的靜態場依賴擊穿電壓在900V至1kV的范圍內（圖7）。作為副作用，它允許
2023-02-27 15:53:50
求大佬分享一款適用于激光及MRI的寬帶LDMOS晶體管
2021-06-08 06:29:42
。在數字設備中，肯定會使用大規模集成電路，所以不會采用電子管。 通過以上的內容可以看到，電子管與晶體管在結構與工作方式上都存在著較大的區別，這就導致了兩者在應用范圍上的不同，顯然適應性更加廣泛的晶體管將逐漸取代傳統電子管是必然的發展方向，但在某些特定的設計或者場合中仍需使用電子管。
2016-01-26 16:52:08
等同于沒有用處。降額曲線中就有一種常見的熱限值，該熱限值可以在大多數的電源模塊數據表中看到。降額曲線能夠顯示在不同環境溫度下可拉電流或功率的大小，同時仍然保持電源模塊在其溫度規格范圍內（通常低于125°C
2019-08-21 04:45:14
，該熱限值可以在大多數的電源模塊數據表中看到。降額曲線能夠顯示在不同環境溫度下可拉電流或功率的大小，同時仍然保持電源模塊在其溫度規格范圍內（通常低于125°C）。圖1所示為2A TPS82140
2022-11-11 06:24:12
因小失大?！ ∫弧㈦娫吹?b class="flag-6" style="color: red">工作溫度范圍和成本、可靠性問題 一般廠家的模塊電源都有幾個溫度范圍的產品可供選用：商品級、工業級、軍用級等，在選擇模塊電源時，一定要考慮實際需要的工作溫度范圍，因為溫度等級
2015-12-28 18:01:25
電路仿真正常，可是實際工作輸出總是0vb點總是有負0.5v電壓。請高手幫助分析下
2018-08-18 11:58:22
高壓發生器的方法，又具有功率晶體管GP通態電壓低、耐壓高和電流容量大的優點，為電壓控制通斷的自關斷器件，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于數十kHz頻率范圍內，功率元件IGBT
2018-11-27 11:04:24
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。一．絕緣柵雙極晶體管IGBT的工作原理： 半導體結構分析略。本講義附加了相關資料，供感興趣
2009-05-12 20:44:23
所需的組件，降低系統成本，提高可靠性?！ ∮w凌新型功率晶體管PTVA127002EV非常適用于空中交通管制應用和氣象觀察應用的L波段雷達系統。雷達系統在特定頻率范圍內發射高能電子脈沖，然后檢測脈沖
2018-11-29 11:38:26
，隨著前面三個簡單電路的分析，引出了在使用晶體管的過程中基本需要注意的幾個主要因素：hFE（ DC Current Gain）；IC（ Collector Current - Continuous
2016-06-03 18:29:59
，使場效應晶體管不會失效。就選擇場效應晶體管而言，必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓，即最大VDS。知道場效應晶體管能承受的最大電壓會隨溫度而變化這點十分重要。我們須在整個工作溫度范圍內測試電壓
2019-04-02 11:32:36
中，電阻大的一次，紅表筆接的就是B1極。應當說明的是，上述判別B1、B2的方法，不一定對所有的單結晶體管都適用，有個別管子的E--B1間的正向電阻值較小。不過準確地判斷哪極是B1，哪極是B2在實際使用
2013-05-27 15:23:44
代碼版本控制對于我們嵌入式軟件開發崗是一項基礎、必備的技能，需要熟練掌握。實際工作中常用的版本控制系統有：Git（分布式版本控制系統）與SVN（集中式版本控制系統）。 本次分享Git在實際工作中
2020-09-14 18:12:28
2257 代碼版本控制對于我們嵌入式軟件開發崗是一項基礎、必備的技能，需要熟練掌握。實際工作中常用的版本控制系統有：Git（分布式版本控制系統）與SVN（集中式版本控制系統）。
2020-09-21 09:54:232869 
使晶體管工作會產生電氣負載和熱負載。對晶體管來講，負載太大壽命會縮短，最壞的情況下會導致晶體管被破壞。 為防止這種情況，需要檢查實際使用狀態，并確認在使用上是否有問題。這里說明一下具體的判定方法
2021-08-18 09:18:201873 
從本章開始進入新篇章--“實際工作中的適用性確認”。在電路設計中，通常會基于電路要求，參考技術規格書的規格來選擇適合的晶體管。然而，實際試制后，非常有可能發生從電路圖無法預測的瞬態現象、超乎預期的波動、余量不足等問題。
2023-02-10 09:41:03167 
在本章中將介紹判斷所選的晶體管在實際工作中是否適用的方法和步驟。 本篇介紹右側流程圖的②確認在絕對最大額定值范圍內。
2023-02-10 09:41:03180 在本章中將介紹判斷所選的晶體管在實際工作中是否適用的方法和步驟。 本篇將介紹右側流程圖的③確認在SOA（安全工作區）范圍內。
2023-02-10 09:41:04348 在本章中介紹判斷所選的晶體管在實際工作中是否適用的方法和步驟。 本文將介紹右側流程圖的“⑥確認平均功耗在額定功率范圍內”。由于這一系列是以開關工作為前提介紹的，因此在第⑤步選擇的是“連續脈沖”。
2023-02-10 09:41:04166 在本章中介紹判斷所選的晶體管在實際工作中是否適用的方法和步驟。 本文將對雖然右側流程圖中沒有提及，但在下面項目中有的第⑦“確認芯片溫度”進行說明。
2023-02-10 09:41:04459 在本章中介紹了判斷所選的晶體管在實際工作中是否適用的方法和步驟。本文將進行最后的匯總。 前面按照右側流程圖及下列各項確認了所選晶體管在實工作條件下是否適用，以及是否是在確保充分的可靠性和安全的條件下工作。
2023-02-10 09:41:05173 1. 測定實際的電流、電壓波形 確認電流、電壓 用示波器確認晶體管上的電壓、電流。 需要全部滿足規格書上記載的額定值，特別應該確認下列項目。 特別應該確認的項目 晶體管的種類 電壓 電流 雙極晶體管
2023-03-23 16:52:27762 
3. 是否在SOA范圍內？ 確認安全工作區域 （SOA *1） 1 安全工作區域（SOA）表示晶體管可安全工作的區域。 不過，SOA只是關于1脈沖的數據，在脈沖反復混入時，需要所有脈沖都進入SOA
2023-03-23 16:55:09739 
看似簡單的光耦電路，實際使用中應該注意些什么？
2023-12-05 14:45:21219 
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