ROHM于2012年3月份于全球首家開始量產(chǎn)內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部由碳化硅組成的全SiC功率模塊。其后，產(chǎn)品陣容不斷擴(kuò)大，并擁有達(dá)1200V、300A的產(chǎn)品，各產(chǎn)品在眾多領(lǐng)域中被廣為采用。隨著新封裝的開發(fā)， ROHM繼續(xù)擴(kuò)充產(chǎn)品陣容，如今已經(jīng)擁有覆蓋IGBT模塊市場(chǎng)主要額定電流范圍100A～600A的全SiC模塊產(chǎn)品。利用這些模塊，可大幅提升普通同等額定電流IGBT模塊應(yīng)用的效率，并可進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)小型化。

封裝的內(nèi)部電感值大幅降低

電流額定較大的功率模塊中，封裝的寄生電感會(huì)導(dǎo)致開關(guān)時(shí)的浪涌電壓非常大。要實(shí)現(xiàn)全SiC功率模塊的大電流化，從最大限度地發(fā)揮SiC功率元器件的特點(diǎn)–高速開關(guān)性能的角度出發(fā)，也需要開發(fā)新型封裝，以降低這種寄生電感值，從而抑制浪涌電壓。

此次開發(fā)的G型新封裝，通過(guò)優(yōu)化內(nèi)置SiC元器件的配置、布線圖形及引腳結(jié)構(gòu)等，使封裝的內(nèi)部電感值比以往封裝降低了約23％，從而成功地使浪涌電壓比以往封裝降低27%，實(shí)現(xiàn)了額定電流400A和600A的全SiC功率模塊產(chǎn)品。不僅如此，在同等浪涌電壓條件下，利用新封裝還可以降低24%的開關(guān)損耗。

封裝的散熱性能大幅提升

要實(shí)現(xiàn)600A的大電流產(chǎn)品，不僅需要降低內(nèi)部電感值，還需要具備優(yōu)異的散熱性能。新產(chǎn)品通過(guò)提升對(duì)模塊散熱性能影響較大的基板部位的平坦性，使基板與外置散熱器或冷卻機(jī)構(gòu)間的熱阻降低了57%。

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全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容

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BSM080D12P2C008	1200	-6 ~22	80	175	-40 ~125	2500	25	C type 45.6 × 122 × 17mm	–
BSM120D12P2C005	120
BSM180D12P3C007	-4 ~22	180
BSM180D12P2E002	-6 ~22	180	13	E Type 62 × 152 × 17mm	○
BSM300D12P2E001	300
BSM400D12P3G002	-4 ~22	400	10	G Type 62 × 152 × 17mm
BSM600D12P3G001	600
產(chǎn)品名稱	絕對(duì)最大額定值	電感值 (nH)	封裝	熱敏電阻	內(nèi)部電路圖※
VDSS (V)	VGS (V)	ID(V) [Tc=60°C]	Tj max (°C)	Tstg (°C)	Visol(V) [AC?1min.]

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※產(chǎn)品陣容中還包括斬波型產(chǎn)品。

審核編輯?黃宇

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