IGBT單管是一種N溝道增強(qiáng)絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，N+區(qū)稱為源極區(qū)，連接到其上的電極稱為源極區(qū)。P+區(qū)域稱為漏極區(qū)。器件的控制區(qū)域是柵極區(qū)域，連接到其上的電極稱為柵極。通道緊鄰圍欄邊界形成。漏極和源極（形成溝道的地方）之間的P形區(qū)域（包括P+和P區(qū)域）被稱為子溝道區(qū)域。漏極區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏極注入?yún)^(qū)，這是IGBT的一個(gè)獨(dú)特功能區(qū)，漏極區(qū)和子溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，它起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，導(dǎo)電調(diào)制，并降低器件的導(dǎo)通電壓。連接到漏極注入?yún)^(qū)域的電極被稱為漏極。

　　IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動(dòng)、各種驅(qū)動(dòng)器保護(hù)電路、高性能IGBT芯片、新型封裝技術(shù)，從復(fù)合功率模塊PIM到智能功率模塊IPM、電力電子構(gòu)建模塊PEBB、功率模塊IPEM。

　　IGBT模塊可以看作是IGBT單管的功能改進(jìn)和升級(jí)。它們的應(yīng)用領(lǐng)域基本相同。然而，由于集成了各種驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路，IGBT模塊的安裝大大方便了用戶。隨著新封裝技術(shù)的采用，IGBT的性能也得到了極大的提高，拓展了IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域。

　　IGBT最常見(jiàn)的形式實(shí)際上是模塊，而不是單管。

　　模塊的3個(gè)基本功能：

　　1、多個(gè)芯片與金屬襯底絕緣；

　　2、中空塑料外殼包裝，與空氣隔離的材料是高壓硅脂或硅脂，以及其他可能的柔性絕緣材料；

　　3、同一制造商，同一技術(shù)系列產(chǎn)品，IGBT模塊的技術(shù)特點(diǎn)與相同規(guī)格的IGBT單管基本相同。

　　該模塊的主要優(yōu)點(diǎn)如下。

　　1、多個(gè)IGBT芯片并聯(lián)，IGBT的電流規(guī)格更大。

　　2、多個(gè)IGBT芯片根據(jù)特定的電路形式組合，如半橋、全橋等，可以降低外部電路連接的復(fù)雜性。

　　3、多個(gè)IGBT芯片位于同一金屬基板上，相當(dāng)于在獨(dú)立散熱片和IGBT芯片之間增加了一個(gè)蒸汽室，更可靠。

　　4、模塊內(nèi)的多個(gè)IGBT芯片由模塊制造商進(jìn)行篩選，與商用分立元件相比具有更好的參數(shù)一致性。

　　5、模塊中多個(gè)IGBT芯片之間的連接優(yōu)于多個(gè)分立單管的外部連接，電路布局更好，引線電感更小。

　　6、模塊的外部引線端子更適合于高電壓和高電流連接。同一制造商的同一系列產(chǎn)品，模塊的最高電壓等級(jí)通常會(huì)比IGBT單管高1-2級(jí)，如果單管產(chǎn)品的最高電壓規(guī)格為1700V，則模塊具有2500V、3300V甚至更高電壓規(guī)格的產(chǎn)品。

　　IGBT的核心技術(shù)是單管而不是模塊，而模塊實(shí)際上更像是組裝產(chǎn)品和模具的組合和組裝。換言之，IGBT單管是IGBT制造商的核心技術(shù)。

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　　審核編輯：郭婷