隨著終端應用電子架構復雜程度提升，硅基器件物理極限無法滿足部分高壓、高溫、高頻及低功耗的應用要求。近 20 多年來，以碳化硅(silicon ?carbide，SiC)為代表的寬禁帶半導體器件，受到了廣泛的關注。SiC中存在各種多型體(結晶多系)，它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適。SiC材料具有3倍于硅材料的禁帶寬度，10倍于硅材料的臨界擊穿電場強度，3倍于硅材料的熱導率，如圖1所示。因此 SiC功率器件在高頻、高壓、高溫等應用場合更具優勢，且有助于電力電子系統的效率和功率密度的提升。

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圖1?Si、GaN、SiC材料特性對比

SiC功率二極管有4種類型：PiN 二極管、肖特基二極管(Schottky Barrier ?Diode，SBD)，結勢壘肖特基二極管(Junction Barrier Schottky Diode，JBS)和混合式PIN-肖特基二極管。

如今-碳化硅二極管在各個領域的應用

1.太陽能逆變器

太陽能發電用二極管的基本材料，碳化硅二極管的各項技術指標均優于普通雙極二極管(silicon bipolar)技術。碳化硅二極管導通與關斷狀態的轉換速度非常快，而且沒有普通雙極二極管技術開關時的反向恢復電流。在消除反向恢復電流效應后，碳化硅二極管的能耗降低70%，能夠在寬溫度范圍內保持高能效，并提高設計人員優化系統工作頻率的靈活性。

2.新能源汽車充電器

碳化硅二極管通過汽車級產品測試，極性接反擊穿電壓提高到650V，能夠滿足設計人員和汽車廠商希望降低電壓補償系數 的要求，以確保車載充電半導體元器件的標稱電壓與瞬間峰壓 ，之間有充足的安全裕度 。二極管的雙管產品 ，可最大限度提升空間利用率，降低車載充電器的重量。

3.開關電源優勢

碳化硅的使用可以極快的切換，高頻率操作，零恢復和溫度無關的行為，再加我們的低電感RP包，這些二極管可以用在任向數量的快速開關二極管電路或高頻轉換器應用。

4.工業優勢

碳化硅二極管：重型電機、工業設備主要是用在高頻電源的轉換器上，可以帶來高效率、大功率、高頻率的優勢。
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區別

肖特基二極管和普通二極管是單向導電的，可用于整流電路。肖特基二極管與普通二極管的不同之處在于，普通二極管的耐壓可以做得更高，但恢復速度慢，只能用于低頻整流。如果頻率很高，則會發生反向泄漏，因為它無法快速恢復，導致管子嚴重發熱和燃燒。肖特基二極管通常耐受電壓低，但恢復速度快，可用于高頻應用。