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硅基氮化鎵用處

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2023-06-15 15:50:54

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2020-11-03 08:59:19

氮化GaN技術(shù)助力電源管理革新

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2018-11-20 10:56:25

氮化GaN接替支持高能效高頻電源設(shè)計方案

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2020-10-28 06:01:23

氮化一瓦已經(jīng)不足一元,并且順豐包郵?聯(lián)想發(fā)動氮化價格戰(zhàn)伊始。

技術(shù)迭代。2018 年,氮化技術(shù)走出實驗室,正式運用到充電器領(lǐng)域,讓大功率充電器迅速小型化,體積僅有傳統(tǒng)(Si)功率器件充電器一半大小,氮化快充帶來了充電器行業(yè)變革。但作為新技術(shù),當(dāng)時氮化
2022-06-14 11:11:16

氮化充電器

是什么氮化(GaN)是氮和化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,它與常用的屬于同一元素周期族,硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料,具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點,應(yīng)用在充電器方面,主要是集成氮化MOS管,可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58

氮化功率半導(dǎo)體技術(shù)解析

氮化功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
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2023-06-15 15:35:02

氮化功率芯片的優(yōu)勢

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2023-06-15 15:32:41

氮化發(fā)展評估

。氮化的性能優(yōu)勢曾經(jīng)一度因高成本而被抵消。最近,氮化憑借在氮化技術(shù)、供應(yīng)鏈優(yōu)化、器件封裝技術(shù)以及制造效率方面的突出進步成功脫穎而出,成為大多數(shù)射頻應(yīng)用中可替代砷化和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34

氮化場效應(yīng)晶體管與功率器件比拼之包絡(luò)跟蹤,不看肯定后悔

本文展示氮化場效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動器可容易地實現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46

氮化技術(shù)在半導(dǎo)體行業(yè)中處于什么位置?

從將PC適配器的尺寸減半,到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換,德州儀器為您的設(shè)計提供了氮化解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V,提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40

氮化技術(shù)推動電源管理不斷革新

。與典型的PN結(jié)MOSFET不同,GaN器件的雙向結(jié)構(gòu)可以使用雙柵結(jié)構(gòu)控制電流。用于電機驅(qū)動的矩陣轉(zhuǎn)換器可以通過利用雙向設(shè)備潛在地減少開關(guān)的數(shù)量。此外,氮化器件可以在比器件更高的溫度下工作,這使其成為
2019-03-14 06:45:11

氮化激光器的技術(shù)難點和發(fā)展過程

首先報道了基于氮化雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)、波長為402.5 nm的受激輻射。1996年日本日亞公司中村修二領(lǐng)導(dǎo)研制出世界上第一支GaN紫光激光器。從此,波長為405 nm的氮化紫光激光器的發(fā)展和應(yīng)用推動
2020-11-27 16:32:53

氮化電源設(shè)計從入門到精通的方法

氮化電源設(shè)計從入門到精通,這個系列直播共分為八講,本篇第六講將為您介紹EMC優(yōu)化和整改技巧,助您完成電源工程師從入門到精通的蛻變。前期回顧(點擊下方內(nèi)容查看上期直播):- 第一講:元器件選型
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射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來,橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變,氮化(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42

氮化能否實現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計?

GaN如何實現(xiàn)快速開關(guān)?氮化能否實現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計?
2021-06-17 10:56:45

氮化芯片未來會取代芯片嗎?

。 與芯片相比: 1、氮化芯片的功率損耗是芯片的四分之一 2、尺寸為芯片的四分之一 3、重量是芯片的四分之一 4、并且比解決方案更便宜 然而,雖然 GaN 似乎是一個更好的選擇,但它
2023-08-21 17:06:18

氮化與LDMOS相比有什么優(yōu)勢?

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2019-09-02 07:16:34

氮化在大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

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2014-01-24 16:08:55

GaN產(chǎn)品引領(lǐng)行業(yè)趨勢

不同,MACOM氮化工藝的襯底采用。氮化器件具備了氮化工藝能量密度高、可靠性高等優(yōu)點,Wafer可以做的很大,目前在8英寸,未來可以做到10英寸、12英寸,整個晶圓的長度可以拉長至2米
2017-08-29 11:21:41

AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化)的熱管理分析

AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化)的熱管理
2023-06-19 10:05:37

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CMPA801B025F氮化(GaN)高電子遷移率 基于晶體管

Cree的CMPA801B025是氮化(GaN)高電子遷移率基于晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。 氮化或砷化相比具有更好的性能,包括更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度
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ETA80G25氮化合封芯片支持90-264V輸入,支持27W功率輸出

深圳市尊信電子技術(shù)有限公司專業(yè)開發(fā)設(shè)計電子產(chǎn)品方案鈺泰,智融,賽芯微一級代理吉娜:*** 微信:mphanfan歡迎行業(yè)客戶聯(lián)系,獲取datasheet、報價、樣片等更多產(chǎn)品信息氮化技術(shù)的普及,使
2021-11-28 11:16:55

GaN功率半導(dǎo)體(氮化)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢介紹

GaN功率半導(dǎo)體(氮化)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46

IFWS 2018:氮化功率電子器件技術(shù)分會在深圳召開

功率氮化電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢,并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容,在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動機
2018-11-05 09:51:35

MACOM和意法半導(dǎo)體將氮化推入主流射頻市場和應(yīng)用

本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯 整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的氮化射頻功率技術(shù),瞄準(zhǔn)主流消費
2018-02-12 15:11:38

MACOM射頻功率產(chǎn)品概覽

MACOM六十多年的技術(shù)傳承,運用bipolar、MOSFET和GaN技術(shù),提供標(biāo)準(zhǔn)和定制化的解決方案以滿足客戶最嚴(yán)苛的需求。射頻功率晶體管 - 氮化 (GaN on Si)MACOM是全球唯一
2017-08-14 14:41:32

MACOM展示“射頻能量工具包”:將高性能、高成本效益的氮化射頻系統(tǒng)用于商業(yè)應(yīng)用

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2017-08-03 10:11:14

MACOM:氮化器件成本優(yōu)勢

不同,MACOM氮化工藝的襯底采用。氮化器件既具備了氮化工藝能量密度高、可靠性高等優(yōu)點,又比碳化硅氮化器件在成本上更具有優(yōu)勢,采用來做氮化襯底,與碳化硅氮化相比,氮化晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41

MACOM:GaN在無線基站中的應(yīng)用

。盡管以前氮化與LDMOS相比價格過高,但是MACOM公司的最新的第四代氮化技術(shù)(MACOM GaN)使得二者成本結(jié)構(gòu)趨于相當(dāng)?;?b class="flag-6" style="color: red">氮化的MAGb功率晶體管在2.6GHz頻段可提供高于70
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MACOM:適用于5G的半導(dǎo)體材料氮化(GaN)

的射頻器件越來越多,即便集成化仍然很難控制智能手機的成本。這跟功能機時代不同,我們可以將成本做到很低,在全球市場都能夠保證低價。但如果到了5G時代,需要的器件越來越多,價格越來越高。半導(dǎo)體材料氮化
2017-07-18 16:38:20

Micsig光隔離探頭實測案例——氮化GaN半橋上管測試

測試背景地點:國外某知名品牌半導(dǎo)體企業(yè),深圳氮化實驗室測試對象:氮化半橋快充測試原因:因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管,需要對半橋上管控制信號的具體參數(shù)進行摸底測試測試探頭:麥科信OIP
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SGN2729-250H-R氮化晶體管

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SGN2729-600H-R氮化晶體管

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由于換了三星手機,之前的充電器都不支持快充了,一直想找一款手機電腦都能用的快充充電器,「倍思GaN2 Pro氮化充電器」就是這樣一款能滿足我的充電器,這篇文章就來說下這款充電器的選購過程
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《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》氮化發(fā)展技術(shù)

書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:氮化發(fā)展技術(shù)編號:JFSJ-21-041作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在單個芯片上集成多個
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【技術(shù)干貨】氮化IC如何改變電動汽車市場

碳化硅(SiC)和氮化(GaN-on-Si)。這兩種突破性技術(shù)都在電動汽車市場中占有一席之地。與Si IGBT相比,SiC提供更高的阻斷電壓、更高的工作溫度(SiC-on-SiC)和更高的開關(guān)
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為什么氮化(GaN)很重要?

的設(shè)計和集成度,已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體,其碳足跡比傳統(tǒng)的器件要低10倍。據(jù)估計,如果全球采用芯片器件的數(shù)據(jù)中心,都升級為使用氮化功率芯片器件,那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44

為什么氮化更好?

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2023-06-15 15:53:16

為什么使用氮化?

TI始終引領(lǐng)著提倡開發(fā)和實施全面性方法,確保在嚴(yán)苛操作環(huán)境下,GaN設(shè)備也能夠可靠地運行和具有出色的使用壽命。為此,我們用傳統(tǒng)的方法制作GaN的,從而利用的內(nèi)在特性。
2019-07-31 06:19:34

為何碳化硅比氮化更早用于耐高壓應(yīng)用呢?

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2023-02-23 15:46:22

什么是氮化功率芯片?

eMode氮化技術(shù),創(chuàng)造了專有的AllGaN?工藝設(shè)計套件(PDK),以實現(xiàn)集成氮化 FET、氮化驅(qū)動器,邏輯和保護功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56

什么是氮化功率芯片?

通過SMT封裝,GaNFast? 氮化功率芯片實現(xiàn)氮化器件、驅(qū)動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16

什么是氮化技術(shù)

兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計,帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2020-10-27 09:28:22

什么是氮化(GaN)?

氮化南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年,無論是吊打碳化硅,還是PK砷化。氮化憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì),確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03

什么是氮化(GaN)?

具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢,氮化充電器的充電器件運行速度,比傳統(tǒng)器件要快 100倍。 更重要的是,氮化相比傳統(tǒng)的,可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場,同時提供更快的開關(guān)速度。此外,氮化半導(dǎo)體器件,可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16

什么阻礙氮化器件的發(fā)展

幾十倍、甚至上百倍的數(shù)量增加,因此成本的控制非常關(guān)鍵,而氮化在成本上具有巨大的優(yōu)勢,隨著氮化技術(shù)的成熟,它能以最大的性價比優(yōu)勢取得市場的突破。[color=rgb(51, 51, 51
2019-07-08 04:20:32

傳統(tǒng)的組件、碳化硅(Sic)和氮化(GaN)

傳統(tǒng)的組件、碳化硅(Sic)和氮化(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11

光隔離探頭應(yīng)用場景之—— 助力氮化(GaN)原廠FAE解決客戶問題

客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案,或者將遇到技術(shù)挫折歸咎為芯片本身設(shè)計問題,盡管不排除芯片可能存在不適用的領(lǐng)域,但是大部分時候是應(yīng)用層面的問題,和芯片沒有關(guān)系。這種情況對新興的第三代半導(dǎo)體氮化
2023-02-01 14:52:03

基于氮化IC的150W高效率高功率密度適配器設(shè)計

高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化)
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如何學(xué)習(xí)氮化電源設(shè)計從入門到精通?

和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評估和分析。第一步:元器件選型對于工程師來說,GaN元器件相較于傳統(tǒng)的MOSFET而言有很多不同和優(yōu)勢,但在設(shè)計上也帶來一定挑戰(zhàn)。課程從、砷化、碳化硅、氮化
2020-11-18 06:30:50

如何完整地設(shè)計一個高效氮化電源?

如何帶工程師完整地設(shè)計一個高效氮化電源,包括元器件選型、電路設(shè)計和PCB布線、電路測試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評估和分析。
2021-06-17 06:06:23

如何實現(xiàn)氮化的可靠運行

我經(jīng)常感到奇怪,我們的行業(yè)為什么不在加快氮化 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟,大潮之下,沒人能獨善其身。每年,我們都看到市場預(yù)測的前景不太令人滿意。但通過共同努力,我們就能
2022-11-16 06:43:23

如何實現(xiàn)小米氮化充電器

如何實現(xiàn)小米氮化充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但這個口不可以充電,它是用來轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了,可以外接顯示器,拓展塢之類的。要用氮化
2021-09-14 06:06:21

如何用集成驅(qū)動器優(yōu)化氮化性能

導(dǎo)讀:將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進開關(guān)性能,并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計。氮化 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比MOSFET快很多,從而有可能實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而,當(dāng)
2022-11-16 06:23:29

如何設(shè)計GaN氮化 PD充電器產(chǎn)品?

如何設(shè)計GaN氮化 PD充電器產(chǎn)品?
2021-06-15 06:30:55

實現(xiàn)更小、更輕、更平穩(wěn)的電機驅(qū)動器的氮化器件

efficiency 65.3% 71.8% 表1:基于Si和氮化器件逆變器的系統(tǒng)的效率比較。扭矩和速度用傳感器測量。 表1展示出當(dāng)基于器件的 20 kHz 逆變器轉(zhuǎn)為采用氮化器件的100 kHz 逆變器
2023-06-25 13:58:54

將低壓氮化應(yīng)用在了手機內(nèi)部電路

OPPO公司分享了這一應(yīng)用的優(yōu)勢,一顆氮化可以代替兩顆MOS,體積更小、更節(jié)省空間,且阻抗比單顆MOS更低,可降低在此路徑上的熱量消耗,降低充電溫升,提升充電的恒流持續(xù)時間。不僅如此,氮化
2023-02-21 16:13:41

展嶸電子助力布局氮化適配器方案攜手智融SW351X次級協(xié)議45W69W87W成熟方案保駕護航

氮化完整方案有深圳市展嶸電子有限公司提供,包括45W、69W單口、多口全協(xié)議輸出適配器,更有87W適配器+移動電源超級快充二合一方案??傆幸豢钸m合您。目前包括小米、OPPO、realme、三星
2021-04-16 09:33:21

微波射頻能量:工業(yè)加熱和干燥用氮化

降低性能。行業(yè)內(nèi)外隨著射頻能量通過加大控制來改進工藝的機會持續(xù)增多,MACOM將繼續(xù)與行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者合作,以應(yīng)用最佳實踐并通過我們的氮化(GaN-on-Si)解決方案實現(xiàn)射頻能量。確保了解有關(guān)射頻能量
2018-01-18 10:56:28

想要實現(xiàn)高效氮化設(shè)計有哪些步驟?

  第 1 步 – 柵極驅(qū)動選擇  驅(qū)動GaN增強模式高電子遷移率晶體管(E-HEMT)的柵極與驅(qū)動(Si)MOSFET的柵極有相似之處,但有一些有益的差異?! ◎?qū)動氮化E-HEMT不會消除任何
2023-02-21 16:30:09

支持瓦特到千瓦級應(yīng)用的氮化技術(shù)介紹

兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計,帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2022-11-10 06:36:09

有關(guān)氮化半導(dǎo)體的常見錯誤觀念

功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極管。2010年,第一款增強型氮化晶體管普遍可用,旨在取代功率MOSFET。之后隨即推出氮化功率集成電路- 將GaN FET、氮化驅(qū)動電路和電路保護集成為單個器件
2023-06-25 14:17:47

求助,請問半橋上管氮化這樣的開爾文連接正確嗎?

請問半橋上管氮化這樣的開爾文連接正確嗎?
2024-01-11 07:23:47

納微集成氮化電源解決方案和應(yīng)用

納微集成氮化電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07

請問氮化GaN是什么?

氮化GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56

請問candence Spice能做氮化器件建模嗎?

candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎?然后提取參數(shù)想基于candence model editor進行氮化器件的建模,有可能實現(xiàn)嗎?求教ICCAP軟件呢?
2019-11-29 16:04:02

誰發(fā)明了氮化功率芯片?

,是氮化功率芯片發(fā)展的關(guān)鍵人物。 首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業(yè)生涯中,長期擔(dān)任副總裁及更高級別的管理職位,并領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)工作。他在、碳化硅(SiC)和氮化(GaN)功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08

迄今為止最堅固耐用的晶體管—氮化器件

的獨特性意味著,幾乎所有這些材料都不能用作半導(dǎo)體。不過,透明導(dǎo)電氧化物氧化(Ga2O3)是一個特例。這種晶體的帶隙近5電子伏特,如果說氮化(3.4eV)與它的差距為1英里,那么(1.1eV)與它的差距
2023-02-27 15:46:36

高壓氮化的未來分析

就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案,相對于傳統(tǒng)的、基于材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26

高壓氮化的未來是怎么樣的

就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案,相對于傳統(tǒng)的、基于材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50

MAPC-A1507 是一款碳化??氮化 HEMT D 模式放大器

MAPC-A1507GaN 放大器 50 V,1400 W 900 - 930 MHzMAPC-A1507 是一款碳化??氮化 HEMT D 模式放大器,適用于 900 - 930 MHz
2022-11-27 10:40:50

MAPC-A1504-ABTR1是一款碳化??氮化 HEMT D 模式放大器

MAPC-A1504-ABTR1GaN 放大器 50 V,500 W 1.2 - 1.4 GHzMAPC-A1504 是一款碳化??氮化 HEMT D 模式放大器,適用于 1.2 - 1.4
2022-12-08 12:29:25

MAPC-S1101-ADTR1是一款碳化??氮化 HEMT D 模式放大器

MAPC-S1101-ADTR1GaN 放大器 50 V,15 W DC - 12 GHzMAPC-S1101 是一款碳化??氮化 HEMT D 模式放大器,適用于 DC - 12 GHz
2022-12-09 10:34:26

MAPC-S1000是一款碳化??氮化 HEMT D 模式放大器

MAPC-S1000GaN 放大器 50 V,12 W 30 MHz - 3.5 GHzMAPC-S1000 是一款碳化??氮化 HEMT D 模式放大器,適用于 DC - 3.5 GHz
2022-12-09 10:37:12

NPT2020 氮化晶體管

NPT2020PT2020 是一款 48 V 氮化晶體管,工作頻率為 DC 至 3.5 GHz,功率為 50 W,增益為 17 dB。它采用陶瓷封裝,面向軍事和大批量商業(yè)市場。 
2023-04-14 15:39:35

氮化測試

氮化
jf_00834201發(fā)布于 2023-07-13 22:03:24

#氮化 #英飛凌 8.3億美元!英飛凌完成收購氮化系統(tǒng)公司 (GaN Systems)

半導(dǎo)體氮化
深圳市浮思特科技有限公司發(fā)布于 2023-10-25 16:11:22

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