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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>碳化硅芯片正成為車(chē)企爭(zhēng)相綁定的“寵兒

碳化硅芯片正成為車(chē)企爭(zhēng)相綁定的“寵兒

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本推文主要介碳化硅器件,想要入門(mén)碳化硅器件的同學(xué)可以學(xué)習(xí)了解。
2023-11-27 17:48:06642

1200V/10A碳化硅肖特基二極管

Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結(jié)溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復(fù)電流?零正向恢復(fù)電壓?高頻工作?開(kāi)關(guān)特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49

600V碳化硅二極管SIC SBD選型

極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂(lè)技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料,SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場(chǎng)較大、熱導(dǎo)率較高的特點(diǎn),SiC
2019-10-24 14:25:15

650V/1200V碳化硅肖特基二極管如何選型

  碳化硅(SiC)具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn),被認(rèn)為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料
2020-09-24 16:22:14

碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點(diǎn)

PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱?,具有低的?dǎo)通損耗?! 〉栊ぬ鼗O管也有兩個(gè)缺點(diǎn),一是反向耐壓VR較低,一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。  二、碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03

碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了

碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39

碳化硅MOSFET是如何制造的?如何驅(qū)動(dòng)碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管?

應(yīng)用,處理此類(lèi)應(yīng)用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或簡(jiǎn)稱(chēng)SiC已被證明是一種材料,可以用來(lái)構(gòu)建類(lèi)似MOSFET的組件,使電路具有比以往IGBT更高的效率。如今,SiC受到了很多關(guān)注,不僅因?yàn)樗?/div>
2023-02-24 15:03:59

碳化硅MOSFET的SCT怎么樣?

本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言,該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專(zhuān)門(mén)的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量,并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值,對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07

碳化硅SiC技術(shù)導(dǎo)入應(yīng)用的最大痛點(diǎn)

更新?lián)Q代,SiC并不例外  新一代半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)技術(shù)出現(xiàn)得越來(lái)越快。下一代寬帶隙技術(shù)仍處于初級(jí)階段,有望進(jìn)一步改善許多應(yīng)用領(lǐng)域的效率、尺寸和成本。雖然,隨著碳化硅技術(shù)的進(jìn)步,未來(lái)還將面臨挑戰(zhàn),例如,晶圓
2023-02-27 14:28:47

碳化硅與氮化鎵的發(fā)展

5G將于2020年將邁入商用,加上汽車(chē)走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì),將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì),2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8
2019-05-09 06:21:14

碳化硅二極管選型表

應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請(qǐng)咨詢(xún)我司人員!附件是海飛樂(lè)技術(shù)碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購(gòu)!碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23

碳化硅功率器件可靠性之芯片研發(fā)及封裝篇

要求。測(cè)試新品器件是否合規(guī)比較容易,但判斷器件的物理特征是否會(huì)隨時(shí)間和環(huán)境而變化比較麻煩。本文將從碳化硅芯片研發(fā)和封裝方面探討可靠性問(wèn)題。  芯片研發(fā)環(huán)節(jié)的可靠性測(cè)試  衡量可靠性可以從器件的故障率入手
2023-02-28 16:59:26

碳化硅半導(dǎo)體器件有哪些?

  由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管
2020-06-28 17:30:27

碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

碳化硅圓盤(pán)壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線(xiàn)的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49

碳化硅器件是如何組成逆變器的?

進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13

碳化硅器件的特點(diǎn)是什么

今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04

碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

??寡趸砸彩撬蟹茄趸锾沾芍泻玫?。是極其優(yōu)秀的陶瓷材料。碳化硅(SiC)的市場(chǎng)前景隨著信息科技的飛速發(fā)展,我國(guó)對(duì)半導(dǎo)體需求越來(lái)越多,我國(guó)已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó),半導(dǎo)體消費(fèi)量占全球消費(fèi)量的比重
2021-01-12 11:48:45

碳化硅基板——汽車(chē)電子發(fā)展新動(dòng)力

精細(xì)化,集成化方向發(fā)展。  在新技術(shù)驅(qū)動(dòng)下,汽車(chē)電子行業(yè)迎來(lái)新一輪技術(shù)革命,行業(yè)整體升級(jí)。在汽車(chē)大量電子化的帶動(dòng)之下,車(chē)用電路板也會(huì)向上成長(zhǎng)。車(chē)用電路板穩(wěn)定訂單和高毛利率的特點(diǎn)吸引諸多碳化硅基板從業(yè)者
2020-12-16 11:31:13

碳化硅深層的特性

成熟,資源豐富,碳化硅的行業(yè)已經(jīng)具有集群化發(fā)展的趨勢(shì)了,但是行業(yè)規(guī)模很小,政策資金方面的風(fēng)險(xiǎn)能力很大,行業(yè)秩序也需要進(jìn)一步完善。碳化硅的用途也十分廣泛,越來(lái)越多的新行業(yè)也正在開(kāi)發(fā),線(xiàn)切割為代表的新行業(yè)
2019-07-04 04:20:22

碳化硅的歷史與應(yīng)用介紹

硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱(chēng)金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過(guò),自1893 年以來(lái),粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52

碳化硅的應(yīng)用

碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39

碳化硅肖特基二極管技術(shù)演進(jìn)解析

  01  碳化硅材料特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)  碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一,其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢(shì)。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例,其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45

碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

  碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(chǎng)(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(49W/mK)使功率半導(dǎo)體器件效率更高,運(yùn)行速度更快
2023-02-28 16:34:16

碳化硅陶瓷線(xiàn)路板,半導(dǎo)體功率器件的好幫手

已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó),半導(dǎo)體消費(fèi)量占全球消費(fèi)量的比重超過(guò)40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)
2021-03-25 14:09:37

CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片

哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32

SIC碳化硅二極管

SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11

TGF2023-2-10碳化硅晶體管

TGF2023-2-10碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2023-2-10報(bào)價(jià)TGF2023-2-10代理TGF2023-2-10咨詢(xún)熱線(xiàn)TGF2023-2-10現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠(chéng)
2018-06-12 10:22:42

TGF2023-2-10碳化硅晶體管銷(xiāo)售

TGF2023-2-10碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2023-2-10報(bào)價(jià)TGF2023-2-10代理TGF2023-2-10TGF2023-2-10現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司
2018-11-15 11:59:01

TO-247封裝碳化硅MOSFET引入輔助源極管腳的必要性

?! ?4 結(jié) 論  引入了輔助源極管腳成為TO-247-4封裝的碳化硅MOSFET,避免了驅(qū)動(dòng)回路和功率回路共用源極線(xiàn)路,實(shí)現(xiàn)了這兩個(gè)回路的解耦。同時(shí),TO-247-4封裝的開(kāi)關(guān)器件由于沒(méi)有來(lái)自功率源極造成
2023-02-27 16:14:19

【羅姆BD7682FJ-EVK-402試用體驗(yàn)連載】基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究

項(xiàng)目名稱(chēng):基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究試用計(jì)劃:申請(qǐng)理由:碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料,近年來(lái)被越來(lái)越廣泛地用于高頻高溫的工作場(chǎng)合。為了提高永磁同步電機(jī)伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04

為何碳化硅比氮化鎵更早用于耐高壓應(yīng)用呢?

,從而能夠改善應(yīng)用終端的性能和效率,并且比碳化硅材料要好得多,因此,可以大規(guī)模生產(chǎn)?,F(xiàn)在,研究和開(kāi)發(fā)人員致力于收集有關(guān)的資料來(lái)驗(yàn)證以上的結(jié)論。森勇介教授,日本大坂大學(xué),在以上研究和開(kāi)發(fā)活動(dòng)中
2023-02-23 15:46:22

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

。雖然碳化硅組件可望成為推動(dòng)電力設(shè)備由機(jī)械轉(zhuǎn)向電子結(jié)構(gòu)的重要推手,但現(xiàn)階段碳化硅組件最主要的應(yīng)用市場(chǎng),其實(shí)是電動(dòng)汽車(chē)。電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用之所以對(duì)碳化硅組件的需求如此殷切,主要原因在于可實(shí)現(xiàn)更輕巧的電源系統(tǒng)
2021-09-23 15:02:11

創(chuàng)能動(dòng)力推出碳化硅二極管ACD06PS065G

的整體系統(tǒng)尺寸,更小的整體成本,高溫下更高的可靠性,同時(shí)降低功率損耗。創(chuàng)能動(dòng)力可提供碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模組和集成功率模組,用于太陽(yáng)能逆變器、功率因數(shù)校正、電動(dòng)車(chē)充電樁和高效率
2023-02-22 15:27:51

功率模塊中的完整碳化硅性能怎么樣?

復(fù)雜的設(shè)計(jì),功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開(kāi)關(guān)碳化硅器件?  當(dāng)傳統(tǒng)硅器件在功率損耗和開(kāi)關(guān)頻率方面達(dá)到極限時(shí),碳化硅可能是合適的半導(dǎo)體選擇。高達(dá) 30 至 40kHz,最新一代
2023-02-20 16:29:54

嘉和半導(dǎo)體(GaN)氮化鎵&碳化硅元器件

附件:嘉和半導(dǎo)體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51

圖騰柱無(wú)橋PFC中混合碳化硅分立器件的應(yīng)用

的功率半導(dǎo)體器件選型,并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案?! ?2  圖騰柱無(wú)橋PFC拓?fù)浞治觥 ≡?b class="flag-6" style="color: red">正半周期(VAC大于0)的時(shí)候,T2為主開(kāi)關(guān)管?! ‘?dāng)T2開(kāi)通時(shí),電感L儲(chǔ)能,電流
2023-02-28 16:48:24

在開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢(shì)

明白碳化硅MOSFET其中好處之一,這個(gè)個(gè)參數(shù)是導(dǎo)通電阻 RDS(on)。在芯片溫度100°C 時(shí),CoolSiC有較低的倍增系數(shù)(multiplication factor,K),約為 1.13,而
2023-03-14 14:05:02

基于碳化硅MOSFET的20KW高效LLC諧振隔離DC/DC變換器方案研究

本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實(shí)現(xiàn)了高頻LLC諧振全橋隔離變換器,如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開(kāi)關(guān)及低損耗等
2016-08-05 14:32:43

基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管性能詳解

  導(dǎo) 讀  追求更低損耗、更高可靠性、更高性?xún)r(jià)比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競(jìng)爭(zhēng)力,基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管,這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35

如何用碳化硅(SiC)MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)高性能門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路

對(duì)于高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用,碳化硅或SiC MOSFET帶來(lái)比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢(shì)。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31

如何用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器?

碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40

應(yīng)用于新能源汽車(chē)的碳化硅半橋MOSFET模塊

  采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列  產(chǎn)品型號(hào)  BMF600R12MCC4  BMF400R12MCC4  汽車(chē)級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35

歸納碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)

碳化硅器件快速開(kāi)關(guān)過(guò)程中造成嚴(yán)重電壓過(guò)沖,也導(dǎo)致?lián)p耗增加及電磁干擾等問(wèn)題。而雜散電感的大小與開(kāi)關(guān)換流回路的面積相關(guān)。其中,金屬鍵合連接方式、元件引腳和多個(gè)芯片的平面布局是造成傳統(tǒng)封裝換流回路面積較大的關(guān)鍵
2023-02-22 16:06:08

新型電子封裝熱管理材料鋁碳化硅

新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問(wèn)題,解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問(wèn)題,如果你有類(lèi)似的困惑,歡迎前來(lái)探討,鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問(wèn)題及時(shí)交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41

淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)的區(qū)別

延遲時(shí)間。碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳輸延遲需小于200ns,傳輸延遲抖動(dòng)小于20ns,可通過(guò)以下方式實(shí)現(xiàn):  · 采用數(shù)字隔離驅(qū)動(dòng)芯片,可以達(dá)到信號(hào)傳輸延遲50ns,并且具有比較高的一致性,傳輸抖動(dòng)
2023-02-27 16:03:36

電動(dòng)汽車(chē)的全新碳化硅功率模塊

面向電動(dòng)汽車(chē)的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能,特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中,它可提高逆變器的效率,從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16

被稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體材料的碳化硅有著哪些特點(diǎn)

一、什么是碳化硅碳化硅(SiC)又叫金剛砂,它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成,其實(shí)碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了,它的特點(diǎn)是:化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能
2023-02-20 15:15:50

請(qǐng)教碳化硅刻蝕工藝

最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50

碳化硅基礎(chǔ)知識(shí)

碳化硅基礎(chǔ)知識(shí) 黑碳化硅是以石英砂,石油焦為主要原料,通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成 黑碳化硅是以石英砂,石油焦為主要原料,通過(guò)電阻
2009-11-17 09:37:27757

碳化硅(SiC)基地知識(shí)

碳化硅(SiC)基地知識(shí) 碳化硅又稱(chēng)金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:491240

碳化硅 SiC 可持續(xù)發(fā)展的未來(lái) #碳化硅 #SiC #MCU #電子愛(ài)好者

工業(yè)控制碳化硅
Asd666發(fā)布于 2023-08-10 22:08:03

不容小覷!碳化硅晶圓沖擊傳統(tǒng)硅晶圓市場(chǎng)!

晶圓碳化硅
北京中科同志科技股份有限公司發(fā)布于 2023-10-10 09:20:13

詳解碳化硅材料的作用和發(fā)展

金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。 碳化硅又稱(chēng)碳硅石。在當(dāng)
2018-01-03 09:48:4819904

碳化硅材料技術(shù)對(duì)器件可靠性有哪些影響

前言 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測(cè)是碳化硅價(jià)值鏈中最為關(guān)鍵的四個(gè)環(huán)節(jié),襯底成本占到
2021-08-16 10:46:405267

國(guó)內(nèi)碳化硅“先鋒”,基本半導(dǎo)體的碳化硅新布局有哪些?

基本半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè),率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件,為業(yè)界熟知,并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動(dòng)
2021-11-29 14:54:087839

國(guó)內(nèi)碳化硅情況介紹

和車(chē)載 OBC,碳化硅的器件去年接近 2 個(gè)億。今年預(yù)測(cè)可能到接近 5 個(gè)億以上,甚至更大,因?yàn)榻衲?b class="flag-6" style="color: red">芯片的資源非常緊張,所以導(dǎo)致目前還是處于瓶頸。
2022-08-26 09:15:131695

碳化硅龍頭擴(kuò)產(chǎn)忙

來(lái)源:中國(guó)電子報(bào) 日前,國(guó)際碳化硅大廠(chǎng)安森美宣布,其在捷克Roznov擴(kuò)建的碳化硅工廠(chǎng)落成,未來(lái)兩年內(nèi)產(chǎn)能將逐步提升。另一家碳化硅大廠(chǎng)Wolfspeed也表示將在美國(guó)北卡羅來(lái)納州建造一座價(jià)值數(shù)十
2022-10-08 17:02:25872

碳化硅功率器件技術(shù)可靠性!

前言:碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測(cè)是碳化硅價(jià)值鏈中最為關(guān)鍵的四個(gè)環(huán)節(jié),襯底成本占到
2023-01-05 11:23:191191

碳化硅原理是什么

碳化硅原理是什么 碳化硅,是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物
2023-02-02 14:50:021981

汽車(chē)碳化硅技術(shù)原理圖

汽車(chē)碳化硅技術(shù)原理圖 相比硅基功率半導(dǎo)體,碳化硅功率半導(dǎo)體在開(kāi)關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢(shì),隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后,更多的企業(yè)也開(kāi)始落地碳化硅產(chǎn)品。 功率半導(dǎo)體碳化硅
2023-02-02 15:10:00467

碳化硅原理用途及作用

碳化硅的電阻率。碳化硅的電阻率隨溫度的變化而改變,但在一定的溫度范圍內(nèi)與金屬的電阻溫度特性相反。碳化硅的電阻率與溫度的關(guān)系更為復(fù)雜。碳化硅的導(dǎo)電率隨溫度升高到一定值時(shí)出現(xiàn)峰值,繼續(xù)升高溫度,導(dǎo)電率又會(huì)下降。
2023-02-03 09:31:234410

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口,也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn),那么我們來(lái)碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么?碳化硅技術(shù)壁壘
2023-02-03 15:25:163637

碳化硅技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)_碳化硅工藝

碳化硅,是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997

碳化硅二極管的應(yīng)用

高技術(shù)耐火原料中,碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種,可以稱(chēng)為金鋼砂或耐火砂。 碳化硅基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性,可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限,成為新能源及電力電子的首選器件。 碳
2023-02-05 16:34:591314

淺談碳化硅的應(yīng)用

碳化硅是目前應(yīng)用最為廣泛的第三代半導(dǎo)體材料,由于第三代半導(dǎo)體材料的禁帶寬度大于2eV,因此一般也會(huì)被稱(chēng)為寬禁帶半導(dǎo)體材料,除了寬禁帶的特點(diǎn)外,碳化硅半導(dǎo)體材料還具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高飽和電子
2023-02-12 15:12:32933

電機(jī)碳化硅技術(shù)的作用與特點(diǎn)

  電機(jī)碳化硅技術(shù)是一種利用碳化硅材料制作電機(jī)的技術(shù),它是利用碳化硅材料的特性,如高熱導(dǎo)率、高電阻率、低摩擦系數(shù)等,來(lái)提高電機(jī)的效率、耐久性和可靠性,從而降低電機(jī)的成本。
2023-02-16 17:54:004556

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹

我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開(kāi)說(shuō)明。碳和硅進(jìn)過(guò)化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成為粉末,碳化硅粉末經(jīng)過(guò)碳化硅單晶生長(zhǎng)成為碳化硅晶錠;碳化硅
2023-02-21 10:04:111693

SiC碳化硅二極管的特性和優(yōu)勢(shì)

碳化硅MOSFET。第三代半導(dǎo)體涵蓋SiC碳化硅二極管,SiC碳化硅MOSFET,SiC碳化硅模塊,SiC碳化硅芯片這四類(lèi)
2023-02-21 10:16:472090

碳化硅襯底市場(chǎng)群雄逐鹿 碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)流程

全球碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)明顯的行業(yè)上下游收購(gòu)兼并、大廠(chǎng)積極布局的特征。襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié),已成為兵家必爭(zhēng)之地。
2023-03-23 10:30:041284

碳化硅與工業(yè)應(yīng)用的未來(lái)

首先,讓我們簡(jiǎn)要介紹一下碳化硅到底是什么,以及它與傳統(tǒng)硅的一些不同之處。關(guān)于SiC的一個(gè)有趣的事實(shí)是,碳化硅碳化物成分不是天然存在的物質(zhì)。事實(shí)上,碳化物最初是從隕石的碎片中發(fā)現(xiàn)的。其獨(dú)特的性能非常有前途,以至于今天,我們合成了用于碳化硅功率產(chǎn)品的硬質(zhì)合金。
2023-05-20 17:00:09614

碳化硅功率模組有哪些

碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專(zhuān)業(yè)讀者喜愛(ài),本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場(chǎng),以及未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì),感謝各位
2023-05-31 09:43:20390

碳化硅二極管是什么

碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導(dǎo)體器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性,因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應(yīng)速度快等特點(diǎn),廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域,如電源、變頻器、太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車(chē)等。
2023-06-02 14:10:32747

碳化硅MOSFET什么意思

碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151182

SiC MOSFET碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造

來(lái)源:碳化硅芯觀察對(duì)于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言,高質(zhì)量的襯底可以從外部購(gòu)買(mǎi)得到,高質(zhì)量的外延片也可以從外部購(gòu)買(mǎi)到,可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ),高性能的碳化硅器件
2023-04-07 11:16:201221

揭秘碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造

眾所周知,對(duì)于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來(lái)說(shuō),高質(zhì)量的襯底可以從外部購(gòu)買(mǎi)得到,高質(zhì)量的外延片也可以從外部購(gòu)買(mǎi)到,可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ),高性能的碳化硅器件對(duì)于器件的設(shè)計(jì)和制造工藝有著極高的要求,
2023-07-10 10:49:09713

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

碳化硅,也稱(chēng)為SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹,硼,鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅存在許多品種和純度,但半導(dǎo)體級(jí)質(zhì)量的碳化硅僅在過(guò)去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451094

碳化硅MOSFET芯片設(shè)計(jì)及發(fā)展趨勢(shì)

隨著國(guó)內(nèi)對(duì)碳化硅技術(shù)的日益重視和不斷加大的研發(fā)投入,國(guó)內(nèi)碳化硅MOSFET芯片設(shè)計(jì)的水平逐步提升,研究和應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷擴(kuò)展。
2023-08-10 18:17:49855

碳化硅為什么如此火爆呢

隨著新能源汽車(chē)市場(chǎng)的爆發(fā),電動(dòng)汽車(chē)已經(jīng)成為碳化硅最大的下游應(yīng)用市場(chǎng),行業(yè)普遍預(yù)估,2027年車(chē)用碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模能達(dá)到60億美元。
2023-09-11 11:52:50186

三安光電8英寸碳化硅量產(chǎn)加速!

業(yè)內(nèi)人士預(yù)測(cè),今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭Wolfspeed和意法半導(dǎo)體等公司正在加速推進(jìn)8英寸碳化硅技術(shù)。在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)方面,碳化硅設(shè)備、襯底和外延領(lǐng)域也有突破性進(jìn)展,多家行業(yè)龍頭選擇與國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:21969

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

碳化硅,又稱(chēng)SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅的品種和純度很多,但半導(dǎo)體級(jí)質(zhì)量的碳化硅只是在過(guò)去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438

碳化硅的5大優(yōu)勢(shì)

碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
2023-12-12 09:47:33456

三種碳化硅外延生長(zhǎng)爐的差異

碳化硅襯底有諸多缺陷無(wú)法直接加工,需要在其上經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓,這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn),高質(zhì)量的碳化硅同質(zhì)外延材料是碳化硅器件研制的基礎(chǔ),外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實(shí)現(xiàn)。
2023-12-15 09:45:53607

碳化硅在溫度傳感器中的應(yīng)用

碳化硅在溫度傳感器中的應(yīng)用? 碳化硅 (SiC) 是一種廣泛應(yīng)用于溫度傳感器中的材料。由于其出色的耐高溫和抗腐蝕能力,碳化硅成為了各種工業(yè)和高溫環(huán)境下的溫度測(cè)量領(lǐng)域中的首選材料。在本文中,我們將討論
2023-12-19 11:48:30207

碳化硅功率器件簡(jiǎn)介、優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379

碳化硅特色工藝模塊簡(jiǎn)介

材料的生長(zhǎng)和加工難度較大,其特色工藝模塊的研究和應(yīng)用成為了當(dāng)前碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。 碳化硅特色工藝模塊主要包括以下幾個(gè)方面: 注入摻雜 在碳化硅中,碳硅鍵能較高,雜質(zhì)原子難以在其中擴(kuò)散。因此,在制備碳化硅器件時(shí)
2024-01-11 17:33:14294

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