三極管分為NPN管和PNP管，N是英文Negative(負)的意思，指N型半導體，在4價的硅材料中參雜少量的5價元素砷、磷等； 形成N型半導體。 P是英文Positive(正)的意思，指P型半導體； 在4價的硅材料中參雜少量的3價元素硼等； 形成P型半導體。 NPN晶體管，是指在晶體管結構中有兩個N型半導體和一個夾在中間的P型半導體； PNP型晶體管和NPN管正好相對，是由兩個P型半導體中間夾雜著一個N型半導體； 如左圖所示。 這個結構很想是肉夾饃一樣，圖的上部分是晶體管的結構圖下半部分是對應的晶體管的符號。
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每個晶體管都有三個管腳，分別叫基極（b）、集電極（c）、發射極（e）。 如右圖所示基極（b）最好辨認，另外兩個電極帶箭頭的是發射極（e），不帶箭頭的是集電極（e）； 直觀的看結構圖 可以看出b和e組成了一個PN結，b和c也組成了一個PN結，分別叫發射結和集電結； 區分兩種類型的晶體管是看發射機的箭頭朝外是NPN型管子，反之朝內就是PNP管子。

晶體管的基本電流關系，看下圖所示。
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從圖中可以看出電流的方向按照發射極的方向，對于NPN管子發射極ie的電流是流出的，那么根據電路的定理流出的電流等于流入的電流，所以ib 和ic就定義為流入電流，也就有ie=ib+ic的基本電流關系，對于PNP晶體管發射極電流是流入的，而基極和集電極是流出的。 對于電位的定義，對于NPN管來說基極是P型半導體，定義基極電位ub減去發射極電壓ue為發射結電壓，，寫作ube，此電壓為正值的時候PN結才處于導通狀態； 而對于PNP管子則是相反的，基極是N型半導體，定義發射極電位ue減去基極電位ub為發射結電壓，寫作ueb，此值為正值的時候才能讓發射結處于導通狀態。

看完這些概念得出基本的電流關系：ib+ic=ie 不管是NPN管還是PNP管都滿足這個關系的，是依據電路的基爾霍夫電流定律的； 如果晶體管處于放大狀態，它的集電極電流ic唯一受控于基極電流ib，而與c、e兩端的電壓uce無關，所以ic于ib的電流關系為的關系，再由這兩個基本公式推出ie的電流； 對于公式中的為晶體管的放大倍數，不同的晶體管的放大倍數不同，在幾十到幾百的都有。

從上文中給出了三極管的定義，類型區分，電流、電壓的參考方向； 接下來看看晶體管的工作原理。

從電路分析里我們學過幾種將信號放大的類型比如電壓控制電壓源--壓-壓受控源（VCVS）、電流控制控制電壓源--流-壓受控源（CCVS）、電流控制電流源（CCCS）、電壓控制電流源（VCCS）四種類型。 模型如下圖所示：

理論上這四種方法都能做到放大的功能，但是都有一定的局限性，比如電壓控制電壓源放大，現在實現的是變壓器，它只能放大高頻信號，對于低頻信號就無能為力了，電流控制電壓的目前我沒有用過所以我也只是看書上有這么個理論； 對于電流控制電流放大一定的電壓信號從圖的section1-3可以看出，左邊控制電壓源流過電阻產生電流控制，控制電壓的大小就能控制電流的大小，簡單的歐姆定律，i=u/r，右邊是輸出的電流iout流過電阻rl就可以得到相應的放大電壓信號。 電壓控制電流源進行信號放大的原理和電流控制電流放大信號是一樣的。

從這四種模型中知道電壓控制電壓實現的方法是變壓器，而電流控制電流源實現放大的就是本文的主要角色三極管也叫雙極型晶體管，至于電壓控制電流源的模型器件就場效應管了也有兩種類型分別為N型和P型。 下圖是給出的雙極型晶體管的模型圖：

以上便是晶體管的基本內容了。 本來應該連和晶體管的伏安特性曲線也一起做學習記錄的，但是知識點的量有點多，后續單獨寫一遍具體介紹。