GaN（氮化鎵）器件由于具有諸如高開關速度，更高的功率密度和效率之類的能力而在設計電源轉換器時變得越來越流行[2]，[3]，但是GaN器件的一個缺點是電流損耗會導致電流崩潰。器件關閉和熱電子
2021-03-22 12:42:23
8435 
已經為基于 GaN 的高電子遷移率晶體管 （HEMT）的增強模式開發了兩種不同的結構。這兩種模式是金屬-絕緣體-半導體 （MIS） 結構，2具有由電壓驅動的低柵極漏電流，以及柵極注入晶體管 （GIT
2022-07-25 08:05:312595 
基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 器件具有出色的電氣特性，是高壓和高開關頻率電機控制應用中 MOSFET 和 IGBT 的有效替代品。我們在這里的討論集中在 GaN HEMT 晶體管在高功率密度電動機應用的功率和逆變器階段提供的優勢。
2022-07-27 14:03:561602 
碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細分市場中全面推進。在許多情況下，WBG 功率器件正在取代它們的硅對應物，并在
2022-07-29 14:09:53807 
Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術的650伏行業領先高功率產品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT（高電子遷移率晶體管）。 這兩款全新大功率HEMT
2021-01-09 11:14:212799 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）在我們談論第三代半導體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361220 `Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應用于各種射頻和微波應用。 GaN
2021-01-07 10:08:51
GaN功率轉換器件的文件，但它僅建立了測試這些器件的開關可靠性的方法。 硅MOSFET與氮化鎵HEMT的開關特性。圖片由富士通提供克萊斯勒，福特和通用汽車在1990年代成立了汽車電子協會（AEC），以
2020-09-23 10:46:20
電機設計中對于GaN HEMT的使用GaN HEMT的電氣特性使得工程師們選擇它來設計更加緊湊、承受高壓和高頻的電動機，綜上所述這類器件有如下優點：較高的擊穿電壓，允許使用更高（大于1000V
2019-07-16 00:27:49
。每個階段都會對效率產生影響。這里，通過實現不同的電路拓撲和較少的階段來提高電力系統的效率。圖2顯示了這個問題的解決方案。PFC級拓撲結構隨著可以在更高電壓和更高速度下工作的GaN晶體管而改變。較高
2017-05-03 10:41:53
以及Class D半橋逆變測試，配套測試設備可實現對系統的效率監測以及GaN器件的溫度監測。測試平臺的電路原理圖如圖2所示，對應系統的實物圖如圖3所示，該測試平臺的驅動IC為Si8274，利用驅動IC
2023-06-25 15:59:21
進展[1~ 3] ，在國外工作于綠光到紫光可見光區內的GaN LED 早已實現了商業化[2]；國內多家單位成功制作了藍色發光二極管，并初步實現了產業化[3]。而眾多的研究[4~ 14] 表明，GaN
2019-06-25 07:41:00
` 本帖最后由 射頻技術 于 2021-4-8 09:16 編輯
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能，包括
2021-04-07 14:31:00
`Wolfspeed的CGHV96100F2是在碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 與其他技術相比，這種GaN內部匹配（IM）FET具有出色的功率附加效率
2021-01-07 09:56:31
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
安路 SALEAGLE? （以下簡稱 AL3）系列 FPGA 有 5 個器件，定位低成本、低功耗可編程市場。AL3 器件旨在用于大批量，成本敏感的應用，使系統設計師在降低成本的同時又能夠滿足不斷增長
2022-10-27 07:58:23
塊中包括了雙向的I/O緩沖以及一些可編程的I/O特性功能，如施密特觸發、上拉電阻和各種電平標準。I/O塊的左右兩側各有2個GCLK管腳可用作全局時鐘輸入，這4個管腳輸入的信號在器件內部具有低延時、高
2015-01-27 11:43:10
LTC2217手冊上寫的，模擬輸入范圍(AIN+減去AIN-)為2.75Vpp，正常的差分輸入AIN+減去AIN-是有負值的，請問該器件AIN+減去AIN-為2.75Vpp到底是什么意思？
2023-12-05 06:27:56
`住友電工的GaN-HEMT為具有50V工作電壓的高功率L波段放大器提供了高效率，易于匹配，更高的一致性和更寬的帶寬，并為您提供了更高的增益。該器件的目標應用是高電壓的低電流和寬帶應用。高壓操作
2021-03-30 11:37:49
Qorvo 的 T2G6001528-Q3 是 15 W (P3dB) 寬帶無與倫比的分立式 GaN on SiC HEMT，可在直流至 6 GHz 和 28V 電源軌范圍內運行。該器件采用行業標準
2021-08-04 11:50:58
和 AlGaN。AlGaN 材料對于紫外 (UV) 發射器和高電子遷移率晶體管 (HEMT) 結構很重要，因此已經在整個 Al 成分范圍內研究了 AlGaN 光學特性。InGaN材料（In含量< 50
2021-07-08 13:08:32
元件來適應略微增加的開關頻率，但由于無功能量循環而增加傳導損耗［2］。因此，開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
介微波陶瓷主要是以AL2O3和AIN的應用，低介微波陶瓷基覆銅板用絕緣散熱材料的理想性能是既要導熱性能好，散熱好，還要在高頻微波作用下產生損耗盡量小。BeO陶瓷是目前陶瓷基覆銅板中絕緣散熱的絕佳材料
2017-09-19 16:32:06
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-21 15:22 編輯
我現在 要使用AIN0-AIN3 做普通的ADC使用，而不是用作觸屏ADC使用，修改drivers\staging\iio
2018-06-21 03:49:53
、磁性等或具有高強、高韌，高硬、耐磨、耐腐蝕、耐高溫、高熱導、絕熱或良好生物相容性等優異性能。氧化鋁（Al2O3）陶瓷綜合性能較好，目前應用最成熟。氧化鋁（Al2O3）陶瓷原料豐富、價格低，強度、硬度高
2021-03-29 11:42:24
諸多應用難點，極高的開關速度容易引發振蕩，過電流和過電壓導致器件在高電壓場合下容易失效[2]。 GaN HEMT 的開通門限電壓和極限柵源電壓均明顯低于 MOS鄄FET，在橋式拓撲的應用中容易發生誤
2023-09-18 07:27:50
在過去的十多年里，行業專家和分析人士一直在預測，基于氮化鎵(GaN)功率開關器件的黃金時期即將到來。與應用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
大家好！我是ADS的新手。我需要CREE GaN HEMT，這在我的版本（ADS 2013）中沒有。請提前幫助，謝謝。 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Hello everyone! i am
2018-11-13 10:21:37
氮化鎵(GaN) 功率放大器(PA) 設計是當前的熱門話題。出于多種原因，GaN HEMT 器件已成為滿足大多數新型微波功率放大器需求的領先解決方案。過去，PA 設計以大致的起點開始并運用大量
2019-07-31 08:13:22
/BCB)上制作了CPW結構的傳輸線,通過仿真、測量、比較和分析其傳輸損耗特性得出Si/Al2O3/BCB多層薄膜復合結構襯底有效地降低了普通硅襯底的高頻損耗(20GHz時CPW傳輸線的損耗為1.18dB
2010-04-24 09:02:35
是否有必要使用AIN2 / AIN3將AFR2設置為1？以上來自于谷歌翻譯以下為原文 Is it necessary to set AFR2 to 1 using AIN2/AIN3 ?
2019-04-01 07:13:29
您好，有人能告訴我如何在原理圖窗口中添加GaN器件，因為當我在ADS的原理圖窗口中搜索它時，它只顯示GaAs，JFET和BJT器件。我想做一個功率放大器模擬，我需要一個GaN器件。請提出你的建議
2019-01-17 15:55:31
最近用ad7799做電子秤，如何選擇AIN1/AIN2/AIN3通道。可以循環重復設置配置寄存器和模式寄存器，然后等待讀取數據嗎？我采用這種辦法，用的單次轉換模式，讀出來的三個通道數據完全一樣，糾結了。我感覺是單次轉換，數據寄存器可以把數據保存很久而不丟失。還怎么解決？
2023-12-13 07:45:37
受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
特性：可以看到，GaN和Si的熱導率基本差異不大，但是GaN可以比Si能擁有更高的結溫。因此，同時良好的熱導率加上更高的熱耐受力共同提升了器件的使用壽命和可靠性。GaN器件優越的性能也其器件結構有極
2021-12-01 13:33:21
鋰電池用納米氧化鋁（Al2O3 VK-L30D）在鋰離子電池充放電過程中，鋰離子在正負極材料中反復嵌入與脫嵌，使LiCo02活性材料的結構在多次收縮和膨脹后發生改變，同時導致LiCoO2發生層間
2014-05-12 13:44:47
普通型氧化鋁陶瓷系按Al2O3含量不同分為99瓷、95瓷、90瓷、85瓷等品種，有時Al2O3含量在80％或75％者也劃為斯利通普通氧化鋁陶瓷系列。
2019-06-20 17:09:31
通過對陽極氧化多孔Al2O3 薄膜感濕材料的制備工藝及其電容濕敏特性進行研究,將陽極氧化參數對多孔Al2O3 薄膜的結構和形態的影響與多孔Al2O3 薄膜作為濕度傳感器感濕材料的濕敏特
2009-06-22 11:24:50
13 藍寶石（Al2O3）,硅 (Si),碳化硅（SiC）LED襯底材料的選用比較
對于制作LED芯片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應該采用
2009-11-17 09:39:204932 金屬氧化物膜濕敏元件的結構及特點
Fe2O3、Fe3O4、Cr2O3、Al2O3、Mg2O3及ZnO、TiO2，等金屬氧化物的細粉，吸收水分后有極快的速干特性，
2009-11-30 09:37:52903 MIS器件,MIS器件是什么意思
以SiO2為柵介質時，叫MOS器件，這是最常使用的器件形式。歷史上也出現過以Al2O3為柵介質的MAS器件和以Si3N4
2010-03-04 16:01:241425 什么是MIS
金屬－絕緣體－半導體（簡寫為 MIS）系統的三層結構如圖1所示。如絕緣層采用氧化物,則稱為金屬-氧化物-半導體(簡寫為MOS)
2010-03-04 16:04:267890 Toshiba推出C-BAND SATCOM應用的高增益50W GaN HEMT功率放大器，東芝美國電子元器件公司推出其功率放大器產品系列中的50W C頻段氮化鎵(GaN)半導體高電子遷移晶體管(HEMT)。
Toshiba 的
2010-06-10 10:47:331757 松下宣布研發出新型MIS結構的Si基GaN功率晶體管，可以連續穩定的工作，柵極電壓高達10V，工作電流在20A，擊穿電壓達到730V。
2018-03-15 09:56:086681 
氮化鎵太赫茲HEMT研究中，短溝道效應導致的跨導降低，將直接影響器件頻率特性。盡管高鋁組分與超薄勢壘外延結構可以緩解短溝道效應帶來的問題，但同時也引起了歐姆接觸難以制備的問題。選區再生長n+GaN
2018-11-06 14:59:465836 EiceDRIVER。籍此我們梳理了一下GaN功率器件在全球市場、產品應用和技術特性方面的信息，以及英飛凌相關業務和此次量產產品的細節。
2018-12-06 18:06:214654 據外媒報道，韓國漢陽大學（Hanyang University）的一組研究人員利用非晶Al2O3實現石墨表面改良（surface modification of graphite），這是一種高效的方式，旨在提升鋰離子電池石墨陽極材料的快充性能表現。
2019-03-25 14:53:55718 本文報道了algan/gan高電子遷移率晶體管（hemt）在反向柵偏壓作用下閾值電壓的負漂移。該器件在強pinch-off和低漏源電壓條件下偏置一定時間（反向柵極偏置應力），然后測量傳輸特性。施加
2019-10-09 08:00:0010 基于溫度步進應力實驗，研究了 AlGaN /GaN HEMT 器件在不同溫度應力下的退化規律及退化機理。實驗發現： 在結溫為 139 ～ 200 ℃ 時，AlGaN /GaN HEMT 器件
2020-06-23 08:00:002 充電、電源開關、包絡跟蹤、逆變器、變流器等市場。而按工藝分，GaN器件則分為HEMT、HBT射頻工藝和SBD、 Power FET電力電子器件工藝兩大類。
2020-07-27 10:26:001 本文將 3D 打印技術與注射成型工藝相結合用于 Al2O3 陶瓷坯體的快速成型，即采用注射成型的原理制備低粘度、高固相量、穩定均勻的熱塑性 Al2O3 陶瓷漿料，通過 FDM 3D 打印成型技術制備
2020-07-13 08:00:000 GaN 基高電子遷移率場效應管（HEMT）在高頻大功率器件方面具有突出的優勢，并在其應用領域已取得重要進展，但GaN基HEMT器件大功率應用的最大挑戰是其normally-on特性。對于傳統
2020-09-21 09:53:013557 
在實際應用中，為實現失效安全的增強模式（E-mode）操作，科研人員廣泛研究了基于凹槽柵結構的MIS柵、p-GaN regrowth柵增強型GaN HEMT器件。在實際的器件制備過程中，精確控制柵極凹槽刻蝕深度、減小凹槽界面態密度直接影響器件閾值電壓均勻性
2020-10-09 14:18:508850 GaN-HEMT以高效率提供高射頻輸出功率而聞名。由于這些特性，這類晶體管可以顯著改善微波到毫米波無線電通信和雷達系統的性能。這些HEMTs可用于氣象雷達系統、監測和預報局地強降水，以及5G系統，提供毫米波段的通信。
2020-11-29 10:28:463061 
本周《漲知識啦》主要給大家介紹的是MIS（Metal-Insulator-Semiconductor）結構的能帶分布的變化與其電容-電壓特性。 圖 1 ?(a) MIS結構示意圖 ?(b) MIS
2020-12-10 11:06:422984 
本周《漲知識啦》主要給大家介紹的是MIS（Metal-Insulator-Semiconductor）結構的能帶分布的變化與其電容-電壓特性。 圖 1 ?(a) MIS結構示意圖 ?(b) MIS
2020-12-10 11:09:445075 
工程師于是感到非常困惑，GaN HEMT可以反向導通，那到底有還是沒有體二極管？
2021-03-15 09:41:078331 ，導致嚴重的熱衰退（thermal droop）現象。 根據我司技術團隊前期關于MIS結構的相關仿真結果可知，MIS型
2021-12-21 13:55:50555 
氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作為寬禁帶(WBG)功率半導體器件的代表，器件在高頻功率應用方面有巨大的潛力。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的電子遷移率、飽和電子速度和擊穿電場，如圖1所示。
2022-02-10 15:27:4318442 
GaN（氮化鎵）是一種用于新一代功率元器件的化合物半導體材料。與普通的半導體材料——硅相比，具有更優異的物理性能，目前利用其高頻特性的應用已經開始增加。
2022-04-06 16:33:031326 
作者研究了四個商用 GaN 器件在 400 K 和 4.2 K 之間的寬溫度范圍內的性能。據作者介紹，正如原始文章中所報道的，所有測試的器件都可以在低溫下成功運行，性能整體有所提高。然而，不同的 GaN HEMT 技術意味著器件柵極控制的顯著變化。
2022-07-25 09:20:28933 
Imec 展示了高性能肖特基勢壘二極管和耗盡型 （d-mode） 高電子遷移率晶體管 （HEMT） 在基于 p 型氮化鎵 （GaN） HEMT 的 200-V GaN- 上的成功共集成。在 200 毫米基板上開發的 on-SOI 智能功率集成電路 （IC） 平臺。
2022-07-29 15:34:03837 雖然乍一看似乎比較簡單，但這些器件的柵極驅動器電路需要仔細設計。首先，通常關閉的基于 GaN 的 HEMT 需要負電壓來將其關閉并將其保持在關閉狀態，從而避免意外開啟。
2022-07-29 09:27:171367 
已經為基于 GaN 的高電子遷移率晶體管(HEMT)的增強模式開發了兩種不同的結構。這兩種模式是金屬-絕緣體-半導體 (MIS) 結構，2具有由電壓驅動的低柵極泄漏電流，以及柵極注入晶體管 (GIT
2022-07-29 09:19:44762 。基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 器件具有卓越的電氣特性，是高壓和高開關頻率電機控制應用中 MOSFET 和 IGBT 的有效替代品。我們在這里的討論集中在 GaN HEMT 晶體管在高功率密度電動機應用的功率和逆變器級中提供的優勢。
2022-08-08 09:15:48816 
針對熱效應機理和熱電模型,我們將著重考慮熱導率和飽和速率隨晶格溫度的變化。由于熱電效應最直接的外部反映是就是直流I-V特性,因此這里主要模擬GaN HEMT器件的直流特性曲線。通過編寫 Silvaco程序來模擬 GaN HEMT器件的特性曲線,再與實驗曲線作對比,獲得準確的模型參數。
2022-09-08 10:44:051571 ，達 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應用超出了蜂窩基站和國防雷達范疇，在所有 RF 細分市場中獲得應用。
2022-09-19 09:33:211670 氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作為寬禁帶(WBG)功率半導體器件的代表，器件在高頻功率應用方面有巨大的潛力。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的電子遷移率、飽和電子速度和擊穿電場，如圖1所示。
2022-09-27 10:30:173330 GaN HEMT 模型初階入門：非線性模型如何幫助進行 GaN PA 設計？（第一部分，共兩部分）
2022-12-26 10:16:25805 
GaN功率HEMT設計+GaN寬帶功率放大器設計
2023-01-30 14:17:44556 ，而特性更具有優勢，因此電源廠商均計劃導入GaN器件來實現下一代電源系統的迭代，在30W-100W的適配器應用中，QR反激因成本優勢，占據了國內市場的半壁江山。基于GaN器件的QR反激，有助于減小開關損耗，可用于提高開關頻率，增加功率密度。
2023-02-02 17:20:25836 
第三代半導體器件CaN高電子遷移率晶體管（HEMT）具備較高的功率密度，同時具有較強的自熱效應，在大功率工作條件下會產生較高的結溫。根據半導體器件可靠性理論，器件的工作溫度、性能及可靠性有著極為密切的聯系，因此準確檢測GaN HEMT的溫度就顯得極為重要。
2023-02-13 09:27:521084 
的平帶電壓解析模型，然后考慮柵絕緣層和勢壘層界面電荷對兩個模型進行對比，提取出了MIS-HEMT和MOS-HEMT兩種器件的有效界面電荷密度。
2023-02-13 09:33:581173 
C-V測試是研究絕緣柵HEMT器件性能的重要方法，采用Keithley 4200半導體表征系統的CVU模塊測量了肖特基柵和絕緣柵異質結構的C-V特性。
2023-02-14 09:17:15943 
關態漏電是制約HEMT器件性能提升的重要因素之一，采用絕緣柵HEMT器件結構可以有效減小器件關態漏電。圖1給出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-HEMT三種器件結構的關態柵漏電曲線，漏極電壓Vd設定在0V，反向柵極電壓從0V掃描至-10V，正向柵電壓掃描至5V。
2023-02-14 09:18:541887 
絕緣柵和肖特基柵HEMT器件結構如圖1所示， AlGaN/GaN異質結采用MOCVD技術在2英寸c面藍寶石襯底上外延得到，由下往上依次為180nm高溫AlN成核層、13μm非摻雜GaN緩沖層、1nm AlN界面插入層、22nm AlGaN勢壘層、及2nm GaN帽層，勢壘層鋁組分設定為30%。
2023-02-14 09:31:161496 
配對；Beo盡管具備出色的綜合型能，但是其具有很高的產品成本和有毒的缺陷限制它項目研究。因此不論是特性、成本費、環保規定方面來講AL2O3和Beo陶瓷早已無法滿足電子器件電力電子器件發展和要求了，取代
2023-02-16 14:44:57924 
一款GaN HEMT內匹配功率放大器設計過程詳解 張書源，鐘世昌 發表于 2020-01-22 16:55:00 模擬技術 +關注 0 引言 近年來，寬禁帶材料與微波功率器件發展非常迅猛。GaN材料
2023-02-17 09:52:430 氮化鎵 ( GaN) 作為第三代半導體材料的典型代表，具有高擊穿電場強度和高熱導率 等優異的物理特性，是制作高頻微波器件和大功率電力電子器件的理想材料。GaN 外延材料的 質量決定了高電子遷移率
2023-02-20 11:47:22876 氧化鋁有許多同質異晶體，例如α-Al2o3、β-Al2o3、γ-Al2o3等，其中以α-Al2o3的穩定性較高，其晶體結構緊密、物理性能與化學性能穩定，具有密度與機械強度較高的優勢，在工業中的應用也較多。
2023-03-30 14:10:221079 傳統GaN-on-Si功率器件歐姆接觸主要采用Ti/Al/X/Au多層金屬體系，其中X金屬可為Ni，Mo，PT，Ti等。這種傳統有Au歐姆接觸通常采用高溫退火工藝（＞800℃），第1層Ti在常溫下
2023-04-29 16:46:00735 
GaN基功率開關器件能實現優異的電能轉換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質結構中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開關的核心器件增強型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本結構。
2023-04-29 16:50:00793 
GaN HEMT 為功率放大器設計者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術的許多改進。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達 8W/mm、fT 高達 25 GHz 和低靜態
2023-05-24 09:40:011375 
GaN HEMT（高電子遷移率晶體管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半導體，具有低工作電阻和高抗損性，有望應用于大功率和高頻電子設備。
2023-05-25 15:14:061222 
最重要的器件之一，在功率器件和射頻器件領域擁有廣泛的應用前景。HEMT器件通常是在硅(Si)、藍寶石(Al2O3)、碳化硅(SiC)等異質襯底上通過金屬有機氣象外延(MOCVD)進行外延制備。由于異質
2023-06-14 14:00:551654 
速度，能夠顯著提升功率變換器的性能，受到電源工程師的青睞。同時，極快的開關速度又對其動態特性的測試提出了更高的要求，稍有不慎就會得到錯誤結果。 為了能夠實現對GaN HEMT功率器件動態特性進行精準測試，對應的測試系統往往需要 注意以下幾
2023-07-17 18:45:02711 
摘要：研究了基于AlGaN/GaN型結構的氣敏傳感器對于CO的傳感性.制備出AlGaN/GaN型氣敏傳感器器件，并測試得到了器件在50℃時對于不同濃度（1%，9000，8000，5000
2023-09-01 16:22:490 氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質是外延結構的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結構
2023-09-19 14:50:342704 
寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場效應晶體管(fet)能夠提供比傳統Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關GaN非常需要HEMT來降低功率并簡化電路和系統架構，這是GaN HEMT技術的主要挑戰之一。凹進的AlGaN/GaN結構是實現常關操作的有用選擇之一。
2023-10-10 16:21:11293 
了很多關注，由寬禁帶半導體所制備的功率器件可作為具有低導通電阻的高壓開關，可以取代硅功率器件。此外，寬禁帶異質結場效應晶體管具有較高的載流子密度和二維電子氣通道，以及較大的臨界電場強度等物理特性，其中的氮化鎵 (Gallium Nitride, GaN）已被認為可制備極佳的功率開關。
2023-11-09 11:26:43439 
GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件，具有很高的電子遷移率、大的電子飽和漂移速度、高的飽和電子流動速度以及較低的電阻
2023-12-07 17:27:20337 報告內容包含：
微帶WBG MMIC工藝
GaN HEMT 結構的生長
GaN HEMT 技術面臨的挑戰
2023-12-14 11:06:58178 
氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結構和原理。 一、氮化鎵功率器件結構 氮化鎵功率器件的主要結構是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:41667
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