當IGBT在開關時普遍會遇到的一個問題即寄生米勒電容開通期間的米勒平臺。米勒效應在單電源門極驅動的應用中影響是很明顯的?；陂T極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關斷期間會產生一個很高的瞬態dv
2015-01-14 17:10:29
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米勒效應在MOS驅動中臭名昭著，他是由MOS管的米勒電容引發的米勒效應，在MOS管開通過程中，GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩定值，過后GS電壓又開始上升直至完全導通。為什么會有穩定值這段
2018-09-28 08:02:0019124 什么叫米勒電容？如何作用和影響于MOSFET？
2019-05-12 07:27:0022239 
作者：Stephen Woodward 雖然最初人們認為米勒效應只不過是會限制帶寬和穩定性的不想要的寄生電容倍增器，但它現在已被有用的拓撲所采納，如模擬示波器時基積分器。根據這樣一個事實：如果放大器
2021-01-26 16:05:202750 
MOS管的米勒效應會在高頻開關電路中，延長開關頻率、增加功耗、降低系統穩定性，可謂是臭名昭著，各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。
2022-09-29 09:26:071441 上篇文章聊了MOS管-傳輸特性曲線的細微之處，希望同學們能精準識別三種特性曲線的區別，而不是死記硬背。研究MOS管，一定繞不開一個重要現象——Miller效應，今天我們就一起探討下，一次聊不完，可能會分幾篇來探討。
2023-02-01 10:18:411547 在說MOS管的米勒效應之前我們先看下示波器測量的這個波形。
2023-02-03 15:35:472321 
當出現短路時IGBT的Vce快速上升，過高的dVce/dt會通過米勒電容給IGBT門極充電，若不進行保護會使得門極電壓過高而損壞IGBT，門極鉗位電路主要是在門極電壓過高時起動保護電路動作，提供電流瀉放通道抑制門極電壓升高。
2023-02-23 14:45:093776 
對于MOSFET，米勒效應（Miller Effect）指其輸入輸出之間的分布電容（柵漏電容）在反相放大作用下，使得等效輸入電容值放大的效應。由于米勒效應，MOSFET柵極驅動過程中，會形成平臺電壓，引起開關時間變長，開關損耗增加，給MOS管的正常工作帶來非常不利的影響。
2023-04-26 09:20:532057 
本文主要介紹了米勒效應的由來，并詳細分析了MOSFET開關過程米勒效應的影響，幫助定性理解米勒平臺的形成機制。最后給出了場效應管柵極電荷的作用。
2023-05-16 09:47:341316 
通過了解MOS管的的開關過程，以及MOS米勒電容的影響，來改進MOS管設計。
2023-07-21 09:19:364571 
MOS管具有三個內在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點在MOS管的規格書中可以體現（規格書常用Ciss、Coss、Crss這三個參數代替）。MOS管之所以存在米勒效應，以及ＧＳ之間要并電阻
2023-08-26 08:12:55915 
米勒電容（Miller capacitance）通常用于運算放大器頻率補償的方法中。
2023-09-18 09:44:47982 
米勒平臺的形成與其材料、制造工藝息息相關，當GE之間電壓大于閾值點的時候，管子的CE電壓開始下降，但是下降的速度十分緩慢
2023-11-03 14:55:573339 
的是MOS場效應管，簡稱MOS管（即金屬-氧化物-半導體場效應管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應管，以及最近剛問世的πMOS場效應管、VMOS功率模塊等。按溝道半導體資料
2018-10-29 22:20:31
了，沒錯就是米勒電容。我們都知道因為多晶硅寬度、溝道與溝槽寬度、G極氧化層厚度、PN結摻雜輪廓等因素，MOS管會產生寄生電容?！ ∷鼈兎謩e是輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Crss
2023-03-15 16:55:58
影響不明顯，可是當開關速度比較高，而且VDD供電電壓比較高，比方310V下，經過Cgd的電流比較大，強的積分很容易引起振動，這個振動叫米勒振動。所以Cgd也叫米勒電容，而在MOS管開關導通或者關斷的那段時刻
2019-04-09 11:39:46
也叫米勒電容，而在MOS管開關導通或者關斷的那段時間，也就是積分那段時間，叫米勒平臺，如下圖圓圈中的那部分為米勒平臺，右邊的是振蕩嚴重的米勒振蕩：因為MOS管的反饋引入了電容，當這個電容足夠大，并且
2018-11-21 14:43:01
米勒振蕩可以認為是開關電源設計的核心關鍵。A、減緩驅動強度 1、提高MOS管G極的輸入串聯電阻，一般該電阻阻值在1~100歐姆之間，具體值看MOS管的特性和工作頻率，阻值越大，開關速度越緩。2、在MOS
2018-11-26 11:40:06
上一節講了MOS管的等效模型，引出了米勒振蕩，可以這么講，在電源設計中，米勒振蕩是一個很核心的一環，尤其是超過100KHz以上的頻率，而作者是做超高頻感應加熱電源的，工作頻率在500K~1MHz范圍
2018-11-20 16:00:00
，Vds開始下降，Id開始上升，此時MOSFET進入飽和區；但由于米勒效應，Vgs會持續一段時間不再上升，此時Id已經達到最大，而Vds還在繼續下降，直到米勒電容充滿電，Vgs又上升到驅動電壓的值，此時
2021-01-27 15:15:03
MOS場效應管的工作原理MOS場效應管也被稱為MOS FET，即Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金屬氧化物半導體場效應管）的縮寫
2011-06-08 10:43:25
米勒平臺形成的基本原理米勒平臺形成的詳細過程
2021-03-18 06:52:14
場效應管和IGBT的驅動經常聽到米勒效應這個詞，查閱了一些資料是柵極和漏極之間的等效電容，這個等效電容在場效應管或者IGBT開通的時候在某一階段會放大較多倍，進而導致驅動電路需要提供的電壓電流增多
2024-01-11 16:47:48
【不懂就問】看到TI的一個三相逆變器設計資料中，關于有源米勒鉗位的設計這是一段原話“開關IGBT過程中，位移電流流經IGBT的GE極電容，使其柵極電壓上升，可能讓器件誤導通原因是，當逆變器的上管導
2017-12-21 09:01:45
90kW變頻器，當電流達到110A以上時，IGBT在關斷的時候，出現這個波形，請問是怎么回事？在110A以下就不出現。這是IGBT Vce的電壓波形，當關斷的時候還要再開通一下，這樣不就很容易上下橋直通了嗎？這是怎么回事呢？是米勒效應導致的嗎？如何解決呢？
2017-07-24 10:06:32
損耗與減小米勒平臺區間的損耗方法討論9-降低開關損耗帶來的其它問題分析及高壓 MOSFET 柵極電阻取值10-MOSFET 柵極電阻與米勒平臺時間取值及橋式電路分析11-橋式電路管子誤觸發因素討論
2021-09-08 09:52:54
也是幾乎沒有變化，理想情況下，我們就認為它們是不變的。那么，到了某一時刻（t3），米勒平臺效應就會結束。在米勒平臺期間，MOS管的DS內阻Rdson在逐漸變小。圖片太多，完整見附件:上期回顧：從無到有，徹底搞懂MOSFET講解（四）
2021-06-02 10:37:35
產生很大感抗，這里面就有電容，電感，電阻組成震蕩電路（能形成2個回路），并且電流脈沖越強頻率越高震蕩幅度越大。所以最關鍵的問題就是這個米勒平臺如何過渡。Gs極加電容，減慢mos管導通時間，有助于減小米勒
2019-07-26 07:00:00
`大家上午好！這是張飛電子90天硬件工程師講解之mos管視頻教程， 每日一課，20天的打卡學習計劃，機會難得，希望壇友們積極參與，學習過程中遇到的問題，可以留言交流，老師都會一一解答！`
2021-06-03 09:06:58
MOSFET開時米勒平臺的形成過程的詳細解析！純手工畫圖解析，這資料還是可以的回帖直接下載原文檔 [hide]https://pan.baidu.com/s/1gf0A2pt[/hide]
2017-10-25 16:14:46
MOSFET的柵極驅動過程，可以簡單的理解為驅動源對MOSFET的輸入電容的充放電過程；當Cgs達到門檻電壓之后， MOSFET就會進入開通狀態；當MOSFET開通后，Vds開始下降，Id開始上升，此時MOSFET進入飽和區；
2019-09-12 09:05:05
.認為這個二極管的作用有2點,十分巧妙:1,這是個自舉驅動形式,可以隔離反向電壓對驅動電路的損壞.但是不是真正意義上的隔離! 2,MOS有米勒效應,這個二極管可以使米勒平臺很陡,也就是米勒效應時間變短
2012-12-25 09:55:24
組成震蕩電路（能形成2個回路），并且電流脈沖越強頻率越高震蕩幅度越大，所以最關鍵的問題就是這個米勒平臺如何過渡。 Gs極加電容，減慢mos管導通時間，有助于減小米勒振蕩。防止mos管燒毀。 過快的充電會
2020-06-26 13:11:45
在給三極管一個負信號，打開三極管從而打開場效應管，在遇到場效應管的米勒平臺（通道4）時，三極管的三個管腳的電壓也出現了平臺，這似乎時被米勒平臺的電壓給鉗制住了一樣，本人是個電路小白，望大神們指點現象原因
2018-10-29 16:44:41
的米勒平臺區，它會影響MOS管的開通和關斷過程。對于這個平臺區，在開關電源中會引起較大的開關損耗，這是它不利的一面；但是在EMI超標的時候，適當的增加Cgd電容，延長MOS管的開通過程，又可以用來降低
2023-03-22 14:52:34
也叫米勒電容，而在MOS管開關導通或者關斷的那段時間，也就是積分那段時間，叫米勒平臺，如下圖圓圈中的那部分為米勒平臺，右邊的是振蕩嚴重的米勒振蕩： 因為MOS管的反饋引入了電容，當這個電容足夠大，并且
2018-11-27 14:11:15
狀態) 所以就出現了所謂的圖騰驅動!!選擇MOS管時，Cgd越小開通損耗就越小。米勒效應不可能完全消失。 MOS管中的米勒平臺實際上就是MOSFET處于“放大區”的典型標志 用用示波器測量GS
2018-12-19 13:55:15
MOS管與IGBT是不是都有這個GS米勒效應？
2019-09-05 03:29:03
三極管會不會存在米勒效應
2019-09-10 04:37:38
請問各路大神，場效應管組成的放大電路，存在米勒效應，階躍時間變得很長，是不是需要增大前級驅動電流，就能減小階躍時間，或者還有其他方法嗎，我看米勒效應都在開關狀態下來講解，但在放大狀態依然有米勒平臺，這是正常的嗎？
2018-08-08 10:29:41
摘要: 討論了目前存在的基于米勒電容的采樣/保持電路，在此基礎上設計了一種簡化形式。該電路利用簡單的CMOS反相器代替米勒反饋電路中的運算放大器，在保證采樣速度和精度
2010-07-31 17:24:53
0 調諧米勒振蕩器射頻電路(Tuned Miller oscillator RF circuit)
2008-11-24 12:30:391936 
魏德米勒推出創新型的印刷電路板接插件
在今年的SPS / IPC / 驅動裝置展覽會上，魏德米勒針對驅動系統和部件推出了一種創新型的印刷電路板接插件。用于印刷電路
2010-02-26 12:00:001335 專業的互聯與機電產品授權分銷商赫聯電子亞太（Heilind Asia Pacific）日前宣布，新增德國魏德米勒（Weidmüller）為供應商，雙方團隊通力合作，旨在拓寬互聯解決方案的產品范圍，瞄準發展空間巨大的工業及信號數據等市場。
2015-11-26 14:39:201052 二級米勒補償運算放大器的課程設計-模擬IC相關!
2016-07-25 17:45:307 米勒平臺是開關管開通和關斷過程中出現的極短平臺，學習了解米勒平臺的形成的原理，對它有個直觀的認識，有利于我們分析實際的電路波形。
2016-11-02 17:20:3010 米勒效應解決
2017-06-09 09:56:4048 裝配、測試及定制——魏德米勒配有插入式連接器的預制電纜，應用于機械及工程設計中，提供多種定制化的選項。可通過在線訂購標準化電纜，也可通過選型助手或咨詢魏德米勒專業人員進行定制化訂購。
2018-07-03 15:00:00903 聚集行業最新技術、引領行業發展趨勢。作為一場工業自動化及相關行業盛會，第20屆中國國際工業博覽會(下稱工博會)于9月23日圓滿落幕。在工博會期間，gongkong通過直播的形式對前來參展的魏德米勒
2018-10-30 20:44:01220 米勒效應在單電源門極驅動過程中非常顯著?；陂T極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關斷期間會產生一個很高的瞬態dv/dt，這樣會引發門極VGE間電壓升高而導通，這里存在著潛在的風險。
2019-02-04 11:17:0037672 
在描述米勒平臺（miller plateau）之前，首先來看看“罪魁禍首”米勒效應（miller effect） 。
2019-02-02 17:08:0058509 
MOS管的等效模型 我們通常看到的MOS管圖形是左邊這種，右邊的稱為MOS管的等效模型。
2020-09-24 11:24:3727499 
使用IGBT時，面臨的常見問題之一是由于米勒電容器而導致的寄生導通。在0至+15 V型柵極驅動器（單電源驅動器）中，這種影響是明顯的。
2021-05-17 07:31:006521 
如下是一個 NMOS 的開關電路，階躍信號 VG1 設置 DC 電平 2V，方波（振幅 2V，頻率 50Hz），T2 的開啟電壓 2V，所以 MOS 管 T2 會以周期 T=20ms 進行開啟和截止狀態的切換。
2020-12-01 23:00:0037 魏德米勒產品告訴你，魏德米勒安裝導軌材料的使用性能和用途闡述 根據不同的應用，魏德米勒安裝導軌的材料是鋼，不銹鋼，鋁，銅和塑料。各種類型的不銹鋼是（合金）是一種總稱，它具有特殊的熔煉工藝和具有較強
2020-12-20 10:54:23671 如下是一個NMOS的開關電路，階躍信號VG1設置DC電平2V，方波（振幅2V，頻率50Hz），T2的開啟電壓2V，所以MOS管T2會以周期T＝20ms進行開啟和截止狀態的切換。
2020-12-24 15:45:44367 魏德米勒開關電源中的鋰離子電池： 魏德米勒開關電源中的鋰離子電池是一種電池充電電池，（魏德米勒代理商）它重要依靠鋰離子在正級和負極正中間移動來工作上。 在蓄電池電池充電整個過程中，Li+在兩個電極
2021-02-19 16:08:49313 現代社會下的魏德米勒端子必不可少： 魏德米勒端子運用節省成本,適合許多的輸電線互聯,在電力行業便會有技術專業的端子排，端子箱，單雙面的、雙層的，電總流量的，工作標準電壓的，一般的，可斷的等。一定
2021-02-20 10:20:29775 伴隨著接線端子容積增大，（魏德米勒代理商）逐步完善的pcb線路板專業性使操作面板上安裝的接線端子可安裝的電流量提升了很多，魏德米勒接線端子可安裝高些的輸出功率。在不一樣地區考慮性能參數的方法不一樣
2021-02-25 10:36:531735 當IGBT在開關時普遍會遇到的一個問題即寄生米勒電容開通期間的米勒平臺。米勒效應在單電源門極驅動的應用中影響是很明顯的。基于門極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關斷期間會產生一個很高的瞬態dv/dt，這樣會引發門極VGE間電壓升高而導通，這是一個潛在的風險（如圖1）。
2021-03-15 15:01:2615562 
電子發燒友網為你提供米勒平臺形成的基本原理與詳細過程資料下載的電子資料下載，更有其他相關的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-05 08:41:1896 Mos在控制器電路中的工作狀態：開通過程（由截止到導通的過渡過程）、導通狀態、關斷過程（由導通到截止的過渡過程）、截止狀態。
2022-02-09 11:55:4112 MOS管的細節
2022-02-11 16:33:053 MOS管即場效應管(MOSFET)，屬于壓控型，是一種應用非常廣泛的功率型開關元件，在開關電源、逆變器、直流電機驅動器等設備中很常見，是電力電子的核心元件。
2022-02-16 16:38:464395 
本文介紹了米勒效應的由來，并詳細分析了MOSFET開關過程米勒效應的影響，幫助定性理解米勒平臺的形成機制。最后給出了場效應管柵極電荷的作用。
2022-03-10 14:44:186226 
米勒平臺的形成原理
2022-03-17 15:52:387 米勒電容器寄生導通效應的抑制方法
2022-03-17 15:32:1210 如下是一個NMOS的開關電路，階躍信號VG1設置DC電平2V，方波（振幅2V，頻率50Hz），T2的開啟電壓2V，所以MOS管T2會以同期T=20ms進行開啟和截止狀態的切換。
2022-03-29 13:56:160 后，Vds開始下降，Id開始上升，此時MOSFET進入飽和區;但由于米勒效應，Vgs會持續一段時間不再上升，此時Id已經達到最大，而Vds還在繼續下降，直到米勒電容充滿電，Vgs又上升到驅動電壓的值，此時MOSFET進入電阻區，此時Vds徹底降下來，開通結束。
2022-04-19 10:28:2725969 從t1時刻開始，MOS進入了飽和區。在飽和有轉移特性：Id=Vgs*Gm。其中Gm是跨導，只要Id不變Vgs就不變。Id在上升到最大值以后，而此時又處于飽和區，所以Vgs就會維持不變。
2022-08-22 09:11:431821 由于米勒電容阻止了Vgs的上升，從而也就阻止了Vds的下降，這樣就會使損耗的時間加長。（Vgs上升，則導通電阻下降，從而Vds下降）
2022-08-29 11:28:1025025 米勒效應在MOS驅動中臭名昭著，他是由MOS管的米勒電容引發的米勒效應，在MOS管開通過程中，GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩定值，過后GS電壓又開始上升直至完全導通。
2022-08-30 15:34:142286 MOS管的米勒效應會在高頻開關電路中，延長開關頻率、增加功耗、降低系統穩定性，可謂是臭名昭著，各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。
2022-10-31 02:03:321073 
有源米勒鉗位技術
2022-11-15 20:06:076 )也大，在寄生電感上產生的電壓更大。這種震蕩的特點是柵極電壓有過沖現象，超過米勒平臺電壓后下降，在米勒平臺附近產生柵極電壓震蕩。
2022-11-24 09:34:2410269 在現在使用的MOS和IGBT等開關電源應用中，所需要面對一個常見的問題 — 米勒效應，本文將主要介紹MOS管在開通過程中米勒效應的成因、表現、危害及應對方法。
2023-02-10 14:05:506736 
IGBT米勒平臺產生原因 我們在使用IGBT的時候，可以從手冊中得到IGBT柵極的充電特性，但是柵極的充電特性在中間一部分會出現一個平臺電壓，影響著IGBT的動態性能，這是為什么呢？ IGBT
2023-02-22 14:27:3010 在上一篇文章中詳細描述了帶阻性負載時米勒平臺是怎樣的，對各階段做了定量分析，相信看過的同學應該會有所收獲。今天我們來聊一聊帶感性負載時米勒平臺是怎樣的。
2023-03-26 13:40:481714 關于MOS管的米勒效應，已經輸出了8篇，今天這一篇是MOS管章節的最后一篇，下一篇就開始整理運放相關的內容。我個人認為今天聊的這個話題至關重要：抑制米勒效應和抑制EMI之間如何平衡。
2023-04-17 10:28:194149 米勒效應（Miller effect）是在電子學中，反相放大電路中，輸入與輸出之間的分布電容或寄生電容由于放大器的放大作用，其等效到輸入端的電容值會擴大1+K倍，其中K是該級放大電路電壓放大倍數
2023-05-15 16:11:324100 
之前我們在介紹MOS和IGBT的文章中也有提到米勒電容和米勒效應的概念，在IGBT的導通過程分析的文章中我們也簡單提到過米勒平臺
2023-05-25 17:24:253999 
搞電力電子的同學想必經常被“米勒效應”這個詞困擾。米勒效應增加開關延時不說，還可能引起寄生導通，增加器件損耗。那么米勒效應是如何產生的，我們又該如何應對呢？我們先來看IGBT開通時的典型波形：上圖
2023-03-03 16:04:061634 
為什么說共源共柵結構會減小米勒電容效應呢？ 共源共柵結構是一種常見的放大器電路結構，在多種電路應用中都有廣泛的應用。它由共源、共柵、共耦合電容和外部負載等元件組成。共源共柵結構由于具有許多優良的特性
2023-09-05 17:29:36769 如何減輕米勒電容所引起的寄生導通效應？? 米勒電容是指由電路中存在的電感所形成的電容。它可以導致電路中的寄生導通效應，從而影響電路的性能。常見的一種解決方法是使用補償電容，但這么做也會帶來其他
2023-09-05 17:29:39977 米勒電容對IGBT關斷時間的影響? IGBT，即絕緣柵雙極性晶體管，是一種高效、高穩定性的半導體器件。它是一種功率開關元件，能夠控制大電流和高電壓的開關。IGBT的關斷時間是非常重要的一個參數
2023-09-05 17:29:421284 米勒電容效應怎么解決？? 米勒電容效應是指在一個帶有放大器的電路中，負載電容會產生一種反饋效應，使得整個電路的增益降低或者不穩定。這種效應的產生會影響到很多電路的穩定性和性能，是電子設計中必須面對
2023-09-18 09:15:451230 MOS管開通過程的米勒效應及應對措施
2023-11-27 17:52:431378 
在半導體開關中使用共源共柵拓撲消除米勒效應
2023-12-07 11:36:43237 
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