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電流噪聲隨頻率增加的現(xiàn)象是IC設(shè)計工程師和電路設(shè)計人員所熟知的，但由于該領(lǐng)域的文章太少或制造商提供的信息不完整，許多工程師難以捉摸。

許多半導(dǎo)體制造商的數(shù)據(jù)手冊（包括ADI公司）在規(guī)格表中規(guī)定了放大器的電流噪聲，通常頻率為1 kHz。目前尚不清楚當(dāng)前的噪聲規(guī)格來自何處。是測量的還是理論上的？一些制造商通過提供

稱為散粒噪聲方程。過去，ADI公司以這種方式提供大多數(shù)當(dāng)前噪聲值。對于每個放大器，此計算數(shù)字是否最高可達(dá)1 kHz？

在過去幾年中，人們對放大器中電流噪聲與頻率的關(guān)系越來越感興趣。一些客戶以及制造商認(rèn)為FET輸入放大器的電流噪聲與雙極性輸入放大器的形狀相似，例如，1/f或閃爍噪聲分量和扁平寬帶分量，如圖1所示。FET輸入放大器的情況并非如此;相反，在圖2中，它看起來像一個奇怪的噪聲形狀，并不為人所知，在許多仿真模型中被忽略了。

圖1.雙極性輸入放大器

AD8099的

電流噪聲

圖2.FET輸入放大器AD8065的電流噪聲。

測量設(shè)置是關(guān)鍵

在我們討論為什么會這樣之前，讓我們快速看一下測量設(shè)置。需要獲得一種易于重現(xiàn)的可靠測量方法，以便可以在許多不同的部件上重復(fù)測量。

可以使用DC417B單功放評估板。被測器件（DUT）的電源必須具有低噪聲和低漂移。線性電源優(yōu)于開關(guān)電源，因此任何電源變化（如開關(guān)偽影）都不會增加測量。LT3045 和 LT3094 是正和負(fù)超高 PSRR、超低噪聲線性穩(wěn)壓器，可用于進(jìn)一步減小來自線性電源的紋波。利用LT3045和LT3094，可以使用單個電阻器配置高達(dá)+15 V和低至–15 V所需的任何輸出電壓。這兩款器件是用于低噪聲測量的理想臺式電源。

圖3.測量設(shè)置。

Ohmite 的 10 GΩ SMT 電阻 （HVC1206Z1008KET） 用于將 DUT 同相引腳上的電流噪聲轉(zhuǎn)換為電壓噪聲。FET 輸入放大器的典型偏置電流約為 1 pA，等于 0.57 fA/√Hz

如果等式

是正確的。10 GΩ源阻抗熱噪聲為

這為我們提供了測量電流本底噪聲

并且可以在后處理中減去它。但是，如果電阻電流噪聲主導(dǎo)DUT的電流噪聲，則無法準(zhǔn)確測量。因此，我們需要至少10 GΩ的電阻值才能看到一些噪聲。100 MΩ源阻抗熱噪聲約為1.28 μV/√Hz（= 12.8 fA/√Hz），不足以區(qū)分DUT和電阻噪聲。如果噪聲不相關(guān)，則以和平方根 （RSS） 方式添加。圖 4 和表 1 顯示了 RSS 對兩個數(shù)字之比的影響。n：n添加約41%，n：n/2添加約12%，n：n/3添加約5.5%，n：n/5添加約2%。通過足夠的平均，我們可能能夠提取大約10%（0.57 fA / √Hz和1.28 fA / √Hz RSS）。

圖4.RSS 基于兩個數(shù)字的比率添加。

?

?

為什么結(jié)果如此奇怪？

圖5顯示了采用AD8065的設(shè)置的電壓噪聲密度，AD145是一款2 MHz FET輸入運(yùn)算放大器，共模輸入阻抗為1.10 pF。12 GΩ電阻熱噪聲為8.20 μV/√Hz，直到輸入電容以及電路板和插座雜散電容滾降電壓噪聲。理想情況下，這應(yīng)該以–100 dB/dec的速度繼續(xù)滾動，但曲線在100 Hz左右開始改變形狀，并在20 kHz左右變平。這是怎么回事？我們的直覺告訴我們，阻止–20 dB/dec滾降并導(dǎo)致平坦度的唯一方法是提供+20 dB/dec斜率。罪魁禍?zhǔn)资请娏髟肼暎谳^高頻率下以+<> dB/dec斜率增加。

圖5.折合到輸出端的電壓噪聲密度。

SR785動態(tài)信號分析儀或FFT儀器可用于測量輸出電壓噪聲;但是，本底噪聲最好小于7 nV/√Hz。當(dāng)DUT滾降的輸出電壓噪聲接近20 nV/√Hz至30 nV/√Hz時，我們希望分析儀本底噪聲盡可能少地增加噪聲。3倍的比率僅增加約5.5%。我們可以忍受噪聲域中5%的誤差（見圖4）。

藝術(shù)在反向計算中

以這種方式進(jìn)行測量，只需一次測量即可獲得繪制電流噪聲所需的兩個主要參數(shù)。首先，我們得到了總輸入電容，即雜散電容和輸入電容，這對于反向計算滾降是必要的。即使有雜散電容，也會捕獲信息。輸入電容在10 GΩ電阻范圍內(nèi)占主導(dǎo)地位。該總阻抗將電流噪聲轉(zhuǎn)換為電壓噪聲。因此，了解此總輸入電容非常重要。其次，它顯示了電流噪聲開始占主導(dǎo)地位的位置，即它開始偏離–20 dB/dec斜率的位置。

讓我們看一個示例，其中包含圖 5 中的此數(shù)據(jù)。3 dB滾降點(diǎn)在2.1 Hz下讀取，對應(yīng)于

輸入端的電容。數(shù)據(jù)手冊提到，共模輸入電容僅為約2.1 pF，這意味著雜散電容約為5.5 pF。差模輸入電容由負(fù)反饋?zhàn)耘e，因此在低頻時不會真正發(fā)揮作用。電容為7.6 pF時，電流噪聲看到的阻抗如圖6所示。

圖6.總阻抗幅度為10 GΩ電阻和7.6 pF輸入電容并聯(lián)。

將AD8065上測得的折合輸出（RTO）電壓噪聲（圖5）除以阻抗與頻率的關(guān)系（圖6），得到AD8065和RSS中組合的10 GΩ電阻的等效電流噪聲（圖7）。

圖7.AD8065和10 GΩ電阻的RTI電流噪聲。

去除10 GΩ的電流噪聲后，AD8065的折合到輸入端的噪聲如圖8所示。在 10 Hz 以下，它非常模糊，因?yàn)槲覀冊噲D從 0.5 fA/√Hz（RSS 標(biāo)度為 0%）中找出 6.1 fA/√Hz 到 28.10 fA/√Hz，并且只完成了 100 個平均值。在 15 mHz 到 1.56 Hz 之間，有 400 條線路具有 4 mHz 帶寬。平均每 256 秒！100 的平均值 256 是 25，600 秒，略多于 7 小時。為什么需要低至 15 mHz 的測量，為什么要花費(fèi)這么多時間？輸入電容為10 pF，10 GΩ時產(chǎn)生1.6 Hz低通濾波器。 低噪聲FET放大器具有高達(dá)20 pF的大輸入電容，使3 dB點(diǎn)為0.8 Hz。為了正確測量3 dB點(diǎn)，我們需要看到十年前的情況，即低至0.08 Hz（或80 mHz）。

如果我們盯著10 Hz以下的模糊線，0.6 fA / √Hz通過

可以驗(yàn)證。對于電流噪聲，這個等式并不完全錯誤。在一階近似中，它仍然顯示了器件的低頻電流噪聲行為，因?yàn)樵撾娏髟肼暶芏戎凳峭ㄟ^直流輸入偏置電流獲得的。然而，在高頻下，電流噪聲不遵循這個等式。

圖8.AD8605的RTI電流噪聲。

在較高頻率下，DUT電流噪聲明顯主導(dǎo)電阻電流噪聲，電阻噪聲可以忽略不計。圖9顯示了各種FET輸入放大器在10 GΩ噪聲下的折合到輸入端的電流噪聲，采用圖3所示的設(shè)置進(jìn)行測量。100 kHz時100 fA/√Hz似乎是大多數(shù)精密放大器的典型性能。

圖9.所選ADI放大器的RTI電流噪聲

也有例外：LTC6268/LTC6269 電流噪聲在 5 kHz 時為 6.100 fA/√Hz。這些器件非常適合需要高帶寬、低輸入電容、飛安級偏置電流的高速TIA應(yīng)用。

圖 10.LTC6268 的輸入?yún)⒖茧娏髟肼暋?/strong>