在采用帶引線的TO-247封裝中采用共源共柵模式技術之后，市場上出現了許多趨勢，這些市場朝著R DS（開啟），更好的開關品質因數（FOM）和更低的電容方面的改進方向發展。
2021-03-16 11:26:34
6828 通過采用電子馬達驅動器或“電壓源逆變器”可實現對電機的增強型控制，此類驅動器通常會產生可變頻率和幅值的三相交流電來控制馬達的速度、扭矩和方向。驅動器采用開關電源技術，通常在16kHz左右運行，并通過脈沖寬度調制實現輸出控制。
2021-04-28 09:43:152443 
通過種種信息，我們應該都能發現，氮化鎵充電器目前已經快要與普通充電器市場持平，而且，氮化鎵充電器是近幾年新開發出來的，從剛開始出現的30W到現在的140W、200W，相信未來還會有更多可能。
2023-02-03 16:51:466396 
新一代氮化鎵技術針對汽車、5G 和數據中心等應用；新器件采用了傳統的TO-247封裝和創新的銅夾片貼片封裝CCPAK
2020-06-11 08:03:432926 氮化鎵（GaN）是第三代半導體技術，其運行速度比舊的慢速硅（Si）快20倍，并且可以以三分之一的體積和重量，實現高達三倍的功率或充電速度。
2021-03-15 09:45:54994 采用了該公司的氮化鎵技術。這款適配器采用Transphorm的SuperGaN?第四代技術，這是一種氮化鎵場效應管(FET)平臺，具有以下優點：系統
2022-08-08 10:47:13707 
對于大規模MIMO系統而言，第4代氮化鎵技術和多功能相控陣雷達(MPAR)架構可提升射頻性能和裝配效率——DavidRyan，MACOM高級業務開發和戰略營銷經理解說道，向5G移動網絡的推進不斷加快
2019-08-02 08:28:19
`對于大規模MIMO系統而言，第4代氮化鎵技術和多功能相控陣雷達(MPAR)架構可提升射頻性能和裝配效率——DavidRyan，MACOM高級業務開發和戰略營銷經理解說道，向5G移動網絡的推進不斷
2017-08-03 16:28:14
"對于大規模MIMO系統而言，第4代氮化鎵技術和多功能相控陣雷達(MPAR)架構可提升射頻性能和裝配效率。"—David Ryan，MACOM高級業務開發和戰略營銷經理 行業洞察
2017-06-06 18:03:10
(86) ，因此在正常體溫下，它會在人的手中融化。
又過了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術才得以出現。作為一種化合物，氮化鎵的熔點超過1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網應用創建高效、緊湊的10 kW轉換，德州儀器為您的設計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
的數十億次的查詢，便可以獲得數十億千瓦時的能耗。
更有效地管理能源并占用更小空間，所面臨的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年
2019-03-14 06:45:11
被譽為第三代半導體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運用到通信、軍工領域，隨著技術的進步以及人們的需求，氮化鎵產品已經走進了我們生活中，尤其在充電器中的應用逐步布局開來，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
技術迭代。2018 年，氮化鎵技術走出實驗室，正式運用到充電器領域，讓大功率充電器迅速小型化，體積僅有傳統硅（Si）功率器件充電器一半大小，氮化鎵快充帶來了充電器行業變革。但作為新技術，當時氮化鎵
2022-06-14 11:11:16
現在越來越多充電器開始換成氮化鎵充電器了，氮化鎵充電器看起來很小，但是功率一般很大，可以給手機平板，甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么，氮化鎵充電器有哪些優點，下文簡單做個分析。一、氮化鎵
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
`從研發到商業化應用，氮化鎵的發展是當下的顛覆性技術創新，其影響波及了現今整個微波和射頻行業。氮化鎵對眾多射頻應用的系統性能、尺寸及重量產生了明確而深刻的影響，并實現了利用傳統半導體技術無法實現
2017-08-15 17:47:34
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。 數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
深圳市尊信電子技術有限公司專業開發設計電子產品方案鈺泰，智融，賽芯微一級代理吉娜：*** 微信：mphanfan歡迎行業客戶聯系，獲取datasheet、報價、樣片等更多產品信息氮化鎵技術的普及，使
2021-11-28 11:16:55
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導體的制造規模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術，瞄準主流消費
2018-02-12 15:11:38
用于無線基礎設施的半導體技術正在經歷一場重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管在功率放大器領域幾十年來的主導地位正在被氮化鎵(GaN)撼動，這將對無線
2017-08-30 10:51:37
地控制烹飪。以上講解到的演示，即我們的硅基氮化鎵技術將如何支持射頻能量市場，這是我們要通過高效氮化鎵技術推動的多種應用之一。關于MACOMMACOM是一家新生代半導體器件公司，集高速增長、多元化和高
2017-09-06 14:44:16
，尤其是2010年以后，MACOM開始通過頻繁收購來擴充產品線與進入新市場，如今的MACOM擁有包括氮化鎵（GaN）、硅鍺（SiGe）、磷化銦（InP）、CMOS、砷化鎵等技術，共有40多條生產線
2017-09-04 15:02:41
的各個電端子之間的距離縮短十倍。這樣可以實現更低的電阻損耗，以及電子具備更短的轉換時間。總的來說，氮化鎵器件具備更快速的開關、更低的功率損耗及更低的成本優勢。由于氮化鎵技術在低功耗、小尺寸等方面具有獨特
2017-07-18 16:38:20
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統的硅技術相比，不僅性能優異，應用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發和應用中，傳統硅器件在能量轉換方面，已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
eMode硅基氮化鎵技術，創造了專有的AllGaN?工藝設計套件（PDK），以實現集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅動器，邏輯和保護功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業標準的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
氮化鎵南征北戰縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越性質，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應用中常用的半導體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
功率密度。氮化鎵開關器件通過在高速開關下保持高效率水平實現這些優勢， 這使得可以應用更小的元件，從而縮小尺寸。同時，高效率產生更少的熱量，從而確保電源適配器表面溫度不超過要求的溫度上限。精品推薦：通用適配器來了，氮化鎵技術做后盾`
2017-05-25 10:35:22
氮化鎵技術非常適合4.5G或5G系統，因為頻率越高，氮化鎵的優勢越明顯。那對于手機來說射頻GaN技術還需解決哪些難題呢？
2019-07-31 06:53:15
，一些射頻氮化鎵廠商開始考慮在未來的手持設備中使用氮化鎵。對于現在的手機而言，氮化鎵的性能過剩，價格又太貴。但將來支持下一代通信標準（即5G）的手機，使用氮化鎵是有可能的。氮化鎵技術非常適合4.5G或
2016-08-30 16:39:28
，利用氮化鎵技術的性能優勢，基于固態射頻能量的等離子照明極大延長了光源的使用壽命，為等離子燈提供了前所未有的市場機會。由于固態射頻能量的高效率和長壽命，等離子照明現在可以為大面積照明應用提供極高的價值。由
2017-12-14 10:24:22
在德州儀器不斷推出的“技術前沿”系列博客中，一些TI最優秀的人才討論當今最大的技術趨勢以及如何應對未來挑戰等問題。相較于先前使用的硅晶體管，氮化鎵（GaN）可以讓全新的電源應用在同等電壓條件下以更高
2018-08-30 15:05:40
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2022-11-10 06:36:09
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術，可實現更高的效率、顯著減小系統尺寸、更輕和于應用中取得硅器件無法實現的性能。那么，為什么關于氮化鎵半導體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？
關于氮化鎵技術
2023-06-25 14:17:47
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
，是氮化鎵功率芯片發展的關鍵人物。
首席技術官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業生涯中，長期擔任副總裁及更高級別的管理職位，并領導研發工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
，整合優勢資源，讓客戶更加方便地用上氮化鎵技術，獲得氮化鎵低開關損耗、高效率的優勢，降低充電器的能耗，節能減排助力“3060雙碳”戰略。茂睿芯年初發布了業界最小體積SOT23-6的高頻QR ACDC
2021-11-12 11:53:21
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統的、基于硅材料的技術，創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
愛思強股份有限公司推出最新產品AIX G5+，為其AIX G5行星式反應器平臺提供5x200 mm硅基氮化鎵生長專用設備。基于以客戶為中心的發展計劃，愛思強的研發實驗室開發了此技術并設計并制
2012-07-25 11:16:211364 在過去的半個世紀，硅一直是現代電子工業的基礎，原因很顯然：到現在為止，硅是大規模應用于最新消費、商業和工業技術最完美的半導體材料。但是現在，面對一種可提供比舊行業標準更高的速度、更強的功率處理能力和更小的尺寸的新型半導體材料，硅的局限性受到了挑戰。
2017-05-22 09:35:501927 
硅功率MOSFET為電路設計者提供了許多好處，使它成為許多應用中的明顯選擇。它提供了高開關速度和低導通電阻，不像前面的雙極晶體管，MOSFET不遭受熱失控。
2017-06-13 09:58:49
14 器件能夠提供最大限度射頻功率密度，芯片與封裝包之間的良好熱接口極為重要。
在氮化鎵技術中，熱設計與電氣設計同等重要。
2018-01-04 16:44:585694 德州儀器的默認過流保護方法被歸類為“電流鎖存”保護；這意味著，若在器件中檢測到任何過流故障，FET將安全關斷，并在故障復位前保持關斷狀態。在我們的70mΩ器件中，故障在36 A觸發；對于50mΩ器件，故障觸發器擴展到61 A.
2019-04-24 14:36:47679 
過去十年，全球對電信基礎設施的投資一直很穩定，并且，中國政府的投入近年持續增長。在這個穩定的市場中，更高的頻率趨勢，為RF GaN在5G網絡頻率低于6GHz（sub-6Ghz）的功率放大器（PA）中找到了用武之地。
2019-05-10 09:18:256132 
毫無疑問，氮化鎵在半導體競爭中處于領先地位，可用于超級電源開關。
2019-05-31 15:35:512859 貝爾金近日發布了全新的USB-C氮化鎵電源適配器以及無線充電器。貝爾金全新USB-C電源適配器有30W、60W和68W三種選擇，全部采用氮化鎵技術，尺寸更小。
2020-01-13 14:06:191136 用于無線基礎設施的半導體技術正在經歷一場重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管在功率放大器領域幾十年來的主導地位正在被氮化鎵(GaN)撼動，這將對無線基站的系統性能和運營成本產生深遠的影響。
2020-02-12 13:25:448675 
近日，康佳一則招募氮化鎵工程師的官方啟事引發業界高度關注。康佳副總裁李宏韜在接受記者采訪時解釋，招募氮化鎵工程師是希望加快推進康佳在Micro LED芯片研發上的工作。在經過了長時間的積累與沉淀之后，康佳以氮化鎵技術為突破，發力Micro LED的號角已經吹響。
2020-02-28 15:30:351283 在這當中氮化鎵技術就起到了非常重要的作用。高輸出功率、線性度和功耗要求正促使基站和網絡OEM從使用PA LDMOS技術轉向氮化鎵技術。
2020-04-28 16:15:35853 目前常用的解決方案包括使用硅基超結金屬氧化物半導體場效應晶體管（SJMOSFET）來調節、轉換并向電池充電。它的尺寸大約為18英寸×25英寸，重量大概13磅，能效約為94%。
2020-11-05 13:03:251452 碳化硅和氮化鎵技術的“甜區”在哪里？
2021-06-02 11:14:432855 
通過采用電子馬達驅動器或“電壓源逆變器”可實現對電機的增強型控制，此類驅動器通常會產生可變頻率和幅值的三相交流電來控制馬達的速度、扭矩和方向。驅動器采用開關電源技術，通常在16kHz左右運行，并通過脈沖寬度調制實現輸出控制。
2021-07-04 09:36:102762 
氮化鎵（GaN）是下一代半導體技術，它的器件開關速度比傳統硅器件快20倍。
2021-09-08 12:22:201285 USB PD快充是目前主流的快充協議，而USB Type-C接口也在手機和筆記本上廣泛應用，USB Type-C接口內置USB PD快充協議的通信線，并且支持USB PD標準的電壓與電流，USB Type-C接口是USB PD快充協議的主流載體，所以說USB PD和USB Type-C是一套相輔相成的關系。
2021-12-27 15:19:551199 的65W 2C1A USB PD適配器采用了該公司的氮化鎵技術。這款適配器采用Transphorm的SuperGaN?第四代技術，這是一種氮化鎵場效應管(FET)平臺，具有以下優點：系統設計簡單，元件
2022-07-29 09:14:47584 副總裁 Andrea Bricconi 的播客中，我們將分析這個寬帶隙生態系統的最新技術，這些技術將推動下一步的改進。 開始 歡迎來到由 Maurizio Di Paolo Emilio 主持的播客節目
2022-07-29 16:06:00418 Micro LED被譽為新時代顯示技術，但目前仍面臨關鍵技術、良率、和成本的挑戰。 微米級的Micro LED已經脫離了常規LED工藝，邁入類IC制程。相對其它競爭方案，大尺寸硅襯底氮化鎵（GaN
2022-08-17 12:25:421137 亞洲充電展(Asia Charging Expo)簡稱ACE，由充電頭網發起，旨在促進最新電源技術和低碳環保的緊密結合。2022亞洲充電展立足現代化國際都市群粵港澳大灣區，是全球影響最為廣泛的能源電子技術展會之一，也是亞洲屈指可數的充電行業技術產業盛會。
2022-08-18 12:42:56606 氮化鎵技術的出現，通過降低開關損耗和導通阻抗，提高效率，降低發熱，減小了快充充電器的體積。
2022-09-28 14:45:221578 支持瓦特到千瓦級應用的氮化鎵技術
2022-11-01 08:25:401 氮化鎵不僅受到近距離無線充電的歡迎，比如高合汽車采用GaN無線充電，而且遠距離無線輸電也在采用氮化鎵技術。
2022-12-08 11:50:011947 隨著氮化鎵技術的不斷發展，氮化鎵也應用在了很多新興領域，充電頭網此次選取了手機、車充、PC電源、服務器電源、筆記本適配器、戶外電源等新場景，幫助大家掌握氮化鎵應用的最新動態。
2023-02-02 17:52:311332 什么是氮化鎵技術 氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子
2023-02-03 14:14:451559 氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
2023-02-03 17:52:383426 氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導體。
2023-02-03 18:18:465898 
的導通電阻，因此能夠降低損耗、減少發熱，提供高效節能，使得元器件的體積能夠更加精簡，正因如此，氮化鎵技術的應用也越來越多，本文就帶大家了解一下氮化鎵技術應用在了哪些方面。 氮化鎵器件現在普遍應用在了構建放大器電路的
2023-02-06 09:32:01861 氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。
2023-02-06 09:46:091719 硅基氮化鎵是一個正在走向成熟的顛覆性半導體技術，硅基氮化鎵技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現有硅基半導體制造基礎設施實現低成本、大批量的氮化鎵器件產品的生產。
2023-02-06 16:44:262277 
通過采用電子馬達驅動器或“電壓源逆變器”可實現對電機的增強型控制，此類驅動器通常會產生可變頻率和幅值的三相交流電來控制馬達的速度、扭矩和方向。驅動器采用開關電源技術，通常在16kHz左右運行，并通過脈沖寬度調制實現輸出控制。
2023-02-08 09:46:44614 
具體而言，SiC 近年來在很多領域都有應用，比如工業領域。對于 GAN 來說，可使用場景非常廣泛。SiC 產品在高功率市場中有著很好的應用，例如 IGBT 這些產品都有著很好的使用，應用領域在不斷增長中，其主要動力來自汽車行業
2023-02-10 11:01:28432 氮化鎵（GaN）技術如今在電力電子行業風靡一時，這種寬禁帶半導體能夠實現非常高的效率和功率密度，因此能夠減小電源的體積，并且降低其工作溫度，該性能優勢正迅速成為電源制造商保持競爭力和符合日益嚴格
2023-02-10 15:10:57669 、零反向恢復電荷、體積小和能耗低、抗輻射等優勢。 曾經射頻半導體市場中主要用到的是LDMOS技術，而如今，硅基氮化鎵技術基本已經取代了傳統的LDMOS技術，與傳統的LDMOS技術相比，硅基氮化鎵技術可提供的功率效率能夠超過70%，單位面積功
2023-02-12 14:30:281420 氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬
2023-02-12 17:32:163011 氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度
2023-02-13 09:26:412019 GaN和SiC屬于高帶隙的第三代半導體材料，與第一代Si和第二代GaAs等前輩相比，它們在特性上具有突出優勢。由于大的帶隙和高的熱導率，GaN器件可以在200°C以上的高溫下工作，并且可以承載更高的能量密度和更高的可靠性；大的帶隙和絕緣損壞電場降低了器件的導通電阻，有利于提高器件的整體能效。
2023-02-13 17:24:04410 硅基氮化鎵技術是一種新型的氮化鎵外延片技術，它可以提高外延片的熱穩定性和抗拉強度，從而提高外延片的性能。
2023-02-14 14:19:011046 硅基氮化鎵技術原理是指利用硅和氮化鎵的特性，將其結合在一起，形成一種新的復合材料，以滿足電子元件、電子器件和電子零件的制造要求。硅基氮化鎵具有良好的熱穩定性和電磁屏蔽性，可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件，而氮化鎵則可以提供良好的電子性能和絕緣性能。
2023-02-14 14:46:581044 氮化鎵晶體管型號參數主要包括電壓限值、電流密度、功率密度、效率、溫度系數、漏電流、漏電壓、抗電磁干擾能力等。
2023-02-14 16:24:031388 氮化鎵技術是誰突破的技術 作為支撐“新基建”建設的關鍵核心器件，氮化鎵應用范圍非常廣泛，氮化鎵在數據中心，新能源汽車等領域都有運用。那么這么牛的氮化鎵技術是誰突破的技術？ 氮化鎵技術是誰突破的技術
2023-02-16 17:48:442805 氮化鎵在任何功率級別都很關鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時減小尺寸、重量和元件數量。從歷來經驗來看，您必須至少對其中的部分因素進行權衡，但德州儀器正通過所有這些優勢實現設計，同時通過
2023-03-31 09:14:29299 
氮化鎵（GaN）作為第三代半導體器件，憑借其優異的性能，在PD快充領域被廣泛使用。
2023-06-02 16:41:13330 
渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵（GaN）功率轉換解決方案產品組合和領先的應用技術。已獲得所有必要的監管部門審批，交易結束后，GaN Systems 已正式成為英飛凌的組成部分。 目前，英飛凌共有 450 名氮化鎵技術專家和超過 350 個氮化鎵技術專利族。英飛凌表示，公司和 G
2023-10-26 08:43:52207 氮化鎵是一種寬帶隙半導體材料，具有高電子遷移率、高耐壓、高頻率等特性。相比傳統的硅材料，氮化鎵材料的帶隙寬度更大，能夠承受更高的電壓和溫度，同時具有更高的電子遷移率和更快的開關速度。這些特性使得氮化
2023-11-07 15:48:01196 氮化鎵材料定義：氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導體材料。 氮化鎵材料為第三代半導體材料的典型代表，是研制微電子器件、光電子器件的新型材料。
2023-11-14 11:03:10217 
近日，Nexperia（安世半導體）憑借其在氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）領域的杰出表現，榮獲兩項權威大獎：“SiC年度優秀產品獎”和“中國GaN功率器件十強”。這一榮譽充分展示了安世半導體作為基礎半導體全球領導者的強大實力，以及其在三代半領域的深厚積累。
2024-01-03 15:46:13403 氮化鎵技術（GaN技術）是一種基于氮化鎵材料的半導體技術，被廣泛應用于電子設備、光電子器件、能源、通信和國防等領域。本文將詳細介紹氮化鎵技術的用途和應用，并從不同領域深入探討其重要性和優勢
2024-01-09 18:06:36303 氮化鎵是一種半導體材料，由氮氣和金屬鎵反應得到。它具有優異的光電特性和熱穩定性，因此在電子器件、光電器件、化學傳感器等領域有著廣泛的應用。本文將從氮化鎵的制備方法、特性、應用等方面進行詳細介紹
2024-01-10 10:06:30197
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