只要問任何經驗豐富的電氣工程師——如我們今天故事里的教授 Gureux ——在 MOSFET 柵極前要放什么,你很可能會聽到“一個約 100 Ω 的電阻”。
2018-04-16 08:53:1614343 MOSFET的柵極電阻有什么關鍵作用?
2019-05-11 09:32:1113279 為了穩定性,必須在 MOSFET 柵極前面放一個 100 Ω 電阻嗎?
2023-03-13 10:18:05957 為什么有時候需要MOSFET柵極電阻?它應該是什么價值?它應該在下拉電阻之前還是之后?事實上,有許多電路是在沒有柵極電阻的情況下工作的,但添加一個可以防止一些潛在的問題。1000Ω很可能會起作用。
2023-07-06 11:10:48954 MOSFET柵極電路常見的作用MOSFET常用的直接驅動方式
2021-03-29 07:29:27
防止兩個MOSFET管直通,通常串接一個0.5~1Ω小電阻用于限流,該電路適用于不要求隔離的中功率開關設備。這兩種電路特點是結構簡單。 功率MOSFET 屬于電壓型控制器件,只要柵極和源極之間施加
2019-06-14 00:37:57
ID。改變VGS的電壓可控制工作電流ID。 若先不接VGS(即VGS=0),在D與S極之間加一正電壓VDS,漏極D與襯底之間的PN結處于反向,因此漏源之間不能導電。如果在柵極G與源極S之間加一電壓
2020-07-06 11:28:15
容量功率MOSFET在構造上,如圖1存在寄生容量。功率MOSFET在構造上,如圖1存在寄生容量 MOSFET的G (柵極) 端子和其他的電極間由氧化膜絕緣,DS (漏極、源極) 間形成PN接合,成為內置
2019-04-10 06:20:15
,在柵極G和源極S之間加正電壓,即UGS﹥0時,如圖2—55(a)所示,則在柵極與襯底之間產生一個由柵極指向襯底的電場。在這個電場的作用下,P襯底表面附近的空穴受到排斥將向下方運動,電子受電場的吸引
2018-08-07 14:16:14
很重要,所以我們將選用半橋拓撲。這種拓撲是電力電子裝置最常用的拓撲之一。這些例子重點介紹了同步壓降轉換器——一個半橋拓撲的具體應用。共源極電感效應圖1為具備雜散電感和電阻(由封裝鍵合線、引線框以及電路板
2019-05-13 14:11:31
MOSFET的VGS(th):柵極閾值電壓MOSFET的VGS(th):柵極閾值電壓是為使MOSFET導通,柵極與源極間必需的電壓。也就是說,VGS如果是閾值以上的電壓,則MOSFET導通。可能有
2019-05-02 09:41:04
2個系列相關的技術信息鏈接。要想更深入了解產品,需要確認技術規格的規格值和特性圖表,這一點是很重要的。關鍵要點:?PrestoMOS是具備SJ-MOSFET的高耐壓、低導通電阻、低柵極總電荷量特征、且
2018-11-28 14:27:08
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開通損耗嗎?柵極電阻的值會在開通過程中影響與漏極相連的二極管嗎?
2023-05-16 14:33:51
電路設計如圖;問題:MOSFET測量柵極有開啟電壓+3.6V,漏極電壓+12V,但是源極電壓測量為+1V;分析:有可能是MOSFET壞了,除了這個可能性,不清楚是不是設計上有問題,希望大家幫忙,目前源極沒有接負載,這對電路有沒有影響呢?
2019-09-11 14:32:13
是標準化過電流關斷圖時間與標準化MOSFET電流。這張圖是用于選擇兩個延遲分量,RD和CD,在漏感之間構成了一個簡單的RC延遲電阻和漏極檢測輸入。圖的Y軸規范化為一個RC時間不變的。X軸規格化為電流。(布景
2020-09-08 17:28:16
你好,我打算使用FQD7P20TMCT-ND和FDD7N20TMCT-ND。為了驅動這些MOSFET,我正在使用MD1822K6-GCT-ND。我的問題是我需要在門到源之間安裝二極管和電阻,如下
2018-10-26 14:46:14
柵極與源極之間加一個電阻,這個電阻起到什么作用?一是為場效應管提供偏置電壓;二是起到瀉放電阻的作用:保護柵極G-源極S;
2019-05-23 07:29:18
和發射極。為了操作MOSFET/IGBT,通常須將一個電壓施加于柵極(相對于器件的源極/發射極而言)。使用專門驅動器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅動電流。本文討論柵極驅動器是什么,為何需要柵極驅動器,以及如何定義其基本參數,如時序、驅動強度和隔離度。
2021-01-27 07:59:24
驅動器,以及如何定義其基本參數,如時序、驅動強度和隔離度。需要柵極驅動器IGBT/功率MOSFET的結構使得柵極形成一個非線性電容。給柵極電容充電會使功率器件導通,并允許電流在其漏極和源極引腳之間流動
2021-07-09 07:00:00
俺也是個初學者,對信號完整性了解不多。只是看到參考電路上,DSP和SDRAM之間的數據總線,地址總線中間都加了小電阻。感覺是信號完整性用的 。但是現在布線的時候,感覺比較麻煩,不如不加這個呢。所以,我想問一下。DSP(單片機)和SDRAM之間的數據總線,地址總線,一定要加電阻嗎?什么時候一定要加?
2022-07-20 14:23:25
橫向導電的MOSFET,如下圖所示,這個結構及其工作原理以前的文章介紹過:功率MOSFET的結構及特點,其由三個電極:G柵極、D漏極和S源極組成。圖1:平面橫向導電MOSFET灰色Gate柵極的寬度
2017-01-06 14:46:20
普通N MOS管給柵極一個高電壓 ,漏極一個低電壓,漏源極就能導通。這個GS之間加了背靠背的穩壓管,給柵極一個4-10V的電壓,漏源極不能導通。是不是要大于柵源擊穿電壓VGSO(30v)才可以?
2019-06-21 13:30:46
MOS管的開關電路中柵極電阻R5和柵源極級間電阻R6是怎么計算的?在這個電路中有什么用。已知道VDD=3.7V,在可變電阻狀態中,作為開關電路是怎么計算R5和R6?
2021-04-19 00:07:09
;gt;N溝道MOSFET有三個電極,分別是源極S、漏極D和柵極G。當VGS=0時,漏、源極之間無原始導電溝道,ID=0;當VGS>0但是比較小時,漏、源極之間也無導電溝道。當
2010-08-17 09:21:57
MOSFET 切換高于5V 的電壓,則需要另一個晶體管(某種晶體管)來打開和關閉它。P 溝道場效應管P溝道區域位于P溝道MOSFET的源極和漏極之間。它是一個四端子器件,具有以下端子:柵極、漏極、源極和主體
2023-02-02 16:26:45
,大部分電荷載流子是電子。增強模式和耗盡模式下的P溝道MOSFET符號如下圖所示:P溝道MOSFET包括一個P溝道區域,該區域布置在兩個端子之間,如源極 (S) 和漏極 (D) 并且主體為N區域。與N溝道
2022-09-27 08:00:00
通電阻比普通產品低61%(雙極MOSFET的Pch部分比較),有助于進一步降低各種設備的功耗。此外,通過將兩枚器件集成到一個封裝中,有助于通過減少安裝面積從而實現設備的小型化, 還有助于減少器件選型
2021-07-14 15:17:34
電阻低,通道電阻高,因此具有驅動電壓即柵極-源極間電壓Vgs越高導通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導通電阻與Vgs的關系。導通電阻從Vgs為20V左右開始變化(下降)逐漸減少,接近
2018-11-30 11:34:24
什么樣的現象。綠色曲線表示高邊SiC-MOSFET的柵極電壓VgsH,紅色曲線表示低邊的柵極電壓VgsL,藍色曲線表示Vds。這三個波形都存在振鈴或振蕩現象,都不容樂觀。比如一旦在低邊必須關斷的時間點
2018-11-30 11:31:17
應用角度來看,驅動回路和功率回路共用了源極的管腳。MOSFET是一個電壓型控制的開關器件,其開通關斷行為由施加在柵極和源極之間的電壓(通常稱之為VGS)來決定。 從圖1模型來看,有幾個參數是我們需要
2023-02-27 16:14:19
老規矩先放結論:與反向并聯的二極管一同構成硬件死區電路形如:驅動電路電壓源為mos結電容充電時經過柵極電阻,柵極電阻降低了充電功率,延長了柵極電容兩端電壓達到mos管開啟電壓的速度;結電容放電時經
2021-11-16 08:27:47
(Vin)施加在柵極端子和零伏電壓軌(0v)之間。在施加恒定的柵極電壓Vg的情況下,JFET像線性電阻器件一樣在其“歐姆區域”內工作。漏極電路包含負載電阻Rd。在該負載電阻兩端產生輸出電壓Vout
2020-11-03 09:34:54
的方向。MOSFET管是另一種非常常見的晶體管類型。它也具有三個引腳:柵極(G)、漏極(D)、源極(S)MOS管和三極管同為晶體管,它們之間的工作原理也有些類似之處:1).MOS管的源極S、柵極G、漏極
2023-02-20 15:30:11
有一個圖表代表一個電路,其目的是根據微控制器中編程的邏輯啟用/禁用兩個LED。在下面的電路中,據我所知,有兩個n型晶體管,它們分別有一個電阻連接它們的柵極和它們的源極。我的問題是:為什么需要標記電阻?(紅圈)
2018-08-21 10:35:11
1、為什么要加電阻下圖是典型的 MIC 應用電路以及 MIC 內部的電路圖。在 MIC 內部,駐極體電容將聲音信號變為電信號,并立即通過一級共源 FET 放大輸出。加電阻的目的是為了給 MIC 內部
2021-07-27 08:25:22
極性三極管,它是電流控制器件。它的基極串聯電阻是為了了限制基極電流的大小,否則對于驅動信號源來說,三極管的基極對地之間就等效成一個二極管,會對前面驅動電路造成影響。 而MOS管,由于它的柵極相對于漏極
2023-03-10 15:06:47
,發現N-MOSFET管的源極S和漏極D之間存在兩個背靠背的pn結,當柵極-源極電壓VGS不加電壓時,不論漏極-源極電壓VDS之間加多大或什么極性的電壓,總有一個pn結處于反偏狀態,漏、源極間沒有導電溝道
2023-02-10 15:33:01
?當輸入與輸出電壓之間有正電壓時,運放肖特基二極管電路使MOSFET導通,如下式:VGATE=VOUT-(R2/R1)(VIN-VOUT)其中,肖特基二極管電路的VGATE是MOSFET的柵極驅動
2021-04-08 11:37:38
? MOSFET幾乎都沒有寄生導通。 假設有一個良好設計的、柵漏極電容極低的PCB布局,這時英飛凌鼓勵電力電子工程師使用0V的柵極關斷電壓來操作CoolSiC? MOSFET分立器件。這有助于簡化柵極驅動的設計,同時保證性能不受影響。原作者: Klaus Sobe 英飛凌工業半導體
2023-02-27 13:53:56
在通孔板上建立電路數小時后,我發現使用P-MOSFET時Vgs并不容易。經過搜索,我發現我需要使用N-MOSFET或BJT(NPN)將源極電壓帶到柵極,以便關斷MOSFET。對我來說非常重要的是,當
2018-08-23 10:30:01
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅動器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET,使包括柵極電阻在內均可調整。將該柵極驅動器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接,來確認柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
大家好,問個在網上經常碰到的問題,但我想再問得深入些。 關于MOSFET,就說NMOS管吧,平時說到柵極,大家都習慣性的串接一個柵極電阻大小從10歐--100歐不等。 而且有人說為了提高開通速度甚至
2013-02-08 15:28:29
和漏極電荷Qgs:柵極和源極電荷柵極電荷測試的原理圖和相關波形見圖1所示。在測量電路中,柵極使用恒流源驅動,也就是使用恒流源IG給測試器件的柵極充電,漏極電流ID由外部電路提供,VDS設定為最大
2017-01-13 15:14:07
功率MOSFET的結構特點為什么要在柵極和源極之間并聯一個電阻呢?
2021-03-10 06:19:21
,就會形成一個薄的高質量的氧化層,從而產生溝道。 工作原理是:柵極和源極間加正向電壓,P-區中的少數載流子,即“少子”,也就是電子,被電場吸引到柵極下面的表面,隨著柵極和源極正向偏置電壓的增加,更多
2016-10-10 10:58:30
極)及D(漏極),如圖1d所示。從圖1中可以看出柵極G與漏極D及源極S是絕緣的,D與S之間有兩個PN結。一般情況下,襯底與源極在內部連接在一起。圖1是N溝道增強型場效應管(MOSFET)的基本結構圖
2011-12-19 16:52:35
反激式轉換器工作原理圖1為一個最簡單的反激式轉換器拓撲結構,并且包含以下寄生元件:如初級漏電感、MOSFET的寄生電容和次級二極管的結電容。 圖1包含寄生元件的反激式轉換器拓撲圖該拓撲源自一個升降
2018-10-10 20:44:59
MOSFET只需要柵極引腳上的電壓來允許電流在漏極和源極引腳之間流動。場效應管MOSFET在實際設計中具有非常高的柵極阻抗,這就決定了MOSFET的一個特點,非常擅長降低電路的運行所需要的功率。先來簡單介紹
2022-09-06 08:00:00
MOSFET需要一個柵極驅動來將電流從源極傳導至漏極,并且需要在AC正弦波變為負值時快速關斷。通過將N溝道MOSFET與4個LM74670-Q1智能二極管整流控制器組合在一起,可以在在正弦波的負周期
2018-05-30 10:01:53
增大MOSFET柵極電阻可消除高平震蕩,是否柵極電阻越大越好,為什么?請你分析一下增大柵極電阻能消除高平震蕩的原因。
2023-03-15 17:28:37
增大MOSFET柵極電阻可消除高平震蕩,是否柵極電阻越大越好,為什么?請你分析一下增大柵極電阻能消除高平震蕩的原因
2023-05-16 14:32:26
(因為我在做電機時候,逆變橋用自舉驅動MOS管是要GND網絡的,不知道這個是否需要),我有個想法就是不需要此GND網絡,但是在柵極和源極之間需要并個大電阻,不知這樣是否可行。
2020-11-11 20:39:43
均采用 TO-247-4L 封裝,其中包括一個驅動器發射極/源極引腳。兩種情況均僅使用單極柵極驅動:IGBT為15V/0V,SiCMOSFET為18V/0V。表 1 顯示了使用相應條件執行的測試列表
2023-02-21 16:36:47
MOSFET的高壓RDC_ON降觸發的保護也可以使用漏極至源極兩端的大比率電阻分壓器來實現(見圖2)。電阻分壓器R13/R14在其值方面有兩個限制。R14兩端的壓降應高于300mV,以便在RDC_ON發生
2023-02-27 09:52:17
!它在高側柵極驅動器源連接(R57、R58 和 R59)中也有 4R7 電阻,我不明白為什么需要這些。是否有任何設計指南可以告訴我如何定義柵極電阻器、自舉電容器以及為什么高側柵極驅動器可能需要對 MOSFET 源極施加一些電阻?
2023-04-19 06:36:06
在mos管的源極和柵極之間并一個電阻是為保護MOS的寄生電感,在電源瞬間上電時候該如何理解呢 ?
2023-03-15 17:30:51
Q1。如何計算IGBT柵極電阻。我想使用 STGD18N40LZ IGBT 來操作感性開關負載。開關頻率:- 在 400Hz 到 1Khz 之間集電極到發射極電壓:- 24V。平均最大電流:- 5A。Q2。使用1Kohm電阻會有什么影響?
2023-01-04 09:00:04
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
反相電壓放大(共發射極(共源極)電路),輸入電壓(電流)增加,輸出電壓下降。是因為管壓降低了,相當于管子的電阻小了,電流大了
2012-07-09 17:45:33
MOSFET模型, 3個電容為硅結構,分別位于各個連接引腳之間:柵漏電容Cgd、漏源電容Cds和柵源電容Cgs.鍵合絲產生了MOSFET寄生電感:柵極寄生電感Lg1、漏極寄生電感Ld1和源極寄生電感Ls1。這個
2018-10-08 15:19:33
重要作用。MOSFET既可工作在第一象限,也可工作在第三象限。沒有施加柵-源極電壓時,寄生體二極管導通。當柵極沒有電壓時,流入漏極的電流類似于典型的二極管曲線。圖5:未柵控N溝道MOSFET工作于第三象限的典型
2021-04-09 09:20:10
電壓等于0的時候,漏極電流是等于0.其中JFET中柵級與襯底之間的PN結工作在反偏,當所有的討論都是基于源級接地的電路時,當耗盡型MOSFET、JFET的柵源電壓大于0時,電流怎么變化,兩種管子工作在
2019-04-08 03:57:38
的產生機理 由功率MOSFET的等效電路可知,3個極間均存在結電容,柵極輸入端相當于一個容性網絡,驅動電路存在著分布電感和驅動電阻,此時的橋式逆變電路如圖1所示。以上管開通過程為例,當下管V2已經完全
2018-08-27 16:00:08
求大神幫忙推薦一個輸入12v電壓的場效應管:具體就是漏極與源極之間的電壓為12v,柵極無輸入電壓時,源極與漏極截止,當柵極輸入電壓時,源極與漏極導通,求大神推薦一下產品,順便告知一下電阻選用哪個范圍的?謝謝
2015-08-17 16:07:41
溝槽結構由于柵極溝槽底部電場集中而存在長期可靠性相關的課題。針對這類課題,ROHM開發的雙溝槽結構通過在源極部分也設置溝槽結構,緩和了柵極溝槽底部的電場集中問題,確保了長期可靠性,從而成功投入量產。這款
2018-12-05 10:04:41
,或者有可能造成功率管遭受過高的di/dt而引起誤導通。為避免上述現象的發生,通常在MOS驅動器的輸出與MOS管的柵極之間串聯一個電阻,電阻的大小一般選取幾十歐姆。 2)防止柵源極間過電壓,由于柵極與源
2018-12-10 14:59:16
紹的需要準確測量柵極和源極之間產生的浪涌。找元器件現貨上唯樣商城在這里,將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解,其實所講解的內容也適用于一
2022-09-20 08:00:00
源導通電阻,它表示MOSFET在某一條件下導通時,漏源極之間的導通電阻。這個參數與MOSFET結溫,驅動電壓Vgs相關。在一定范圍內,結溫越高,Rds越大;驅動電壓越高,Rds越小。Qg,柵極電荷
2020-03-04 10:11:00
,MOSFET與三極管一樣,當MOSFET應用于放大電路時,通常要使用此曲線研究其放大特性。只是三極管使用的基極電流、集電極電流和放大倍數,而MOSFET管使用柵極電壓、漏極電流和跨導。圖2:AOT460
2016-11-29 14:36:06
電感,會由于高di/dt電流而影響到下橋柵極驅動。其中一個解決方案就是將分流電阻器放在上橋MOSFET的漏極內,這樣的話,分流電阻器就不會影響到柵極驅動了。Vishay VCS1625/Y08500R01000F9R就具有這樣的功能—它內置有開爾文連接,并且具有能夠減少電感的結構…
2022-11-17 06:53:17
器件。一旦在MOSFET的柵極端施加電壓,源極溝道的漏極電阻將變得更大。當柵源電壓增加更多時,從漏極到源極的電流將減少,直到電流從漏極到源極的流動停止。耗盡型MOSFET有兩種類型,分別是P溝道和N溝道
2022-09-13 08:00:00
MOSFET的柵極電荷特性與開關過程MOSFET的漏極導通特性與開關過程
2021-04-14 06:52:09
藍牙電路圖這里設計的原理不懂,為什么要加二極管和上拉電阻,有什么作用?求指點
2019-04-01 02:31:29
兩層電源板,板子設計中有4個MOSFET管串聯,由于只有兩層,四個MOSFET管的3個源級要過大電流,所以用銅連接在一起;四個MOSFET管柵極串聯的線走在器件源級和漏極之間(請看圖片),不知道這樣的柵極走線會不會受影響?
2018-07-24 16:19:28
本文概述了與低頻MOSFET工作相關的各種特性和規格。相關信息了解MOSFET導通狀態的漏源電阻MOSFET溝道長度調制假設您正在設計一個電動機控制電路,一個繼電器驅動器,一個反極性保護電路或一個
2019-10-25 09:40:30
N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時,其開關導通。導通時,電流可經開關從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內阻,稱為導通電阻RDS(ON)。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端,因此,總是
2011-08-17 14:18:59
壓時,其開關導通。導通時,電流可經開關從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內阻,稱為導通電阻RDS(ON)。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端,因此,總是要在柵極加上一個電壓。如果柵極為懸空,器件將不
2013-03-11 10:49:22
型:N溝道和P溝道。在功率系統中,MOSFET可被看成電氣開關。當在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時,其開關導通。導通時,電流可經開關從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內阻,稱為導通電阻
2012-10-30 21:45:40
型:N溝道和P溝道。在功率系統中,MOSFET可被看成電氣開關。當在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時,其開關導通。導通時,電流可經開關從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內阻,稱為導通電阻
2012-10-31 21:27:48
防止兩個MOSFET管直通,通常串接一個0.5~1Ω小電阻用于限流,該電路適用于不要求隔離的中功率開關設備。這兩種電路特 點是結構簡單。 功率MOSFET屬于電壓型控制器件,只要柵極和源極之間施加
2023-02-27 11:52:38
驅動器,以及如何定義其基本參數,如時序、驅動強度和隔離度。為什么需要柵極驅動器IGBT/功率MOSFET的結構使得柵極形成一個非線性電容。給柵極電容充電會使功率器件導通,并允許電流在其漏極和源極引腳之間
2018-10-25 10:22:56
是什么,為何需要柵極驅動器,以及如何定義其基本參數,如時序、驅動強度和隔離度。需要柵極驅動器IGBT/功率MOSFET的結構使得柵極和源極/發射極之間形成一個非線性電容。給柵極電容充電會使功率器件導
2018-11-01 11:35:35
Figure 4 是具有驅動器源極引腳的 MOSFET 的驅動電路示例。它與以往驅動電路(Figure 2)之間的區別只在于驅動電路的返回線是連接到驅動器源極引腳這點。從電路圖中可以一目了然地看出
2020-11-10 06:00:00
MOSFET柵極電路電壓對電流的影響?MOSFET柵極電路電阻的作用? MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件。在MOSFET中,柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121369 電子發燒友網站提供《為了穩定性必須在MOSFET柵極前面放一個100Ω電阻嗎.pdf》資料免費下載
2023-11-24 09:16:141
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