。尤其在高壓工作環境下，依然體現優異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性，也大幅度提高電氣設備的整體效率。 產品可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域。 1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
電壓或高溫條件的器件非常有利。在高頻、高溫、高功率及惡劣環境下，仍具有更優越的開關性能以及更小的結溫和結溫波動?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅二極管廣泛應用于開關電源、功率因素校正（PFC）電路、不間斷電源（UPS）、光伏
2020-09-24 16:22:14
、車載電源、太陽能逆變器、充電樁、UPS、PFC 電源等領域有廣泛應用。附上1200V同系列碳化硅MOSFET B1M160120HC B1M080120HC B1M080120HK B1M032120HC B1M018120HC 參數選型表：
2021-11-10 09:10:42
場效應管（Si MOSFET）以前從未考慮過的應用而變得更具有吸引力?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅MOSFET越來越多用于千瓦級功率水平應用，涵蓋如通電源，和服務器電源，和快速增長的電動汽車電池充電器市場等領域。碳化硅
2023-03-14 14:05:02
一樣，可以制成結型器件、場效應器件、和金屬與半導體接觸的肖特基二極管。 其優點是： (1)碳化硅單載流子器件漂移區薄，開態電阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的導通電阻，碳化硅功率器件
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開關頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
充電器、電機和太陽能逆變器，不僅可以從這些新器件中受益匪淺，不僅在效率上，而且在尺寸上，可實現高功率、高溫操作。但是，不僅器件的特性讓人對新設計充滿好奇，也是意法半導體的戰略。碳化硅（SiC）技術是意
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
阻并提高可靠性。東芝實驗證實，與現有SiC MOSFET相比，這種設計結構在不影響可靠性的情況下[1]，可將導通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設備電能，降低功耗以及實現碳中和
2023-04-11 15:29:18
?！ 」β拾雽w就是這樣。在首度商業化時，碳化硅的創新性和較新的顛覆性技術必然很昂貴，盡管認識到了與硅基產品（如IGBT和Si-MOSFET）相比的潛在優勢，大多數工程師還是把它放在了“可有可無”的清單
2023-02-27 14:28:47
反向恢復電流，其關斷過程很快，開關損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場強度較高，可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應用領域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
開關電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實現更高的直流電輸出。 2、SiCMOSFET 對于傳統的MOSFET，它的導通狀態電阻很大，開關損耗很大，額定工作結溫低，但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30:27
圓盤的能量吸收范圍高達 122,290J，允許圓盤組件具有數十兆焦耳的極高能量吸收額定值。 電氣參數 EAK碳化硅磁盤應用來自雷電、電感或電容耦合的電源過電壓。開關帶感性負載的觸點。變壓器、電機
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。根據中國半導體行業協會統計，2019年中國半導體產業市場規模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
大量采用持續穩定的線路板；在引擎室中，由于高溫環境和LED 燈源的散熱要求，現有的以樹脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求，需要散熱性能更好碳化硅電路板，例如斯利通碳化硅基板；在高頻傳輸與無線雷達偵測
2020-12-16 11:31:13
在設計功率轉換器時，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術現在是組件選擇過程中的現實選擇?！ ?b class="flag-6" style="color: red">在設計功率轉換器時，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術現在是組件選擇過程中的現實選擇。650V
2023-02-23 17:11:32
。強氧化氣體在1000℃以上與SiC反應，并分解SiC.水蒸氣能促使碳化硅氧化在有50%的水蒸氣的氣氛中，能促進綠色碳化硅氧化從100℃開始，隨著溫度的提高，氧化程度愈為明顯，到1400℃時為最大
2019-07-04 04:20:22
的化學惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應用，如汽車制動器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環境中工作的半導體電子設備，如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
，熱導率是硅材料的3倍，電子飽和漂移速率是硅的2倍，臨界擊穿場強更是硅的10倍。材料特性對比如圖（1）所示?！ D（1） 4H型碳化硅與硅基材料特性對比 在硅基半導體器件性能已經進入瓶頸期時，碳化硅材料
2023-02-28 16:55:45
，能夠有效降低產品成本、體積及重量?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅具有載流子飽和速度高和熱導率大的特點，應用開關頻率可達到1MHz，在高頻應用中優勢明顯，其中碳化硅肖特基二極管（SiC JBS）耐壓可以達到6000V以上
2023-02-28 16:34:16
半導體行業協會統計，2019年中國半導體產業市場規模達7562億元，同比增長15.77%。2020年H1，中國集成電路產業銷售額為3539億元，同比增長16.1%。每一次材料的更新換代，都是產業的一次革命。碳化硅陶瓷基板在高鐵、太陽能光伏、風能、電力輸送、UPS不間斷電源等電力電子領域均有不小單的作用。
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
對比 我們采用雙脈沖的方法來比較一下基本半導體1200V 80mΩ 的碳化硅MOSFET的兩種封裝B1M080120HC（TO-247-3）和B1M080120HK（TO-247-4）在相同條件下
2023-02-27 16:14:19
，利用SiC MOSFET來作為永磁同步電機控制系統中的功率器件，可以降低驅動器損耗，提高開關頻率，降低電流諧波和轉矩脈動。本項目中三相逆變器擬打算使用貴公司的SiC MOSFET，驗證碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
近年來，因為新能源汽車、光伏及儲能、各種電源應用等下游市場的驅動，碳化硅功率器件取得了長足發展。更快的開關速度，更好的溫度特性使得系統損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現變換器的高效高功率密度
2022-03-29 10:58:06
應用領域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產業的技術大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統硅
2021-09-23 15:02:11
，在這些環境中，傳統的硅基電子設備無法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運行的能力將提高各種系統和應用的性能，包括飛機、車輛、通信設備和航天器。今天，SiC MOSFET是長期可靠的功率器件。未來，預計多芯片電源或混合模塊將在SiC領域發揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
電機驅動。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽能發電、風力發電、電焊機、電力機車、遠距離輸電、服務器、家電、電動汽車、充電樁等用途。創能動力于2015年在國內開發出6英寸SiC制造技術，2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
功率器件在工業應用中的解決方案，議程分為：功率分立器件概覽 、 IGBT產品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業電源中的應用和總結八個部分。
2023-09-05 06:13:28
本文重點介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能，特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無基板模塊?！ 》至⑵骷ㄈ?TO-247）是將碳化硅集成到各種應用中的第一步，但對于更強大和更
2023-02-20 16:29:54
的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封，在部分應用中可以替代傳統的IGBT （硅基IGBT與硅基快恢復二極管合封），使得IGBT的開關損耗大幅降低。這款混合碳化硅分立器件的性能介于超結MOSFET
2023-02-28 16:48:24
電源和高壓直流工業電源等三相隔離變換器中（圖3）。本圖比較了15KW市面上量產硅MOSFET方案和本碳化硅MOSFETR的20KW方案的尺寸和拓撲，從結果上看，該碳化硅MOSFET器件由于自身的高頻高壓
2016-08-05 14:32:43
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設計一個雙向降壓-升壓轉換器
2021-02-22 07:32:40
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
。碳化硅器件的結電容更小，柵極電荷低，因此，開關速度極快，開關過程中的 dv/dt 和 di/dt 均極高。雖然器件開關損耗顯著降低，但傳統封裝中雜散電感參數較大，在極高的 di/dt 下會產生更大
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
概要：本文將討論諧振LLC和移相（Phase Shift）兩種隔離DC/DC拓撲的性能特點以及在新能源汽車電源中的應用，然后針對寬禁帶碳化硅MOSFET對兩種隔離DC/DC拓撲的應用進行了比較，并
2016-08-25 14:39:53
風險，配置合適的短路保護電路，可以有效減少開關器件在使用過程中因短路而造成的損壞。與硅IGBT相比，碳化硅MOSFET短路耐受時間更短?！ ?b class="flag-6" style="color: red">1）硅IGBT： 硅IGBT的承受退保和短路的時間一般小于
2023-02-27 16:03:36
1）。圖1.與最新一代IGBT相比，TW070J120B SiC MOSFET的開關速度明顯更快，可在功率轉換器中提供更高的效率在 3 相 400 V PFC 中仿真，SiC MOSFET
2023-02-22 16:34:53
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能，特別是在800 V 電池系統和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
，同時在正向電壓也減少，耐壓也大大超過200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優勢。在開關電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實現
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
IGBT 的三相電機半橋的高側和低側功率級，并能夠監控和保護各種故障情況。圖1：電動汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺和高強度柵極驅動器的優勢特別是對于SiC MOSFET，柵極驅動器IC
2022-11-02 12:02:05
；啟用更??；打火機; 在更廣泛的電力系統中實現高效的電源轉換。650 V MOSFET 產品系列非常適合包括高性能工業電源在內的應用；服務器/電信電源；電動汽車充
2022-05-21 11:12:51
；啟用更小；打火機; 在更廣泛的電力系統中實現高效的電源轉換。650 V MOSFET 產品系列非常適合包括高性能工業電源在內的應用；服務器/電信電源；電動汽車充
2022-05-21 11:41:58
的領先地位；啟用更??；打火機; 在更廣泛的電力系統中實現高效的電源轉換。650 V MOSFET 產品系列非常適合包括高性能工業電源在內的應用；服務器/電信電源；電動汽車
2022-05-21 12:35:38
；啟用更??；打火機; 在更廣泛的電力系統中實現高效的電源轉換。650 V MOSFET 產品系列非常適合包括高性能工業電源在內的應用；服務器/電信電源；電動汽車充
2022-05-21 15:52:28
；啟用更?。淮蚧饳C; 在更廣泛的電力系統中實現高效的電源轉換。650 V MOSFET 產品系列非常適合包括高性能工業電源在內的應用；服務器/電信電源；電動汽車充
2022-05-21 16:01:31
的領先地位；啟用更?。淮蚧饳C; 在更廣泛的電力系統中實現高效的電源轉換。650 V MOSFET 產品系列非常適合包括高性能工業電源在內的應用；服務器/電信電源；電動汽車
2022-05-21 16:29:09
的領先地位；啟用更小；打火機; 在更廣泛的電力系統中實現高效的電源轉換。650 V MOSFET 產品系列非常適合包括高性能工業電源在內的應用；服務器/電信電源；電動汽車
2022-05-21 16:32:55
；啟用更?。淮蚧饳C; 在更廣泛的電力系統中實現高效的電源轉換。650 V MOSFET 產品系列非常適合包括高性能工業電源在內的應用；服務器/電信電源；電動汽車充
2022-05-21 16:42:00
；啟用更小；打火機; 在更廣泛的電力系統中實現高效的電源轉換。650 V MOSFET 產品系列非常適合包括高性能工業電源在內的應用；服務器/電信電源；電動汽車充
2022-05-21 16:51:45
的領先地位；啟用更??；打火機; 在更廣泛的電力系統中實現高效的電源轉換。650 V MOSFET 產品系列非常適合包括高性能工業電源在內的應用；服務器/電信電源；電動汽車
2022-05-21 17:01:57
；啟用更??；打火機; 在更廣泛的電力系統中實現高效的電源轉換。650 V MOSFET 產品系列非常適合包括高性能工業電源在內的應用；服務器/電信電源；電動汽車充
2022-05-21 17:40:51
；啟用更??；打火機; 在更廣泛的電力系統中實現高效的電源轉換。650 V MOSFET 產品系列非常適合包括高性能工業電源在內的應用；服務器/電信電源；電動汽車充
2022-05-21 17:52:20
；啟用更?。淮蚧饳C; 在更廣泛的電力系統中實現高效的電源轉換。650 V MOSFET 產品系列非常適合包括高性能工業電源在內的應用；服務器/電信電源；電動汽車充
2022-05-21 18:00:35
；啟用更?。淮蚧饳C; 在更廣泛的電力系統中實現高效的電源轉換。650 V MOSFET 產品系列非常適合包括高性能工業電源在內的應用；服務器/電信電源；電動汽車充
2022-05-21 21:40:15
的領先地位；啟用更??；打火機; 在更廣泛的電力系統中實現高效的電源轉換。650 V MOSFET 產品系列非常適合包括高性能工業電源在內的應用；服務器/電信電源；電動汽車
2022-05-21 21:44:57
；啟用更??；打火機; 在更廣泛的電力系統中實現高效的電源轉換。650 V MOSFET 產品系列非常適合包括高性能工業電源在內的應用；服務器/電信電源；電動汽車充
2022-05-21 21:54:44
；啟用更??；打火機; 在更廣泛的電力系統中實現高效的電源轉換。650 V MOSFET 產品系列非常適合包括高性能工業電源在內的應用；服務器/電信電源；電動汽車充
2022-05-21 22:04:32
(SiC) 技術領先地位；啟用更??；打火機; 在更廣泛的電力系統中實現高效的電源轉換。650 V SiC MOSFET 是高性能工業電源等應用的理想選擇；服務器/電信電
2022-06-04 19:44:22
(SiC) 技術領先地位；啟用更??；打火機; 在更廣泛的電力系統中實現高效的電源轉換。650 V SiC MOSFET 是高性能工業電源等應用的理想選擇；服務器/電信電
2022-06-04 19:50:42
(SiC) 技術領先地位；啟用更??；打火機; 在更廣泛的電力系統中實現高效的電源轉換。650 V SiC MOSFET 是高性能工業電源等應用的理想選擇；服務器/電信電
2022-06-04 19:55:23
碳化硅MOSFET橋臂電路串擾抑制方法_鐘志遠
2017-01-04 16:32:50
17 采用具備更佳導電性能的碳化硅器件的服務器的耗電量大幅度降低
2018-07-11 02:18:00
2734 支持電動和混合動力汽車、數據中心和輔助電源等高頻、高效電源控制應用 Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。
2018-11-03 11:02:414694 在高端應用領域，碳化硅MOSFET已經逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領銜的寬禁帶半導體發展迅猛，被認為是有可能實現換道超車的領域。
2022-07-06 12:49:161072 基本半導體碳化硅MOSFET B1M080120HC(替代C2M0080120D)助力光伏逆變器設計
2022-08-27 15:57:02567 
碳化硅MOSFET技術是一種半導體技術，它可以用于控制電流和電壓，以及檢測電阻、電容、電壓和電流等參數，以確定電子設備是否正常工作。碳化硅MOSFET技術的關鍵技術包括結構設計、材料選擇、工藝制程、測試技術等。
2023-02-15 16:19:007598 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
系統提出了更高的要求，即更輕、更緊湊、更高效、更可靠，本文重點提到基本半導體碳化硅MOSFET B1M160120HC助力車載充電器實現更快充電和更遠的續航里程。 B1M160120HC主要用于用于電動汽車的車載充電和高壓DCDC轉換，可提高能效并縮
2023-04-19 09:41:41729 
B1M160120主要用于電動汽車的車載充電和高壓DCDC轉換，可提高能效并縮短電動汽車的充電時間，器件專用于大功率車載充電器，其更低的導通電阻使得碳化硅電力電子器件具有更小的導通損耗，從而能獲得更高的整機效率；
2023-05-11 10:28:55361 
MOSFET相比傳統的硅MOSFET具有更高的電子遷移率、更高的耐壓、更低的導通電阻、更高的開關頻率和更高的工作溫度等優點。因此，碳化硅MOSFET可以被廣泛應用于能源轉換、交流/直流電源轉換、汽車和航空航天等領域。
2023-06-02 15:33:151182 來源：碳化硅芯觀察對于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言，高質量的襯底可以從外部購買得到，高質量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎，高性能的碳化硅器件
2023-04-07 11:16:201221 
隨著國內對碳化硅技術的日益重視和不斷加大的研發投入，國內碳化硅MOSFET芯片設計的水平逐步提升，研究和應用領域也在不斷擴展。
2023-08-10 18:17:49855 
B1M160120HC對標科銳C2M0160120D規格書下載
2022-09-22 14:07:400 碳化硅MOSFET尖峰的抑制
2023-11-28 17:32:26322 
碳化硅MOSFET在高頻開關電路中的應用優勢? 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件，具有在高頻開關電路中廣泛應用的多個優勢。 1. 高溫特性： 碳化硅MOSFET具有極低的本征載流子濃度
2023-12-21 10:51:03357 共讀好書 碳化硅是第三代半導體產業發展的重要基礎材料，碳化硅功率器件以其優異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統的高效率、小型化和輕量化要求。 碳化硅MOSFET具有高頻高效
2024-02-21 18:24:15412 
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