SiC FET由UnitedSiC率先制造，現(xiàn)已推出第四代產(chǎn)品。第四代產(chǎn)品改進(jìn)了單元密度以降低單位面積的導(dǎo)通電阻（RDS.A），運用銀燒結(jié)粘接和晶圓減薄技術(shù)改進(jìn)了熱設(shè)計，從而盡量減小了到基片的熱阻。
2021-05-19 07:06:00
3205 
本文介紹了一種多級
圖騰柱
PFC拓?fù)洌撏負(fù)淅霉鐼OSFET的簡單性和
成熟度以及一種新穎的模塊化柵極驅(qū)動方法，實現(xiàn)了與使用寬帶隙半導(dǎo)體的傳統(tǒng)電路相比，通常具有相當(dāng)?shù)男屎透偷某杀尽?/div>
2022-10-19 17:44:071163 
圖騰無橋PFC電路，自己第一次接觸，看了幾篇論文學(xué)習(xí)了一下其相關(guān)的知識，簡單總結(jié)一下分享出來，希望對大家有所幫助。圖騰無橋是一種簡單、效率高且成本低的功率因數(shù)校正電路，其電路結(jié)構(gòu)如圖一所示。
2023-02-25 13:48:1428777 
隨著節(jié)能標(biāo)準(zhǔn)和客戶需求的不斷提高，電源解決方案的效率和尺寸也在不斷優(yōu)化，設(shè)計緊湊高效的 PFC 電源是一個復(fù)雜的開發(fā)挑戰(zhàn)。隨著第三代半導(dǎo)體器件氮化鎵和碳化硅的大范圍應(yīng)用，圖騰柱無橋 PFC
2023-11-29 09:10:27484 
近期我們推出的圖騰柱 PFC 數(shù)字控制器 HP1010 憑借其高效靈活，電路精簡的優(yōu)勢解決了圖騰柱無橋的關(guān)鍵技術(shù)痛點，獲得市場的高度認(rèn)可。
2023-12-15 16:01:06483 
多級圖騰柱 PFC 為設(shè)計人員提供了優(yōu)于 2 級設(shè)計的市場吸引力優(yōu)勢，包括顯著更小的電感器、更低的 dv/dt 和更低的開關(guān)損耗。開關(guān)工作電壓的固有降低使多級 PFC 能夠通過低成本標(biāo)準(zhǔn)
2022-04-12 13:44:159467 
%-100% 負(fù)載下 η =>95% ? 基于 CCM GaN 的圖騰柱無橋 PFC 級，峰值效率 >99%，通過具有集成式驅(qū)動器的 LMG341x GaNFET 實現(xiàn) ? 峰值
2020-06-22 18:22:03
5G技術(shù)成熟化有三大考驗
2020-12-07 07:12:54
顯示的是一個圖騰柱PFC結(jié)構(gòu)。與傳統(tǒng)的PFC相比，電力傳導(dǎo)路徑只包含一個二極管，而不是兩個。此外，碳化硅 (SiC) 二極管被MOSFET所取代，以實現(xiàn)同步整流。電力傳導(dǎo)損耗也因此降低。除此之外，可用普通MOSFET 取代D1和D2…
2022-11-17 08:07:52
。最后，隨著氮化鎵 (GaN) FET的問世，免二極管結(jié)構(gòu)也使得CCM圖騰柱PFC成為可能。為了實現(xiàn)效率的高標(biāo)準(zhǔn)，現(xiàn)在是時候用圖騰柱PFC取代傳統(tǒng)PFC了。圖2顯示的由UCD3138控制的CCM圖騰柱
2018-09-05 15:23:45
PFC，圖騰柱無橋PFC等，并已成功大范圍應(yīng)用在設(shè)計過程中。 表1 對比四種常見的PFC拓?fù)潆娐贰 Ρ壬鲜鏊姆N常見的PFC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，圖騰柱無橋PFC拓?fù)涞钠骷昧績H為6，同時還具有導(dǎo)通損耗最低、效率
2023-02-28 16:48:24
我主要是不太懂兩個三極管是怎么確定導(dǎo)通的。拿下圖舉例，我們知道輸入高電平時，上管會導(dǎo)通，下管截止。但是假設(shè)初始狀態(tài)即將輸入一個高電平，那么輸入前，圖騰柱電路的輸出電平是未知的，如何知道輸入高電平后
2019-12-17 21:54:34
對圖騰柱電路（推挽）的一點疑問：懇請各位解疑！！！ 1. 當(dāng)方波輸入為高電平時，三極管Q2是截止的，此時Q1的發(fā)射極（Q2的發(fā)射極）也應(yīng)該不會是低電平吧！那Q1為什么會導(dǎo)通呢？同樣，在輸入為低電平
2017-03-16 17:41:03
圖騰柱輸出和互補(bǔ)推挽輸出異同點1.圖騰柱輸出-----Q2和D2的作用？2.圖騰柱是NPN+NPN結(jié)構(gòu)，互補(bǔ)推挽是NPN+PNP結(jié)構(gòu)；圖騰柱有非線性特征，只能用于PWM輸出，而互補(bǔ)推挽有線性特征
2022-03-22 16:09:47
單片機(jī)IO口驅(qū)動，用圖騰柱驅(qū)動MOS，輸入10V，為啥VGS電壓還不到5V啊。我想用10V電壓給到VGS。
2021-10-17 10:21:21
成熟電動車防盜器方案及IC 張工：*** QQ：2873077376 現(xiàn)有成熟方案電動車防盜器，包括通用鎖電機(jī)型，帶靜音功能鎖電機(jī)，一體機(jī)，三合一喇叭和防盜器一體機(jī)等。
2016-04-06 10:05:11
成熟電動車防盜器方案及IC，性價比優(yōu) 張小姐：***QQ：416455590 (技術(shù)交流)現(xiàn)有成熟方案電動車防盜器，包括通用鎖電機(jī)型，帶靜音功能鎖電機(jī)，一體機(jī)，三合一喇叭和防盜器一體機(jī)等。
2010-12-09 11:03:37
成熟移動電源方案控制IC，可供pcba張s：***QQ：2873077376現(xiàn)有成熟移動電源控制方案，可向客戶提供pcba，自有工廠貼片，性價比極高，可根據(jù)客人要求開發(fā)，定制。
2016-07-06 14:44:23
同時能擔(dān)當(dāng)其其他方面的職責(zé)。所以隨著seo行業(yè)在國內(nèi)漸漸的成熟，造成了seo人才的及其缺乏。北京鼎泰恒業(yè)網(wǎng)絡(luò)營銷培訓(xùn)學(xué)校010-57222368
2011-04-06 13:44:11
的。 EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC評估板主要分四大部分，交流輸入（輸出），圖騰柱功率電路，直流輸出（輸入），控制及輔助電路。 交流輸入（輸出）電路具體布局如下圖，其中，NTC電阻起的作用是用來抑制浪涌電流
2020-07-20 09:04:34
*附件：snor030.zipGaN CCM 圖騰柱 PFC 功率損耗計算 Excel 工作表
2022-08-31 11:32:11
前言：ST官方從2017年下半年開始就不再維護(hù)升級標(biāo)準(zhǔn)庫，轉(zhuǎn)而推廣HAL庫。到2019年，HAL庫仍不夠成熟，其原因有以下：1. HAL庫的配套指導(dǎo)文檔，特別是中文的使用手冊文檔欠缺得很厲害，除了
2022-01-24 07:35:35
查看中文資料時，IR2110有一項參數(shù)是說，圖騰柱輸出峰值電流為2A；對比其英文數(shù)據(jù)手冊，有一項參數(shù)是Output high short circuit pulsed current。所以想請問一下，這一參數(shù)對實際的電路設(shè)計有什么幫助呢？比如說兩片IR2110驅(qū)動全橋逆變電路。
2017-04-26 11:03:04
安森美NCP1680臨界導(dǎo)通模式 (CrM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 控制器IC設(shè)計用于驅(qū)動無橋圖騰柱PFC拓?fù)洹o橋圖騰柱PFC由兩個圖騰柱支腳組成：一個在PWM開關(guān)頻率下驅(qū)動的快速開關(guān)支
2021-12-28 07:54:36
。軟交換體系中眾多協(xié)議的成熟將為設(shè)備研發(fā)和不同廠商間設(shè)備的互通提供巨大的支撐和保障。總的來看，目前NGN的協(xié)議處于階段性成熟狀態(tài)，即可以為支持語音業(yè)務(wù)的軟交換系統(tǒng)提供完善的協(xié)議支持。許多電信設(shè)備提供商
2018-12-13 09:51:30
項目名稱：特種電源開發(fā)試用計劃：在I項目開發(fā)中，有一個關(guān)鍵電源，需要在有限空間，實現(xiàn)高壓、大電流脈沖輸出。對開關(guān)器件的開關(guān)特性和導(dǎo)通電阻都有嚴(yán)格要求。隨著SIC產(chǎn)品的技術(shù)成熟度越來越高，計劃把IGBT開關(guān)器件換成SIC器件。
2020-04-24 17:57:09
6mA，我們用電壓和電流算一下，就可以算出來最小電阻值，我們圖 3-7 取的是經(jīng)驗值。圖騰柱：就是上下各一個三極管，上管為NPN，c極(集電極)接正電源，下管為PNP，c極(集電極)接地。兩個b極
2016-07-27 19:40:22
描述This reference design functions from a base of silicon carbide (SiC) MOSFETs that are driven by a
2018-10-15 15:05:19
本帖最后由 夢想號 于 2014-7-18 22:13 編輯
怎么我見到很多的圖騰柱電路大多數(shù)都是用npn+pnp來實現(xiàn)的。三極管不是有比較大的壓降的嗎，還有三極管的速度不怎么快，輸出電流不夠
2014-07-18 22:08:06
為什么要用三極管去搭建一種圖騰柱電路呢？用MOS管不可以嗎？
2021-11-01 06:17:23
互補(bǔ)推挽驅(qū)動、圖騰柱驅(qū)動1.互補(bǔ)推挽驅(qū)動NPN+PNP/NMOS+PMOS，圖騰柱輸出NPN+NPN/NMOS+NMOS，這兩種哪種是芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)的主流？哪種的驅(qū)動能力更強(qiáng)？為什么？2.互補(bǔ)推挽驅(qū)動
2022-04-19 15:13:28
描述交錯連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 圖騰柱 (TTPL) 無橋功率因數(shù)校正 (PFC) 采用高帶隙 GaN 器件，由于具有電源效率高和尺寸減小的特點，因此是極具吸引力的電源拓?fù)洹４嗽O(shè)計說明
2018-10-24 16:15:16
圖騰柱驅(qū)動的作用與原理是什么？什么情況下用到圖騰柱驅(qū)動？
2021-06-18 08:56:04
此參考設(shè)計為3kW 雙向交錯式連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 圖騰柱 (TTPL) 無橋功率因數(shù)校正 (PFC) 功率級，采用 C2000? 實時控制器和具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能的 LMG3410R070
2023-01-17 09:51:23
考慮了。綜合考慮下來還是 采用標(biāo)準(zhǔn)無橋PFC作為現(xiàn)階段的拓?fù)? GaN開關(guān)器件普及之后采用圖騰柱PFC。
2016-10-20 13:56:00
功率因數(shù)的輸入電容補(bǔ)償方案，以及用于降低瞬態(tài)電壓尖峰的非線性電壓環(huán)路。此參考設(shè)計提供的硬件和軟件可加快上市時間。該參考設(shè)計的特點包括：交錯式 3.3kW 單相無橋 CCM 圖騰柱 PFC 級100kHz
2022-04-12 14:11:49
采用GaN電源集成電路的300W多模圖騰柱PFC
2023-06-19 08:56:48
今天觀看了電子研習(xí)社的直播課程，由TI工程師王蕊講解了TI的基于GaN的CrM模式的圖騰柱無橋PFC參考方案的設(shè)計（TIDA00961）。下面是對該方案的介紹：高頻臨界導(dǎo)電模式 (CrM) 圖騰柱
2022-01-20 07:36:11
描述高頻臨界導(dǎo)電模式 (CrM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設(shè)計高密度功率解決方案的簡便方法。TIDA-0961 參考設(shè)計使用 TI 的 600V GaN 功率級
2018-10-25 11:49:58
您好，我想做一個高頻PFC。頻率1-2MHz，PF和效率>90%。輸出100W左右，輸電壓為100-240V。我看了一些資料，傳統(tǒng)的PFC控制芯片多用于低頻，達(dá)到MHz的大都是用MCU控制圖騰
2018-09-27 10:53:37
的反向恢復(fù)導(dǎo)致連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）下的高功率損耗，使其不適用于高功率應(yīng)用。隨后，與SiC肖特基二極管并聯(lián)的lGBT被認(rèn)為取代CCM圖騰柱PFC和CLLC轉(zhuǎn)換器中的硅MOSFET［8］。遺憾的是，由于
2023-02-27 09:44:36
） MOSFET很難在圖騰柱PFC拓?fù)渲械倪B續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）下工作，因為體二極管的反向恢復(fù)特性很差。碳化硅（SiC） MOSFET采用全新的技術(shù)，比Si MOSFET具有更勝一籌的開關(guān)性能、極小
2022-04-19 08:00:00
交錯連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 圖騰柱 (TTPL) 無橋功率因數(shù)校正 (PFC) 采用高帶隙 GaN 器件，由于具有電源效率高和尺寸減小的特點，因此是極具吸引力的電源拓?fù)洹４嗽O(shè)計說明
2020-07-28 15:40:27
圖騰柱驅(qū)動電路-MOS和三極管最近對MOS管的驅(qū)動設(shè)計進(jìn)行相關(guān)思考和仿真，這里將一些感悟?qū)懗鰜恚瑑H供記錄。使用分立器件搭建MOS驅(qū)動的話，一般會使用互補(bǔ)的三極管搭建圖騰柱電路，但是為什么會是圖騰柱
2021-07-29 09:26:17
哪個有成熟的噪聲源電路和噪聲放大電路求給分享一下，謝謝
2016-01-08 15:09:38
不好意思，借分壇寶地一用。求購成熟量產(chǎn)的安防用POE交換機(jī)生產(chǎn)方案。具體請郵件聯(lián)系：1255481408@qq.com;bjydtkjyxgs@163.com;
2017-09-11 15:12:36
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
。 雖然圖騰柱電路是作為一種成熟解決方案已流行多年，但現(xiàn)代和未來的系統(tǒng)需要更高的集成度和更高的性能。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，柵極驅(qū)動器IC的成本已可與分立電路相比，這使得IC解決方案對于大多數(shù)應(yīng)用而言更具吸引力和可行性。
2017-04-01 15:22:24
移動電源，成熟的方案（輸出5V，2A）
2012-07-03 10:37:54
***、科研企業(yè)、投資界在最佳時間采用這些技術(shù)或者切入該市場。該曲線按照技術(shù)觸發(fā)期、期望膨脹期、幻覺破滅谷底期、復(fù)蘇期、成熟期分為五個階段。并同時按照距離主流應(yīng)用的時間分組為“少于2年”，“2-5年
2017-02-22 14:59:09
，當(dāng)前，國際機(jī)器視覺市場正處于產(chǎn)業(yè)成熟期，在諸如工業(yè)4.0等市場熱點的推動下，未來3~5年歐美日機(jī)器視覺技術(shù)仍將有不斷創(chuàng)新，國際機(jī)器視覺市場規(guī)模有望繼續(xù)增長。國內(nèi)市場目前已處于產(chǎn)業(yè)成長期的快速發(fā)展階段
2016-01-20 10:54:41
自己的想法是通過傳感器采集敲擊信號或音頻信號，通過模數(shù)轉(zhuǎn)換、濾波、ＦＦＴ變化后通過單片機(jī)與ＰＣ機(jī)通信，提取特征值，同時測出西瓜的質(zhì)量根據(jù)ｆ＾２ｍ＾２／３得出成熟度指標(biāo)，關(guān)鍵是固有頻率ｆ的提取，思路是這樣不知道可以不，中間的電子元件選型有點吃力，希望大家給出一些思路上的意見或者看法，謝謝大家了～
2015-03-13 17:39:43
使用圖騰柱無橋PFC升壓轉(zhuǎn)換器，以減少二極管數(shù)量并提高效率[6]，[7]。但是，硅MOSFET體二極管的反向恢復(fù)會導(dǎo)致連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）中的高功率損耗，從而使其不適用于高功率應(yīng)用。隨后，與SiC
2019-10-25 10:02:58
單片機(jī)IO口驅(qū)動，用圖騰柱驅(qū)動MOS，輸入10V，為啥VGS電壓還不到5V啊。我想用10V電壓給到VGS
2021-10-17 10:16:05
，電路是由兩個圖騰柱電路構(gòu)成的，然后把它拆開，先分析一個圖騰柱電路，如下圖2（左側(cè)為pwn輸入端，右側(cè)為輸出端），假設(shè)輸入為高電平，此時Q3導(dǎo)通（這是由于Vbc > 0.7V），a點為低電平，現(xiàn)在該
2019-01-11 14:47:41
各位好：有沒有成熟的單片機(jī)驅(qū)動大功率LED的方案啊，看了一下，用圖騰柱? 有沒有成熟產(chǎn)品用過的小伙伴，功率30W左右
2019-10-11 09:02:46
車載OBC及開關(guān)電源等高效應(yīng)用方面采用圖騰柱無橋PFC取代傳統(tǒng)的PFC或交錯并聯(lián)PFC
2022-06-08 22:22:09
） MOSFET很難在圖騰柱PFC拓?fù)渲械倪B續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）下工作，因為體二極管的反向恢復(fù)特性很差。碳化硅（SiC） MOSFET采用全新的技術(shù)，比Si MOSFET具有更勝一籌的開關(guān)性能、極小
2022-05-30 10:01:52
2018年必將是物聯(lián)網(wǎng)爆發(fā)的元年，從開始誕生到成熟，成熟的物聯(lián)網(wǎng)將會經(jīng)歷三個階段：第一階段：利用物聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)簡化流程；第二階段：創(chuàng)造新的收入來源；第三階段：利用數(shù)據(jù)產(chǎn)生的策略來改變業(yè)務(wù)。
2017-12-26 15:17:074452 2017年11月研華董事長劉克振在參加中歐高層管理論壇時，曾說過物聯(lián)網(wǎng)平臺暫未成熟還在初期階段，但很快就將成熟。轉(zhuǎn)眼大半年過去，IoT是否已經(jīng)進(jìn)入成熟期？劉克振給出了他的最新前瞻觀察與解答。
2018-08-10 09:42:003745 領(lǐng)域融資額的不斷刷新以及 AI 技術(shù)發(fā)現(xiàn)的藥物分子相繼進(jìn)入臨床階段，這是否意味著 AI 制藥正在走向成熟階段？ 近日，生輝采訪了國
2021-04-13 10:03:121932 
UnitedSiC SiC FET用戶手冊
2021-09-07 18:00:13
17 基于SiC的雙向三級三相AFE逆變器和PFC設(shè)計
2021-09-09 10:17:0524 。
圖1顯示的是一個圖騰柱PFC結(jié)構(gòu)。與傳統(tǒng)的PFC相比，電力傳導(dǎo)路徑只包含一個二極管，而不是兩個。此外，碳化硅 (SiC) 二極管被MOSFET所取代，以實現(xiàn)同步
2021-11-10 09:40:544612 
其旗下品佳推出基于微芯科技(Microchip)dsPIC33CK256MP506芯片的4KW圖騰柱PFC數(shù)字電源方案。
2022-04-22 12:31:002782 安森美NCP1680 圖騰柱PFC CRM模式 電感計算表
2022-09-20 17:14:0233 DSP控制，GAN 圖騰柱PFC+LLC 1KW ，含原理圖和PCB和bom
2022-09-20 15:29:2419 高頻開關(guān)等寬帶隙半導(dǎo)體是實現(xiàn)更高功率轉(zhuǎn)換效率的助力。SiC FET就是一個例子，它由一個SiC JFET和一個硅MOSFET以共源共柵方式構(gòu)成。
2022-11-11 09:13:27787 NCP1680 – CrM 圖騰柱 PFC IC 技巧和竅門
2022-11-15 20:18:1811 派恩杰在在報告中闡述了他們的圖騰柱PFC設(shè)計在CRM比設(shè)計在CCM獲得了更高的效率和功率密度，也得到更好的EMI特性，軟開關(guān)的實現(xiàn)可以提高頻率。
2022-11-17 17:05:392663 OBC 充電器中的 SiC FET
2022-12-28 09:51:07565 
上述問題可歸結(jié)為缺少針對數(shù)字孿生范疇和發(fā)展階段的系統(tǒng)性描述和評價方法，而成熟度模型是對目標(biāo)系統(tǒng)的概念范疇、發(fā)展過程和階段性目標(biāo)的系統(tǒng)性描述，同時，它還具有評價目標(biāo)系統(tǒng)現(xiàn)階段發(fā)展水平和能力程度的功能
2023-01-10 10:52:58796 互聯(lián)網(wǎng)不知道是誰首先創(chuàng)造了“無橋圖騰柱功率因數(shù)校正階段”一詞，但它一定是在異想天開和靈感的時刻發(fā)明和命名的——在 AC/DC 電源中，該電路可以實現(xiàn)功率因數(shù)校正，并通過消除對線路交流橋式整流器的需求
2023-02-17 09:29:26327 
）。使用無橋PFC來取代輸入整流橋可以提高效率。 通過在圖騰柱PFC架構(gòu)中使用SiC MOSFET ，有可能實現(xiàn)更高的功率密度和效率，因為在這個功率水平上，開關(guān)頻率比其他方案高得多。了解 安森美（onsemi）的圖騰柱PFC和LLC電源方案如何應(yīng)對高密度設(shè)計挑戰(zhàn) ，報名參加第
2023-02-20 21:55:061589 TCM圖騰柱即臨界模式圖騰柱，也叫CRM圖騰柱或BCM圖騰柱。
2023-06-23 10:55:001734 
隨著效率要求的逐步提高，無橋PFC得到越來越多的應(yīng)用。而無橋PFC中，圖騰柱PFC由于可以消除二極管的損耗而成為效率最高的PFC線路,硅管做圖騰柱PFC，只能做CrM或者DCM，CCM下反向恢復(fù)損耗
2022-11-21 16:18:341142 
圖騰柱功率系數(shù)校正電路一直是個構(gòu)想，許多工程師都在尋找能夠有效實現(xiàn)這一構(gòu)想的技術(shù)。如今，人們發(fā)現(xiàn) SiC FET 是能讓該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)發(fā)揮最大優(yōu)勢的理想開關(guān)。了解應(yīng)對方式。 這篇博客文章最初
2023-06-21 09:10:02212 
基于GD32E505的圖騰PFC雙向儲能逆變器設(shè)計
2023-09-27 15:24:131059 
聯(lián)合SiC的FET-Jet計算器 — — 從SIC FET選擇中得出猜算結(jié)果
2023-09-27 15:15:17499 
SiC FET（即 SiC JFET 和硅 MOSFET 的常閉共源共柵組合）等寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)推出后，功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品無疑受益匪淺。
2023-10-19 12:25:58208 
采用SiC MOSFET的3kW圖騰柱無橋PFC和次級端穩(wěn)壓LLC電源
2023-11-24 18:06:32446 
還沒使用SiC FET？快來看看本文，秒懂SiC FET性能和優(yōu)勢！
2023-11-29 16:49:23277 
UnitedSiC SiC FET用戶指南
2023-12-06 15:32:24172 
充分挖掘SiC FET的性能
2023-12-07 09:30:21152 
Correction，PFC）電路則用于提高電源功率因數(shù)，減少諧波污染。在一些高功率應(yīng)用中，圖騰柱PFC電路廣泛應(yīng)用。 然而，經(jīng)實踐證明，圖騰柱PFC在浪涌測試中容易出現(xiàn)慢管（slow turn-off）失效的問題。在本文中，我們將詳細(xì)討論圖騰柱PFC浪涌測試慢管失效的原因和可能的解決方法。 第一部分
2023-12-07 13:37:52419 泰為推出的基于TAE32F5300芯片的1KW圖騰柱PFC+LLC電源方案，其中功率管使用了GaNext (鎵未來) 的GaN (型號為：G1N65R035TB-N)。該方案具有性能優(yōu)越、效率高
2022-08-03 15:26:51
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