電子發燒友App
中國SiC碳化硅器件行業技術情況研究報告
- SiC(61351)
- 碳化硅(47293)
相關推薦
碳化硅 (SiC)的歷史與應用
碳化硅（SiC），通常被稱為金剛砂，是唯一由硅和碳構成的合成物。雖然在自然界中以碳硅石礦物的形式存在，但其出現相對罕見。然而，自從1893年以來，粉狀碳化硅就已大規模生產，用作研磨劑。碳化硅在研磨領域有著超過一百年的歷史，主要用于磨輪和多種其他研磨應用。
2023-09-08 15:24:02
887
887
600V碳化硅二極管SIC SBD選型
極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術600V碳化硅二極管現貨選型相比于Si半導體材料，SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點，SiC
2019-10-24 14:25:15
650V/1200V碳化硅肖特基二極管如何選型
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強、化學穩定性良好等特點，被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料
2020-09-24 16:22:14
Sic mesfet工藝技術研究與器件研究
Sic mesfet工藝技術研究與器件研究針對ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對較高的問題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術并進行了器件研制。通過優化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點
器件的特點 碳化硅SiC的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3倍,高達3.2MV/cm.，其導熱率是硅的3.3倍,為49w/cm.k?！ ∷c硅半導體材料
2019-01-11 13:42:03
碳化硅SiC MOSFET:低導通電阻和高可靠性的肖特基勢壘二極管
社會的重要元器件。碳化硅被廣泛視為下一代功率器件的材料，因為碳化硅相較于硅材料可進一步提高電壓并降低損耗。雖然碳化硅功率器件目前主要用于列車逆變器，但其具有極為廣泛的應用前景，包括車輛電氣化和工業設備
2023-04-11 15:29:18
碳化硅SiC技術導入應用的最大痛點
更新換代，SiC并不例外 新一代半導體開關技術出現得越來越快。下一代寬帶隙技術仍處于初級階段，有望進一步改善許多應用領域的效率、尺寸和成本。雖然，隨著碳化硅技術的進步，未來還將面臨挑戰，例如，晶圓
2023-02-27 14:28:47
碳化硅MOSFET是如何制造的？如何驅動碳化硅場效應管？
充電器、電機和太陽能逆變器，不僅可以從這些新器件中受益匪淺，不僅在效率上，而且在尺寸上，可實現高功率、高溫操作。但是，不僅器件的特性讓人對新設計充滿好奇，也是意法半導體的戰略。碳化硅（SiC）技術是意
2023-02-24 15:03:59
碳化硅二極管選型表
應用領域。更多規格參數及封裝產品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
碳化硅半導體器件有哪些？
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
碳化硅基板——三代半導體的領軍者
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。根據中國半導體行業協會統計，2019年中國半導體產業市場規模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
碳化硅如何改進開關電源轉換器設計？
在設計功率轉換器時，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術現在是組件選擇過程中的現實選擇。 在設計功率轉換器時，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術現在是組件選擇過程中的現實選擇。650V
2023-02-23 17:11:32
碳化硅深層的特性
。 碳化硅近幾年的快速發展 近幾年來，低碳生活也是隨之而來，隨著太陽能產業的發展，作為光伏產業用的材料，碳化硅的銷售市場也是十分火爆，許多磨料磨具業內人開始關注起碳化硅這個行業了。目前碳化硅制備技術非常
2019-07-04 04:20:22
碳化硅的歷史與應用介紹
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅肖特基二極管技術演進解析
，熱導率是硅材料的3倍，電子飽和漂移速率是硅的2倍，臨界擊穿場強更是硅的10倍。材料特性對比如圖（1）所示?！ D（1） 4H型碳化硅與硅基材料特性對比 在硅基半導體器件性能已經進入瓶頸期時，碳化硅材料
2023-02-28 16:55:45
碳化硅肖特基二極管的基本特征分析
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統的硅基器件具有更優越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導熱系數（49W/mK）使功率半導體器件效率更高，運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
碳化硅陶瓷線路板,半導體功率器件的好幫手
二十世紀五十年代后半期，才被納入到固體器件的研究中來。二十世紀九十年代，碳化硅技術才真正意義上得到了迅速發展。SiC材料與目前應該廣泛的Si材料相比，較高的熱導率決定了其高電流密度的特性，較高的禁帶寬
2021-03-25 14:09:37
【直播邀請】羅姆 SiC（碳化硅）功率器件的活用
）------------------------------------------------------------------------------------------------會議主題：羅姆 SiC（碳化硅）功率器件的活用直播時間：2018
2018-07-27 17:20:31
【羅姆BD7682FJ-EVK-402試用體驗連載】基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究
和學習，現申請此開發板。項目名稱:基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究計劃：研究碳化硅功率器件的開關行為；研究碳化硅功率器件熱阻抗特性；研究碳化硅功率器件在永磁同步電機伺服控制系統中的驅動技術。預計成果：以上研究及測試總結報告
2020-04-21 16:04:04
【轉帖】華潤微碳化硅/SiC SBD的優勢及其在Boost PFC中的應用
前言
碳化硅（SiC）材料是功率半導體行業主要進步發展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。SiC器件的典型應用領域包括：新能源汽車、5G通訊、光伏發電、軌道交通、智能電網等現代工業領域，在
2023-10-07 10:12:26
從硅過渡到碳化硅，MOSFET的結構及性能優劣勢對比
無不積極研發經濟型高性能碳化硅功率器件，例如Cascode結構、碳化硅MOSFET平面柵結構、碳化硅MOSFET溝槽柵結構等。這些不同的技術對于碳化硅功率器件應用到底有什么影響，該如何選擇呢？首先
2022-03-29 10:58:06
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
你知道為飛機電源管理提供解決方案的碳化硅嗎？
，航空業最近經歷了快速增長，新的航空航天世界在用于電源和電機控制的SiC器件中找到了新的電源管理解決方案。碳化硅有望在航空工業中降低重量和減少燃料消耗和排放，例如，碳化硅 MOSFET在更高工作溫度下
2022-06-13 11:27:24
創能動力推出碳化硅二極管ACD06PS065G
電機驅動。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽能發電、風力發電、電焊機、電力機車、遠距離輸電、服務器、家電、電動汽車、充電樁等用途。創能動力于2015年在國內開發出6英寸SiC制造技術，2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
功率模塊中的完整碳化硅性能怎么樣？
降低到75%?！ ”?2：SEMITRANS 3 完整碳化硅案例研究 只有使用硅或碳化硅電源模塊才能用基于TO器件的電源設計取代耗時的生產流程。SiC的特定特性需要優化換向電感和熱性能。因此，可以提高性價比，并充分利用SiC的優勢，使應用受益。
2023-02-20 16:29:54
國產碳化硅MOS基于車載OBC與充電樁新技術
國產碳化硅MOS基于車載OBC與充電樁新技術：1 車載電源OBC與最新發展2 雙向OBC關鍵技術3 11kW全SiC雙向OBC電路4 OBC與車載DC/DC集成二合一5 車載DC/DC轉換電源電路比較6 充電樁電源電路
2022-06-20 16:31:07
圖騰柱無橋PFC中混合碳化硅分立器件的應用
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合，為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的完美方案?！ ≡?b class="flag-6" style="color: red">器件將傳統
2023-02-28 16:48:24
在開關電源轉換器中充分利用碳化硅器件的性能優勢
技術需求的雙重作用，導致了對于可用于構建更高效和更緊湊電源解決方案的半導體產品擁有巨大的需求。這個需求寬帶隙（WBG）技術器件應運而生，如碳化硅場效應管（SiC MOSFET） 。它們能夠提供設計人
2023-03-14 14:05:02
如何用碳化硅(SiC)MOSFET設計一個高性能門極驅動電路
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
歸納碳化硅功率器件封裝的關鍵技術
摘要： 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優點。如何充分發揮碳化硅器件的這些優勢性能則給封裝技術帶來了新的挑戰
2023-02-22 16:06:08
新型電子封裝熱管理材料鋁碳化硅
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
來自北京清華大學和韓國延世大學，掌握碳化硅功率器件的核心技術
一體的高科技企業，產品研發骨干來自北京清華大學和韓國延世大學，掌握碳化硅功率器件的核心技術。再加上薩科微總經理宋仕強先生深耕華強北多年，深度了解華強北的商業模式，薩科微slkor的多年積累，為現階段快速
2023-02-21 09:24:40
淺析SiC-MOSFET
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內雖有幾家在持續投入，但還處于開發階段, 且技術尚不完全成熟。從國內
2019-09-17 09:05:05
淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動的區別
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動兩者電氣參數特性差別較大，碳化硅MOSFET對于驅動的要求也不同于傳統硅器件，主要體現在GS開通電壓、GS關斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個方面，具體如下
2023-02-27 16:03:36
被稱為第三代半導體材料的碳化硅有著哪些特點
°C。系統可靠性大大增強，穩定的超快速本體二極管，因此無需外部續流二極管。三、碳化硅半導體廠商SiC電力電子器件的產業化主要以德國英飛凌、美國Cree公司、GE、ST意法半導體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
請教碳化硅刻蝕工藝
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
碳化硅 （SiC）：歷史與應用
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅 （SiC），俗稱金剛砂。 SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。 不過，自 1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。 碳化硅用作研磨劑已有一百多年的歷史，主要用于磨輪和眾多其他研磨應用
2017-05-06 11:32:45
54
54【大神課堂】碳化硅 (SiC)：歷史與應用
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2018-04-11 11:37:004934
4934
從硅到碳化硅(SiC) 有哪些好處和應用？
碳化硅 (SiC) 具有提高電動汽車整體系統效率的潛力。在太陽能行業，碳化硅逆變器優化在成本節約方面也發揮著很大的作用。在這個與俄亥俄州立大學電氣與計算機工程系 IEEE 院士教授 Anant
2022-08-03 17:07:351383
1383SiC碳化硅功率器件測試哪些方面？碳化硅功率器件測試系統NSAT-2000
SiC碳化硅功率半導體器件具有耐壓高、熱穩定好、開關損耗低、功率密度高等特點，被廣泛應用在電動汽車、風能發電、光伏發電等新能源領域。 近年來，全球半導體功率器件的制造環節以較快速度向我國轉移。目前
2023-01-13 11:16:441230
1230
碳化硅原理是什么
，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中，碳化硅為應用最廣泛、最經濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 中國工業生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm。 碳化硅也可以通過使
2023-02-02 14:50:021981
1981汽車碳化硅技術原理圖
（SiC）技術 Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅（SiC）技術的需求繼續增長，這種技術可以最大限度地提高當今電力系統的效率，同時降低其尺寸、重量和成本。但碳化硅溶液并不是硅的替代品，它們也并非都是一樣的。為了實現碳化硅技
2023-02-02 15:10:00467
467什么是碳化硅（SiC）？
碳化硅（SiC）是第三代化合物半導體材料。半導體材料可用于制造芯片，這是半導體行業的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂，石油焦，鋸末等原材料而制造的。
2023-02-02 16:23:4420965
20965碳化硅技術標準_碳化硅工藝
高技術耐火原料中，碳化硅為應用最廣泛、最經濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。中國工業生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25。
2023-02-03 16:11:352997
2997功率半導體碳化硅(SiC)技術
功率半導體碳化硅（SiC）技術 Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅（SiC）技術的需求繼續增長，這種技術可以最大限度地提高當今電力系統的效率
2023-02-15 16:03:448
8sic碳化硅電機
sic碳化硅電機 碳化硅（SiC）器件損耗小、耐高溫并能高頻運行，被公認為將推動新能源汽車領域產生重大技術變革。世界各工業強國和大型跨國公司紛紛投入了大量的人力物力，特斯拉等國外車企開發的SiC電機
2023-02-17 14:10:171499
1499SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產業鏈介紹
我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；碳化硅
2023-02-21 10:04:111693
1693
SiC碳化硅二極管的特性和優勢
什么是第三代半導體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統稱為第三代半導體，這個是相對以硅基為核心的第二代半導體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090
2090什么是碳化硅器件
SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET，特別是 SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結組成。
在眾多半導體器件中，碳化硅材料具有低熱
2023-03-03 14:18:564079
40796.3.5.3 界面氮化∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.3.5.3界面氮化6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.5.2氧化
2022-01-17 09:18:16613
613
6.3.7 遷移率限制因素∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.3.7遷移率限制因素6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性∈《碳化硅技術
2022-01-21 09:37:00736
7366.3.5.1 界面態分布∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.3.5.1界面態分布6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.4.8其他
2022-01-12 10:00:29744
7446.3.6 不同晶面上的氧化硅/SiC 界面特性∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.5.5界面的不穩定性∈《碳化硅技術
2022-01-21 09:35:56706
7066.3.4.3 確定表面勢、6.3.4.4 Terman法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.3.4.4Terman法6.3.4.3確定表面勢6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內
2022-01-07 11:49:21725
7256.5 總結∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.5總結第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.4.2.2n型SiC
2022-01-27 09:16:44861
8616.3.5.4 其他方法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.3.5.4其他方法6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.5.3界面
2022-01-18 09:28:24662
6626.3.5.2 氧化后退火∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.3.5.2氧化后退火6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.5.1界面
2022-01-13 11:21:29631
6316.3.2 氧化硅的介電性能∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.3.2氧化硅的介電性能6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.1氧化速率∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-01-04 14:11:56775
7756.4.1.1 基本原理∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.1.1.1基本原理6.4.1n型和p型SiC的肖特基接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.7遷移率限制因素∈《碳化硅技術基本原理
2022-01-24 14:08:51807
8077.1.1 阻斷電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
7.1.1阻斷電壓7.1SiC功率開關器件簡介第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.5總結∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-02-07 16:12:08568
5686.3.4.6 C-Ψs方法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.3.4.6C-Ψs方法6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.4.5高低頻方法
2022-01-10 14:04:39631
6316.3.4.7 電導法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.3.4.7電導法6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.4.6C-Ψs方法
2022-01-12 10:44:27394
3947.1.2 單極型功率器件優值系數∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
7.1.2單極型功率器件優值系數7.1SiC功率開關器件簡介第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：7.1.1阻斷電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長
2022-02-07 15:01:28396
3966.4.1.2 SiC上的肖特基接觸∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.4.1.2SiC上的肖特基接觸6.4.1n型和p型SiC的肖特基接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.4.1.1基本原理∈《碳化硅技術
2022-01-24 10:22:28480
4806.3.4.1 SiC特有的基本現象∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.3.4.1SiC特有的基本現象6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.3熱氧化氧化硅
2022-01-05 13:59:37493
4936.4.2.1 基本原理∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.4.2.1基本原理6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.4.1.2SiC上的肖特基接觸∈《碳化硅技術
2022-01-24 10:09:121034
10346.4.2.2 n型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技術
2022-01-25 09:18:08743
7436.3.4.2 MOS電容等效電路∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.3.4.2MOS電容等效電路6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.4.1SiC
2022-01-07 14:24:25420
4205.3.2.1 壽命控制∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
5.3.2.1壽命控制5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：5.3.2載流子壽命“殺手
2022-01-06 09:38:25510
5105.3.2 載流子壽命“殺手”∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
5.3.2載流子壽命“殺手”5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：5.3.1.2雜質∈《碳化硅
2022-01-06 09:37:40535
5355.3.1.2 雜質∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
5.3.1.2雜質5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：5.3.1.1本征缺陷∈《碳化硅技術
2022-01-06 09:30:23552
5525.3.1.1 本征缺陷∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
5.3.1.1本征缺陷5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：5.2.3擴展缺陷對SiC器件性能
2022-01-06 09:27:16693
6936.4.2.3 p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸
2022-01-26 10:08:16636
6365.2.3 擴展缺陷對SiC器件性能的影響∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
5.2.3擴展缺陷對SiC器件性能的影響5.2SiC的擴展缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：5.2.1SiC主要的擴展缺陷&5.2.2
2022-01-06 09:25:55621
621
碳化硅功率器件：革命性的封裝技術揭秘
碳化硅(SiC)作為一個新興的寬帶隙半導體材料，已經吸引了大量的研究關注。其優越的電氣性能、高溫穩定性和高頻響應使其在功率電子器件領域中具有巨大的應用潛力。但要完全發揮SiC功率器件的潛力，封裝技術同樣至關重要。本文主要探討碳化硅功率器件封裝的三個關鍵技術。
2023-08-15 09:52:11701
701
碳化硅SiC功率器件，全球市場總體規模，前三十大廠商排名及市場份額
本文研究SiC碳化硅功率模塊及分立器件，功率模塊主要包括碳化硅MOSFET模塊（SiC MOSFET Module），分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二極管（主要是碳化硅肖特二極管）。
2023-09-08 11:30:451806
1806
碳化硅功率器件的原理和應用
隨著科技的快速發展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種先進的電力電子設備，已經廣泛應用于能源轉換、電機控制、電網保護等多個領域。本文將詳細介紹碳化硅功率器件的原理、應用、技術挑戰以及未來發展趨勢。
2023-12-16 10:29:20360
360碳化硅功率器件簡介、優勢和應用
碳化硅（SiC）是一種優良的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點，因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379
379
工商網監
評論