前面講了許多電源的相關(guān)知識，那么在當(dāng)前的高速PCB設(shè)計(jì)中，48V電源有哪些需要重視的注意事項(xiàng)呢？48V在布局時(shí)的注意事項(xiàng)1. 保險(xiǎn)管盡量靠近電源接口2. 同類型電路盡量集中布局，不同類型電路盡量不交
2017-07-06 17:10:30
，則U=24V， 假設(shè) F=10KHz，Q=2.8uC 可計(jì)算出 P=0.67w ，柵極電阻應(yīng)選取2W電阻，或2個(gè)1W電阻并聯(lián)。 三、設(shè)置柵極電阻的其他注意事項(xiàng) 1、盡量減小柵極回路
2012-07-25 09:49:08
IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開關(guān)特性。
2019-09-11 11:31:16
這里以單個(gè)IGBT管為例（內(nèi)含阻尼二極管），IGBT管的好壞可用數(shù)字萬用表的“二極管”擋來測量PN結(jié)正向壓降進(jìn)行判斷。檢測前先將IGBT管三只引腳短路放電，使IGBT的CE腳在關(guān)閉狀態(tài)下，避免
2012-04-18 16:15:53
大家好，我是新手，想做一個(gè)PWM卸荷裝置，請問一下，這個(gè)IGBT管怎么接線？謝謝
2012-12-17 13:48:41
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
1，IGBT單管：IGBT，封裝較模塊小，電流通常在100A以下，常見有TO247 等封裝,sg 本人常用。2，IGBT模塊
2012-07-09 12:00:13
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 編輯
1，IGBT單管：IGBT，封裝較模塊小，電流通常在100A以下，常見有TO247 等封裝,sg 本人常用。2，IGBT模塊
2012-07-09 10:12:52
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 編輯
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管
2012-07-09 11:53:47
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 編輯
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管
2012-07-09 10:01:42
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:59 編輯
請哪位高手指點(diǎn)一下，如何測量IGBT單管的好壞，謝謝
2012-07-25 21:49:17
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------一、簡述大家都知道，IGBT單管相當(dāng)?shù)拇嗳酰瑯与娏魅萘康?b class="flag-6" style="color: red">IGBT單管，比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了，也就是說，在逆變H橋里頭，MOSFET上去沒有問題，但是IGBT.
2021-11-15 08:51:39
目錄 IGBT和MOS管的區(qū)別：IGBT和可控硅的區(qū)別：IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)：1、IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)2、IGBT驅(qū)動(dòng)器的選擇3、IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)IGBT和MOS管的區(qū)別： IIGBT
2021-09-09 08:05:31
Mosfet 和IGBT 的差異已有簡單的了解，下文將在此基礎(chǔ)上，整理 Mosfet（IGBT）替換 IGBT（Mosfet）時(shí)設(shè)計(jì)的注意事項(xiàng)。Mosfet（IGBT）替換 IGBT（Mosfet
2022-09-16 10:21:27
IGBT的使用方法IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種典型的雙極MOS復(fù)合型功率器件。它結(jié)合功率MOSFET的工藝技術(shù)，將功率MOSFET和功率管GTR集成在同一個(gè)芯片中。該器件具有開關(guān)頻率高、輸入阻抗
2020-09-29 17:08:58
IGBT并聯(lián)技術(shù)分析胡永宏博士（艾克思科技）通過電力電子器件串聯(lián)或并聯(lián)兩種基本方法，均可增大電力電子裝置的功率等級。采用這兩種方法設(shè)計(jì)的大功變流器，結(jié)構(gòu)相對簡單，加之控制策略與小功率變流器相兼容
2015-03-11 13:18:21
IGBT模塊使用上的注意事項(xiàng)
2015-06-02 16:35:16
上加上電壓，則IGBT就會損壞，為防止這類損壞情況發(fā)生，應(yīng)在柵極一發(fā)射極之間接一只10kΩ左左的電阻為宜。此外，由于IGBT模塊為MOS結(jié)構(gòu)，對于靜電就要十分注意。因此，請注意下面幾點(diǎn)：1)在使用模塊
2021-08-31 16:56:48
小，因此使用IGBT模塊首要注意的是過 流保護(hù)。產(chǎn)生過流的原因大致有：晶體管或二極管損壞、控制與驅(qū)動(dòng)電路故障或干擾等引起誤動(dòng)、輸出線接錯(cuò)或絕緣損壞等形成短路、輸出端對地短路與電機(jī)絕緣損 壞、逆變橋的橋臂
2012-06-19 11:26:00
本人在IGBT代理和原廠做了7年，跑了全國上百家igbt用戶， 對IGBT市場比較了解，非常清楚哪家的價(jià)格和貨源情況， 并了解哪些型號，哪家價(jià)格有優(yōu)勢，哪家供貨好， 如希望了解IGBT優(yōu)質(zhì)采購渠道，請QQ:1874501009
2012-06-30 17:26:05
和原理 上面介紹了Power MOSFET，而IGBT其實(shí)本質(zhì)上還是一個(gè)場效應(yīng)晶體管，從結(jié)構(gòu)上看和Power MOSFET非常接近，就在背面的漏電極增加了一個(gè)P+層，我們稱之為InjecTIon Layer
2018-10-17 16:56:39
IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)：本文通過等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡的指出了IGBT的特點(diǎn)。IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型
2021-11-16 07:16:01
IGBT的工作原理和作用是什么？IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是怎樣組成的？IGBT的特點(diǎn)有哪些？
2021-10-15 06:01:58
是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT 處于導(dǎo)通態(tài)時(shí)，由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B 值極低。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分
2018-10-18 10:53:03
IGBT模塊或者單管應(yīng)用于變頻器的制造，在做變頻器的短路實(shí)驗(yàn)時(shí)，在IGBT開通時(shí)刻做出短路動(dòng)作，IGBT的CE電壓會從零逐漸升高到最大之然后回到母線電壓的一半后達(dá)到穩(wěn)定。
但是在具體波形時(shí)，IGBT
2024-02-21 20:12:42
電壓（與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng)）和較快的開關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開關(guān)特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點(diǎn)。【功率元器件的基本結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
2019-05-06 05:00:17
電壓（與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng)）和較快的開關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開關(guān)特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點(diǎn)。【功率元器件的基本結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
2019-03-27 06:20:04
`我需要通過LC電路產(chǎn)生一個(gè)1200A，2.5KHz的脈沖電流，所加電壓500V，電路圖如下。需要用到IGBT來進(jìn)行開關(guān)控制，初步選定IGBT使用IRG4PC50FD 。但是IGBT需要驅(qū)動(dòng)電路
2017-10-10 17:16:20
。 絕緣門極雙極型晶體管(Isolated Gate Bipolar Transistor簡稱IGBT)是復(fù)合了功率場效應(yīng)管和電力晶體管的優(yōu)點(diǎn)而產(chǎn)生的一種新型復(fù)合器件，具有輸入阻抗高、工作速度快、熱穩(wěn)定性好
2012-09-09 12:22:07
請幫忙看下這個(gè)IGBT驅(qū)動(dòng)電路是否可行；如果可行，柵極電壓將會是多少，以及三極管Q1，Q2在IGBT導(dǎo)通時(shí)的工作狀態(tài)
2013-08-18 19:56:22
ASEMI的IGBT管FGL40N120AN適用于什么場合？-Z
2021-05-25 14:02:00
MOS管主要參數(shù)及使用注意事項(xiàng)
2018-03-06 17:12:25
泛的應(yīng)用。IGBT的電路符號至今并未統(tǒng)一，畫原理圖時(shí)一般是借用三極管、MOS管的符號，這時(shí)可以從原理圖上標(biāo)注的型號來判斷是IGBT還是MOS管。同時(shí)還要注意IGBT有沒有體二極管，圖上沒有標(biāo)出并不表示一定沒有，除非
2022-04-01 11:10:45
中獲得極廣泛的應(yīng)用。 IGBT的電路符號至今并未統(tǒng)一，畫原理圖時(shí)一般是借用三極管、MOS管的符號，這時(shí)可以從原理圖上標(biāo)注的型號來判斷是IGBT還是MOS管。 同時(shí)還要注意IGBT有沒有體二極管
2020-07-19 07:33:42
1.MOSFET的速度比晶體管或IGBT快。2.MOSFET的過電流適中；晶體管是一個(gè)流控流型的，要使集電極上的電流增大，基極上的電流就要增大，但是基極上的電流是無用的。IGBT一般使用在大電流的場景。...
2021-10-29 08:28:40
（MOS）柵極結(jié)構(gòu)控制。由于其設(shè)計(jì)為可以快速地打開和關(guān)閉，因此放大器通常會使用它通過脈寬調(diào)制和低通濾波器來合成復(fù)雜的波形。除了將n+漏極替換為p+集電極層之外，IGBT單元的構(gòu)造類似于n溝道垂直構(gòu)造
2020-07-07 08:40:25
PLC輸出電路(繼電器,晶體管,晶閘管輸出)區(qū)別和注意事項(xiàng)
2012-08-20 08:28:44
PLL的好處是什么PLL是什么工作原理PLL的使用技巧？有什么注意事項(xiàng)？
2021-04-23 06:54:07
、中、右圖分別為傳統(tǒng)IGBT、二極管和RC-IGBT的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中的RC-IGBT為雙向?qū)щ?b class="flag-6" style="color: red">IGBT基本的結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)基于IGBT的薄片工藝，將二極管的陰極集成到IGBT的陽極中，于是傳統(tǒng)IGBT
2019-09-26 13:57:29
TOLL Schottky SKY 肖特基二極管，大電流應(yīng)用時(shí)的應(yīng)用注意事項(xiàng)!
48V PD3.1選用肖特基做240W,480W PD電源，48V 10A的注意事項(xiàng)Motive TMBS TOLL封裝肖特基紹 V1.2_頁面_3.jpg
2023-11-22 10:39:26
注意事項(xiàng)那么，接踵而至的問題來了，在采購TVS管之前，您還得知道TVS管如何選型，這點(diǎn)，盡管TVS管制造商/供貨商/廠家都會給出詳細(xì)的選擇方案，但是還是需要自己嚴(yán)格把關(guān)控制，畢竟學(xué)到的知識是自己的，以防被
2018-09-03 17:31:46
TouchGFX怎么使用？有哪些注意事項(xiàng)？
2021-10-14 06:47:30
處于低電平三極管才導(dǎo)通。 作用說明：三極管作為一個(gè)基本的電路元器件和其它元器件組合使用形成一個(gè)電路模塊單元，比如放大器、比較器，這些模塊又可以和其它元器件一起組合形成一個(gè)具有一定功能的模塊，比如TTL電平轉(zhuǎn)換電路、CMOS電平轉(zhuǎn)換電路等。 使用時(shí)注意事項(xiàng)：三極管接入系統(tǒng)后如果要讓其導(dǎo)通，在基...
2022-01-25 07:36:54
搞清楚IGBT、BJT、MOSFET之間的關(guān)系，就必須對這三者的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理有大致的了解，下面我將用最簡單易懂的語言來為大家逐一講解。BJT：雙極性晶體管，俗稱三極管。內(nèi)部結(jié)構(gòu)（以PNP型BJT為例
2023-02-10 15:33:01
`什么是IGBT?什么是IGBT模塊？什么是IGBT模塊散熱器？IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS
2012-06-19 11:36:58
變頻串聯(lián)諧振耐壓試驗(yàn)裝置操作注意事項(xiàng)及接線注意事項(xiàng)有哪些？
2021-10-26 06:38:31
場效應(yīng)管的使用注意事項(xiàng)
2012-08-13 14:20:31
場效應(yīng)管的特性是什么場效應(yīng)管的主要參數(shù)有哪些場效應(yīng)管怎么選用？場效應(yīng)管的選用注意事項(xiàng)？
2021-04-20 06:49:52
大量回收富士IGBT模塊 收購富士IGBT模塊 全國各地區(qū)高價(jià)回收IGBT模塊、英飛凌、西門康、富士、三菱-天津高價(jià)收購IGBT模塊系列,BGA,內(nèi)存,單片機(jī),繼電器,二三極管,電容,電感,保險(xiǎn)絲
2021-11-01 18:13:51
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）有哪些應(yīng)用呢？如何去實(shí)現(xiàn)絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電磁兼容設(shè)計(jì)呢？
2022-01-14 07:02:41
IGBT和MOS管的區(qū)別是什么？IGBT和可控硅的區(qū)別有哪些？如何實(shí)現(xiàn)IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)？
2021-11-02 08:30:41
`推薦課程：張飛軟硬開源：基于STM32的BLDC直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器（視頻+硬件）http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代
2019-05-02 22:43:32
插齒機(jī)的性能特點(diǎn)有哪些？性能特點(diǎn)的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和用途是什么？使用插齒機(jī)時(shí)有哪些注意事項(xiàng)？
2021-07-09 07:59:44
）檔，紅表筆接S極，黑表筆接D極，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應(yīng)有明顯偏轉(zhuǎn)，偏轉(zhuǎn)愈大，管子的跨導(dǎo)愈高。 注意事項(xiàng)： （1）VMOS管亦分N溝道管與P溝道管，但絕大多數(shù)產(chǎn)品屬于N溝道管。對于P溝道管
2021-02-23 16:38:07
`模電前輩們，求 IGBT 高頻電源 ADC采集電壓 濾掉開關(guān)管的尖峰 辦法`
2016-01-21 21:19:49
模電前輩們，求 IGBT 高頻電源 ADC采集電壓 濾掉開關(guān)管的尖峰辦法
2019-07-15 02:57:42
、有無阻尼 很多的IGBT內(nèi)部里面都有阻尼二極管，但是也不保證有些管沒有，因此在代換時(shí)候需要特別注意是否含有阻尼二極管，含阻尼二極管的IGBT管可代換不含阻尼二極管的IGBT管，但是反過來
2023-02-28 13:51:19
電磁爐常用IGBT管型號及主要參數(shù) 目前，用于電磁爐的IGBT管主要由：AIRCHILD(美國仙童)、INFINEON(德國英飛凌)、TOSHIBA(日本東芝)等幾家國外公司生產(chǎn)，各公司對IGBT管
2012-03-22 19:09:22
電磁爐怕IGBT燒管的維修經(jīng)驗(yàn)不要看它比電視機(jī)小，燒起IGBT來還真愁。在交流220V上，串接一個(gè)60-100W的燈泡，加鍋，接通電源：1. 若燈泡暗紅，開啟電磁爐電源，燈泡一亮一暗地閃爍，表明
2009-07-21 19:02:06
電路PCB布局注意事項(xiàng)電路PCB布線注意事項(xiàng)
2021-03-01 08:22:41
穩(wěn)壓二極管用途廣泛，使用極多。看起來應(yīng)用很簡單，但如果不注意，也極易損壞。以下是選用時(shí)的幾點(diǎn)注意事項(xiàng)： 可將多只穩(wěn)壓二極管串聯(lián)使用，但由于二極管參數(shù)的離散性比較大，不得并聯(lián)使用。 溫度對半
2012-01-06 16:32:16
穩(wěn)壓二極管應(yīng)用注意事項(xiàng)：穩(wěn)壓二極管工作在反向擊穿狀態(tài)，外接電源電壓應(yīng)保證管子反偏，其大小應(yīng)不低于反向擊穿電壓。如果穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值大于外接電源的話就不是起到穩(wěn)壓作用，而是起到保護(hù)電路的作用
2021-11-15 06:50:54
的優(yōu)點(diǎn)。本文介紹UPS中的IGBT的應(yīng)用情況和使用中的注意事項(xiàng)。 1.引言 在UPS中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT既有功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)，控制
2012-03-29 14:07:27
不同的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和電路圖 1.單管模塊，1 in 1模塊 單管模塊的內(nèi)部由若干個(gè)IGBT并聯(lián)，以達(dá)到所需要的電流規(guī)格，可以視為大電流規(guī)格的IGBT單管。受機(jī)械強(qiáng)度和熱阻的限制，IGBT的管芯面積不能做得太大
2019-03-05 06:00:00
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。一．絕緣柵雙極晶體管IGBT的工作原理： 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分析略。本講義附加了相關(guān)資料，供感興趣
2009-05-12 20:44:23
絕緣柵雙級晶體管IGBT
2012-08-20 09:46:02
繼電器和晶體管輸出具有哪些特點(diǎn)？使用注意事項(xiàng)有哪些？繼電器與晶體管輸出有哪些差別？
2021-10-12 06:28:48
自制YS13-3熒光管時(shí)鐘有何注意事項(xiàng)呢？?
2022-03-01 07:03:03
我用AD4008采集一個(gè)光電二極管轉(zhuǎn)換電路，發(fā)現(xiàn)采集的數(shù)據(jù)干擾很大，似乎又很有規(guī)律，電路中采用ADR4525作為基準(zhǔn)電壓源，請問AD4008的設(shè)計(jì)有什么注意事項(xiàng)？這個(gè)是我采集的數(shù)據(jù)
正常的波形應(yīng)該是
2023-12-08 07:20:24
我用AD4008采集一個(gè)光電二極管轉(zhuǎn)換電路，發(fā)現(xiàn)采集的數(shù)據(jù)干擾很大，似乎又很有規(guī)律，電路中采用ADR4525作為基準(zhǔn)電壓源，請問AD4008的設(shè)計(jì)有什么注意事項(xiàng)？這個(gè)是我采集的數(shù)據(jù)正常的波形應(yīng)該是
2018-07-24 10:01:34
MOS管與IGBT是不是都有這個(gè)GS米勒效應(yīng)？
2019-09-05 03:29:03
超級電容應(yīng)用的注意事項(xiàng)看了就明白
2021-03-29 08:17:24
IGBT元胞結(jié)構(gòu)與耐高壓的二極管元胞結(jié)構(gòu)集成到同一個(gè)芯片上，采用傳統(tǒng)的非穿通型結(jié)構(gòu)，同時(shí)在背面和側(cè)面做了改進(jìn)，具備雙向阻斷能力。 2、正向耐壓和反向耐壓 正向耐壓： ＲB-IGBT除終端結(jié)構(gòu)外和傳統(tǒng)
2020-12-11 16:54:35
通用IO結(jié)構(gòu)注意事項(xiàng)：復(fù)位后，ANSELx位默認(rèn)為模擬模式。 要將任何引腳用作數(shù)字通用或外設(shè)輸入，必須通過用戶軟件將相應(yīng)的ANSEL位初始化為0。
2021-11-24 08:05:05
全新一代農(nóng)藥殘留檢測儀操作的注意事項(xiàng)有哪些【云唐廠·YT-NY24
2021-03-23 10:53:19
IGBT 的柵極驅(qū)動(dòng)是IGBT 應(yīng)用中的關(guān)鍵問題。本文闡明構(gòu)成IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)電路的注意事項(xiàng)，基本電路參數(shù)的選擇原則，還介紹丁幾種驅(qū)動(dòng)電路實(shí)例。
2010-08-31 16:33:41
213 IGBT驅(qū)動(dòng)電路布線設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
1.The layout must minimize the parasitic inductance between the driver’s output
2008-11-05 23:17:57
3849 
1.IGBT的基本結(jié)構(gòu)
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）本質(zhì)上是一個(gè)場效應(yīng)晶體管，只是在漏極和漏區(qū)之間多了一個(gè) P 型層。根據(jù)國
2010-05-27 17:29:3812136 
IGBT驅(qū)動(dòng)光耦TLP250的應(yīng)用及注意事項(xiàng)
2012-07-18 11:01:0756348 
IGBT單管和IGBT模塊的控制電路是一樣的，它們的作用和工作原理基本一樣，IGBT模塊可以看成是多個(gè)IGBT單管集成的模塊。IGBT模塊封裝技術(shù)拓展了IGBT的運(yùn)用領(lǐng)域和功能。IGBT是集功率
2017-05-14 15:02:3412273 
大的優(yōu)點(diǎn)、使用 IGBT 成為 UPS 功率設(shè)計(jì)的首選，只有對 IGBT 的特性充分了解和對電路進(jìn)行可靠性設(shè)計(jì)，才能發(fā)揮 IGBT 的優(yōu)點(diǎn)。本文介紹 UPS 中的 IGBT 的應(yīng)用情況和使用中的注意事項(xiàng)
2017-11-06 10:08:5324 本文首先介紹了IGBT的作用及選型四個(gè)基本要求，其次介紹了IGBT選型方法及影響IGBT可靠性因素，最后介紹了IGBT使用注意事項(xiàng)及保管方法。
2018-07-20 15:41:0978350 由于IGBT管工作在大電流 高電壓狀態(tài)，工作頻率較高，發(fā)熱量大，因此其故障率較高，又由于其價(jià)格較高，故代換IGBT管時(shí)，應(yīng)遵循以下原則：首先，盡量用原型號的代換，這樣不僅利于固定安裝，也比較簡便
2018-10-12 08:17:0012322 通過降額法計(jì)算IGBT器件并聯(lián)時(shí)工作的總安全電流，使IGBT器件工作在允許承受的電流范圍內(nèi)。
2020-04-10 09:29:387823 
IGBT 驅(qū)動(dòng)電路 EXB841 l，EXB841 原理分析，使用 IGBT 中的注意事項(xiàng)和 EXB841 典型應(yīng)用電路
2020-09-10 08:00:0019 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)注意事項(xiàng)
2022-11-15 19:51:245 在IGBT驅(qū)動(dòng)電路中有時(shí)會用到鉗位電路，其主要目的是為了保護(hù)IGBT器件，避免運(yùn)行參數(shù)超過集電極或者門極的極限參數(shù)，今天我們總結(jié)一下Vce以及Vge鉗位電路設(shè)計(jì)使用注意事項(xiàng)。
2023-02-07 15:58:511415 
AN092 GD32 MCU GPIO結(jié)構(gòu)與使用注意事項(xiàng)
2023-03-01 18:48:310 簡單描述了一些IGBT的主要參數(shù)和注意事項(xiàng)
2023-03-16 14:52:3638 IGBT逆變電路詳解 IGBT逆變電路是一種高壓、高功率驅(qū)動(dòng)電路，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、航空、船舶等領(lǐng)域。本文將為您詳細(xì)介紹IGBT逆變電路的原理、結(jié)構(gòu)、應(yīng)用以及注意事項(xiàng)等內(nèi)容。 一、IGBT逆變電
2023-08-29 10:25:543326 對電力電子工程師而言，功率組件是我們的設(shè)計(jì)對象，而IGBT由于其出色的特性被廣泛使用于功率組件中。 功率組件的效率、保護(hù)功能、EMC等 表現(xiàn)和IGBT的應(yīng)用設(shè)計(jì)具有緊密關(guān)系，而不同IGBT技術(shù)也造就
2023-09-15 10:09:32484 
雙脈沖試驗(yàn)及注意事項(xiàng)對于電力電子工程師來說，功率元件是我們的設(shè)計(jì)對象，而IGBT由于其優(yōu)良的特性被廣泛應(yīng)用于功率元件。功率元件的效率、保護(hù)功能、EMC等性能與IGBT的應(yīng)用設(shè)計(jì)密切相關(guān)
2023-10-13 10:34:33581 
深度剖析 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)注意事項(xiàng)
2023-11-24 14:48:25220 
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