本內容介紹了IGBT模塊的檢測方法，以兩單元為例:用模擬萬用表測量，判斷IGBT的方法
2011-12-21 10:30:26
8505 本文首先介紹了IGBT的概念與結構，其次對IGB模塊原理電路進行了分析以及介紹了變頻器IGBT模塊常見故障處理，最后介紹了變頻器IGBT模塊檢測方法以及IGBT模塊的靜態測量。
2018-05-22 09:15:539392 ? IGBT模塊內部 雜散電感的定義 IGBT半橋逆變電路工作原理以及當IGBT1開通關斷時的電壓電流波形如圖1所示，Lσ代表整個換流回路（條紋區域內）所有的雜散電感之和（電容器，母排，IGBT模塊
2023-08-18 09:08:182225 
驅動部分最核心的元件IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor絕緣柵雙極型晶體管芯片）。從零了解汽車電控IGBT模塊電驅系統和IGBT
2023-11-20 16:44:431158 
IGBT模塊的封裝技術難度高，高可靠性設計和封裝工藝控制是其技術難點。IGBT模塊具有使用時間長的特點，汽車級模塊的使用時間可達15年。因此在封裝過程中，模塊對產品的可靠性和質量穩定性要求非常高。高可靠性設計需要考慮材料匹配、高效散熱、低寄生參數、高集成度。
2023-12-29 09:45:05597 
由于IGBT模塊自身有一定的功耗，IGBT模塊本身會發熱。在一定外殼散熱條件下，功率器件存在一定的溫升（即殼溫與環境溫度的差異）。
2024-03-22 09:58:08249 
可靠性與能效是當今逆變器設計考慮的兩個主要因素。英飛凌全新EconoPACK TM 4將強健的模塊設計與全新高能效IGBT4和EmCon4二極管技術融合在一起。基于最新技術的功率半導體器件進入
2018-12-07 10:23:42
IGBT模塊散熱技術 散熱的過程 1 IGBT在結上發生功率損耗; 2 結上的溫度傳導到IGBT模塊殼上; 3 IGBT模塊上的熱傳導散熱器上; 4 散熱器上的熱傳導到空氣中。 散熱環節
2012-06-20 14:36:54
` IGBT模塊散熱技術散熱的過程 1 IGBT在結上發生功率損耗; 2 結上的溫度傳導到IGBT模塊殼上; 3 IGBT模塊上的熱傳導散熱器上; 4 散熱器上的熱傳導到空氣中。 散熱環節
2012-06-19 11:35:49
詳細閱讀模塊參數數據表，了解模塊的各項技術指標;根據模塊各項技術參數確定使用方案，計算通態損耗和開關損耗，選擇相匹配的散熱器及驅動電路。 (二) IGBT模塊散熱器的使用 1.防止靜電 IGBT
2012-06-19 11:20:34
IGBT模塊是由哪些模塊組成的？IGBT模塊有哪些特點？IGBT模塊有哪些應用呢？
2021-11-02 07:39:10
IGBT模塊的有關保護問題-IGBT模塊散熱器 對IGBT模塊散熱器的過流檢測保護分兩種情況： (1)、驅動電路中無保護功能。這時在主電路中要設置過流檢測器件。對于小容量變頻器，一般是把電阻R直接
2012-06-19 11:26:00
感抗差異，并對并聯IGBT的動態均流產生影響，而線路的電阻則影響靜態均流。1.2 并聯技術遵循的原則1)模塊的選擇：通過選擇具有正溫度系數并且最好是同一批次的IGBT單元，可以提高器件參數的一致性
2015-03-11 13:18:21
各位大神好，想請教一個問題。我現在手上有一個IGBT模塊，型號是FF150RT12R4。我現在想找一個驅動這個IGBT模塊的驅動模塊，是驅動模塊，不是驅動芯片，我在網上查找到了EXB840，但是這個驅動年份有些久遠，所以想問有沒有類似的新產品，求推薦型號。
2021-01-04 10:40:43
IGBT英飛凌的模塊，用著怎么樣啊，求指導。
2018-04-17 15:27:54
(與飽和電壓 VCEsat有關)+開關損耗 (Eoff Eon)。同一代技術中通態損耗與開關損耗兩者相互矛盾,互為消長。IGBT模塊按封裝工藝來看主要可分為焊接式與壓接式兩類。高壓IGBT模塊一般以標準焊接
2019-07-16 07:30:00
封就會碰到問題；硅膠連續在高溫200度環境下工作；性能會變差；底部會產生VOLD；AL線形變；出現器件擊穿燒毀問題；代表世界最新技術的日本幾家超級IGBT模塊大廠（M社/F社）已逐步采用高耐熱；低熱
2022-02-20 15:29:36
作為國家科技重大專項——智能電網高壓芯片封裝與模塊技術研發及產業化項目的中國北車永濟電機公司以其研制的3300V IGBT器件產品，日前中標國家智能電網項目，成為我國首個高壓大功率IGBT產品批量
2015-01-30 10:18:37
本文介紹了新一代IHM.B具備更強機械性能的高功率IGBT模塊,其融合了最新的設計、材料、焊接和安裝技術。首批IHM.B模塊將搭載最新的、采用溝槽柵單元設計的3.3kV IGBT3芯片,在保持機械
2010-05-04 08:07:47
IGBT模塊是有IGBT與FWD通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品，是能源變換與傳輸的核心部件。也是變頻電源內部最主要的核心部件之一，在內部有著重要的作用，今天中港揚盛的技術員來給大家講講
2021-12-28 06:25:45
摘要：本文討論了最新PrimePACKTM模塊如何集成到現有的逆變器平臺中，描述了集成控制和保護在內的逆變器模塊化架構概念。該模塊的機械特性允許對熱管理進行優化，進而充分發揮IGBT輸出電流能力
2018-12-03 13:56:42
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2021-11-01 18:13:51
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2021-01-09 18:20:52
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2021-03-22 18:19:34
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2021-10-25 21:49:20
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2020-07-30 13:20:09
現急需FF1200R17IP5英飛凌原廠的IGBT模塊，有誰有渠道的幫幫忙！
2020-01-12 10:47:52
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2021-09-11 15:54:33
如何增加中間端子的雜散電感？電磁場對IGBT模塊并聯的影響是什么？
2021-06-15 08:26:38
各位大佬，請教一下 IGBT 模塊的絕緣耐壓如何測試？
2023-10-23 10:19:00
如何實現IGBT模塊的驅動設計？在設計驅動電路時，需要考慮哪些問題？IGBT下橋臂驅動器件HCPL-316J的主要特征有哪些？上橋臂驅動器HCPL-3120的主要特征有哪些？
2021-04-20 06:24:18
怎么解決IGBT模塊在并聯時的降額問題？
2021-04-08 06:21:04
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2021-11-16 19:19:46
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2020-07-21 14:58:42
三菱igbt模塊資料
三菱電機第5代IGBT模塊和IPM模塊應用手冊
Mitsubishi ElectricThe 5th Generation IGBT Modules & IPM ModulesApplication Note
2007-12-22 10:58:18
197 東芝igbt模塊資料
2007-12-22 11:04:1063 英飛凌IGBT模塊FF150R17KE4FF150R12KS4是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結構，并通過在傳統的NPT-IGBT的襯底和集電區之間加入一個n型摻雜附加層，這個
2023-02-07 09:50:06
FF300R17KE3 IGBT模塊FF300R17KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結構，并通過在傳統的NPT-IGBT的襯底和集電區之間加入一個n型摻雜附加層，這個附加
2023-02-07 10:50:02
FF450R17ME4英飛凌IGBT模塊FF450R17ME4是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結構，并通過在傳統的NPT-IGBT的襯底和集電區之間加入一個n型摻雜附加層，這個
2023-02-07 13:52:10
FZ600R17KE3 IGBT模塊FZ600R17KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結構，并通過在傳統的NPT-IGBT的襯底和集電區之間加入一個n型摻雜附加層，這個附加
2023-02-07 14:36:09
英飛凌IGBT模塊FF200R33KF2C是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結構，并通過在傳統的NPT-IGBT的襯底和集電區之間加入一個n型摻雜附加層，這個附加層被稱為電場終止
2023-02-24 14:45:08
FZ800R33KF2CIGBT模塊英飛凌FZ800R33KF2C是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結構，并通過在傳統的NPT-IGBT的襯底和集電區之間加入一個n型摻雜附加層
2023-02-24 14:55:47
三菱電機第5代IGBT模塊和IPM模塊應用手冊Mitsubishi Electric The 5th Generation IGBT Modules & IPM Modules
2010-02-19 11:10:01681 IGBT模塊的使用要點:IGBT為電壓控制器件，其導通壓降隨正驅動電壓的升高而降低。
2010-03-14 18:51:5871 東芝IGBT系列模塊
2007-12-22 11:10:15924 
西門康IGBT系列模塊
2007-12-22 11:11:291025 
三菱IGBT系列模塊
2007-12-22 11:11:511093 
IGBT模塊驅動及保護技術
摘要：對IGBT柵極驅動特性、柵極串聯電阻及其驅動電路進行了探討。提出了慢降柵壓過流保護和過
2009-07-15 07:57:592426 
創新的IGBT內部封裝技術
英飛凌推出創新的IGBT內部封裝技術。該技術可大幅延長IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術可優化IGBT模
2010-05-11 17:32:472392 英飛凌推出了完整的三相逆變器系統解決方案(基于HybridPACK 2 IGBT模塊的HybridKIT)，可減少設計人員在(H)EV逆變器結構設計階段的工作量，并幫助他們對英飛凌的HybridPACK2 IGBT功率模塊
2010-06-30 16:52:391218 
本內容提供了富士電機IGBT模塊應用手冊 1 元件的構造與特性 2 富士電機電子設備技術的IGBT 3 通過控制門極阻斷過電流 4 限制過電流功能 5 模塊的構造 6 IGBT模塊電路構造
2011-04-15 16:25:31264 IGBT單管和IGBT模塊的控制電路是一樣的，它們的作用和工作原理基本一樣，IGBT模塊可以看成是多個IGBT單管集成的模塊。IGBT模塊封裝技術拓展了IGBT的運用領域和功能。IGBT是集功率
2017-05-14 15:02:3412273 
技術也要與之相適應。未來IGBT模塊技術將圍繞 芯片背面焊接固定 與 正面電極互連 兩方面改進。模塊技術發展趨勢：無焊接、 無引線鍵合及無襯板/基板封裝技術；內部集成溫度傳感器、電流傳感器及驅動電路等功能元件，不斷提高IGBT模塊的功率密度、集成度及智能度。
2017-05-16 16:45:183139 
了，由穿透型發展到非穿透型。IGBT模塊也在此基礎上同步發展，單管模塊，半橋模塊，6管模塊，到現在的7管模塊。IGBT驅動設計上比較復雜，需要考慮較多的因素，諸如合理的選擇驅動電壓Uge和門極驅動電阻Rg，過流過壓保護等都是很重要的。IGBT模塊
2017-11-14 14:20:2025 IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品；封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上；IGBT
2017-11-23 10:07:3974851 
壓接式絕緣柵極雙極性晶體管（ IGBT）模塊因優越的電氣性能和封裝設計，受到柔性直流輸電等大功率應用場合的青睞，其模塊可靠性也成為大功率應用場合研究的重點，而IGBT模塊結溫是影響器件可靠性
2018-02-01 10:20:499 在一些電力電子應用場合，不僅需要高壓IGBT模塊有優異的性能，還需要具有相當高的可靠性；為了滿足實際需求，希望高壓IGBT模塊的壽命能達到30年，所以，高壓IGBT模塊的壽命預估非常重要。
2018-03-13 16:34:4210729 英飛凌公司高級經理陳子穎在高工電動車·電動物流車產業峰會上，發表了《電動商用車IGBT模塊的關鍵技術及應用要求》的精彩演講，詳細闡述了IGBT的標準體系、電動商用車IGBT模塊應用特點等內容。
2018-07-29 09:33:075238 株洲中車的“汽車用IGBT模塊”專利針對現有技術存在的問題，提供了一種能同時滿足極端高低溫狀況下的汽車級IGBT模塊雙脈沖測試方法和系統，具有測試操作簡單、成本低、系統集成度以及測試效率高的優勢。
2020-11-16 10:17:414436 
車輛運行時，特別實在擁堵的路況時的頻繁啟停，此時控制器的IGBT模塊工作電流會相應的頻繁升降，從而導致IGBT的結溫快速變化，對于IGBT模塊的壽命是個很大的考驗；
2021-02-01 13:58:034411 
IGBT模塊封裝及車用變流器設計與驗證說明。
2021-05-19 14:52:2237 igbt模塊散熱的過程依次為igbt在結上發生功率損耗；結上的溫度傳導到igbt模塊殼上；igbt模塊上的熱傳導散熱器上；散熱器上的熱傳導到空氣中。
2022-03-11 11:20:176503 
這是賽晶半導體自主技術IGBT模塊的首個批量訂單，標志公司IGBT模塊取得客戶認可并開始批量銷售和應用
2022-02-14 16:34:461055 
IGBT是電力電子裝置的CPU，在電力電子變流和控制中起著舉足輕重的作用。變頻器中，IGBT模塊更為重要。但是，IGBT模塊會經常出現爆炸的情況。
2022-02-16 10:24:2112262 IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品。封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上，具有節能
2022-05-12 10:12:092111 接上一篇討論了IGBT應用的環境，在什么條件下算是高濕？而高濕環境又是如何影響IGBT的可靠性的。本篇內容我們接著討論，從用戶端的角度，如何預防IGBT模塊因為高濕失效？
2022-07-10 11:55:271964 PPT主要介紹了大功率IGBT模塊應用中的一些技術，包括參數解讀、器件選型、驅動技術、保護方法以及失效分析等。
2022-09-05 11:36:39513 富士電機的IGBT模塊應用手冊
2022-10-28 11:17:217 IGBT 模塊上有一個“續流二極管”。它有什么作用呢?
2022-12-29 09:08:553117 IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品；封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上。
2023-01-05 10:45:103099 
IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品；封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上。
2023-01-17 14:56:472736 
智能功率模塊（IPM）是一種功率半導體模塊，可將操作IGBT所需的所有電路集成到一個封裝中。它包括所需的驅動電路和保護功能，以及IGBT。這樣，可以通過可用的IGBT技術獲得最佳性能。
2023-02-02 14:39:142430 
要弄明白IGBT模塊，就要先了解新能源汽車的電驅系統，先用一句話概括電驅系統如何工作：在駕駛新能源汽車時，電機控制器把動力電池放出的直流電（DC）變為交流電（AC）（這個過程即逆變）
2023-02-02 15:29:221597 IGBT模塊上下橋怎么區分 igbt模塊為什么做成上下橋在一起？因為IGBT在工作時由于他和整流橋的電流很大發熱量也非常大所以需要裝在一塊大的散熱片上來為它散熱，降低它的溫度。 IGBT(絕緣
2023-02-06 11:01:584836 IGBT模塊接口是一種用于連接IGBT模塊和其他電子設備的接口。
2023-02-17 18:21:211011 IGBT單管的封裝形式比較簡單，只有一個IGBT晶體管，一個反向恢復二極管和一個可選的溫度傳感器，而IGBT模塊的封裝形式比較復雜
2023-02-19 16:39:509150 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模塊是一種功率半導體器件，它是由多個IGBT芯片、反并聯二極管、驅動電路、保護電路等組成的集成模塊。IGBT模塊通常根據結構、電壓、電流、功率等參數進行分類。
2023-02-20 17:32:254883 IGBT功率模塊是指采用lC驅動，利用最新的封裝技術將IGBT與驅動電路、控制電路和保護電路高度集成在一起的模塊。其類別從復合功率模塊PIM發展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM.
2023-02-22 15:02:552865 IGBT最常見的形式其實是模塊（Module），而不是單管。IGBT模塊是由IGBT與FWD（續流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品，具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點。
2023-02-22 15:08:141760 
隨著IGBT的耗散功率和開關頻率不斷增大，以及工作環境嚴苛，使得IGBT模塊產生大量的熱量，由于模塊內的熱量無法及時得到釋放，從而引起模塊內部溫度升高。
2023-05-16 11:30:25513 
IGBT模塊主要由若干混聯的IGBT芯片構成，個芯片之間通過鋁導線實現電氣連接。標準的IGBT封裝中，單個IGBT還會并有續流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝，IGBT單元堆疊結構如圖1-1所示。
2023-05-30 08:59:52555 
IGBT模塊主要由若干混聯的IGBT芯片構成，個芯片之間通過鋁導線實現電氣連接。標準的IGBT封裝中，單個IGBT還會并有續流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝。
2023-06-02 09:09:29586 
隨著高速鐵路、城市軌道交通、新能源汽車、智能電網和風能發電等行業發展，對于高壓大功率IGBT模塊的需求迫切且數量巨大。由于高壓大功率IGBT模塊技術門檻較高，難度較大，特別是要求封裝材料散熱性能更好
2023-04-21 10:18:28728 
根據IGBT的產品分類來看，按照其封裝形式的不同，可分為IGBT分立器件、IPM模塊和IGBT模塊。
2023-07-22 16:09:301502 
IGBT模塊動態參數是評估IGBT模塊開關性能如開關頻率、開關損耗、死區時間、驅動功率等的重要依據，本文重點討論以下動態參數：模塊內部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數、柵極充電電荷、IGBT開關時間參數，結合IGBT模塊靜態參數可全面評估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543294 
的安全運行至關重要。隨著軌道交通高速、重載技術的發展和電力電子裝置綠色、智能要求的不斷提高，對大功率IGBT 模塊的性能與可靠性提出了越來越高的要求，需要更高的功率密度、更高的工作溫度、更高的運行可靠性來滿足新一代牽引動力的應用需求。
2023-09-07 09:09:491059 
IGBT模塊的起源可以追溯到20世紀80年代，當時日本的電子工程師們致力于克服傳統功率器件的局限性，尤其是普通雙極晶體管和場效應晶體管（FET）。IGBT模塊的出現正是為了綜合這兩者的優點，以滿足
2023-09-12 16:53:531805 
逆變器IGBT模塊的應用分析(1)根據負載的工作電壓和額定電流，以及使用頻率，選擇合適規格的模塊。使用模塊前，請詳細閱讀模塊參數數據表，了解模塊的各項技術指標;根據模塊的技術參數確定使用方案，計算
2023-09-20 17:49:521052 
IGBT模塊具有良好的開關性能、高速度和高效率等特點。IGBT模塊廣泛應用于工業、通信、軍事、醫療等各個領域，成為高功率控制領域的主流技術之一。 IGBT模塊的傳導損耗和開關損耗是其效率的兩個重要指標。在傳導損耗方面，IGBT模塊具有電導調制效應，即
2023-10-19 17:01:221318 IGBT模塊是由IGBT芯片（絕緣柵雙極型晶體管）和FWD芯片（續流二極管芯片）通過特定的電路橋封裝而成的模塊化半導體產品。因其具備節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點，按照其電壓的高低，可以分為高壓
2023-10-23 16:26:191034 
IGBT是新型功率半導體器件中的主流器件，已廣泛應用于多個產業領域。IGBT模塊中所涉及的焊接材料大多精密復雜且易損壞，制造商在IGBT模塊焊接裝配過程中正面臨著重重挑戰。
2023-10-31 09:53:451107 igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區別是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓、高電流功率半導體器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281270 IGBT模塊的封裝技術難度高，高可靠性設計和封裝工藝控制是其技術難點。
2023-11-21 15:49:45673 
IGBT和模塊的標準體系解讀
2023-12-14 11:38:45443 
英飛凌IGBT模塊命名規則
2023-11-23 09:09:36527 
IGBT行業的門檻非常高。除了芯片的設計和生產，IGBT模塊封裝測試的開發和生產等環節同樣有著非常高的技術要求和工藝要求。
2023-12-07 10:05:35712 
是一種重要的關鍵技術，被廣泛應用于能源轉換和能量控制系統中。 首先，我們來了解一下什么是IGBT模塊。IGBT模塊是一種功率半導體器件，是繼MOSFET和BJT之后的第三代功率開關器件。它具有低導通壓降、高開關速度和高耐受電壓的特點，適用于高
2023-12-07 16:45:21469 IGBT最常見的形式其實是模塊（Module），而不是單管。
2023-12-08 14:14:31915 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊是一種廣泛應用于電力電子轉換器中的半導體器件，用于控制和調節電流。在維修或更換IGBT模塊時，需要拆卸舊的模塊并安裝新的模塊。以下是拆卸IGBT模塊的步驟： 斷開電源
2024-01-10 17:54:57271 
。IGBT的應用領域廣泛，包括變頻器、電機驅動、電力電子設備等。 IGBT模塊是指將多個IGBT芯片和驅動電路封裝在一個模塊內，使得IGBT能夠方便地進行安裝和維護。IGBT模塊通常由IGBT芯片、散熱器
2024-01-18 17:31:231082
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